JP4837286B2 - 有機発光デバイス - Google Patents
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Description
本発明は、有機発光デバイス(OLED)と、固有の欠陥を含む発光性有機層を有するOLEDにおける電流密度の均一性を向上させるための方法に関する。
米国特許第5,247,190号または米国特許第4,539,507号に開示されているような有機発光デバイスは、今後、種々のディスプレイに利用される可能性があり、このような有機発光デバイスに対する期待は大きい。なお、前記米国特許第5,247,190号および米国特許第4,539,507号を参照することによって、その開示内容を本明細書中に盛り込んだものとする。1つの方法によれば、OLEDは、インジウム−スズ酸化物(ITO)等の透明な第1の電極(アノード)でガラスまたはプラスチックの基板を被覆することにより作製される。その後、最終層、すなわち、典型的には金属または合金からなる第2の電極(カソード)の膜に先立って、エレクトロルミネセント有機材料からなる薄膜が少なくとも1層成膜される。
前記有機発光層に存在する導電性の欠陥を流れる電流を制限する手段を備えることを特徴とする有機発光デバイスが提供される。
前記第1電極層は、該有機発光デバイスの駆動電圧を大幅に増加させる程には高い抵抗ではないが、前記有機発光層に存在する前記導電性の欠陥に過度の電流が流れることを回避するには充分な高さの抵抗を有することが好ましい。
さらに、前記有機層に存在する導電性の欠陥を前記第1電極または前記第2電極から電気的に絶縁する手段を有することを特徴とする有機発光デバイスが提供される。
前記第1電極および前記第2電極の少なくとも一方の電極が、高抵抗な第1電極層を含み、
該第1電極層によって前記有機発光層に本来的に存在する欠陥が被覆されるように、前記第1電極層の厚さが、前記有機発光層の厚さよりも大きいことを特徴とする有機発光デバイスが提供される。
高抵抗な第1電極層を含む複数の電極層によって前記第1電極および前記第2電極の一方を形成する工程を有し、
前記第1電極層を、半導体材料、半導体材料と絶縁体材料との混合物、半導体材料と導電体材料との混合物、および絶縁体材料と導電体材料との混合物の群から選択された材料で形成することを特徴とする有機発光デバイスにおける電流密度の均一性を向上させる方法が提供される。
前記第1電極層、前記第2電極層および前記有機発光層の間で電荷担体の移動が可能であり、
少なくとも前記第1電極層が複数のサブ電極を有し、
前記サブ電極の各々が周囲のサブ電極にヒューズリンクを介して直接接続されており、
特定の値を超える電流が流れると、前記ヒューズリンクが破断して前記サブ電極の各々を他のサブ電極から電気的に絶縁することを特徴とする有機発光デバイスが提供される。
前記第1電極および前記第2電極の少なくとも一方の電極が、他方の電極から離間して前記有機発光領域の表面に隣接する高抵抗な第1電極層と、前記有機発光領域から離間して前記第1電極層の表面に隣接するパターン化された導電性の第2電極層とを有し、
前記第1電極層は、前記他方の電極から離間して前記有機発光領域の表面の概ね全体を被覆し、かつ半導体材料と絶縁体材料との混合物、半導体材料と導電体材料との混合物、および絶縁体材料と導電体材料との混合物の群から選択された高抵抗材料からなる層であることを特徴とする有機発光デバイスが提供される。
前記第1電極および前記第2電極の少なくとも一方の電極が、他方の電極から離間して前記有機発光領域の表面に隣接する高抵抗な第1電極層を含む複数層からなり、かつ前記有機発光領域から離間して前記第1電極層の表面に隣接するパターン化された導電性の第2電極層とを有し、
前記第1電極層が、前記他方の電極から離間して前記有機発光領域の表面の概ね全体を被覆し、
前記有機発光領域に存在する欠陥によって生ずる影響を前記第1電極層によって補償するために、該第1電極層の厚さが前記有機発光領域の厚さよりも大きくなっていることを特徴とする有機発光デバイスが提供される。
高抵抗な第1電極層を他方の電極から離間して前記有機発光領域の表面の概ね全体に亘って形成する工程と、
前記有機発光領域から離間して前記第1電極層の表面上にパターン化された導電性の第2電極層を形成する工程とを有し、
前記第1電極層を、半導体材料、半導体材料と絶縁体材料との混合物、半導体材料と導電体材料との混合物、および絶縁体材料と導電体材料との混合物の群から選択された材料で形成することを特徴とする電極形成方法が提供される。
前記第1電極および前記第2電極の少なくとも一方の電極が、他方の電極から離間して前記有機発光領域の表面に隣接する絶縁体材料で形成された第1電極層と、前記有機発光領域から離間して前記第1電極層の表面に隣接する高抵抗な第2電極層と、前記第1電極層から離間して前記第2電極層の表面に隣接するパターン化された導電性の第3電極層とを有し、
前記第1電極層および第2電極層が、前記他方の電極から離間して前記有機発光領域の表面の概ね全体を被覆し、
前記第2電極層は、半導体材料、半導体材料と絶縁体材料との混合物、半導体材料と導電体材料との混合物、および絶縁体材料と導電体材料との混合物の群から選択された高抵抗材料で形成されていることを特徴とする有機発光デバイスが提供される。
以下、本発明につき好適な実施の形態を挙げ、添付の図面を参照して詳細に説明する。
式中、Nは欠陥の密度(単位面積当たり)、Aはそれぞれの欠陥の平均面積、Vは駆動電圧、ρはカソード層の抵抗率、tは第1のカソード層20の厚さである。
Claims (3)
- アノードと、カソードと、前記アノードと前記カソードとの間に介装された有機発光層とを有し、前記アノードおよび前記カソードが前記有機発光層に電荷担体を注入するための電極である有機発光デバイスであって、
前記カソードが、該アノードから離間して前記有機発光層の表面に隣接する第1電極層を含む複数の層を有し、
前記第1電極層は、その厚さが0.5〜1μm、抵抗率ρが10 2 〜10 5 Ωcmであり、絶縁体材料と導電体材料との混合物から形成され、
前記絶縁体材料がフッ化物からなるとともに、前記導電体材料が、仕事関数が3.7eV未満である金属からなり、
前記カソードが、前記第1電極層に隣接して設けられ、かつ導電体材料からなる第2電極層をさらに有することを特徴とする有機発光デバイス。 - 請求項1記載の有機発光デバイスにおいて、前記絶縁体材料が、LiFおよびCsFの群から選択された材料であることを特徴とする有機発光デバイス。
- 請求項1又は2記載の有機発光デバイスにおいて、前記第2電極層をなす前記導電体材料が、AlまたはAgであることを特徴とする有機発光デバイス。
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