JP4837017B2 - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents
Substrate processing apparatus and substrate processing method Download PDFInfo
- Publication number
- JP4837017B2 JP4837017B2 JP2008257521A JP2008257521A JP4837017B2 JP 4837017 B2 JP4837017 B2 JP 4837017B2 JP 2008257521 A JP2008257521 A JP 2008257521A JP 2008257521 A JP2008257521 A JP 2008257521A JP 4837017 B2 JP4837017 B2 JP 4837017B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- discharge means
- supplied
- wafer
- pure water
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Weting (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
この発明は、基板から不要物を除去するための装置および方法に関する。各種基板には、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、PDP(プラズマ・ディスプレイ・パネル用ガラス基板などが含まれる。 The present invention relates to an apparatus and method for removing unwanted materials from a substrate. The various substrates include a semiconductor wafer, a glass substrate for a liquid crystal display device, a PDP (glass substrate for a plasma display panel), and the like.
半導体装置の製造工程においては、半導体ウエハ(以下、単に「ウエハ」という。)の表面、裏面および端面の全域に銅薄膜などの金属薄膜を形成した後、この金属薄膜の不要部分をエッチング除去する処理が行われる場合がある。たとえば、配線形成のための銅薄膜はウエハの表面のデバイス形成領域に形成されていればよく、ウエハの表面の周縁部(たとえば、ウエハの周縁から幅3mm程度の部分)、裏面および端面に形成された銅薄膜は不要となるから、この不要な銅薄膜を除去する処理が行われる。 In the manufacturing process of a semiconductor device, after forming a metal thin film such as a copper thin film on the entire surface of the front surface, back surface and end surface of a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as “wafer”), unnecessary portions of the metal thin film are removed by etching. Processing may be performed. For example, the copper thin film for forming the wiring only needs to be formed in the device formation region on the front surface of the wafer, and is formed on the peripheral portion of the wafer surface (for example, a portion having a width of about 3 mm from the peripheral edge of the wafer) Since the copper thin film thus made becomes unnecessary, a process for removing the unnecessary copper thin film is performed.
また、ウエハの表面に金属薄膜が選択的に形成された場合であっても、ウエハの表面の金属薄膜を形成した領域以外の領域やウエハの端面および裏面に付着した金属イオンを除去する処理が行われる場合がある。
たとえば、ウエハの表面の周縁部に形成されている金属薄膜または金属イオンを除去する装置は、ウエハをほぼ水平に保持した状態で回転するスピンチャックと、このスピンチャックに保持されているウエハの表面の周縁部に向けてエッチング液を吐出するエッジリンスノズルと、スピンチャックに保持されたウエハの表面のほぼ中心に純水を供給するための純水ノズルとを備えている。
In addition, even when a metal thin film is selectively formed on the surface of the wafer, there is a process for removing metal ions adhering to the region other than the region on the wafer surface where the metal thin film is formed, and to the end surface and back surface of the wafer. It may be done.
For example, an apparatus for removing a metal thin film or metal ions formed on the peripheral edge of a wafer surface includes a spin chuck that rotates while the wafer is held almost horizontally, and a wafer surface held by the spin chuck. An edge rinse nozzle that discharges an etching solution toward the peripheral edge of the wafer, and a pure water nozzle that supplies pure water to substantially the center of the surface of the wafer held by the spin chuck.
金属薄膜を除去する際には、スピンチャックによってウエハが回転され、その回転しているウエハの表面の周縁部に向けてエッジリンスノズルからエッチング液が吐出される。エッジリンスノズルからエッチング液が吐出されている間、純水ノズルからウエハの表面の中心に向けて純水が供給される。
これにより、ウエハの表面の中央部の領域(デバイス形成領域)は純水に覆われた状態となり、エッジリンスノズルからウエハの表面に供給されたエッチング液は、ウエハの表面の中央部から周縁に向けて流れる純水により押し流される。したがって、ウエハの表面中央部のデバイス形成領域に向けてエッチング液のミストが飛散しても、そのエッチング液のミストは、デバイス形成領域上に形成された金属薄膜に直に付着するおそれがない。ゆえに、デバイス形成領域の金属薄膜がエッチング液による腐食を受けるおそれがない。
When removing the metal thin film, the wafer is rotated by the spin chuck, and an etching solution is discharged from the edge rinse nozzle toward the peripheral portion of the surface of the rotating wafer. While the etching solution is being discharged from the edge rinse nozzle, pure water is supplied from the pure water nozzle toward the center of the wafer surface.
As a result, the central area (device formation area) of the wafer surface is covered with pure water, and the etching solution supplied from the edge rinse nozzle to the wafer surface moves from the central area of the wafer surface to the periphery. It is swept away by pure water flowing toward it. Therefore, even if the mist of the etching solution scatters toward the device formation region at the center of the surface of the wafer, the mist of the etching solution is not likely to be directly attached to the metal thin film formed on the device formation region. Therefore, there is no possibility that the metal thin film in the device forming region is corroded by the etching solution.
ところが、最近になって、デバイス形成領域を覆っている純水が、デバイス形成領域に作り込まれているデバイスにダメージを与えるおそれがあることが判ってきた。
そこで、この発明の目的は、基板上の不要物を良好に除去することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
However, recently, it has been found that pure water covering the device formation region may cause damage to the device built in the device formation region.
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method that can satisfactorily remove unnecessary materials on a substrate.
前記の目的を達成するための請求項1記載の発明は、複数の吐出手段(122)を備え、前記吐出手段を基板(W)の周縁部に沿って相対的に移動させつつ、基板上の不要物を除去する基板処理装置であって、前記複数の吐出手段は、基板の中心から周縁に向けて延びる直線上に並べて配置されているとともに、基板の回転半径外方に向かうにつれて基板に近づくように傾斜した方向に指向されており、前記複数の吐出手段のうち、相対的に外側に配置された吐出手段(122a)は、基板に対して不要物を除去するためのエッチング液を吐出して基板上におけるエッチング液供給位置よりも基板の回転半径外方の領域に供給し、相対的に内側に配置された吐出手段(122b)は、基板に対して供給された前記エッチング液を押し流すように純水を吐出する、基板処理装置である。
The invention according to
また、請求項2に記載の発明は、複数の吐出手段(122)を備え、前記吐出手段を基板(W)の周縁部に沿って相対的に移動させつつ、基板上の不要物を除去する基板処理装置であって、前記複数の吐出手段は、基板の周辺から内側に向かう方向に沿って並べて配置されているとともに、基板の回転半径外方に向かうにつれて基板に近づくように傾斜した方向に指向されており、前記複数の吐出手段のうち、相対的に外側に配置された吐出手段(122a)は、基板に対して不要物を除去するためのエッチング液を吐出し、相対的に内側に配置された吐出手段(122b)は、基板に対して供給された前記エッチング液を押し流すように基板の周縁に向けて純水を吐出する、基板処理装置である。 The invention described in claim 2 is provided with a plurality of discharge means (122), and removes unnecessary materials on the substrate while relatively moving the discharge means along the peripheral edge of the substrate (W). In the substrate processing apparatus, the plurality of ejection units are arranged side by side along the direction from the periphery of the substrate toward the inside, and in a direction inclined so as to approach the substrate toward the outside of the rotation radius of the substrate. are directed, among the plurality of discharging means, a discharge means which is disposed relatively outside (122a) ejects an etching solution for removing unwanted material to the substrate, the relatively inner side The arranged discharge means (122b) is a substrate processing apparatus that discharges pure water toward the peripheral edge of the substrate so that the etching solution supplied to the substrate is swept away .
これらの構成によれば、エッチング液が基板の中央部に向けて流れることを防止しつつ、基板上におけるエッチング液供給位置よりも外側の領域にむらなくエッチング液を供給することができ、基板上の不要物を良好に除去することができる。さらに、基板上に供給されたエッチング液および純水が基板の中央部に向けて流れること良好に防止できる。
請求項3記載の発明は、基板の表面において、純水が供給される領域は、エッチング液が供給される領域よりも広い、請求項1または2に記載の基板処理装置である。
According to these configurations, while the etching liquid is prevented from flowing toward the center portion of the substrate, it is possible to supply uniformly etchant region outside the etchant supply position on the substrate, on the substrate Can be removed satisfactorily. Furthermore, it is possible to satisfactorily prevent the etching solution and pure water supplied on the substrate from flowing toward the center of the substrate.
A third aspect of the present invention is the substrate processing apparatus according to the first or second aspect, wherein a region to which pure water is supplied is wider than a region to which an etching solution is supplied on the surface of the substrate.
請求項4記載の発明は、相対的に外側に配置された吐出手段から吐出されるエッチング液は、相対的に内側に配置された吐出手段から吐出されて基板の表面を流れる純水の領域内に供給される、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
これらの構成によれば、純水の流れにより、純水の供給位置よりも外側の位置に供給されたエッチング液が押し流されるので、エッチング液が基板の中央部に向けて流れることを一層防止できる。
According to a fourth aspect of the present invention, the etching solution discharged from the discharge means disposed on the relatively outer side is discharged from the discharge means disposed on the relatively inner side and flows in the region of pure water flowing on the surface of the substrate. It is a substrate processing apparatus as described in any one of Claims 1-3 supplied to.
According to these configurations, by the flow of pure water, the etching liquid supplied to the outer position is swept than the supply position of the pure water, the etching solution can be further prevented from flowing toward the center portion of the substrate .
請求項5に記載の発明は、前記複数の吐出手段において、相対的に内側に配置された吐出手段は、相対的に外側に配置された吐出手段よりも早いタイミングで流体を吐出するように制御される、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、純水の流れにより、純水の供給位置よりも外側の位置に供給されたエッチング液が押し流されるので、エッチング液が基板の中央部に向けて流れることを一層防止できる。
According to a fifth aspect of the present invention, in the plurality of discharge means, the discharge means arranged relatively inside is controlled to discharge fluid at a timing earlier than the discharge means arranged relatively outside. It is a substrate processing apparatus as described in any one of Claims 1-4 .
According to this arrangement, the flow of pure water, the etching liquid supplied to the outer position than the supply position of the pure water is swept away, the etchant can be prevented further from flowing toward the center portion of the substrate.
請求項6に記載のように、前記基板処理装置は、前記複数の吐出手段から基板に供給された流体の飛散を防止する遮断板(23)を備え、前記複数の吐出手段が前記遮断板に設けられていてもよい。
また、請求項7に記載のように、前記基板処理装置は、基板上面に近接した位置と基板上面から離れた位置との間で相対的に移動する遮断板(23)を備えていてもよい。
As described in claim 6, wherein the substrate processing apparatus is provided with a blocking plate (23) for preventing the scattering of the fluid supplied from said plurality of discharging means to the substrate, the plurality of discharge means to said blocking plate It may be provided.
According to a seventh aspect of the present invention, the substrate processing apparatus may include a blocking plate (23) that moves relatively between a position close to the substrate upper surface and a position away from the substrate upper surface. .
請求項8に記載の発明は、前記遮断板と基板との間に不活性ガスを吐出する、請求項7に記載の基板処理装置である。
請求項9に記載の発明は、基板の表面において、純水が供給される領域よりも内側に不活性ガスを供給する吐出手段(122c)を備えている、請求項1〜8のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
The invention according to claim 8 is the substrate processing apparatus according to claim 7 , wherein an inert gas is discharged between the blocking plate and the substrate.
The invention according to claim 9, the surface of the substrate, pure water is provided with discharge means (122c) for supplying an inner inert gas than the area to be supplied, either of claims 1-8 one The substrate processing apparatus according to the item.
これらの構成によれば、エッチング液のミストが発生しても、そのミストを不活性ガスによって基板の外方へと吹き飛ばすことができる。よって、基板の中央部がエッチング液のミストによる腐食を受けるおそれがない。さらに、基板の中央部に純水が供給されないので、その中央部が純水によるダメージを受けるおそれがない。
請求項10に記載の発明は、基板の周辺から内側に向かう方向に直線上に並べて配置されているとともに、基板の回転半径外方に向かうにつれて基板に近づくように傾斜した方向に指向された複数の吐出手段(122)を基板の周縁部に沿って相対的に移動させつつ、前記複数の吐出手段(122a)から基板の周縁部にそれぞれ異なる流体を供給して、基板上の不要物を除去するにあたり、相対的に内側に配置された吐出手段(122b)から基板の周縁に向けて供給された純水の領域内に、相対的に外側に配置された吐出手段から不要物を除去するためのエッチング液を供給して、当該エッチング液を基板の中心から離れる方向に押し流す、基板処理方法である。
According to these configurations, even when mist of the etching solution is generated, the mist can be blown out of the substrate by the inert gas. Therefore, there is no possibility that the central portion of the substrate is corroded by the mist of the etchant . Furthermore, since pure water is not supplied to the central portion of the substrate, the central portion is not likely to be damaged by pure water .
The invention according to claim 10 is arranged in a straight line in the direction from the periphery to the inside of the substrate and is directed in a direction inclined so as to approach the substrate as it goes outward of the rotation radius of the substrate. The plurality of discharge means (122a) supply different fluids to the peripheral edge of the substrate while moving the discharge means (122) relatively along the peripheral edge of the substrate to remove unnecessary substances on the substrate. In order to remove unnecessary substances from the discharge means disposed relatively outside in the region of pure water supplied from the discharge means (122b) disposed relatively inside to the periphery of the substrate. This etching solution is supplied, and the etching solution is pushed away in the direction away from the center of the substrate.
この方法によれば、請求項1および2に関連して述べた効果と同様な効果を達成することができる。
請求項11に記載の発明は、前記複数の吐出手段において、相対的に内側に配置された吐出手段は、相対的に外側に配置された吐出手段よりも早いタイミングで流体を吐出するように制御される、請求項10に記載の基板処理方法である。
According to this method, an effect similar to the effect described in relation to
According to an eleventh aspect of the present invention, in the plurality of discharge means, the discharge means disposed relatively inside is controlled so as to discharge the fluid at a timing earlier than the discharge means disposed relatively outside. The substrate processing method according to claim 10 .
この方法によれば、請求項5に関連して述べた効果と同様な効果を達成することができる。
請求項12に記載の発明は、基板の表面において、純水が供給される領域よりも内側に不活性ガスを供給する、請求項10または11に記載の基板処理方法である。
According to this method, an effect similar to the effect described in relation to claim 5 can be achieved.
A twelfth aspect of the present invention is the substrate processing method according to the tenth or eleventh aspect , wherein the inert gas is supplied to the inside of the surface of the substrate in a region where pure water is supplied.
この方法によれば、請求項9に関連して述べた効果と同様な効果を達成することができる。 According to this method, an effect similar to the effect described in relation to claim 9 can be achieved.
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1は、この発明の一実施形態(第1の実施形態)に係る基板処理装置の構成を図解的に示す図である。この基板処理装置は、ほぼ円形の基板であるウエハWの表面および端面に金属薄膜(たとえば、銅薄膜)が形成された後、そのウエハWの表面の周縁部および端面に形成されている不要な金属薄膜を除去するための装置である。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a diagram schematically showing a configuration of a substrate processing apparatus according to one embodiment (first embodiment) of the present invention. In this substrate processing apparatus, a metal thin film (for example, a copper thin film) is formed on the surface and end face of a wafer W, which is a substantially circular substrate, and then unnecessary on the peripheral edge and end face of the surface of the wafer W. An apparatus for removing a metal thin film.
この基板処理装置には、バキュームチャック11が備えられている。バキュームチャック11は、ほぼ鉛直に配置されたチャック軸111と、このチャック軸111の上端にほぼ水平に固定された円板状の吸着ベース112とを含む。チャック軸111は、たとえば、円筒状に形成されることによって吸気路113を内部に有しており、この吸気路113の上端は、吸着ベース112の内部に形成された吸着路を介して、吸着ベース112の上面に形成された吸着口に連通されている。また、チャック軸111には、モータなどを含む回転駆動機構114から回転力が入力されるようになっている。
The substrate processing apparatus is provided with a
これにより、バキュームチャック11は、吸着ベース112上にウエハWが表面(デバイス形成面)を上方に向けて載置された状態で、吸気路113の内部を排気することにより、ウエハWの裏面(非デバイス形成面)を真空吸着してほぼ水平に保持することができる。そして、この状態で、回転駆動機構114からチャック軸111に回転力を入力することにより、吸着ベース112で吸着保持したウエハWを、そのほぼ中心を通る鉛直軸線(チャック軸111の中心軸線)Oまわりに回転させることができる。
Thus, the
バキュームチャック11の上方には、ほぼ円錐形状の遮断板12と、この遮断板12の傾斜面を洗浄するための純水を吐出する遮断板洗浄ノズル13とが配置されている。
遮断板12は、バキュームチャック11に対向する下面121がウエハWとほぼ同じ径の円形平面になっており、この下面121がバキュームチャック11に保持されたウエハWの上面とほぼ平行をなして対向するように設けられている。また、遮断板12は、昇降可能に設けられており、バキュームチャック11に対するウエハWの搬入出時には上方に大きく退避され、ウエハWに対する処理時にはウエハWに近接した位置まで下降される。
Above the
The blocking
遮断板12の下面121には、図2に示すように、その下面121の中心CEを中心とする3重の同心円周C1,C2,C3とその中心CEから半径方向に放射状に延びる複数本の直線との各交点に、たとえば円形の小さな開口122が形成されている。同心円周C1,C2,C3は、下面121の周縁部に設定されていて、下面121の中央部には、開口122は形成されていない。
As shown in FIG. 2, the
遮断板12の内部には、ウエハWに供給すべきエッチング液、純水および窒素ガスがそれぞれ流通するエッチング液供給路123、純水供給路124および窒素ガス供給路125が形成されている。
エッチング液供給路123は、遮断板12の下面121の半径方向外方に向かうにつれて下方に傾斜した傾斜部123aを有しており、この傾斜部123aの先端で、同心円周C1,C2,C3のうちで最も径の大きな円周C1上に配置された開口122aに連通している。傾斜部123aの傾斜角度は、開口122aから傾斜部123aと平行に延ばした直線が、ウエハWの表面の中央部のデバイス形成領域を取り囲むウエハ周縁領域(たとえば、ウエハWの周縁から幅3mm程度の部分)上であって、ウエハWの回転軸線Oを中心とする円周上に設定されたエッチング液供給位置Peで、バキュームチャック11に保持されたウエハWの表面に交差するような角度に設定されている。これにより、エッチング液供給路123を流通するエッチング液は、開口122aからエッチング液供給路123の傾斜部123aの傾斜方向(ウエハWの回転半径外方に向かうにつれてウエハWに近づくように傾斜した方向)に吐出されて、ウエハWの表面のエッチング液供給位置Peに供給される。
An etching solution supply path 123, a pure
The etchant supply path 123 has an inclined
純水供給路124は、エッチング液供給路123の傾斜部123aとほぼ平行に傾斜した傾斜部124aを有しており、この傾斜部124aの先端で、円周C1の次に大きな径の円周C2上に配置された開口122bに連通している。これにより、純水供給路124を流通する純水は、開口122bからエッチング液の吐出方向と平行な方向に吐出されて、上記ウエハ周縁領域上であって、ウエハWの表面のエッチング液供給位置PeよりもウエハWの回転軸線Oに近い純水供給位置Pdに供給される。純水供給位置Pdは、ウエハWの回転軸線Oを中心とする円周上に設定されている。
The pure
また、窒素ガス供給路125は、エッチング液供給路123の傾斜部123aとほぼ平行に傾斜した傾斜部125aを有しており、この傾斜部125aの先端で、最も径の小さな円周C3上に配置された開口122cに連通している。これにより、窒素ガス供給路125を流通する純水は、開口122cからエッチング液の吐出方向と平行な方向に吐出されて、ウエハWの表面の純水供給位置PdよりもウエハWの回転軸線Oに近い窒素ガス供給位置Pnに供給される。窒素ガス供給位置Pnは、ウエハWの回転軸線Oを中心とする円周上に設定されている。
Further, the nitrogen
図3は、この基板処理装置における処理について説明するための図解図である。処理対象のウエハWは、図示しない搬送ロボットによって搬入されてきて、バキュームチャック11に受け渡される。このとき、遮断板12(図1参照)は、ウエハWの搬入を阻害しないように上方に大きく退避している。バキュームチャック11にウエハWが保持されると、遮断板12がウエハWの表面に近づけられ、バキュームチャック11(すなわち、ウエハW)が予め定める回転速度で回転され始める。
FIG. 3 is an illustrative view for explaining processing in the substrate processing apparatus. The wafer W to be processed is loaded by a transfer robot (not shown) and delivered to the
その後、図3(a)に示すように、開口122cから窒素ガスの吐出が開始され、ウエハWの表面の窒素ガス供給位置Pnに斜め上方から窒素ガスが供給される。また、窒素ガスの吐出が開始された後、つづいて、図3(b)に示すように、開口122bから純水の吐出が開始され、ウエハWの表面の純水供給位置Pdに斜め上方から純水が供給される。さらに、純水の吐出が開始された後、図3(c)に示すように、開口122aからエッチング液の吐出が開始され、ウエハWの表面のエッチング液供給位置Peに斜め上方からエッチング液が供給される。
Thereafter, as shown in FIG. 3A, the discharge of nitrogen gas is started from the
ウエハWの表面への窒素ガス、純水およびエッチング液の供給が予め定める時間にわたって続けられると、図3(d)に示すように、まず、開口122aからのエッチング液の吐出が停止される。つづいて、図3(e)に示すように、開口122bからの純水の吐出が停止され、その後、図3(f)に示すように、開口122cからの窒素ガスの吐出が停止される。これでウエハWの周縁部および端面から不要な金属薄膜を除去するための処理は終了であり、この処理後のウエハWは、遮断板12が上方に退避した後、図示しない搬送ロボットによって、ウエハWの裏面から不要な金属イオンを除去するための装置に向けて搬出される。
When the supply of nitrogen gas, pure water, and etching solution to the surface of the wafer W is continued for a predetermined time, the discharge of the etching solution from the
以上のように、この実施形態に係る基板処理装置では、ウエハWの表面の周縁部および端面から金属薄膜を除去するためのエッチング液が、回転しているウエハWの表面のエッチング液供給位置Peに、そのエッチング液供給位置Peよりも上方であって、ウエハWの回転半径方向内方に配置された開口122aから供給される。これにより、エッチング液供給位置Peに供給されたエッチング液がウエハWの中央部に向けて流れることを防止しつつ、エッチング液供給位置PeよりもウエハWの回転半径方向外方の領域(ウエハWの表面の金属薄膜を除去すべき領域)EAにむらなくエッチング液を供給することができ、この領域EAおよび端面に形成されている金属薄膜を良好に除去することができる。
As described above, in the substrate processing apparatus according to this embodiment, the etching solution for removing the metal thin film from the peripheral edge and the end surface of the surface of the wafer W is the etching solution supply position Pe on the surface of the rotating wafer W. The etching solution is supplied from the
また、窒素ガス、純水およびエッチング液の供給(吐出)開始および停止が上述のような順序で行われることにより、エッチング液供給位置Peにエッチング液が供給されている間、エッチング液供給位置PeよりもウエハWの回転半径方向内方に設定された純水供給位置Pdおよび窒素ガス供給位置Pnにそれぞれ純水および窒素ガスが供給されている。純水供給位置Pdに供給された純水は、純水供給位置PdからウエハWの周縁に向けて流れ、この純水の流れにより、純水供給位置PdよりもウエハWの回転半径方向外方のエッチング液供給位置Peに供給されたエッチング液は押し流されるので、エッチング液がウエハWの中央部に向けて流れることを一層防止できる。さらに、エッチング液がエッチング液供給位置Peに入射する際にエッチング液のミストが発生しても、そのエッチング液のミストは窒素ガスによってウエハWの外方へと吹き飛ばされるので、ウエハWの中央部(デバイス形成領域)の薄膜がエッチング液のミストによる腐食を受けるおそれがない。 In addition, by starting and stopping the supply (discharge) of nitrogen gas, pure water, and etchant in the order described above, the etchant supply position Pe is supplied while the etchant is supplied to the etchant supply position Pe. Further, pure water and nitrogen gas are respectively supplied to the pure water supply position Pd and the nitrogen gas supply position Pn set inward in the rotational radius direction of the wafer W. The deionized water supplied to the deionized water supply position Pd flows from the deionized water supply position Pd toward the periphery of the wafer W, and the pure water flow causes the wafer W to move outward in the rotational radius direction from the deionized water supply position Pd. Since the etching solution supplied to the etching solution supply position Pe is pushed away, it is possible to further prevent the etching solution from flowing toward the center of the wafer W. Further, even if the mist of the etching solution is generated when the etching solution enters the etching solution supply position Pe, the mist of the etching solution is blown out of the wafer W by the nitrogen gas. There is no possibility that the thin film in the (device formation region) is corroded by the mist of the etchant.
さらにまた、ウエハWの中央部のデバイス形成領域に純水が供給されないので、デバイス形成領域に作り込まれているデバイスが純水によるダメージを受けるおそれがない。
図4は、この発明の他の実施形態(第2の実施形態)に係る基板処理装置の構成を図解的に示す図である。この実施形態に係る基板処理装置は、上述の実施形態に係る基板処理装置においてウエハWの表面の周縁部および端面に形成されている不要な金属薄膜が除去された後、そのウエハWの裏面から不要な金属イオン(金属汚染)または金属薄膜を除去するためのものである。
Furthermore, since pure water is not supplied to the device formation region at the center of the wafer W, there is no possibility that the device built in the device formation region is damaged by the pure water.
FIG. 4 is a diagram schematically showing the configuration of a substrate processing apparatus according to another embodiment (second embodiment) of the present invention. In the substrate processing apparatus according to this embodiment, the unnecessary metal thin film formed on the peripheral edge and the end surface of the front surface of the wafer W is removed from the back surface of the wafer W in the substrate processing apparatus according to the above-described embodiment. It is for removing unnecessary metal ions (metal contamination) or metal thin films.
この基板処理装置には、スピンチャック21が備えられている。スピンチャック21は、ほぼ鉛直に配置されたチャック軸211と、このチャック軸211の上端にほぼ水平に固定されたスピンベース212と、スピンベース212上に立設された複数本のチャックピン213とを有している。
スピンベース212は、たとえば、平面視において放射状に延びた複数本(たとえば、6本)のアームを有しており、各アームの先端にチャックピン213が立設されている。たとえば、一本おきのアーム(たとえば、全部で3本のアーム)の先端には、ウエハWの裏面の周縁部を受ける水平面と、ウエハWの端面に対向してウエハWの移動を規制する鉛直面とを有する固定チャックピン213が固定されている。そして、残余の一本おきのアーム(たとえば、全部で3本のアーム)の先端には、鉛直軸まわりに回転(自転)可能な可動チャックピン213が取り付けられている。この可動チャックピン213は、ウエハWの裏面の周縁部を受ける水平面と、この水平面から立ち上がり、ウエハWの端面に当接して、対向する固定チャックピン213と協働してウエハWを挟持する第1鉛直面と、同じく当該水平面から立ち上がり、第1鉛直面よりもウエハWの半径方向外方に後退してウエハWの端面を規制可能な第2鉛直面とを有している。したがって、可動チャックピン213を、鉛直軸まわりに回転させることにより、第1鉛直面または第2鉛直面をウエハWの端面に対向させることができ、これにより、ウエハWを挟持したり、ウエハWの挟持を弛めたりすることができる。
This substrate processing apparatus is provided with a
The
また、チャック軸211には、たとえばモータなどの駆動源を含む回転駆動機構214が結合されている。これにより、複数本のチャックピン213でウエハWを狭持した状態で、回転駆動機構214によってチャック軸211を回転させることにより、ウエハWを水平面内で回転させることができる。
さらに、チャック軸211は、円筒状に形成されており、その内部には、裏面リンス配管22が非回転状態に挿通されている。裏面リンス配管22の先端は、チャック軸211の先端で開口していて、これにより、チャック軸211の先端に、チャックピン213で挟持されたウエハWの裏面中央にエッチング液を供給するための裏面リンスノズル221が形成されている。
Further, a
Further, the
スピンチャック21の上方には、ほぼ円錐形状の遮断板23と、この遮断板23の傾斜面を洗浄するための純水を吐出する遮断板洗浄ノズル24とが配置されている。遮断板23は、図1に示す遮断板12から、エッチング液を供給するための開口122aおよびエッチング液供給路123を省略した構成であり、その下面231がスピンチャック21に保持されたウエハWの上面とほぼ平行をなして対向するように設けられている。
Above the
なお、図4および後述する図5において、遮断板23と図1に示す遮断板12とで共通する部分には、図1の場合と同一の参照符号を付して示している。また、その同一の参照符号を付した部分についての説明は省略する。
図5は、この第2の実施形態に係る基板処理装置における処理について説明するための図解図である。処理対象のウエハWは、上述の図1に示す基板処理装置において表面の周縁部および端面に形成された金属薄膜を除去するための処理を受けた後、その図1に示す基板処理装置から搬入されてきて、スピンチャック21に表面を上方に向けた状態で受け渡される。このとき、遮断板23(図4参照)は、ウエハWの搬入を阻害しないように上方に大きく退避している。スピンチャック21にウエハWが保持されると、遮断板23がウエハWの表面に近づけられ、スピンチャック21(すなわち、ウエハW)が予め定める回転速度で回転され始める。
In FIG. 4 and FIG. 5 to be described later, portions common to the blocking
FIG. 5 is an illustrative view for explaining processing in the substrate processing apparatus according to the second embodiment. The wafer W to be processed is subjected to a process for removing the metal thin film formed on the peripheral edge portion and the end face of the surface in the substrate processing apparatus shown in FIG. 1 and then carried from the substrate processing apparatus shown in FIG. Then, it is delivered to the
その後、図5(a)に示すように、開口122cから窒素ガスの吐出が開始され、ウエハWの表面の窒素ガス供給位置Pnに斜め上方から窒素ガスが供給される。また、窒素ガスの吐出が開始された後、つづいて、図5(b)に示すように、開口122bから純水の吐出が開始され、ウエハWの表面の純水供給位置Pdに斜め上方から純水が供給される。さらに、純水の吐出が開始された後、図5(c)に示すように、裏面リンスノズル221からエッチング液の吐出が開始され、ウエハWの裏面中央にエッチング液が供給される。
Thereafter, as shown in FIG. 5A, discharge of nitrogen gas is started from the
ウエハWの表面への窒素ガス、純水およびエッチング液の供給が予め定める時間にわたって続けられると、図5(d)に示すように、まず、裏面リンスノズル221からのエッチング液の吐出が停止される。つづいて、図5(e)に示すように、開口122bからの純水の吐出が停止され、その後、図5(f)に示すように、開口122cからの窒素ガスの吐出が停止される。これでウエハWの裏面から金属イオンまたは金属薄膜を除去するための処理は終了であり、その後は、ウエハWの裏面に純水が供給されて、ウエハWの裏面に付着したエッチング液が洗い流される。ウエハWの裏面を水洗するための純水は、裏面リンスノズル221にエッチング液または純水を切り替えて供給できるように構成して、裏面リンスノズル221からウエハWの裏面に供給するようにしてもよいし、裏面リンスノズル221とは別に設けられたノズルからウエハWの裏面に供給するようにしてもよい。この水洗処理後のウエハWは、遮断板23が上方に退避した後、図示しない搬送ロボットによって搬出される。
When the supply of nitrogen gas, pure water and etching liquid to the surface of the wafer W is continued for a predetermined time, first, as shown in FIG. 5D, the discharge of the etching liquid from the back
以上のように、この第2の実施形態に係る基板処理装置では、ウエハWの裏面に付着している金属イオンまたは金属薄膜を除去するためのエッチング液が、回転しているウエハWの裏面中央に供給される。これにより、ウエハWの裏面全域にまんべんなくエッチング液を供給することができ、このエッチング液により、ウエハWの裏面から金属イオンまたは金属薄膜を良好に除去することができる。 As described above, in the substrate processing apparatus according to the second embodiment, the etching liquid for removing the metal ions or the metal thin film adhering to the back surface of the wafer W is the center of the back surface of the rotating wafer W. To be supplied. Thereby, the etching solution can be supplied evenly over the entire back surface of the wafer W, and the metal ions or the metal thin film can be satisfactorily removed from the back surface of the wafer W by this etching solution.
また、窒素ガス、純水およびエッチング液の供給(吐出)開始および停止が上述のような順序で行われることにより、ウエハWの裏面にエッチング液が供給されている間、ウエハWの表面の純水供給位置Pdおよび窒素ガス供給位置Pnにそれぞれ純水および窒素ガスが供給されている。純水供給位置Pdに供給された純水は、ウエハWの表面を純水供給位置PdからウエハWの周縁へ向かって流れて、ウエハWの周縁から流下するので、裏面リンスノズル221からウエハWの裏面に供給されたエッチング液がウエハWの表面に回り込むおそれがない。
Further, the supply (discharge) of nitrogen gas, pure water and etching liquid is started and stopped in the order described above, so that the surface of the wafer W is pure while the etching liquid is supplied to the back surface of the wafer W. Pure water and nitrogen gas are supplied to the water supply position Pd and the nitrogen gas supply position Pn, respectively. The pure water supplied to the pure water supply position Pd flows from the pure water supply position Pd toward the peripheral edge of the wafer W and flows down from the peripheral edge of the wafer W. Therefore, the pure water supplied to the pure water supply position Pd flows from the back rinse
さらに、スピンチャック21のチャックピン213がウエハWの裏面を伝って側方に飛散するエッチング液を横切ることによってエッチング液のミストが発生しても、そのエッチング液のミストは窒素ガスによってウエハWの外方へと吹き飛ばされるので、ウエハWの中央部(デバイス形成領域)の薄膜がエッチング液のミストによる腐食を受けるおそれがない。
Further, even if the mist of the etching solution is generated by the chuck pins 213 of the
さらにまた、ウエハWの中央部のデバイス形成領域に純水が供給されないので、デバイス形成領域に作り込まれているデバイスが純水によるダメージを受けるおそれがない。
以上、この発明の2つの実施形態について説明したが、この発明は、さらに他の形態で実施することもできる。たとえば、上述の第1の実施形態では、遮断板12の下面121に円形の小さな開口122a,122b,122cが形成され、これらの開口122a,122b,122cからそれぞれエッチング液、純水および窒素ガスが吐出されるとしたが、遮断板12の下面121に、その下面121の中心CEを中心とする3つの同心円環状の開口が形成され、この3つの環状開口からそれぞれエッチング液、純水および窒素ガスが吐出されてもよい。また、これと同様な変形を上述の第2の実施形態に施してもよい。
Furthermore, since pure water is not supplied to the device formation region at the center of the wafer W, there is no possibility that the device built in the device formation region is damaged by the pure water.
As mentioned above, although two embodiment of this invention was described, this invention can also be implemented with another form. For example, in the first embodiment described above, small
また、上述の第1の実施形態では、開口122a,122b,122cはそれぞれ複数個形成されているが、開口122a,122b,122cはそれぞれ、少なくとも1つ形成されていればよい。たとえば、開口122a,122b,122cがそれぞれ1つずつだけ形成される場合には、下面121の中心CEを通る下面121上の直線に沿うように、開口122a,122b,122cが形成されるのが好ましい(図2の二点鎖線で囲う開口群A)。これによると、窒素ガス供給位置Pn、エッチング液供給位置Pe、および純水供給位置PdはウエハWの回転中心を通る直線に沿って設けられる。
In the first embodiment described above, a plurality of
あるいは、エッチング液が吐出される開口122aが1つだけ形成され、純水および窒素ガスが吐出される開口122bおよび122cが複数個形成されるようにしてもよい。この場合、複数の開口122bおよび122cは、中心CEから見て1つの開口122aを覆うように設けられるのが好ましい。これによれば、ウエハの回転中心から見て、エッチング液供給位置Peは、純水供給位置Pdおよび窒素ガス供給位置Pnで覆われることとなる(図2の二点鎖線で囲う開口群B)。
Alternatively, only one
さらにまた、遮断板12の中心付近に開口が形成され、この開口から窒素ガスが供給されるようにしてもよい。
さらには、遮断板12,23の開口122cからウエハWの表面に窒素ガスが供給されるとしたが、窒素ガス以外の不活性ガス(たとえば、ヘリウムガスまたはアルゴンガス)がウエハWの表面に供給されてもよい。
Furthermore, an opening may be formed near the center of the shielding
Furthermore, although nitrogen gas is supplied to the surface of the wafer W from the
さらには、基板の一例として半導体ウエハを取り上げたが、この発明は、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディプレイパネル用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板などの他の種類の基板に対して処理を施すための装置にも適用することができる。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
Furthermore, although a semiconductor wafer has been taken up as an example of the substrate, the present invention processes other types of substrates such as glass substrates for liquid crystal display devices, glass substrates for plasma display panels, and glass substrates for photomasks. It can also be applied to an apparatus for applying.
In addition, various design changes can be made within the scope of matters described in the claims.
12 遮断板
122 開口(吐出手段)
122a 開口(吐出手段)
122b 開口(吐出手段)
122c 開口(吐出手段)
23 遮断板
W ウエハ
12
122a opening (discharge means)
122b Opening (discharge means)
122c Opening (Discharging means)
23 Barrier plate W Wafer
Claims (12)
前記複数の吐出手段は、基板の中心から周縁に向けて延びる直線上に並べて配置されているとともに、基板の回転半径外方に向かうにつれて基板に近づくように傾斜した方向に指向されており、
前記複数の吐出手段のうち、相対的に外側に配置された吐出手段は、基板に対して不要物を除去するためのエッチング液を吐出して基板上におけるエッチング液供給位置よりも基板の回転半径外方の領域に供給し、相対的に内側に配置された吐出手段は、基板に対して供給された前記エッチング液を押し流すように純水を吐出する、基板処理装置。 A substrate processing apparatus comprising a plurality of discharge means, and removing unnecessary substances on the substrate while relatively moving the discharge means along the peripheral edge of the substrate,
The plurality of ejection means are arranged side by side on a straight line extending from the center of the substrate toward the peripheral edge, and are directed in a direction inclined so as to approach the substrate toward the outer radius of rotation of the substrate ,
Among the plurality of discharge means, the discharge means disposed on the outer side discharges an etching liquid for removing unnecessary substances from the substrate, and the rotation radius of the substrate is higher than the etching liquid supply position on the substrate. The substrate processing apparatus, wherein the discharge means that is supplied to the outer region and disposed relatively inside discharges pure water so that the etching solution supplied to the substrate is swept away .
前記複数の吐出手段は、基板の周辺から内側に向かう方向に沿って並べて配置されているとともに、基板の回転半径外方に向かうにつれて基板に近づくように傾斜した方向に指向されており、
前記複数の吐出手段のうち、相対的に外側に配置された吐出手段は、基板に対して不要物を除去するためのエッチング液を吐出し、相対的に内側に配置された吐出手段は、基板に対して供給された前記エッチング液を押し流すように基板の周縁に向けて純水を吐出する、基板処理装置。 A substrate processing apparatus comprising a plurality of discharge means, and removing unnecessary substances on the substrate while relatively moving the discharge means along the peripheral edge of the substrate,
The plurality of discharge means are arranged side by side along the direction from the periphery of the substrate toward the inside, and are directed in a direction inclined so as to approach the substrate as going outward of the rotation radius of the substrate ,
Among the plurality of discharge means, the discharge means disposed relatively outside discharges an etching solution for removing unnecessary substances from the substrate, and the discharge means disposed relatively inside the substrate A substrate processing apparatus that discharges pure water toward the periphery of the substrate so as to sweep away the etching solution supplied to the substrate.
前記複数の吐出手段が前記遮断板に設けられている、請求項1〜5のいずれか一項に記載の基板処理装置。 A blocking plate for preventing scattering of fluid supplied to the substrate from the plurality of ejection means,
Wherein the plurality of discharge means is provided in the shield plate, the substrate processing apparatus according to any one of claims 1-5.
相対的に内側に配置された吐出手段から基板の周縁に向けて供給された純水の領域内に、相対的に外側に配置された吐出手段から不要物を除去するためのエッチング液を供給して、当該エッチング液を基板の中心から離れる方向に押し流す、基板処理方法。 A plurality of discharge means that are arranged in a straight line in the direction from the periphery of the substrate to the inside and that are oriented in an inclined direction so as to approach the substrate as it goes outward of the radius of rotation of the substrate are arranged at the peripheral edge of the substrate. While removing the unnecessary substances on the substrate by supplying different fluids to the peripheral portion of the substrate from the plurality of ejection means while relatively moving along the
An etching solution for removing unnecessary substances is supplied from the discharge means disposed relatively outside to the region of pure water supplied toward the periphery of the substrate from the discharge means disposed relatively inside. A substrate processing method in which the etchant is pushed away from the center of the substrate.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008257521A JP4837017B2 (en) | 2008-10-02 | 2008-10-02 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008257521A JP4837017B2 (en) | 2008-10-02 | 2008-10-02 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001162828A Division JP4743735B2 (en) | 2001-05-30 | 2001-05-30 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011104385A Division JP5199419B2 (en) | 2011-05-09 | 2011-05-09 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009060119A JP2009060119A (en) | 2009-03-19 |
JP4837017B2 true JP4837017B2 (en) | 2011-12-14 |
Family
ID=40555513
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008257521A Expired - Fee Related JP4837017B2 (en) | 2008-10-02 | 2008-10-02 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4837017B2 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107946214A (en) * | 2017-11-21 | 2018-04-20 | 长江存储科技有限责任公司 | Wafer cleaning device |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3248970B2 (en) * | 1993-01-11 | 2002-01-21 | 大日本スクリーン製造株式会社 | Substrate edge cleaning equipment |
JPH07106240A (en) * | 1993-10-01 | 1995-04-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate edge treater |
JP4271267B2 (en) * | 1997-02-14 | 2009-06-03 | 大日本スクリーン製造株式会社 | Substrate processing method |
JP4584385B2 (en) * | 1999-08-10 | 2010-11-17 | 大日本スクリーン製造株式会社 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
-
2008
- 2008-10-02 JP JP2008257521A patent/JP4837017B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107946214A (en) * | 2017-11-21 | 2018-04-20 | 长江存储科技有限责任公司 | Wafer cleaning device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009060119A (en) | 2009-03-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI574301B (en) | Liquid handling device | |
TWI381435B (en) | Liquid treatment device, liquid treatment method and memory media | |
JP5090089B2 (en) | Substrate processing equipment | |
JP5253592B2 (en) | Substrate processing method | |
JP4976949B2 (en) | Substrate processing equipment | |
TWI538044B (en) | Cleaning jig and cleaning method for cleaning substrate processing device, and substrate processing system | |
JP5426141B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP2007142077A (en) | Substrate-treating device and substrate treatment method | |
JP4619144B2 (en) | Substrate processing equipment | |
JP2009135396A (en) | Substrate treating apparatus and method for processing substrate | |
JP5973901B2 (en) | Substrate liquid processing apparatus and substrate liquid processing method | |
JP4743735B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP3874261B2 (en) | Substrate processing equipment | |
JP2013201334A (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP2007258565A (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
JP5318010B2 (en) | Substrate processing equipment | |
JPH05259060A (en) | Applicator | |
JP4781253B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP5199419B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP4837017B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP4325831B2 (en) | Substrate processing apparatus, rotating plate provided in substrate processing apparatus, and method for cleaning surrounding member | |
JP5308211B2 (en) | Substrate processing equipment | |
JP4488497B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP2003109935A (en) | Substrate peripheral edge treatment device and method therefor | |
JP4909157B2 (en) | Substrate processing equipment |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20100630 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100729 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100805 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101001 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110310 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110922 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110927 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141007 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4837017 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |