JP4909157B2

JP4909157B2 - Substrate processing equipment

Info

Publication number: JP4909157B2
Application number: JP2007094459A
Authority: JP
Inventors: 憲司竹本; 浩樹馬場; 高夫足立
Original assignee: Screen Holdings Co Ltd; Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Screen Holdings Co Ltd; Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2007-03-30
Filing date: 2007-03-30
Publication date: 2012-04-04
Anticipated expiration: 2027-03-30
Also published as: JP2008252006A

Description

本発明は、複数種の薬液を用いた基板処理のための基板処理装置に関する。処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などが含まれる。 The present invention relates to a substrate processing apparatus for substrate processing using a plurality of types of chemical solutions. Examples of substrates to be processed include semiconductor wafers, liquid crystal display substrates, plasma display substrates, FED (Field Emission Display) substrates, optical disk substrates, magnetic disk substrates, magneto-optical disk substrates, photo A mask substrate is included.

半導体装置の製造工程では、半導体ウエハの基板の表面に処理液による処理を施すために、基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置が用いられることがある。この枚葉式の基板処理装置は、たとえば、複数本のチャックピンで基板をほぼ水平に保持しつつ、その基板を回転させるスピンチャックと、スピンチャックによって回転される基板の表面に向けて処理液を供給するノズルとを備えている。 In the manufacturing process of a semiconductor device, a single-wafer type substrate processing apparatus that processes substrates one by one may be used to perform processing with a processing liquid on the surface of a substrate of a semiconductor wafer. This single-wafer type substrate processing apparatus includes, for example, a spin chuck that rotates a substrate while holding the substrate substantially horizontally with a plurality of chuck pins, and a processing liquid toward the surface of the substrate rotated by the spin chuck. And a nozzle for supplying.

処理時には、スピンチャックによって基板が回転されつつ、その基板の表面に向けてノズルから処理液が吐出される。基板の表面に供給された処理液は、基板の回転力による遠心力を受けて、基板の表面上を周縁部に向けて流れる。これによって、基板の表面の全域に処理液が行き渡り、基板の表面に対する処理液処理が達成される。
処理の開始時には、搬送ロボットから基板が受け渡されて、スピンチャックに基板が保持される。搬送ロボットによる基板の受渡し動作が正常に実行されたことが検出された後、スピンチャックによって基板が回転される。
特開２００６−１４０３５０号公報 During processing, the processing liquid is discharged from the nozzle toward the surface of the substrate while the substrate is rotated by the spin chuck. The processing liquid supplied to the surface of the substrate receives centrifugal force due to the rotational force of the substrate and flows on the surface of the substrate toward the peripheral edge. As a result, the processing liquid spreads over the entire surface of the substrate, and the processing liquid processing on the surface of the substrate is achieved.
At the start of processing, the substrate is delivered from the transfer robot, and the substrate is held on the spin chuck. After it is detected that the substrate transfer operation by the transfer robot has been normally executed, the substrate is rotated by the spin chuck.
JP 2006-140350 A

しかしながら、何らかの異常のために、搬送ロボットによる基板の受渡し動作が正常に終了せずにスピンチャックの回転が開始されると、スピンチャックが基板を保持せずに回転するおそれがある。この状態で、ノズルから処理液が吐出されると、スピンチャックに供給された処理液がスピンチャックにダメージを与えたり、スピンチャックの回転による遠心力を受けて、ノズルから吐出された処理液が予定外の方向に飛散したりするおそれがある。 However, if the rotation of the spin chuck is started without the completion of the substrate transfer operation by the transfer robot due to some abnormality, the spin chuck may rotate without holding the substrate. In this state, when the processing liquid is discharged from the nozzle, the processing liquid supplied to the spin chuck damages the spin chuck or receives centrifugal force due to the rotation of the spin chuck, and the processing liquid discharged from the nozzle There is a risk of splashing in an unscheduled direction.

このような事態を防止するために、スピンチャックに基板が保持されていないときには、処理液の吐出を禁止することが考えられるが、基板が保持されていないときにノズルからの処理液の吐出を一切行えないとすれば、ノズルに残留する処理液を排出するためのプリディスペンス処理を行えないという問題がある。
そこで、この発明の目的は、基板保持手段に基板が保持されているか否かに応じて、処理液供給手段の供給動作を適切に禁止することができる基板処理装置を提供することである。 In order to prevent such a situation, it may be possible to prohibit the discharge of the processing liquid when the substrate is not held by the spin chuck. However, when the substrate is not held, the discharge of the processing liquid from the nozzle is not allowed. If it cannot be performed at all, there is a problem that the pre-dispensing process for discharging the processing liquid remaining in the nozzle cannot be performed.
Accordingly, an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of appropriately prohibiting the supply operation of the processing liquid supply means depending on whether or not the substrate is held by the substrate holding means.

前記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板（Ｗ）を保持するための基板保持手段（３）と、前記基板保持手段に基板が保持されているか否かを検出する基板検出手段（９）と、前記基板保持手段に保持された基板に向けて処理液を吐出する処理位置と、この処理位置から退避した退避位置との間で移動可能に設けられて、前記基板を処理するための処理液を吐出する処理液ノズル（４，５）と、前記処理液ノズルの位置を検出するためのノズル位置センサ（３７）と、前記処理液ノズルに対して処理液を供給する処理液供給手段（２３，２８）と、前記退避位置に設けられ、前記退避位置に位置する処理液ノズルから吐出される処理液を受け入れる廃液槽（５６）と、前記処理液供給手段による処理液の供給動作に先立って、前記基板検出手段による検出内容、および前記ノズル位置センサによる検出内容を取得し、前記基板保持手段に基板が保持されている場合には第１の禁止条件に基づいて、また、前記基板保持手段に基板が保持されていない場合には第２の禁止条件に基づいて、前記処理液供給手段による供給動作を許可／禁止する供給動作許可／禁止手段（６０）とを含み、前記第２の禁止条件は、前記処理液ノズルが前記退避位置に位置していないという条件であり、前記供給動作許可／禁止手段は、前記基板保持手段に基板が保持されていない場合でかつ前記第２の禁止条件が満たされている場合に、前記処理液供給手段による供給動作を禁止する手段（６０）を含むことを特徴とする、基板処理装置である。 In order to achieve the above object, the invention according to claim 1 includes a substrate holding means (3) for holding the substrate (W) and a base for detecting whether or not the substrate is held by the substrate holding means. and Itaken detecting means (9), a processing position for discharging been processed liquid toward the substrate held by the substrate holding means, provided movably between a retracted position retracted from the processing position, wherein A processing liquid nozzle (4, 5 ) for discharging a processing liquid for processing the substrate, a nozzle position sensor (37) for detecting the position of the processing liquid nozzle, and a processing liquid to the processing liquid nozzle and supplying the treatment liquid supplying means (2 3, 28), disposed in the retracted position, waste liquid tank for receiving the processing liquid discharged from the treatment liquid nozzle located at the retracted position (56), the treatment liquid supply means Prior to processing liquid supply operation The detection contents by the substrate detection means and the detection contents by the nozzle position sensor are acquired, and when the substrate is held by the substrate holding means, based on a first prohibition condition, the substrate holding means in the case where the substrate is not held on the basis of the second prohibition condition, seen including a supply operation enable / disable means (60) for permitting / prohibiting the supply operation by the treatment liquid supplying means, said second The prohibition condition is a condition that the processing liquid nozzle is not located at the retracted position, and the supply operation permission / prohibition means is the case where the substrate is not held by the substrate holding means and the second prohibition is performed. A substrate processing apparatus comprising: means (60) for prohibiting a supply operation by the processing liquid supply means when a condition is satisfied .

なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
この構成によれば、基板保持手段に基板が保持されているときには、第１の禁止条件に基いて処理液供給手段による処理液の供給動作が禁止／許可される。また、基板保持手段に基板が保持されているときには、第２の禁止条件に基いて処理液供給手段による処理液の供給動作が禁止／許可される。第１の禁止条件および第２の禁止条件をそれぞれ適切に設定しておけば、基板保持手段に基板が保持されているか否かに応じて、処理液供給手段による処理液の供給動作が禁止／許可することができる。
また、処理液ノズルから吐出される処理液は基板保持手段には供給されないので、基板保持手段に対して汚染等の悪影響を与えない。また、基板保持手段が回転している場合には、処理液が基板保持手段に直接供給され、基板保持手段の遠心力により予定外の方向に処理液が飛散してしまうことを防止する。 In addition, the alphanumeric characters in parentheses represent corresponding components in the embodiments described later. The same applies hereinafter.
According to this configuration, when the substrate is held by the substrate holding means, the processing liquid supply operation by the processing liquid supply means is prohibited / permitted based on the first prohibition condition. Further, when the substrate is held by the substrate holding means, the processing liquid supply operation by the processing liquid supply means is prohibited / permitted based on the second prohibition condition. If the first prohibition condition and the second prohibition condition are appropriately set, the processing liquid supply operation by the processing liquid supply means is prohibited / depending on whether the substrate is held by the substrate holding means. Can be allowed.
Further, since the processing liquid discharged from the processing liquid nozzle is not supplied to the substrate holding unit, the substrate holding unit is not adversely affected such as contamination. In addition, when the substrate holding means is rotating, the processing liquid is directly supplied to the substrate holding means, and the processing liquid is prevented from being scattered in an unscheduled direction due to the centrifugal force of the substrate holding means.

請求項２記載の発明は、前記供給動作許可／禁止手段は、前記基板保持手段に基板が保持されていない場合でかつ前記第２の禁止条件が満たされていない場合に、前記処理液供給手段による供給動作を許可する手段をさらに含むことを特徴とする、請求項１記載の基板処理装置である。 According to a second aspect of the present invention, the supply operation permission / prohibition unit is configured to supply the processing liquid supply unit when a substrate is not held by the substrate holding unit and when the second prohibition condition is not satisfied. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising means for permitting a supply operation according to claim 1.

この構成によれば、処理液ノズルが退避位置に位置しているときには、基板保持手段に基板が保持されていなくても、処理液供給手段による処理液の供給動作が許可される。 According to this configuration, when the processing liquid nozzle is located at the retracted position, the processing liquid supply operation by the processing liquid supply unit is permitted even if the substrate is not held by the substrate holding unit .

さらに、退避位置に位置した処理液ノズルから廃液槽に向けて処理液を吐出させることにより、処理液ノズルに残留する処理液を排出するプリディスペンス処理を行うことができる。これにより、基板が保持されていない基板保持手段に向けて処理液が吐出されることを防止しつつ、プリディスペンス処理を行うことができる。 Furthermore, by discharging the processing liquid from the processing liquid nozzle located at the retreat position toward the waste liquid tank, it is possible to perform a pre-dispensing process for discharging the processing liquid remaining in the processing liquid nozzle. Thus, the pre-dispensing process can be performed while preventing the processing liquid from being discharged toward the substrate holding unit that does not hold the substrate.

以下では、本発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を概念的に示す断面図である。
基板処理装置１は、薬液およびＤＩＷ（deionized water）を用いて、基板の一例である半導体ウエハＷ（以下、単に「ウエハＷ」という。）から汚染物質を除去するための洗浄処理を実行するための装置である。この基板処理装置１は、隔壁（図示せず）により区画された処理室２内に、ウエハＷをほぼ水平に保持して回転させるためのスピンチャック３と、スピンチャック３に保持されたウエハＷの表面（上面）に向けて薬液を吐出するための薬液ノズル４と、スピンチャック３に保持されたウエハＷの表面にＤＩＷを供給するためのＤＩＷノズル５とを備えている。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a sectional view conceptually showing the structure of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
The substrate processing apparatus 1 performs a cleaning process for removing contaminants from a semiconductor wafer W (hereinafter simply referred to as “wafer W”), which is an example of a substrate, using a chemical solution and DIW (deionized water). It is a device. The substrate processing apparatus 1 includes a spin chuck 3 for holding and rotating a wafer W substantially horizontally in a processing chamber 2 partitioned by a partition wall (not shown), and a wafer W held on the spin chuck 3. And a DIW nozzle 5 for supplying DIW to the surface of the wafer W held by the spin chuck 3.

薬液ノズル４から吐出される薬液として、王水、硫酸、アンモニア過酸化水素水、塩酸過酸化水素水、ふっ酸などを例示することができる。
スピンチャック３は、ほぼ鉛直に延びるスピン軸６と、スピン軸６の上端にほぼ水平な姿勢で取り付けられたスピンベース７と、スピンベース７の周縁部に配置された複数の挟持部材８とを備えている。複数の挟持部材８は、スピン軸６の中心軸線を中心とする円周上にほぼ等角度間隔で配置されている。各挟持部材８をウエハＷの端面に当接させて、複数の挟持部材８でウエハＷを挟持することにより、ウエハＷがほぼ水平な姿勢で保持され、ウエハＷの中心がスピン軸６の中心軸線上に配置される。 Examples of the chemical solution discharged from the chemical solution nozzle 4 include aqua regia, sulfuric acid, ammonia hydrogen peroxide solution, hydrochloric acid hydrogen peroxide solution, and hydrofluoric acid.
The spin chuck 3 includes a spin shaft 6 that extends substantially vertically, a spin base 7 that is attached to the upper end of the spin shaft 6 in a substantially horizontal posture, and a plurality of clamping members 8 that are disposed on the periphery of the spin base 7. I have. The plurality of clamping members 8 are arranged at substantially equal angular intervals on a circumference centered on the central axis of the spin shaft 6. Each holding member 8 is brought into contact with the end surface of the wafer W, and the wafer W is held by the plurality of holding members 8 so that the wafer W is held in a substantially horizontal posture, and the center of the wafer W is the center of the spin shaft 6. Arranged on the axis.

各挟持部材８は、スピンチャック３によるウエハＷの保持状態と、スピンチャック３にウエハＷが保持されていない状態とで、その位置が異なるようにされている。各挟持部材８に関連して、ウエハ保持センサ９が設けられている。このウエハ保持センサ９は、挟持部材の位置を検出して、その位置に応じた検出信号を出力する。
スピン軸６には、モータ（図示せず）を含むチャック回転機構１０から回転力が入力される。この回転力の入力により、スピン軸６が回転し、挟持部材８に挟持されたウエハＷがスピンベースともにスピン軸６の中心軸線まわりに回転する。このスピン軸８に関連して回転速度センサ１１が設けられていて、この回転速度センサ１１によって、スピンチャック３によって回転されるウエハＷの回転速度が検出されるようになっている。 The positions of the holding members 8 are different between the state in which the wafer W is held by the spin chuck 3 and the state in which the wafer W is not held by the spin chuck 3. A wafer holding sensor 9 is provided in association with each clamping member 8. The wafer holding sensor 9 detects the position of the clamping member and outputs a detection signal corresponding to the position.
A rotational force is input to the spin shaft 6 from a chuck rotation mechanism 10 including a motor (not shown). By inputting this rotational force, the spin shaft 6 rotates, and the wafer W sandwiched between the sandwiching members 8 rotates about the central axis of the spin shaft 6 together with the spin base. A rotation speed sensor 11 is provided in association with the spin shaft 8, and the rotation speed sensor 11 detects the rotation speed of the wafer W rotated by the spin chuck 3.

スピン軸６は中空軸であり、その内部には裏面処理液供給管１２が相対回転可能に挿通されている。裏面処理液供給管１２の上端は、スピン軸６の上端に設けられた裏面ノズル１３に接続されている。また、裏面処理液供給管１２には、薬液供給ライン（図示せず）から薬液が供給される薬液裏面側供給管１４と、ＤＩＷ供給ライン（図示せず）からＤＩＷが供給されるＤＩＷ裏面側供給管１５とが接続されている。 The spin shaft 6 is a hollow shaft, and a back surface treatment liquid supply pipe 12 is inserted therein so as to be relatively rotatable. The upper end of the back surface treatment liquid supply pipe 12 is connected to a back surface nozzle 13 provided at the upper end of the spin shaft 6. Further, the backside treatment liquid supply pipe 12 is supplied with a chemical liquid from a chemical liquid supply line (not shown), and a DIW backside is supplied with DIW from a DIW supply line (not shown). A supply pipe 15 is connected.

薬液裏面側供給管１４には、薬液裏面側バルブ１６が介装されている。ＤＩＷ裏面側供給管１５には、ＤＩＷ裏面側バルブ１７が介装されている。
裏面処理液供給管１２の途中部には、裏面側バルブ１８が介装されている。裏面処理液供給管１２の途中部には、裏面側バルブ１８の上流側において裏面用廃液管１９が分岐して接続されている。裏面用廃液管１９は廃液を処理するための廃液設備へと延びており、裏面用廃液管１９には廃液バルブ２０が介装されている。 A chemical back surface side valve 16 is interposed in the chemical back surface supply pipe 14. A DIW rear surface side valve 17 is interposed in the DIW rear surface side supply pipe 15.
A back surface side valve 18 is interposed in the middle of the back surface processing liquid supply pipe 12. A back surface waste liquid pipe 19 is branched and connected to an intermediate portion of the back surface processing liquid supply pipe 12 on the upstream side of the back side valve 18. The back surface waste liquid pipe 19 extends to a waste liquid facility for processing the waste liquid, and the back surface waste liquid pipe 19 is provided with a waste liquid valve 20.

ＤＩＷ裏面側バルブ１７および廃液バルブ２０が閉じられた状態で、薬液裏面側バルブ１６および裏面側バルブ１８が開かれると、薬液裏面側供給管１４から裏面処理液供給管１２に薬液が供給される。その薬液は、裏面処理液供給管１２から裏面ノズル１３に供給されて、裏面ノズル１３から上方に向けて吐出される。スピンチャック３にウエハＷが保持された状態で、裏面ノズル１３から薬液を吐出させることにより、ウエハＷの裏面（下面）に薬液を供給することができる。 When the chemical back surface side valve 16 and the back surface side valve 18 are opened with the DIW back surface side valve 17 and the waste liquid valve 20 closed, the chemical solution is supplied from the chemical liquid back surface side supply pipe 14 to the back surface processing liquid supply pipe 12. . The chemical solution is supplied from the back surface treatment liquid supply pipe 12 to the back surface nozzle 13 and is discharged upward from the back surface nozzle 13. The chemical liquid can be supplied to the back surface (lower surface) of the wafer W by discharging the chemical liquid from the back surface nozzle 13 while the wafer W is held on the spin chuck 3.

薬液裏面側バルブ１６および廃液バルブ２０が閉じられた状態で、ＤＩＷ裏面側バルブ１７および裏面側バルブ１８が開かれると、ＤＩＷ裏面側供給管１５から裏面処理液供給管１２にＤＩＷが供給される。そのＤＩＷは、裏面処理液供給管１２から裏面ノズル１３に供給されて、裏面ノズル１３から上方に向けて吐出される。スピンチャック３にウエハＷが保持された状態で、裏面ノズル１３からＤＩＷを吐出させることにより、ウエハＷの裏面（下面）にＤＩＷを供給することができる。 When the DIW back surface side valve 17 and the back surface side valve 18 are opened while the chemical liquid back surface side valve 16 and the waste liquid valve 20 are closed, DIW is supplied from the DIW back surface side supply pipe 15 to the back surface treatment liquid supply pipe 12. . The DIW is supplied from the back surface treatment liquid supply pipe 12 to the back surface nozzle 13 and is discharged upward from the back surface nozzle 13. DIW can be supplied to the back surface (lower surface) of the wafer W by discharging DIW from the back surface nozzle 13 while the wafer W is held on the spin chuck 3.

また、ＤＩＷ裏面側バルブ１７および裏面側バルブ１８が閉じられた状態で、薬液裏面側バルブ１６および廃液バルブ２０が開かれると、薬液裏面側供給管１４から裏面処理液供給管１２に薬液が供給される。その薬液は、裏面処理液供給管１２から裏面用廃液管１９に供給され、裏面用廃液管１９を通して廃液設備へと導かれる。
このように、薬液裏面側バルブ１６、ＤＩＷ裏面側バルブ１７、裏面側バルブ１８および廃液バルブ２０を所定の組み合わせで開くことにより、裏面ノズル１３から薬液およびＤＩＷを選択的に吐出させたり、薬液を廃液設備へと導いたりすることができる。 Further, when the chemical back surface side valve 16 and the waste liquid valve 20 are opened in a state where the DIW back surface side valve 17 and the back surface side valve 18 are closed, the chemical liquid is supplied from the chemical liquid back surface side supply pipe 14 to the back surface treatment liquid supply pipe 12. Is done. The chemical solution is supplied from the back surface treatment liquid supply pipe 12 to the back surface waste liquid pipe 19 and guided to the waste liquid facility through the back surface waste liquid pipe 19.
In this way, by opening the chemical liquid back side valve 16, the DIW back side valve 17, the back side valve 18 and the waste liquid valve 20 in a predetermined combination, the chemical liquid and DIW can be selectively discharged from the back nozzle 13 or the chemical liquid can be discharged. Or lead to waste liquid equipment.

また、中空軸であるスピン軸６の内壁面と、裏面処理液供給管１２の外壁面との間には窒素ガス下供給路２１が形成されている。この窒素ガス下供給路２１は、スピンベース７の上面に開口している。この窒素ガス下供給路２１には、窒素ガス下バルブ３５を介して不活性ガスとしての窒素ガスが供給されるようになっている。
薬液ノズル４には、薬液ラインから薬液が供給される薬液表面側供給管２２が接続されている。この薬液表面側供給管２２には、薬液表面側バルブ２３が介装されている。薬液表面側バルブ２３が開かれると、薬液表面側供給管２２から薬液ノズル４に薬液が供給され、薬液ノズル４から薬液が吐出される。 A nitrogen gas lower supply passage 21 is formed between the inner wall surface of the spin shaft 6 that is a hollow shaft and the outer wall surface of the back surface treatment liquid supply pipe 12. The nitrogen gas lower supply path 21 is open to the upper surface of the spin base 7. The nitrogen gas supply path 21 is supplied with nitrogen gas as an inert gas via a nitrogen gas lower valve 35.
A chemical liquid surface side supply pipe 22 to which a chemical liquid is supplied from a chemical liquid line is connected to the chemical liquid nozzle 4. A chemical liquid surface side valve 23 is interposed in the chemical liquid surface side supply pipe 22. When the chemical liquid surface side valve 23 is opened, the chemical liquid is supplied from the chemical liquid surface side supply pipe 22 to the chemical liquid nozzle 4, and the chemical liquid is discharged from the chemical liquid nozzle 4.

薬液ノズル４は、スピンチャック３の上方でほぼ水平に延びるノズルアーム２４の先端部に取り付けられている。ノズルアーム２４の基端部は、カップ３９（後述する）の側方においてほぼ鉛直に延びるアーム支持軸２５の上端部に支持されている。アーム支持軸２５には、モータ（図示せず）を含むノズル駆動機構２６が結合されている。ノズル駆動機構２６からアーム支持軸２５に回転力を入力して、アーム支持軸２５を回動させることにより、スピンチャック３の上方でノズルアーム２４を揺動させることができる。 The chemical nozzle 4 is attached to the tip of a nozzle arm 24 that extends substantially horizontally above the spin chuck 3. The base end portion of the nozzle arm 24 is supported by the upper end portion of the arm support shaft 25 that extends substantially vertically on the side of the cup 39 (described later). A nozzle driving mechanism 26 including a motor (not shown) is coupled to the arm support shaft 25. By inputting rotational force from the nozzle drive mechanism 26 to the arm support shaft 25 and rotating the arm support shaft 25, the nozzle arm 24 can be swung above the spin chuck 3.

薬液ノズル４は、薬液の供給が行われないときには、カップ３９の側方の退避位置（図１に実線で示す位置）に退避しており、薬液の供給時には、ウエハＷの上面に対向する処理位置（図１に実線で示す位置）へと移動される。
アーム支持軸２５に関連して、薬液ノズル４の位置情報を検出するためのノズル位置センサ３７が設けられている。ノズル位置センサ３７は、アーム支持軸２５の回動角度や高さ位置を検出して、その回動角度や高さ位置に応じた検出信号を出力する。 The chemical nozzle 4 is retracted to a side retracted position (a position indicated by a solid line in FIG. 1) of the cup 39 when the chemical liquid is not supplied, and a process facing the upper surface of the wafer W when the chemical liquid is supplied. It is moved to a position (position indicated by a solid line in FIG. 1).
In relation to the arm support shaft 25, a nozzle position sensor 37 for detecting position information of the chemical liquid nozzle 4 is provided. The nozzle position sensor 37 detects the rotation angle and height position of the arm support shaft 25 and outputs a detection signal corresponding to the rotation angle and height position.

スピンチャック３にウエハＷが保持され、そのウエハＷの上方に薬液ノズル４が配置された状態で、薬液ノズル４から薬液を吐出させることにより、ウエハＷの表面に薬液を供給することができる。そして、この薬液ノズル４からウエハＷの表面への薬液の供給時に、ノズルアーム２４を所定の角度範囲内で揺動させることにより、ウエハＷの表面における薬液の着液位置（供給位置）を、ウエハＷの回転中心からウエハＷの周縁部に至る範囲内を円弧状の軌跡を描きつつ移動させることができる。 The chemical liquid can be supplied to the surface of the wafer W by discharging the chemical liquid from the chemical liquid nozzle 4 while the wafer W is held on the spin chuck 3 and the chemical liquid nozzle 4 is disposed above the wafer W. Then, when the chemical liquid is supplied from the chemical liquid nozzle 4 to the surface of the wafer W, the liquid position (supply position) of the chemical liquid on the surface of the wafer W is determined by swinging the nozzle arm 24 within a predetermined angular range. It can be moved while drawing an arc-shaped locus within a range from the rotation center of the wafer W to the peripheral edge of the wafer W.

ＤＩＷノズル５は、スピンチャック３の上方に、スピンチャック３に対して固定的に配置されている。
ＤＩＷノズル５には、ＤＩＷ供給ライン（図示せず）からＤＩＷが供給されるＤＩＷ表面側供給管２７が接続されている。このＤＩＷ表面側供給管２７には、ＤＩＷ表面側バルブ２８が介装されている。ＤＩＷ表面側バルブ２８が開かれると、ＤＩＷ表面側供給管２７からＤＩＷノズル５にＤＩＷが供給され、ＤＩＷノズル５からＤＩＷが吐出される。スピンチャック３にウエハＷが保持された状態で、ＤＩＷノズル５からＤＩＷを吐出させることにより、ウエハＷの表面にＤＩＷを供給することができる。 The DIW nozzle 5 is fixedly disposed above the spin chuck 3 with respect to the spin chuck 3.
The DIW nozzle 5 is connected to a DIW surface side supply pipe 27 to which DIW is supplied from a DIW supply line (not shown). A DIW surface side valve 28 is interposed in the DIW surface side supply pipe 27. When the DIW surface side valve 28 is opened, DIW is supplied from the DIW surface side supply pipe 27 to the DIW nozzle 5 and DIW is discharged from the DIW nozzle 5. DIW can be supplied to the surface of the wafer W by discharging DIW from the DIW nozzle 5 while the wafer W is held on the spin chuck 3.

スピンチャック３の上方には、ウエハＷとほぼ同じ径を有する円板状の遮断板２９が設けられている。遮断板２９の上面には、スピンチャック３のスピン軸６と共通の軸線に沿う回転軸３０が固定されている。この回転軸３０は中空に形成されていて、その内部には、ウエハＷの中心部に向けて不活性ガスとしての窒素ガスを供給するための窒素ガス上供給路３１が形成されている。この窒素ガス上供給路３１は、遮断板２９の下面に開口している。窒素ガス上供給路３１には、窒素ガス上バルブ３２を介して窒素ガスが供給されるようになっている。回転軸３０には、遮断板２９をスピンチャック３に保持されたウエハＷの表面に近接した近接位置とスピンチャック３の上方に大きく退避した退避位置との間で昇降させたり、遮断板２９をスピンチャック３によるウエハＷの回転にほぼ同期させて回転させたりするための遮断板動機構３４が結合されている。 Above the spin chuck 3, a disc-shaped blocking plate 29 having substantially the same diameter as the wafer W is provided. On the upper surface of the blocking plate 29, a rotating shaft 30 is fixed along an axis common to the spin shaft 6 of the spin chuck 3. The rotating shaft 30 is formed in a hollow shape, and a nitrogen gas upper supply path 31 for supplying nitrogen gas as an inert gas toward the center of the wafer W is formed in the rotating shaft 30. The nitrogen gas upper supply path 31 is open on the lower surface of the blocking plate 29. Nitrogen gas is supplied to the nitrogen gas upper supply passage 31 via a nitrogen gas upper valve 32. On the rotary shaft 30, the blocking plate 29 is moved up and down between a proximity position close to the surface of the wafer W held by the spin chuck 3 and a retracted position largely retracted above the spin chuck 3. A blocking plate moving mechanism 34 for rotating the wafer W in synchronization with the rotation of the wafer W by the spin chuck 3 is coupled.

また、スピンチャック３は、有底円筒容器状のカップ３９内に収容されている。このカップ３９の上方には、カップ３９に対して昇降可能なスプラッシュガード４０が設けられている。
カップ３９の底部には、ＤＩＷを廃液するための廃液溝４１が、ウエハＷの回転軸線（スピン軸６の中心軸線）を中心とする円環状に形成されている。また、カップ３９の底部には、廃液溝４１を取り囲むように、薬液を回収するための回収溝４２が形成されている。廃液溝４１、回収溝４２には、それぞれ廃液路４３および回収路４４が接続されている。 The spin chuck 3 is housed in a cup 39 having a bottomed cylindrical container shape. Above the cup 39, a splash guard 40 that can be raised and lowered with respect to the cup 39 is provided.
A drain groove 41 for draining DIW is formed in an annular shape around the rotation axis of the wafer W (the center axis of the spin axis 6) at the bottom of the cup 39. A recovery groove 42 for recovering the chemical solution is formed at the bottom of the cup 39 so as to surround the waste liquid groove 41. A waste liquid path 43 and a recovery path 44 are connected to the waste liquid groove 41 and the recovery groove 42, respectively.

スプラッシュガード４０は、互いに大きさが異なる２つの傘状部材４５，４６を重ねて構成されている。スプラッシュガード４０には、たとえば、サーボモータやボールねじ機構などを含むガード昇降機構４７が結合されている。このガード昇降機構４７によって、スプラッシュガード４０をカップ３９に対して昇降（上下動）させることができる。
傘状部材４５，４６は、ウエハＷの回転軸線に対してほぼ回転対称な形状を有している。 The splash guard 40 is configured by overlapping two umbrella-like members 45 and 46 having different sizes. For example, a guard lifting mechanism 47 including a servo motor and a ball screw mechanism is coupled to the splash guard 40. With this guard lifting mechanism 47, the splash guard 40 can be lifted (moved up and down) with respect to the cup 39.
The umbrella-shaped members 45 and 46 have a shape that is substantially rotationally symmetric with respect to the rotation axis of the wafer W.

傘状部材４５は、ウエハＷの回転軸線を中心軸線とする同軸円筒状の円筒部４８，４９と、これら円筒部４８，４９の上端を連結し、ウエハＷの回転軸線に近づくほど高くなるように傾斜する傾斜部５０とを一体的に備えている。内側（中心側）の円筒部４８の下端は、廃液溝４１上に位置している。外側の円筒部４９の下端は、回収溝４２上に位置している。また、円筒部４８，４９は、スプラッシュガード４０が最下方の退避位置に下降したときに、それぞれの下端がカップ３９の底面に接触しないような長さを有している。 The umbrella-shaped member 45 connects the cylindrical cylindrical portions 48 and 49 having the rotation axis of the wafer W as the central axis and the upper ends of the cylindrical portions 48 and 49, and becomes higher as the rotation axis of the wafer W is approached. And an inclined portion 50 that inclines in an integral manner. The lower end of the inner (center side) cylindrical portion 48 is located on the waste liquid groove 41. The lower end of the outer cylindrical portion 49 is located on the collection groove 42. Further, the cylindrical portions 48 and 49 have such a length that their lower ends do not come into contact with the bottom surface of the cup 39 when the splash guard 40 is lowered to the lowermost retracted position.

傘状部材４６は、傘状部材４５を取り囲むように設けられ、ウエハＷの回転軸線を中心軸線とする同軸円筒状の円筒部５１と、これら円筒部５１の上端を連結し、ウエハＷの回転軸線に近づくほど高くなるように傾斜する傾斜部５３とを一体的に備えている。円筒部５１の下端は、回収溝４２上に位置している。また、円筒部５１は、スプラッシュガード４０が最下方の退避位置に下降したときに、それぞれの下端がカップ３９の底面に接触しないような長さを有している。 The umbrella-shaped member 46 is provided so as to surround the umbrella-shaped member 45, and connects the cylindrical cylindrical portion 51 having the rotation axis of the wafer W as the central axis and the upper ends of the cylindrical portions 51 to rotate the wafer W. It is integrally provided with an inclined portion 53 that is inclined so as to become higher as it approaches the axis. The lower end of the cylindrical portion 51 is located on the recovery groove 42. Further, the cylindrical portion 51 has such a length that the lower ends thereof do not contact the bottom surface of the cup 39 when the splash guard 40 is lowered to the lowermost retracted position.

傾斜部５０，５３の上端縁は、ウエハＷの回転軸線を中心軸線とする円筒面上において、そのウエハＷの回転軸線に沿う方向（鉛直方向）に間隔を空けて位置している。これにより、傾斜部５０の上端縁と傾斜部５３の上端縁との間には、ウエハＷから飛散する薬液を飛入させて捕獲するための回収捕獲口５４が形成されている。
回収捕獲口５４に捕獲された薬液は、傘状部材４５の円筒部４９と傘状部材４６の円筒部５１との間を通して、回収溝４２に集められる。回収溝４２に集められた薬液は、回収ライン４４を通して、薬液回収処理設備（図示せず）に回収される。 The upper end edges of the inclined portions 50 and 53 are positioned on the cylindrical surface having the rotation axis of the wafer W as the central axis with a space in the direction along the rotation axis of the wafer W (vertical direction). As a result, a recovery capture port 54 is formed between the upper end edge of the inclined portion 50 and the upper end edge of the inclined portion 53 to allow the chemical solution scattered from the wafer W to enter and capture it.
The chemical liquid captured by the recovery capturing port 54 is collected in the recovery groove 42 through between the cylindrical portion 49 of the umbrella-shaped member 45 and the cylindrical portion 51 of the umbrella-shaped member 46. The chemical solution collected in the recovery groove 42 is recovered through a recovery line 44 to a chemical solution recovery processing facility (not shown).

また、傾斜部５３の上端縁とスピンベース７の上面の端縁との間には、ウエハＷから飛散するＤＩＷを飛入させて捕獲するための廃液捕獲口５５が形成されている。
傘状部材４５の円筒部４８および傾斜部５０の内側の面は、ウエハＷから飛散するＤＩＷを廃液溝４１に導くための案内面となっている。廃液捕獲口５５に捕獲されたＤＩＷは、円筒部４８および傾斜部５０の内側の面によって廃液溝４１へと導かれ、廃液路４３を通して、廃液される。 Further, a waste liquid capturing port 55 is formed between the upper edge of the inclined portion 53 and the edge of the upper surface of the spin base 7 to allow DIW scattered from the wafer W to enter and capture it.
The inner surface of the cylindrical portion 48 and the inclined portion 50 of the umbrella-shaped member 45 is a guide surface for guiding DIW scattered from the wafer W to the waste liquid groove 41. The DIW captured by the waste liquid capturing port 55 is guided to the waste liquid groove 41 by the inner surface of the cylindrical portion 48 and the inclined portion 50 and is discharged through the waste liquid path 43.

薬液ノズル４の退避位置（図１に破線で図示）には、有底容器からなるプリディスペンスポッド５６がその開口部を上方に向けた状態で配置されている。このプリディスペンスポッド５６は、薬液ノズル４に残留して劣化した薬液を廃液するために用いられるものである。薬液ノズル４を退避位置に位置させた状態で、薬液ノズル４からプリディスペンスポッド５６に向けて薬液を吐出させることにより、薬液ノズル４に残留する薬液を排除することができる。プリディスペンスポッド５６の底面には、プリディスペンス用廃液管５７が接続されており、このプリディスペンス用廃液管５７は、廃液を処理するための廃液設備へと延びている。なお、図示はしていないが、プリディスペンスポッド５６の底面には、液回収管が接続されており、この液回収管は、薬液を回収して再度ウエハＷの処理に利用するための回収機構へと延びている。 A pre-dispens pod 56 made of a bottomed container is disposed at a retracted position (shown by a broken line in FIG. 1) of the chemical nozzle 4 with its opening directed upward. The pre-dispensing pod 56 is used to waste the chemical liquid remaining in the chemical liquid nozzle 4 and deteriorating. The chemical liquid remaining in the chemical liquid nozzle 4 can be eliminated by discharging the chemical liquid from the chemical liquid nozzle 4 toward the pre-dispens pod 56 in a state where the chemical liquid nozzle 4 is located at the retracted position. A pre-dispensing waste liquid pipe 57 is connected to the bottom surface of the pre-dispensing pod 56, and the pre-dispensing waste liquid pipe 57 extends to a waste liquid facility for processing the waste liquid. Although not shown, a liquid recovery pipe is connected to the bottom surface of the pre-dispens pod 56, and this liquid recovery pipe collects the chemical liquid and uses it again for processing the wafer W. It extends to.

図２は、基板処理装置１の電気的構成を示すブロック図である。
基板処理装置１は、ＣＰＵ６０およびメモリ６１を含む構成のコンピュータ６２を備えている。このコンピュータ６２には、制御対象として、薬液裏面側バルブ１６、ＤＩＷ裏面側バルブ１７、裏面側バルブ１８、廃液バルブ２０、薬液表面側バルブ２３、ＤＩＷ表面側バルブ２８、窒素ガス上バルブ３２、窒素ガス下バルブ３５、チャック回転機構１０、ノズル駆動機構２６、遮断板駆動機構３４およびガード昇降機構４７が接続されている。また、コンピュータ６２には、計時のためのタイマ６４が接続されている。
コンピュータ６２には、ウエハ保持センサ９から出力される検出信号、回転速度センサ１１から出力される検出信号、およびノズル位置センサ３７から出力される検出信号が入力されるようになっている。 FIG. 2 is a block diagram showing an electrical configuration of the substrate processing apparatus 1.
The substrate processing apparatus 1 includes a computer 62 configured to include a CPU 60 and a memory 61. In this computer 62, the chemical liquid back side valve 16, DIW back side valve 17, back side valve 18, waste liquid valve 20, chemical liquid surface side valve 23, DIW front side valve 28, nitrogen gas upper valve 32, nitrogen The gas lower valve 35, the chuck rotating mechanism 10, the nozzle driving mechanism 26, the blocking plate driving mechanism 34, and the guard lifting mechanism 47 are connected. The computer 62 is connected with a timer 64 for measuring time.
A detection signal output from the wafer holding sensor 9, a detection signal output from the rotation speed sensor 11, and a detection signal output from the nozzle position sensor 37 are input to the computer 62.

メモリ６１には、ウエハＷの洗浄処理における処理の実行内容を規定するレシピが保持されている。ＣＰＵ６０は、メモリ６１に保持されたレシピに従って処理工程が実行されるように、制御対象の各部の動作を制御する。
基板処理装置１の処理工程には、次の（１）〜（５）の処理工程が含まれている。この基板処理装置１の処理工程では、たとえば、まず（１）の処理工程と（２）の処理工程とが並行して行われ、その後（３）の処理工程と（４）の処理工程とが並行して行われ、最後に（５）の処理工程が開始される。 The memory 61 holds a recipe that defines the execution contents of the wafer W cleaning process. The CPU 60 controls the operation of each unit to be controlled so that the processing steps are executed according to the recipe stored in the memory 61.
The processing steps of the substrate processing apparatus 1 include the following processing steps (1) to (5). In the processing step of the substrate processing apparatus 1, for example, the processing step (1) and the processing step (2) are first performed in parallel, and then the processing step (3) and the processing step (4) are performed. The process (5) is started at the end.

基板処理装置１の処理工程の開始に際して、図示しない搬送ロボットからスピンチャック３にウエハＷが受け渡され、スピンチャックに基板が保持される。ウエハＷがスピンチャック３に保持されて、搬送ロボットによる基板の受渡し動作の正常な実行が検出された後、スピンチャック３によるウエハＷの回転が開始される。その後、（１）の処理工程および（２）の処理工程が実行される。 At the start of the processing steps of the substrate processing apparatus 1, the wafer W is transferred from a transfer robot (not shown) to the spin chuck 3, and the substrate is held on the spin chuck. After the wafer W is held by the spin chuck 3 and the normal execution of the substrate transfer operation by the transfer robot is detected, the rotation of the wafer W by the spin chuck 3 is started. Thereafter, the processing step (1) and the processing step (2) are performed.

（１）薬液表面処理工程
薬液表面処理工程は、薬液ノズル４からウエハＷの表面に薬液を供給して、ウエハＷの表面を薬液により処理する工程である。この薬液表面処理工程では、スピンチャック３に保持されたウエハＷの周端面に回収捕獲口５４が対向するように、スプラッシュガード４０が配置される。そして、スピンチャック３によりウエハＷが所定の回転速度（たとえば、５００ｒｐｍ）で回転されつつ、そのウエハＷの表面に薬液ノズル４から薬液が供給される。また、この薬液の供給時には、ノズルアーム２４が所定の角度範囲内で揺動される。これにより、ウエハＷの表面における薬液の着液位置が、ウエハＷの回転中心からウエハＷの周縁部に至る範囲内を円弧状の軌跡を描きつつ移動する。この結果、ウエハＷの表面の全域に薬液がむらなく供給される。ウエハＷの表面に供給された薬液は、ウエハＷの回転による遠心力によって、ウエハＷの周縁から側方へ飛散する。このとき、ウエハＷの端面に回収捕獲口５４が対向しているので、ウエハＷから飛散する薬液は、回収捕獲口５４に飛入して捕獲される。 (1) Chemical Solution Surface Treatment Step The chemical solution surface treatment step is a step of supplying the chemical solution from the chemical solution nozzle 4 to the surface of the wafer W and processing the surface of the wafer W with the chemical solution. In this chemical solution surface treatment step, the splash guard 40 is disposed so that the collection capture port 54 faces the peripheral end surface of the wafer W held by the spin chuck 3. Then, the chemical solution is supplied from the chemical solution nozzle 4 to the surface of the wafer W while the wafer W is rotated by the spin chuck 3 at a predetermined rotation speed (for example, 500 rpm). Further, when supplying the chemical solution, the nozzle arm 24 is swung within a predetermined angle range. As a result, the position where the chemical solution is deposited on the surface of the wafer W moves within a range from the rotation center of the wafer W to the peripheral edge of the wafer W while drawing an arc-shaped locus. As a result, the chemical solution is supplied uniformly over the entire surface of the wafer W. The chemical solution supplied to the surface of the wafer W is scattered from the periphery of the wafer W to the side by the centrifugal force generated by the rotation of the wafer W. At this time, since the recovery capturing port 54 faces the end face of the wafer W, the chemical solution scattered from the wafer W jumps into the recovery capturing port 54 and is captured.

また、長時間にわたって薬液表面処理工程が行われていないときは、薬液ノズル４に残留している薬液が劣化しているおそれがある。このため、前回の薬液表面処理工程の終了から所定時間が経過しているときには、薬液表面処理の開始時に、退避位置に位置する薬液ノズル４からプリディスペンスポッド５６に向けて薬液を吐出させる表面側プリディスペンス処理が行われる。プリディスペンスポッド５６に流入した薬液は、プリディスペンス用廃液管５７を通って廃液設備へと導かれる。 Moreover, when the chemical | medical solution surface treatment process is not performed over a long time, there exists a possibility that the chemical | medical solution remaining in the chemical | medical solution nozzle 4 may deteriorate. For this reason, when a predetermined time has passed since the end of the previous chemical liquid surface treatment step, the surface side that discharges the chemical liquid from the chemical liquid nozzle 4 located at the retracted position toward the pre-dispense pod 56 at the start of the chemical liquid surface treatment. Pre-dispensing processing is performed. The chemical liquid that has flowed into the pre-dispense pod 56 is guided to the waste liquid facility through the pre-dispensing waste liquid pipe 57.

（２）薬液裏面処理工程
薬液裏面処理工程は、裏面ノズル１３からウエハＷの裏面に薬液を供給して、ウエハＷの裏面を薬液により処理する工程である。この薬液裏面処理工程では、スピンチャック３に保持されたウエハＷの周端面に回収捕獲口５４が対向するように、スプラッシュガード４０が配置される。そして、スピンチャック３によりウエハＷが所定の回転速度（たとえば、５００ｒｐｍ）で回転されつつ、そのウエハＷの裏面の中央部に裏面ノズル１３から薬液が供給される。ウエハＷの裏面に供給された薬液は、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの中央部から周縁に向けて流れる。これにより、ウエハＷの裏面の全域に薬液がむらなく供給される。ウエハＷの裏面の周縁に達した薬液は、ウエハＷの周縁から側方へ飛散する。このとき、ウエハＷの端面に回収捕獲口５４が対向しているので、ウエハＷから飛散する薬液は、回収捕獲口５４に飛入して捕獲される。 (2) Chemical liquid back surface processing step The chemical liquid back surface processing step is a step of supplying the chemical liquid from the back nozzle 13 to the back surface of the wafer W and processing the back surface of the wafer W with the chemical liquid. In the chemical liquid back surface processing step, the splash guard 40 is disposed so that the recovery capturing port 54 faces the peripheral end surface of the wafer W held by the spin chuck 3. Then, the chemical solution is supplied from the back surface nozzle 13 to the center of the back surface of the wafer W while the wafer W is rotated by the spin chuck 3 at a predetermined rotation speed (for example, 500 rpm). The chemical solution supplied to the back surface of the wafer W receives a centrifugal force due to the rotation of the wafer W and flows from the center of the wafer W toward the periphery. As a result, the chemical solution is supplied uniformly over the entire back surface of the wafer W. The chemical solution that has reached the periphery of the back surface of the wafer W is scattered from the periphery of the wafer W to the side. At this time, since the recovery capturing port 54 faces the end face of the wafer W, the chemical solution scattered from the wafer W jumps into the recovery capturing port 54 and is captured.

また、長時間にわたって薬液裏面処理工程が行われていないときは、薬液裏面側供給管１４に残留している薬液が劣化しているおそれがある。このため、前回の薬液表面処理工程の終了から所定時間が経過しているときには、薬液表面処理工程の開始時に、裏面側プリディスペンス処理が行われる。この裏面側プリディスペンス処理では、ＤＩＷ裏面側バルブ１７および裏面側バルブ１８が閉じられ、かつ、廃液バルブ２０が開かれた状態で薬液裏面側バルブ１６が開かれる。これにより、薬液裏面側供給管１４に残留している薬液が、裏面処理液供給管１２および裏面用廃液管１９を通って廃液設備へと導かれる。 Further, when the chemical liquid back surface treatment process is not performed for a long time, the chemical liquid remaining in the chemical liquid back surface supply pipe 14 may be deteriorated. For this reason, when the predetermined time has elapsed since the end of the previous chemical liquid surface treatment process, the back side pre-dispensing process is performed at the start of the chemical liquid surface treatment process. In the backside pre-dispensing process, the DIW backside valve 17 and the backside valve 18 are closed, and the chemical backside valve 16 is opened with the waste liquid valve 20 opened. Thereby, the chemical liquid remaining in the chemical liquid back surface side supply pipe 14 is guided to the waste liquid facility through the back surface processing liquid supply pipe 12 and the back surface waste liquid pipe 19.

（３）表面リンス工程
表面リンス工程は、ＤＩＷノズル５からウエハＷの表面にＤＩＷを供給して、ウエハＷの表面をＤＩＷで水洗する工程である。この表面リンス工程では、スピンチャック３に保持されたウエハＷの周端面に廃液捕獲口５５が対向するように、スプラッシュガード４０が配置される。そして、スピンチャック３によりウエハＷが所定の回転速度（たとえば、５００ｒｐｍ）で回転されつつ、そのウエハＷの表面の中央部にＤＩＷノズル５からＤＩＷが供給される。ウエハＷの表面に供給されたＤＩＷは、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの中央部から周縁に向けて流れる。これにより、ウエハＷの表面の全域にＤＩＷがむらなく供給される。ウエハＷの表面の周縁に達したＤＩＷは、ウエハＷの周縁から側方へ飛散する。このとき、ウエハＷの端面に廃液捕獲口５５が対向しているので、ウエハＷから飛散するＤＩＷは、傘状部材４５の円筒部４８および傾斜部５０の内側の面を伝って、廃液溝４１へと導かれる。 (3) Surface rinsing step The surface rinsing step is a step of supplying DIW from the DIW nozzle 5 to the surface of the wafer W and washing the surface of the wafer W with DIW. In this surface rinsing step, the splash guard 40 is disposed so that the waste liquid capturing port 55 faces the peripheral end surface of the wafer W held by the spin chuck 3. Then, the DIW is supplied from the DIW nozzle 5 to the center of the surface of the wafer W while the wafer W is rotated at a predetermined rotation speed (for example, 500 rpm) by the spin chuck 3. The DIW supplied to the surface of the wafer W receives a centrifugal force due to the rotation of the wafer W and flows from the center of the wafer W toward the periphery. As a result, DIW is uniformly supplied to the entire surface of the wafer W. The DIW that has reached the periphery of the surface of the wafer W is scattered from the periphery of the wafer W to the side. At this time, since the waste liquid capturing port 55 is opposed to the end face of the wafer W, the DIW scattered from the wafer W travels along the inner surface of the cylindrical portion 48 and the inclined portion 50 of the umbrella-like member 45 and passes through the waste liquid groove 41. Led to.

（４）裏面リンス工程
裏面リンス工程は、裏面ノズル１３からウエハＷの裏面にＤＩＷを供給して、ウエハＷの裏面をＤＩＷで水洗する工程である。この裏面リンス工程では、スピンチャック３に保持されたウエハＷの周端面に廃液捕獲口５５が対向するように、スプラッシュガード４０が配置される。そして、スピンチャック３によりウエハＷが所定の回転速度（たとえば、５００ｒｐｍ）で回転されつつ、そのウエハＷの裏面の中央部に裏面ノズル１３からＤＩＷが供給される。ウエハＷの裏面に供給されたＤＩＷは、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの中央部から周縁に向けて流れる。これにより、ウエハＷの裏面の全域にＤＩＷがむらなく供給される。ウエハＷの裏面の周縁に達したＤＩＷは、ウエハＷの周縁から側方へ飛散する。このとき、ウエハＷの端面に廃液捕獲口５５が対向しているので、ウエハＷから飛散するＤＩＷは、傘状部材４５の円筒部４８および傾斜部５０の内側の面を伝って、廃液溝４１へと導かれる。 (4) Back surface rinsing step The back surface rinsing step is a step of supplying DIW to the back surface of the wafer W from the back surface nozzle 13 and washing the back surface of the wafer W with DIW. In this back surface rinsing step, the splash guard 40 is disposed so that the waste liquid capturing port 55 faces the peripheral end surface of the wafer W held by the spin chuck 3. Then, while the wafer W is rotated at a predetermined rotation speed (for example, 500 rpm) by the spin chuck 3, DIW is supplied from the back surface nozzle 13 to the center of the back surface of the wafer W. The DIW supplied to the back surface of the wafer W receives a centrifugal force due to the rotation of the wafer W and flows from the center of the wafer W toward the periphery. As a result, DIW is uniformly supplied to the entire back surface of the wafer W. The DIW that has reached the periphery of the back surface of the wafer W is scattered laterally from the periphery of the wafer W. At this time, since the waste liquid capturing port 55 is opposed to the end face of the wafer W, the DIW scattered from the wafer W travels along the inner surface of the cylindrical portion 48 and the inclined portion 50 of the umbrella-like member 45 and passes through the waste liquid groove 41. Led to.

（５）スピンドライ工程
スピンドライ工程は、ウエハＷの表面および裏面に付着しているＤＩＷの液滴を振り切ることができる速度でウエハＷを回転させて、ＤＩＷの液滴を除去させる工程である。このスピンドライ工程では、遮断板２９がウエハＷの表面に近接する近接位置まで下降される。 (5) Spin Dry Process The spin dry process is a process of removing the DIW droplets by rotating the wafer W at a speed at which the DIW droplets adhering to the front and back surfaces of the wafer W can be shaken off. . In this spin dry process, the blocking plate 29 is lowered to a close position close to the surface of the wafer W.

このスピンドライ工程では、スピンチャック３によりウエハＷが所定の高回転速度（たとえば、１０００ｒｐｍ）で回転されつつ、遮断板２９がウエハＷと同じ方向にほぼ同速度で高速回転される。また、窒素ガス上バルブ３２が開かれて、窒素ガス上供給路３１の開口からウエハＷと遮断板２９との間の空間に窒素ガスが供給される。また、窒素ガス下バルブ３５が開かれて、窒素ガス下供給路２１の開口からウエハＷとスピンベース７との間の空間に窒素ガスが供給される。これにより、ウエハＷと遮断板２９の間の空間、およびウエハＷとスピンベース７との間の空間に、窒素ガスの安定した気流が生じ、ウエハＷの表面にＤＩＷの跡などを残すことなく、ウエハＷを良好に乾燥させることができる。 In this spin dry process, the shield plate 29 is rotated at a high speed in the same direction as the wafer W while the wafer W is rotated by the spin chuck 3 at a predetermined high rotation speed (for example, 1000 rpm). Further, the nitrogen gas upper valve 32 is opened, and nitrogen gas is supplied from the opening of the nitrogen gas upper supply path 31 to the space between the wafer W and the blocking plate 29. Further, the nitrogen gas lower valve 35 is opened, and nitrogen gas is supplied to the space between the wafer W and the spin base 7 from the opening of the nitrogen gas lower supply path 21. As a result, a stable air flow of nitrogen gas is generated in the space between the wafer W and the blocking plate 29 and in the space between the wafer W and the spin base 7 without leaving a DIW mark on the surface of the wafer W. The wafer W can be dried well.

（５）のスピンドライ工程終了後は、スピンチャック３の回転が停止されて、基板処理装置１の処理工程がすべて終了する。スプラッシュガード４０が退避位置まで下げられた後、処理済みのウエハＷが図示しない搬送ロボットにより搬出されていく。
通常は、前述のように、搬送ロボットによるウエハＷの受渡し動作の正常な実行が検出された後に、スピンチャック３の回転が開始される。 After completion of the spin dry process (5), the rotation of the spin chuck 3 is stopped, and all the process steps of the substrate processing apparatus 1 are completed. After the splash guard 40 is lowered to the retracted position, the processed wafer W is unloaded by a transfer robot (not shown).
Normally, as described above, the rotation of the spin chuck 3 is started after the normal execution of the transfer operation of the wafer W by the transfer robot is detected.

しかしながら、何らかの異常のために、搬送ロボットによるウエハＷの受渡し動作が正常に終了せずにスピンチャック３の回転が開始されると、スピンチャック３がウエハＷを保持せずに回転するおそれがある。
この状態で、薬液ノズル４から薬液が吐出されると、薬液ノズル４から吐出された薬液が、窒素ガス下供給路２１の開口から、窒素ガス下供給路２１の内部に進入して、この窒素ガス下供給路２１にダメージを与えるおそれがある。 However, if the transfer of the wafer W by the transfer robot does not end normally due to some abnormality, and the spin chuck 3 starts to rotate, the spin chuck 3 may rotate without holding the wafer W. .
In this state, when the chemical liquid is discharged from the chemical liquid nozzle 4, the chemical liquid discharged from the chemical liquid nozzle 4 enters the inside of the nitrogen gas lower supply path 21 from the opening of the nitrogen gas lower supply path 21, and this nitrogen There is a risk of damaging the gas supply path 21.

また、薬液ノズル４からスピンベース７の上面に供給された薬液は、そのスピンベース７の端縁から側方に向けて飛散する。回収捕獲口５４の高さ位置は、ウエハＷの高さ位置に合わせて設定されており、このため、ウエハＷの高さ位置より一段低いスピンベース７の上面の端縁から飛散する薬液を、上手く回収捕獲口５４に飛び入らせることができないという問題もある。 Further, the chemical liquid supplied from the chemical liquid nozzle 4 to the upper surface of the spin base 7 scatters from the edge of the spin base 7 toward the side. The height position of the collection capture port 54 is set in accordance with the height position of the wafer W. For this reason, the chemical solution scattered from the edge of the upper surface of the spin base 7 that is one step lower than the height position of the wafer W is There is also a problem that it is not possible to successfully jump into the collection / capture port 54.

さらに、スピンチャック３にウエハＷが保持されていない状態で裏面ノズル１３から吐出された薬液はシャワー状に吹き上がり、遮断板２９に形成された窒素ガス上供給路３１の開口から、窒素ガス上供給路３１の内部に進入して、この窒素ガス上供給路３１にダメージを与えるおそれもある。
そこで、この基板処理装置１では、ウエハＷがスピンチャック３に保持されていない状態で、薬液ノズル４、ＤＩＷノズル５および裏面ノズル１３から薬液およびＤＩＷが吐出されるのを防止するために、以下のインターロック処理が実行される。インターロック処理は、前述の（１）〜（５）の処理工程のうち、薬液表面処理工程および薬液裏面処理工程の開始時に実行される。 Further, the chemical solution discharged from the back nozzle 13 in a state in which the wafer W is not held on the spin chuck 3 blows up in a shower-like manner, and from the opening of the nitrogen gas upper supply path 31 formed in the blocking plate 29, There is also a risk of entering the inside of the supply path 31 and damaging the nitrogen gas upper supply path 31.
Therefore, in the substrate processing apparatus 1, in order to prevent the chemical liquid and DIW from being discharged from the chemical liquid nozzle 4, the DIW nozzle 5, and the back nozzle 13 in a state where the wafer W is not held by the spin chuck 3, The interlock process is executed. An interlock process is performed at the time of the start of a chemical | medical solution surface treatment process and a chemical | medical solution back surface process process among the processing processes of above-mentioned (1)-(5).

図３は、薬液表面処理工程の開始時に実行されるインターロック処理の流れを示すフローチャートである。
薬液表面側バルブ２３の開成タイミングに至ったとき（ステップＳ１でＹＥＳ）、ＣＰＵ６０は、ウエハ保持センサ９からの出力をチェックし（ステップＳ２）、スピンチャック３にウエハＷが保持されているか否かを調べる（ステップＳ３）。 FIG. 3 is a flowchart showing a flow of an interlock process executed at the start of the chemical surface treatment process.
When the opening timing of the chemical liquid surface side valve 23 is reached (YES in step S1), the CPU 60 checks the output from the wafer holding sensor 9 (step S2) and determines whether the wafer W is held on the spin chuck 3 or not. (Step S3).

スピンチャック３にウエハＷが保持されていない場合には（ステップＳ３でＮＯ）、次に、薬液ノズル４が退避位置に位置しているか否かかが調べられる（ステップＳ４）。薬液ノズル４が退避位置以外に位置しているとき（ステップＳ４でＮＯ）、ＣＰＵ６０は、薬液表面側バルブ２３の開成を禁止し（ステップＳ５）、その薬液表面側バルブ２３の開成が禁止された旨の警報を出力した後（ステップＳ６）、このインターロック処理を終了する。また、薬液ノズル４が退避位置に位置しているとき（ステップＳ４でＹＥＳ）、ＣＰＵ６０は、薬液表面側バルブ２３の開成を許可する（ステップＳ７）。したがって、この場合には、表面側プリディスペンス処理を実行することができる。その後、このインターロック処理を終了する。 If the wafer W is not held on the spin chuck 3 (NO in step S3), it is next checked whether or not the chemical nozzle 4 is in the retracted position (step S4). When the chemical liquid nozzle 4 is located at a position other than the retracted position (NO in step S4), the CPU 60 prohibits the opening of the chemical liquid surface side valve 23 (step S5) and prohibits the opening of the chemical liquid surface side valve 23. After outputting the warning to that effect (step S6), this interlock process is complete | finished. Further, when the chemical liquid nozzle 4 is located at the retracted position (YES in step S4), the CPU 60 permits the chemical liquid surface side valve 23 to be opened (step S7). Therefore, in this case, the front side pre-dispensing process can be executed. Thereafter, the interlock process is terminated.

一方、スピンチャック３にウエハＷが保持されている場合には（ステップＳ３でＹＥＳ）、ＣＰＵ６０は、回転速度センサ１１の出力をチェックし（ステップＳ８）、ウエハＷの回転速度が回転速度範囲、たとえば１５〜２０００ｒｐｍの範囲内か否かを調べる（ステップＳ９）。ウエハＷの回転速度が回転速度範囲外であれば（ステップＳ９でＹＥＳ）、ＣＰＵ６０は、薬液表面側バルブ２３の開成を禁止し（ステップＳ５）、その薬液表面側バルブ２３の開成が禁止された旨の警報を出力した後（ステップＳ６）、このインターロック処理を終了する。また、ウエハＷの回転速度が回転速度範囲内であれば（ステップＳ９でＮＯ）、ＣＰＵ６０は、薬液表面側バルブ２３の開成を許可する（ステップＳ１０）。その後、このインターロック処理を終了する。 On the other hand, when the wafer W is held on the spin chuck 3 (YES in step S3), the CPU 60 checks the output of the rotation speed sensor 11 (step S8), and the rotation speed of the wafer W is within the rotation speed range. For example, it is checked whether or not it is within the range of 15 to 2000 rpm (step S9). If the rotational speed of the wafer W is outside the rotational speed range (YES in step S9), the CPU 60 prohibits the opening of the chemical liquid surface side valve 23 (step S5), and prohibits the opening of the chemical liquid surface side valve 23. After outputting the warning to that effect (step S6), this interlock process is complete | finished. If the rotation speed of the wafer W is within the rotation speed range (NO in step S9), the CPU 60 permits the chemical liquid surface side valve 23 to be opened (step S10). Thereafter, the interlock process is terminated.

スピンチャック３にウエハＷが保持されていないときには、薬液ノズル４が退避位置に位置しているときを除いて、薬液表面側バルブ２３の開成が禁止される。これにより、スピンチャック３にウエハＷが保持されていない状態で薬液ノズル４からスピンチャック３（スピンベース７）に向けて薬液が吐出されることを確実に防止することができる。
図４は、薬液裏面処理工程の開始時に実行されるインターロック処理の流れを示すフローチャートである。 When the wafer W is not held on the spin chuck 3, the opening of the chemical liquid surface side valve 23 is prohibited except when the chemical nozzle 4 is located at the retracted position. Accordingly, it is possible to reliably prevent the chemical liquid from being discharged from the chemical liquid nozzle 4 toward the spin chuck 3 (spin base 7) in a state where the wafer W is not held on the spin chuck 3.
FIG. 4 is a flowchart showing the flow of the interlock process executed at the start of the chemical back surface treatment process.

薬液裏面側バルブ１６の開成タイミングに至ったとき（ステップＳ２１でＹＥＳ）、ＣＰＵ６０は、ウエハ保持センサ９からの出力をチェックし（ステップＳ２２）、スピンチャック３にウエハＷが保持されているか否かを調べる（ステップＳ２３）。
スピンチャック３にウエハＷが保持されていない場合には（ステップＳ２３でＮＯ）、次に、ＣＰＵ６０は、裏面側バルブ１８が閉じられ、かつ、廃液バルブ２０が開かれた状態であるか否かを調べる（ステップＳ２４）。裏面側バルブ１８が開かれ、かつ、廃液バルブ２０が閉じられた状態であるとき（ステップＳ２４でＮＯ）、ＣＰＵ６０は、薬液表面側バルブ２３の開成を禁止し（ステップＳ２５）、その薬液裏面側バルブ１６の開成が禁止された旨の警報を出力した後（ステップＳ２６）、このインターロック処理を終了する。また、裏面側バルブ１８が閉じられ、かつ、廃液バルブ２０が開かれた状態であるとき（ステップＳ２４でＹＥＳ）、ＣＰＵ６０は、薬液裏面側バルブ１６の開成を許可する（ステップＳ２７）。したがって、この場合には、裏面側プリディスペンス処理を実行することができる。その後、このインターロック処理を終了する。 When the opening timing of the chemical back surface side valve 16 is reached (YES in step S21), the CPU 60 checks the output from the wafer holding sensor 9 (step S22), and determines whether or not the wafer W is held on the spin chuck 3. (Step S23).
If the wafer W is not held on the spin chuck 3 (NO in step S23), the CPU 60 next determines whether or not the back side valve 18 is closed and the waste liquid valve 20 is opened. (Step S24). When the back surface side valve 18 is opened and the waste liquid valve 20 is closed (NO in step S24), the CPU 60 prohibits the opening of the chemical surface side valve 23 (step S25), and the chemical back side After outputting an alarm indicating that the opening of the valve 16 is prohibited (step S26), the interlock process is terminated. Further, when the back side valve 18 is closed and the waste liquid valve 20 is opened (YES in step S24), the CPU 60 permits the opening of the chemical back side valve 16 (step S27). Therefore, in this case, the back side pre-dispensing process can be executed. Thereafter, the interlock process is terminated.

一方、スピンチャック３にウエハＷが保持されている場合には（ステップＳ２３でＹＥＳ）、ＣＰＵ６０は、回転速度センサ１１からの出力をチェックし（ステップＳ２８）、ウエハＷの回転速度が回転速度範囲、たとえば１５〜２０００ｒｐｍの範囲内か否かを調べる（ステップＳ２９）。ウエハＷの回転速度が回転速度範囲外であれば（ステップＳ２９でＹＥＳ）、ＣＰＵ６０は薬液裏面側バルブ１６の開成を禁止し（ステップＳ２５）、その薬液裏面側バルブ１６の開成が禁止された旨の警報を出力した後（ステップＳ２６）、このインターロック処理を終了する。また、ウエハＷの回転速度が回転速度範囲内であれば（ステップＳ２９でＮＯ）、ＣＰＵ６０は、薬液裏面側バルブ１６の開成を許可する（ステップＳ３０）。その後、このインターロック処理を終了する。 On the other hand, when the wafer W is held on the spin chuck 3 (YES in step S23), the CPU 60 checks the output from the rotation speed sensor 11 (step S28), and the rotation speed of the wafer W is within the rotation speed range. For example, it is checked whether or not it is within a range of 15 to 2000 rpm (step S29). If the rotational speed of the wafer W is outside the rotational speed range (YES in step S29), the CPU 60 prohibits the opening of the chemical back surface side valve 16 (step S25), and the opening of the chemical back surface side valve 16 is prohibited. Is output (step S26), the interlock process is terminated. If the rotation speed of the wafer W is within the rotation speed range (NO in step S29), the CPU 60 permits the opening of the chemical back surface side valve 16 (step S30). Thereafter, the interlock process is terminated.

スピンチャック３にウエハＷが保持されていないときには、裏面側バルブ１８が閉じられ、かつ、廃液バルブ２０が開かれた状態であるときを除いて、薬液裏面側バルブ１６の開成が禁止される。これにより、スピンチャック３にウエハＷが保持されていない状態で薬液ノズル４から上方に向けて薬液が吐出されることを確実に防止することができる。
また、裏面側バルブ１８が閉じられ、かつ、廃液バルブ２０が開かれた状態であるときは、薬液裏面側バルブ１６の開成が許可される。このため、薬液裏面側供給管１４に残留している薬液を廃液設備へ排出する裏面側プリディスペンス処理を良好に行うことができる。これにより、インターロック処理によって裏面側プリディスペンス処理の実行が妨げられない。 When the wafer W is not held on the spin chuck 3, the opening of the chemical back surface side valve 16 is prohibited except when the back surface side valve 18 is closed and the waste liquid valve 20 is opened. Thereby, it is possible to reliably prevent the chemical liquid from being discharged upward from the chemical nozzle 4 in a state where the wafer W is not held on the spin chuck 3.
Moreover, when the back surface side valve 18 is closed and the waste liquid valve 20 is opened, the opening of the chemical back surface side valve 16 is permitted. For this reason, the back surface side pre-dispensing process which discharges | emits the chemical | medical solution which remains in the chemical | medical solution back surface side supply pipe 14 to a waste liquid facility can be performed favorably. Thereby, the execution of the back side pre-dispensing process is not prevented by the interlock process.

以上、この実施形態によれば、スピンチャック３にウエハＷが保持されていないときは、薬液表面側バルブ２３、薬液裏面側バルブ１６、ＤＩＷ表面側バルブ２８およびＤＩＷ裏面側バルブ１７の開成が禁止される。これにより、ウエハＷが保持されていないスピンチャック３に向けて薬液やＤＩＷが吐出されることを確実に防止することができる。これにより、窒素ガス上供給路３１や窒素ガス下供給路２１に薬液が進入して、薬液が窒素ガス上供給路３１および窒素ガス下供給路２１にダメージ（汚染等による悪影響）を与えることを防止することができる。 As described above, according to this embodiment, when the wafer W is not held on the spin chuck 3, opening of the chemical liquid surface side valve 23, the chemical liquid rear surface side valve 16, the DIW front surface side valve 28, and the DIW rear surface side valve 17 is prohibited. Is done. Thereby, it is possible to reliably prevent the chemical liquid and DIW from being discharged toward the spin chuck 3 on which the wafer W is not held. As a result, the chemical liquid enters the nitrogen gas upper supply path 31 and the nitrogen gas lower supply path 21, and the chemical liquid damages the nitrogen gas upper supply path 31 and the nitrogen gas lower supply path 21 (adverse effects due to contamination and the like). Can be prevented.

また、スピンチャック３が回転している場合、薬液ノズル４から吐出された薬液は、ウエハＷに供給され、ウエハＷの周辺から飛散する。このため、ウエハＷから飛散する薬液を、回収開口部５４に良好に飛び入らせることもできる（予定外の方向に薬液が飛散しない）。
さらに、薬液ノズル４が退避位置に位置するとき、または、裏面側バルブ１８が閉じられ、かつ、廃液バルブ２０が開かれた状態であるときは、薬液表面側バルブ２３および薬液裏面側バルブ１６の開成が許可される。これにより、残留薬液を排出するためのプリディスペンス処理を良好に行うことができる。 Further, when the spin chuck 3 is rotating, the chemical liquid discharged from the chemical nozzle 4 is supplied to the wafer W and scattered from the periphery of the wafer W. For this reason, the chemical liquid scattered from the wafer W can also be made to enter the recovery opening 54 satisfactorily (the chemical liquid does not splash in an unplanned direction).
Furthermore, when the chemical liquid nozzle 4 is located at the retracted position, or when the back surface side valve 18 is closed and the waste liquid valve 20 is opened, the chemical liquid surface side valve 23 and the chemical liquid back side valve 16 are Establishment is permitted. Thereby, the pre-dispensing process for discharging | emitting residual chemical | medical solution can be performed favorably.

以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明は、他の形態で実施することもできる。
薬液として１種類の薬液を用いる場合を例にとって説明したが、互いに種類の異なる第１薬液および第２薬液を用いることもできる。この第１薬液および第２薬液を個別に回収する場合には、回収溝４２を取り囲むように第２回収溝を設けるとともに、傘状部材４６に第２回収溝上に位置する円筒部を追加して設け、また、第２回収溝上に位置する円筒部と、円筒部の上端からウエハＷの回転軸線に近づくほど高くなるように傾斜する傾斜部とを一体的に備える傘状部材を、その傘状部材４６を取り囲むように設けることができる。 As mentioned above, although embodiment of this invention was described, this invention can also be implemented with another form.
The case where one type of chemical solution is used as the chemical solution has been described as an example, but different types of first chemical solution and second chemical solution can also be used. When individually collecting the first chemical liquid and the second chemical liquid, a second recovery groove is provided so as to surround the recovery groove 42, and a cylindrical portion positioned on the second recovery groove is added to the umbrella-shaped member 46. And an umbrella-shaped member integrally provided with a cylindrical portion located on the second recovery groove and an inclined portion that is inclined so as to become higher from the upper end of the cylindrical portion toward the rotation axis of the wafer W. It can be provided so as to surround the member 46.

その他、特許請求の範囲内で種々の変更が可能である。 In addition, various modifications can be made within the scope of the claims.

本発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を概念的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows notionally the structure of the substrate processing apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the electric constitution of a substrate processing apparatus. 薬液表面処理工程の開始時に実行されるインターロック処理の流れを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the flow of the interlock process performed at the time of the start of a chemical | medical solution surface treatment process. 薬液裏面処理工程の開始時に実行されるインターロック処理の流れを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the flow of the interlock process performed at the time of the start of a chemical | medical solution back surface process.

符号の説明Explanation of symbols

１基板処理装置
３スピンチャック（基板保持手段）
４薬液ノズル（処理液ノズル）
５ＤＩＷノズル（処理液ノズル）
９ウエハ保持センサ（基板検出手段）
１２裏面処理液供給管
１３裏面ノズル
１４薬液裏面側供給管
１６薬液裏面側バルブ
１７ＤＩＷ裏面側バルブ
１８裏面バルブ
１９裏面用廃液管
２０廃液バルブ
２３薬液表面側バルブ
２８ＤＩＷ表面側バルブ
５６プリディスペンスポッド（廃液槽）
５７プリディスペンス用廃液管
６０ＣＰＵ（供給動作許可／禁止手段） 1. Substrate processing apparatus 3. Spin chuck (substrate holding means)
4 Chemical nozzle (treatment liquid nozzle)
5 DIW nozzle (treatment liquid nozzle)
9 Wafer holding sensor (substrate detection means)
12 rear surface treatment liquid supply pipe 13 back surface Nozzle 14 chemical backside supply pipe 16 liquid chemical back side valve 17 DIW back side valve 18 back side valves 19 for the backside of the waste liquid tube 20 waste valves 23 chemical surface side valve 28 DIW surface side valve 56 Pre-dispensing pod (waste liquid tank)
57 Pre-dispensing waste pipe
60 CPU (supply operation permission / prohibition means)

Claims

基板を保持するための基板保持手段と、
前記基板保持手段に基板が保持されているか否かを検出する基板検出手段と、
前記基板保持手段に保持された基板に向けて処理液を吐出する処理位置と、この処理位置から退避した退避位置との間で移動可能に設けられて、前記基板を処理するための処理液を吐出する処理液ノズルと、
前記処理液ノズルの位置を検出するためのノズル位置センサと、
前記処理液ノズルに対して処理液を供給する処理液供給手段と、
前記退避位置に設けられ、前記退避位置に位置する処理液ノズルから吐出される処理液を受け入れる廃液槽と、
前記処理液供給手段による処理液の供給動作に先立って、前記基板検出手段による検出内容、および前記ノズル位置センサによる検出内容を取得し、前記基板保持手段に基板が保持されている場合には第１の禁止条件に基づいて、また、前記基板保持手段に基板が保持されていない場合には第２の禁止条件に基づいて、前記処理液供給手段による供給動作を許可／禁止する供給動作許可／禁止手段とを含み、
前記第２の禁止条件は、前記処理液ノズルが前記退避位置に位置していないという条件であり、
前記供給動作許可／禁止手段は、前記基板保持手段に基板が保持されていない場合でかつ前記第２の禁止条件が満たされている場合に、前記処理液供給手段による供給動作を禁止する手段を含むことを特徴とする、基板処理装置。 Substrate holding means for holding the substrate;
A group Itaken detecting means for detecting whether the substrate is held by the substrate holding means,
A processing liquid for processing the substrate is provided so as to be movable between a processing position for discharging the processing liquid toward the substrate held by the substrate holding means and a retracted position retracted from the processing position. A treatment liquid nozzle to be discharged;
A nozzle position sensor for detecting the position of the treatment liquid nozzle;
Treatment liquid supply means for supplying a treatment liquid to the treatment liquid nozzle;
A waste liquid tank that is provided at the retreat position and receives the treatment liquid discharged from the treatment liquid nozzle located at the retraction position;
Prior to the processing liquid supply operation by the processing liquid supply means, the detection content by the substrate detection means and the detection content by the nozzle position sensor are acquired, and when the substrate is held by the substrate holding means, The supply operation permission / prohibition for permitting / prohibiting the supply operation by the processing liquid supply means based on the first prohibition condition and, based on the second prohibition condition, when the substrate is not held by the substrate holding means. look including a prohibition means,
The second prohibition condition is a condition that the processing liquid nozzle is not located at the retracted position,
The supply operation permission / prohibition means is a means for prohibiting the supply operation by the processing liquid supply means when the substrate holding means is not holding a substrate and the second prohibition condition is satisfied. A substrate processing apparatus comprising the substrate processing apparatus.

前記供給動作許可／禁止手段は、前記基板保持手段に基板が保持されていない場合でかつ前記第２の禁止条件が満たされていない場合に、前記処理液供給手段による供給動作を許可する手段をさらに含むことを特徴とする、請求項１記載の基板処理装置。 The supply operation permission / prohibition means is a means for permitting the supply operation by the processing liquid supply means when the substrate is not held by the substrate holding means and the second prohibition condition is not satisfied. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising: