JP4833837B2 - 半導体装置および電子装置 - Google Patents
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Description
20 ICチップ
22 制御回路
30 過電流保護回路
31 負荷装置
40 第1電子装置
50 第2電子装置
Pi1、Po3 第1パッド
Pw1、Pw2 測定用端子
Po1 第2パッド
Pi2 入力用外部端子
Po2、Po4 出力用外部端子
Wi1、Wo1、Wo2 ボンディングワイヤ
Lg 金配線
C1、C2、C3、C4 比較器
Q1、Q3 PMOS型トランジスタ
Q2、Q4 NMOS型トランジスタ
図1は、実施の形態1に係る第1電子装置40の構成を示す図である。第1電子装置40は、半導体装置10および負荷装置31を備える。この構成はコイルやモータ等の負荷装置31を駆動する回路であるが、そのための通常動作を実現するために制御回路22を有している。しかし、半導体装置10は、その通常動作に加え、過電流対策として別途電流をシャットオフする機能を有している。半導体装置10が、例えば車両搭載用として、酷暑や酷寒等の過酷な環境のもとで利用されたり、雨や雪等にさらされたりすることが多い場合、負荷装置31が短絡故障することがある。さらに、後述する出力用外部端子Po2が、他出力用端子、電源及び接地などとの短絡を起こしたりする場合、抵抗が極端に低下し、負荷装置31に過電流が流れ続け、その結果、負荷装置31等が発熱し、その信頼性に影響を及ぼしてしまうことがあるので、このように発生する過電流から半導体装置10を保護することには意義がある。
図3は、実施の形態2に係る第2電子装置50の構成を示す。この第2電子装置50は、モータドライバの出力段である。以下、実施の形態1と同等の構成には同じ符号を与え適宜説明を略す。本実施の形態が実施の形態1と異なるのは、トランジスタが4つ存在することであり、それらを用いてHブリッジ回路を構成する。第1のPMOS型トランジスタQ1の配置は実施の形態1と同じである。ICチップ20内において、PMOS型トランジスタQ1を有する第1過電流保護回路30aとNMOS型トランジスタQ2を有する第2過電流保護回路30bを、PMOS型トランジスタQ1のドレインとNMOS型トランジスタQ2のドレインとを共通とするように電気的に接続する。その結果、第2過電流保護回路30bは、第1過電流保護回路30a内の第2パッドPo1を共有でき、第2パッドPo1にワイヤ接続された出力用外部端子Po2を介して負荷装置31、ここではコイルの一端に印加する電圧を制御する。上記のように第1過電流保護回路30aと第2過電流保護回路30bとを組み合わせて構成された二組の回路を、同図に示すごとくさらに組み合わせることにより、Hブリッジ回路を構成することができる。ここで、上述の二組の回路のうち、一方の回路は、第3過電流保護回路30cおよび第4過電流保護回路30dを含む。これら第3過電流保護回路30c、第4過電流保護回路30dの構成は、それぞれ、第1過電流保護回路30a、第2過電流保護回路30bの構成と同様である。
Claims (5)
- ICチップ、前記ICチップに外部から信号を供給するための入力用外部端子および前記ICチップから外部に信号を出力するための出力用外部端子を有する半導体装置であって、
前記ICチップは過電流保護回路を備え、
当該過電流保護回路は、
入力用外部端子と接続される第1パッドと、
前記第1パッドと隣接して配置され、いずれの外部端子とも接続されない測定用パッドと、
前記ICチップ上の前記第1パッドと前記測定用パッドに挟まれる領域に、前記第1パッドおよび前記測定用パッドの間を電気的に接続するように、前記第1パッドおよび前記測定用パッドと一体的に形成される、所定の抵抗成分を有する金配線と、
出力用外部端子と接続される第2パッドと、
前記測定用パッドと前記第2パッドの間の電気的な接続をオンオフするトランジスタと、
前記第1パッドと前記測定用パッドの電位差が所定値を超えたとき前記トランジスタをオフする比較器と、
を備えることを特徴とする半導体装置。 - 前記比較器とは別に、所定の論理制御にしたがって前記トランジスタをオンオフする制御部をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第2パッドを共有する前記過電流保護回路を複数有することを特徴とする請求項1または2のいずれかに記載の半導体装置。
- 請求項2乃至3のいずれかに記載の半導体装置と、
当該半導体装置によって形成されるHブリッジ回路により駆動される所定の負荷装置と、
を備えることを特徴とする電子装置。 - 本電子装置を車両搭載用とするとともに、前記車両における前記負荷装置に想定される故障をもとに前記所定値を定めたことを特徴とする請求項4に記載の電子装置。
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Citations (4)
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JPS63252458A (ja) * | 1987-04-09 | 1988-10-19 | Nec Corp | 半導体装置 |
JPH08340635A (ja) * | 1995-06-13 | 1996-12-24 | Sumitomo Wiring Syst Ltd | 自動車用ワイヤハーネスの電源分配装置 |
JPH09308261A (ja) * | 1996-05-20 | 1997-11-28 | Denso Corp | 過電流保護回路 |
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---|---|---|---|---|
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63252458A (ja) * | 1987-04-09 | 1988-10-19 | Nec Corp | 半導体装置 |
JPH08340635A (ja) * | 1995-06-13 | 1996-12-24 | Sumitomo Wiring Syst Ltd | 自動車用ワイヤハーネスの電源分配装置 |
JPH09308261A (ja) * | 1996-05-20 | 1997-11-28 | Denso Corp | 過電流保護回路 |
JP2001053120A (ja) * | 1999-08-09 | 2001-02-23 | Sharp Corp | 過電流検出機能付半導体集積回路およびその製造方法 |
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