JP4830496B2 - SiC単結晶の製造方法 - Google Patents
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Description
るつぼ内の融液に、るつぼ底部から融液面へ向かう上向きの縦磁場を印加することを特徴とするSiC単結晶の製造方法が提供される。
10 黒鉛るつぼ
12 黒鉛棒
14 SiC種結晶
16 電極棒
18 断熱材
19 電源スイッチ
20 直流電源
22 誘導コイル
22A 上段コイル
22B 下段コイル
24 磁場コイル
M Si融液
S Si融液面
F 磁場
Claims (6)
- 黒鉛るつぼ内のSi融液内に内部から融液面に向けて温度低下する温度勾配を維持しつつ、該融液面の直下に保持したSiC種結晶を起点としてSiC単結晶を成長させる方法において、
るつぼ内の融液に、るつぼ底部から融液面へ向かう上向きの縦磁場を印加することを特徴とするSiC単結晶の製造方法。 - 請求項1において、上記縦磁場の強度を0.03〜0.15Tとすることを特徴とする方法。
- 請求項1または2において、上記るつぼ内の融液に電流を印加してローレンツ力を発生させることにより融液をるつぼ周方向に回転させることを特徴とする方法。
- 請求項3において、上記電流を3A〜10Aとすることを特徴とする方法。
- 請求項3または4において、上記ローレンツ力による融液の回転とは逆方向にるつぼを回転させることを特徴とする方法。
- 請求項5において、上記るつぼを3〜20rpmで回転させることを特徴とする方法。
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