JP4826728B2 - 熱硬化性樹脂組成物 - Google Patents
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Description
・エピコート806:ビスフェノールF型エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン社製)(a)成分、
・デナコールEX146:p−ターシャリーブチルフェニルグリシジルエーテル(ナガセケムテック社製)(a)成分、
・エピスルフィド化合物A:水素添加型ビスフェノールA型エポキシの100%エピスルフィド化品(ジャパンエポキシレジン社製)(b)成分、
・エピスルフィド化合物B:水素添加型ビスフェノールA型エポキシの80%エピスルフィド化品(ジャパンエポキシレジン社製)(b)成分、
・FXR−1080:アミンアダクト系潜在性硬化剤(富士化成工業社製)(c)成分
・FXE−1000:アミンアダクト系潜在性硬化剤(富士化成工業社製)(c)成分
・R972:微粉末シリカ アエロジールR972(日本アエロジル社製)
各種組成物中のチイラン環存在率を以下の式により求めた。チイラン環存在率(%)=(b)成分のチイラン環存在数/((b)成分のチイラン環存在数+(a)成分のオキシラン環存在数+(b)成分のオキシラン環存在数)。ただし、チイラン環存在数は化合物質量/チイラン当量で算出し、オキシラン存在数も同様である。
外径(一辺の長さ)12mm、端子数176ピンのCSPを用い、実装の浸透性試験を行った。半田ペーストを電子基板(ガラスエポキシ)の電極上に印刷供給し、CSPを搭載し、リフロー炉により半田接合を行った。その後、各種組成物をディスペンサを用いてCSPの周囲に塗布し、引き続き80℃で30分間加熱して各種組成物を硬化させた。このとき各種組成物は、完全に硬化する前に半導体装置と配線基板の間に浸透したものを○、浸透しなかったものを×とした。
1.6×25×100mmのSPCC−SD鋼板2枚を10mmオーバーラップした面に各種組成物を塗布し貼り合わせ、80℃で30分間加熱して硬化させた後25℃にて万能引張試験機にて引っ張り速度10mm/minにて測定した。引張せん断接着強さが15MPa以上あったものを◎とし、10〜15MPaのものを○とした。それ以下のものを×とした。
配線基板に各種組成物で固着されたCSPの付近を、温風発生器を用いて、260℃程度の温風を10秒間あてて加熱し、CSPとガラスエポキシ基板の間にピンセットによりつまんで持ち上げ、CSPを取り外した。次に、350℃に熱した半田ゴテ(先端形状が平面なもの)を用いてガラスエポキシ基板上に残っている硬化物と半田を取り除いた。また、それだけでは完全に取り除くことができなかったガラスエポキシ基板上に残っている半田を半田吸い取り用編組線で除去し、アルコール等を用いて基板表面の洗浄を行った。
上述と同様によりCSPを基板に実装したものを作成し、低温側−40℃、高温側80℃で、各々の保持時間を30分とした1サイクル1時間の条件で行い、100サイクル毎に導通試験を行い、CSPと基板との電気的接続を確認した。500サイクル以上でも導通があったものを○とし合格とし、1000サイクル以上でも導通があったものを◎とし合格とした。500サイクルより前に断線等で非導通となったものを×とした。
冷蔵3ヶ月以上で粘度が初期の2倍未満であった各種組成物を◎,冷凍3ヶ月以上で粘度が初期の2倍未満であった各種組成物を○とし、それ以外のものを×とした。
粘度、硬化性、リペア性、耐ヒートショック性、保存性の各項目に×が1つもないものを○とし、それ以外のものを×とした。
Claims (1)
- (a)分子中に1つ以上オキシラン環を有し、チイラン環を有さないエポキシ樹脂
(b)水素化ビスフェノールエポキシ樹脂のオキシラン環の酸素原子の全てまたは一部を硫黄原子に置換したチイラン環を分子内に1つ以上有するエピスルフィド樹脂
(c)固体分散型アミンアダクト系潜在性硬化剤 (a)と(b)の合計量100重量部に対し1〜50重量部からなり、前記(a)成分と(b)成分のチイラン環とオキシラン環の存在量合計に対しチイラン環存在率が5〜30%であることを特徴とする低温速硬化でリペア性に優れるアンダーフィル封止剤用熱硬化性樹脂組成物。
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