JP4825103B2 - 誘電体積層構造体及び配線基板 - Google Patents
誘電体積層構造体及び配線基板 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4825103B2 JP4825103B2 JP2006283292A JP2006283292A JP4825103B2 JP 4825103 B2 JP4825103 B2 JP 4825103B2 JP 2006283292 A JP2006283292 A JP 2006283292A JP 2006283292 A JP2006283292 A JP 2006283292A JP 4825103 B2 JP4825103 B2 JP 4825103B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- dielectric
- conductor
- laminated structure
- insulating resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
厚さが10μm以上40μm以下の金属箔の少なくとも片面に厚さが0.3μm以上5μm以下の誘電体層と厚さが0.3μm以上10μm以下の導体層とがこの順で積層された誘電体積層構造体において、
前記誘電体層と前記導体層との2層に跨って厚さ方向に貫通された複数のビアが互いに離間した状態で形成されてなり、
前記誘電体層の各ビアが100μm以上300μm以下の間で異なる径をなして構成され、前記導体層の各ビアが該誘電体層のビアの径よりも5μm以上50μm以下引き下がった径で形成されるとともに、最小ビアピッチが100μm以上350μm以下で配置されてなることを特徴とする。
前記金属箔には、厚さ方向に貫通し前記ビアと連通された貫通孔が設けられ、
前記貫通孔が前記誘電体層のビアの径よりも小さな径で形成することができる。本発明の如く、誘電体積層構造体には厚さ方向に連通したビア及び貫通孔が形成されているので、ビルドアップ層の絶縁樹脂層に実装する際に、それらの間に位置する空気等がこの貫通孔を介して誘電体積層構造体の上方に誘導されるので、ビルドアップ層の絶縁樹脂層との間に気泡等の入り込みを抑制することができる。ひいては、気泡等が介在していないので、よりビルドアップ層の絶縁樹脂層との密着性が向上し、剥離してしまうことを防止することができる。貫通孔及びビアが金属箔から導体層に向かうほど段階的に径が大きく形成されているので、例えば、ビルドアップ層の絶縁樹脂層が貫通孔内側まで入り込み易くなる。
前記誘電体層と前記導体層とが前記金属箔の両面に積層され、その両面に形成された該誘電体層と該導体層とを前記金属箔を挟んで対称に配置することができる。本発明の如く、金属箔の両面に誘電体層と導体層とを形成しているので、焼成時に起きる誘電体層の焼結収縮による金属箔への影響が干渉され、誘電体積層構造体の反りや変形が抑制される。金属箔を挟んで対称な誘電体層と導体層とすることで、焼成時に起こり易い誘電体積層構造体の反りの発生をより抑制することができる。
前記導体層にはセラミック粉末を50vol%以下含有することができる。本発明の如く、導体層にセラミック粉末を含有することで、誘電体層との密着性が向上される。このとき、セラミック粉末としては、誘電体層に使用する同組成の材料を使用することで、より密着性を向上できる。セラミック粉末を50vol%より多く導体層に含有すると、焼成後に抵抗増大といった導電性低下や、柔軟性の低下などが生じる惧れがある。
導体層が最外層となる状態で、その導体層側から所定の治具を直接又は間接的に押し当てたときに、曲率半径が5mm以上500mm以下となる範囲内で変形可能である。
本発明の如く、上記条件を満足するような曲げ強度を有する誘電体積層構造体は柔軟性に優れ、ビルドアップ層の絶縁樹脂層への実装プロセスや配線基板の反りによる割れ等に対して強く、信頼性のあるものとすることができる。
まず、平均粒径0.7μmのBT粉末に、所定の分散剤、可塑剤を加えてエタノールとトルエンの混合溶剤中で湿式混合し、十分に混合後、バインダを添加して混合した。次に、得られたスラリーから、ドクターブレード法などの汎用の方法により厚さ7μmのBTグリーンシートを作製した。
(1)と同様の方法により、平均粒径0.4μmのニッケル粉末をチタン酸バリウム粉末との体積割合が7:3となるように混合し、厚さ7μmのニッケルグリーンシートを作製した。
厚さ30μmのニッケル箔をエッチングにより、150mm角の大きさに形成するとともに、貫通孔も形成した。また、BTグリーンシートおよびニッケルグリーンシートも150mm角の大きさに切断した。次に、ニッケル箔の両面にBTグリーンシートを積層後、80°C、500kgf/cm2の条件で圧着した。BTグリーンシートのPET(Polyethylene Terephthalate)でなるキャリアシートを剥離後、その両面にニッケルグリーンシートを積層し、80°C、750kgf/cm2の条件で本圧着した。ニッケルグリーンシートのPETでなるキャリアシートは付着したまま、ニッケル箔に形成された貫通孔と同位置にレーザーでBTグリーンシートおよびニッケルグリーンシートをニッケル箔の貫通孔の径よりも大きくなるように両面ともに穿孔した。その後、汎用の切断機により25mm角に切断し、キャリアシートを剥離し、未焼成の誘電体積層構造体を得た。あるいは、ニッケル箔とニッケルグリーンシートの積層後、80°C、500kgf/cm2の条件で圧着してもよい。
前述した工程で得られた未焼成の誘電体積層構造体を大気中250°Cで10時間脱脂後、還元雰囲気中1300°Cで焼成を行った。焼成後のBTでなる誘電体層及びニッケルでなる導体層の厚みはそれぞれ4μmであった。
公知のプロセスで作製した配線基板上に絶縁樹脂フィルムをラミネートした。マウンターを用いて誘電体積層構造体を絶縁樹脂フィルム上の所定の位置に設置し、その絶縁樹脂の仮硬化(粗化)を行った。
得られた誘電体積層構造体の曲げ可能な曲率半径を測定するために、図12の測定方法を示す概念図に示すように、さまざまな曲率半径Rの曲面で形成された押圧面60aを有する治具60を、数種作製し、誘電体積層構造体の面が押圧面60aに沿った状態となるまで押し当て、その押し当てた治具60の曲率半径Rを測定した。なお、可能曲げ曲率半径Rは、その後に破壊しているか否かで判断した。
誘電体積層構造体の上から絶縁樹脂フィルムをラミネートし、所定の箇所にレーザーで穿孔し、ビアを形成し、Cuメッキによってアレイ構造キャパシタを形成し、その後も公知のビルドアッププロセスによりコンデンサ内蔵基板を作製した。
作製したコンデンサ内蔵基板を−50°Cの液槽と+125°Cとの液槽に1000サイクル交互に漬けて熱衝撃試験を行い、試験前後の容量値を測定した。試験前後での容量値の変化はなかった。
配線基板上に絶縁樹脂フィルムをラミネートした後、マウンターを用いて誘電体積層構造体を所定の位置に設置した後、加熱により樹脂の硬化を行った。その後、誘電体積層構造体の引き剥がしテストを行ったが、引き剥がすのに大きな力が必要となり、容易に引き剥がすことができないことが判明した。また、引き剥がした後を観察したが、気泡の跡は観察できなかった。
2 金属箔(内部電極層)
2a 貫通孔
3 誘電体層
3a 貫通孔(ビア)
4 導体層(内部電極層)
4a 貫通孔(ビア)
5 連通孔
6,7 外部電極層
8,8a,8b,8c,9 ビア導体(ビア,厚さ方向導電体)
10,50 コンデンサ
16,17 絶縁樹脂層
100 配線基板
Claims (6)
- 厚さが10μm以上40μm以下の金属箔の少なくとも片面に厚さが0.3μm以上5μm以下の誘電体層と厚さが0.3μm以上10μm以下の導体層とがこの順で積層された誘電体積層構造体において、
前記誘電体層と前記導体層との2層に跨って厚さ方向に貫通された複数のビアが互いに離間した状態で形成されてなり、
前記誘電体層の各ビアが100μm以上300μm以下の間で異なる径をなして構成され、前記導体層の各ビアが該誘電体層のビアの径よりも5μm以上50μm以下引き下がった径で形成されるとともに、最小ビアピッチが100μm以上350μm以下で配置されてなることを特徴とする誘電体積層構造体。 - 前記金属箔には、厚さ方向に貫通し前記ビアと連通された貫通孔が設けられ、
前記貫通孔が前記誘電体層のビアの径よりも小さな径で形成されてなる請求項1に記載の誘電体積層構造体。 - 前記誘電体層と前記導体層とが前記金属箔の両面に積層され、その両面に形成された該誘電体層と該導体層とが前記金属箔を挟んで対称に配置された請求項1または2に記載の誘電体積層構造体。
- 前記導体層にはセラミック粉末が50vol%以下含有されている請求項1ないし3のいずれか1項に記載の誘電体積層構造体。
- 前記導体層が最外層となる状態で、その導体層側から所定の治具を直接又は間接的に押し当てたときに、曲率半径が5mm以上500mm以下となる範囲内で変形可能である請求項1ないし4のいずれか1項に記載の誘電体積層構造体。
- 請求項1ないし5のいずれかの1項に記載の誘電体積層構造体を内蔵してなる配線基板であって、
前記誘電体積層構造体を覆う絶縁樹脂樹脂層が設けられ、
前記絶縁樹脂層には、少なくとも表面に電極層と、該電極層と前記導体層とを電気的に接続する厚さ方向導電体が形成されてなることを特徴とする配線基板。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006283292A JP4825103B2 (ja) | 2006-01-23 | 2006-10-18 | 誘電体積層構造体及び配線基板 |
KR1020060122109A KR101248738B1 (ko) | 2005-12-07 | 2006-12-05 | 유전체 구조체, 유전체 구조체의 제조방법 및 유전체구조체를 포함한 배선기판 |
US11/634,170 US7750248B2 (en) | 2005-12-07 | 2006-12-06 | Dielectric lamination structure, manufacturing method of a dielectric lamination structure, and wiring board including a dielectric lamination structure |
US12/785,037 US8813353B2 (en) | 2005-12-07 | 2010-05-21 | Method of manufacturing a dielectric structure |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006014353 | 2006-01-23 | ||
JP2006014353 | 2006-01-23 | ||
JP2006283292A JP4825103B2 (ja) | 2006-01-23 | 2006-10-18 | 誘電体積層構造体及び配線基板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007221093A JP2007221093A (ja) | 2007-08-30 |
JP4825103B2 true JP4825103B2 (ja) | 2011-11-30 |
Family
ID=38497997
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006283292A Expired - Fee Related JP4825103B2 (ja) | 2005-12-07 | 2006-10-18 | 誘電体積層構造体及び配線基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4825103B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100867150B1 (ko) * | 2007-09-28 | 2008-11-06 | 삼성전기주식회사 | 칩 캐패시터가 내장된 인쇄회로기판 및 칩 캐패시터의 내장방법 |
JP4801687B2 (ja) * | 2008-03-18 | 2011-10-26 | 富士通株式会社 | キャパシタ内蔵基板及びその製造方法 |
KR101089953B1 (ko) | 2009-09-17 | 2011-12-05 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 및 인쇄회로기판의 제조 방법 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4479015B2 (ja) * | 1999-06-10 | 2010-06-09 | パナソニック株式会社 | コンデンサ内蔵キャリア基板およびその製造方法 |
JP2001319840A (ja) * | 2000-05-09 | 2001-11-16 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層複合電子部品及びその向きの判別方法 |
JP2005142352A (ja) * | 2003-11-06 | 2005-06-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 内部電極用シートおよびその製造方法 |
JP4065264B2 (ja) * | 2004-01-29 | 2008-03-19 | 日本特殊陶業株式会社 | 中継基板付き基板及びその製造方法 |
-
2006
- 2006-10-18 JP JP2006283292A patent/JP4825103B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007221093A (ja) | 2007-08-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7750248B2 (en) | Dielectric lamination structure, manufacturing method of a dielectric lamination structure, and wiring board including a dielectric lamination structure | |
JP5203451B2 (ja) | 部品内蔵配線基板 | |
US6192581B1 (en) | Method of making printed circuit board | |
KR101258713B1 (ko) | 배선기판의 제조방법 | |
KR101204233B1 (ko) | 전자부품 내장형 인쇄회로기판 및 그 제조방법 | |
WO2007126090A1 (ja) | 回路基板、電子デバイス装置及び回路基板の製造方法 | |
JP2009260318A (ja) | 部品内蔵配線基板 | |
KR100605454B1 (ko) | 전사재 및 그 제조방법 및 이것을 이용하여 제조된 배선기판 | |
KR100747022B1 (ko) | 임베디드 인쇄회로기판 및 그 제작방법 | |
JP5179856B2 (ja) | 配線基板内蔵用部品及びその製造方法、配線基板 | |
JP2005072328A (ja) | 多層配線基板 | |
JP4497548B2 (ja) | 配線基板 | |
JP2002076637A (ja) | チップ部品内蔵基板及びその製造方法 | |
WO2010067508A1 (ja) | 多層基板およびその製造方法 | |
JP4825103B2 (ja) | 誘電体積層構造体及び配線基板 | |
JP5192865B2 (ja) | 部品内蔵配線基板の製造方法 | |
JP4718890B2 (ja) | 多層配線基板及びその製造方法、多層配線基板構造体 | |
JP3440174B2 (ja) | 多層プリント配線基板とその製造方法 | |
JP2009004457A (ja) | コンデンサ内蔵多層基板 | |
JP4758235B2 (ja) | 誘電体積層構造体の製造方法 | |
JP4814129B2 (ja) | 部品内蔵配線基板、配線基板内蔵用部品 | |
JP2006310543A (ja) | 配線基板及びその製造方法、半導体回路素子付き配線基板 | |
JP2001111221A (ja) | ビアを有するセラミックグリーンシート及びそれを含むセラミック多層配線基板の製造方法 | |
JP2008244029A (ja) | 部品内蔵配線基板、配線基板内蔵用部品 | |
JP4467341B2 (ja) | 多層配線基板の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090828 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110428 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110511 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110629 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110816 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110909 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140916 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140916 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |