JP4818802B2

JP4818802B2 - Manufacturing method of electron emission source

Info

Publication number: JP4818802B2
Application number: JP2006127436A
Authority: JP
Inventors: 邦彦西村; 彰彦細野; 哲也白石; 正洋藤川; 洋介鈴木; 栄信廣門
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2006-05-01
Filing date: 2006-05-01
Publication date: 2011-11-16
Anticipated expiration: 2026-05-01
Also published as: JP2007299667A

Description

本発明は、電子放出源の製造方法に関するものである。 The present invention relates to a method for manufacturing an electron emission source.

電界放出型表示装置（Field Emission Display：以下「ＦＥＤ」ともいう。）は、電子放出源を備えている。電子放出源は、基板上に形成されたカソード層、カソード層に接触する電子放出材料、および絶縁層を介してカソード層に対向する引き出し電極層（以下、引き出し電極層は、ゲート電極層と呼ばれる。）を有している。電子放出源においては、絶縁層およびゲート電極層には電子放出用の開口部が設けられている。電子放出材料はその開口部の底面または下部において露出している。 A field emission display (hereinafter referred to as “FED”) includes an electron emission source. The electron emission source includes a cathode layer formed on a substrate, an electron emission material in contact with the cathode layer, and an extraction electrode layer facing the cathode layer through an insulating layer (hereinafter, the extraction electrode layer is referred to as a gate electrode layer). .)have. In the electron emission source, an opening for electron emission is provided in the insulating layer and the gate electrode layer. The electron emission material is exposed at the bottom or lower part of the opening.

また、電子放出源が電子を放出するときには、真空中でカソード層を基準としてゲート電極層に正電位が与えられる。それにより、電子放出材料の表面に電界が印加される。その結果、電子放出材料内の繊維状電子放出源の先端で電界集中が発生し、繊維状電子放出源の先端から電子が放出される。その後、電子は、さらに電界によって加速され、電子放出材料に対応する蛍光板に衝突する。その結果、蛍光板で発光が生じる。 In addition, when the electron emission source emits electrons, a positive potential is applied to the gate electrode layer with reference to the cathode layer in vacuum. Thereby, an electric field is applied to the surface of the electron emission material. As a result, electric field concentration occurs at the tip of the fibrous electron emission source in the electron emission material, and electrons are emitted from the tip of the fibrous electron emission source. Thereafter, the electrons are further accelerated by the electric field and collide with the fluorescent plate corresponding to the electron emission material. As a result, light emission occurs on the fluorescent screen.

上記のように、電子放出材料の上方にゲート電極層が形成される。つまり、いわゆる三極構造が形成される。そのため、カソード層、ゲート電極層、および電子放出材料の形成のために、微細加工工程および位置合わせ工程が必要である。これらの工程において、位置合わせのズレを低減するために、露光用のマスクの枚数を低減することが望ましい。 As described above, the gate electrode layer is formed above the electron emission material. That is, a so-called tripolar structure is formed. Therefore, a microfabrication process and an alignment process are necessary for forming the cathode layer, the gate electrode layer, and the electron emission material. In these steps, it is desirable to reduce the number of masks for exposure in order to reduce misalignment.

また、繊維状電子放出源としてカーボンナノチューブを用いた三極構造の製造方法に関する技術としては、たとえば、特開２００２−２４５９２８号公報に開示された技術がある。この特許文献に開示された技術によれば、基板上に透明電極および不透明電極のそれぞれが形成され、背面露光が行なわれる。その結果、カソード層に対するカーボンナノチューブ層およびゲート電極層の位置ズレが低減される。
特開２００２−２４５９２８号公報 Further, as a technique related to a method for manufacturing a triode structure using carbon nanotubes as a fibrous electron emission source, there is a technique disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-245928. According to the technique disclosed in this patent document, each of a transparent electrode and an opaque electrode is formed on a substrate, and back exposure is performed. As a result, the positional deviation of the carbon nanotube layer and the gate electrode layer with respect to the cathode layer is reduced.
Japanese Patent Laid-Open No. 2002-245928

前述の特許文献に開示された製造方法によれば、カーボンナノチューブペーストにネガティブ感光特性、すなわち感光されない部分の膜が除去されるような感光特性を付与することが必要である。そのため、以下のような不都合が発生する。 According to the manufacturing method disclosed in the above-mentioned patent document, it is necessary to provide the carbon nanotube paste with a negative photosensitive characteristic, that is, a photosensitive characteristic that removes the unexposed part of the film. Therefore, the following inconvenience occurs.

カーボンナノチューブペーストのように黒色のペーストに感光特性を付与するためには、カーボンナノチューブの濃度を低下させなければならない。そのため、充分な量のカーボンナノチューブを含有したペーストを作成することが困難である。また、背面露光が行なわれるときの露光深度に依存して、残存するカーボンナノチューブの膜厚が決定される。そのため、電子放出材料の膜厚のばらつきが大きくなる。その結果、ゲート電極層とカーボンナノチューブ層との間の距離にばらつきが生じる。したがって、最終的に電子放出材料の面方向における発光の均一性が低下する。 In order to impart photosensitive characteristics to a black paste such as a carbon nanotube paste, the concentration of carbon nanotubes must be reduced. Therefore, it is difficult to create a paste containing a sufficient amount of carbon nanotubes. Further, the film thickness of the remaining carbon nanotubes is determined depending on the exposure depth when the back exposure is performed. Therefore, the variation in the film thickness of the electron emission material is increased. As a result, the distance between the gate electrode layer and the carbon nanotube layer varies. Therefore, finally, the uniformity of light emission in the surface direction of the electron emission material is lowered.

本発明は、上述の問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、高い発光均一性を有する電子放出源の製造方法を提供することである。 The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object thereof is to provide a method for manufacturing an electron emission source having high light emission uniformity.

本発明の電子放出源の製造方法においては、まず、基板上にカソード層が形成される。次に、カソード層上に絶縁層が形成される。その後、絶縁層に開口部が形成される。その後、開口部内に電子放出材料が形成される。次に、電子放出材料が焼結され、絶縁層と電子放出材料との間に空隙が形成される。 In the method for manufacturing an electron emission source according to the present invention, first, a cathode layer is formed on a substrate. Next, an insulating layer is formed on the cathode layer. Thereafter, an opening is formed in the insulating layer. Thereafter, an electron emission material is formed in the opening. Next, the electron emission material is sintered, and a gap is formed between the insulating layer and the electron emission material.

本発明によれば、高い発光均一性を有する電子放出源が得られる。 According to the present invention, an electron emission source having high emission uniformity can be obtained.

以下、図面を参照しながら、本発明の実施の形態の電子放出源の製造方法を説明する。
（実施の形態１）
図１〜図１３を用いて、本発明の実施の形態の電子放出源の製造方法を説明する。本実施の形態の電子放出源は、ＦＥＤの背面パネルに設置されるものである。 Hereinafter, a method for manufacturing an electron emission source according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
(Embodiment 1)
A method for manufacturing an electron emission source according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. The electron emission source of the present embodiment is installed on the rear panel of the FED.

本実施の形態の電子放出源の製造方法においては、まず、図１に示されるように、ガラス基板１の上面上にカソード層２が形成される。次に、カソード層２の上面上に感光性ガラスペーストがスクリーン印刷によって塗布される。その後、ガラスペーストが乾燥させられる。その結果、図２に示されるように、膜厚約３０μｍの絶縁層３が形成される。次に、図３に示されるように、絶縁層３にカソード層２の表面まで到る開口部３ａが形成される。開口部３ａの径は３０μｍ程度である。また、開口部３ａの断面形状においては、カソード層２の表面における径よりも絶縁層３の表面における径の方が小さい。つまり、開口部３ａは、いわゆる逆テーパー形状を有している。開口部３ａは、写真製版工程を経て形成される。 In the manufacturing method of the electron emission source of the present embodiment, first, as shown in FIG. 1, the cathode layer 2 is formed on the upper surface of the glass substrate 1. Next, a photosensitive glass paste is applied on the upper surface of the cathode layer 2 by screen printing. Thereafter, the glass paste is dried. As a result, as shown in FIG. 2, an insulating layer 3 having a thickness of about 30 μm is formed. Next, as shown in FIG. 3, an opening 3 a reaching the surface of the cathode layer 2 is formed in the insulating layer 3. The diameter of the opening 3a is about 30 μm. Further, in the cross-sectional shape of the opening 3 a, the diameter on the surface of the insulating layer 3 is smaller than the diameter on the surface of the cathode layer 2. That is, the opening 3a has a so-called reverse taper shape. The opening 3a is formed through a photolithography process.

次に、図４に示されるように、絶縁層３の焼結工程が実行される。その後、図５に示されるように、絶縁層３の開口部３ａ内および絶縁層３上に電子放出材料４が形成される。次に、図６に示されるように、電子放出材料４の表面が研磨される。それにより、絶縁層３の表面の電子放出材料４が除去され、絶縁層３の上面が平坦化される。次に、図７に示されるように、電子放出材料４の焼結工程が実行され、電子放出材料４と絶縁層３とが分離される。その後、図８に示されるように、電子放出材料４と絶縁層３との間の空隙に樹脂５が充填される。樹脂５は、３５０℃程度の大気雰囲気中での焼成工程によって分解され得る。この樹脂５は平坦化される。 Next, as shown in FIG. 4, the sintering process of the insulating layer 3 is performed. Thereafter, as shown in FIG. 5, the electron emission material 4 is formed in the opening 3 a of the insulating layer 3 and on the insulating layer 3. Next, as shown in FIG. 6, the surface of the electron emission material 4 is polished. Thereby, the electron emission material 4 on the surface of the insulating layer 3 is removed, and the upper surface of the insulating layer 3 is planarized. Next, as shown in FIG. 7, the sintering process of the electron emission material 4 is performed, and the electron emission material 4 and the insulating layer 3 are separated. Thereafter, as shown in FIG. 8, the resin 5 is filled in the gap between the electron emission material 4 and the insulating layer 3. The resin 5 can be decomposed by a baking process in an air atmosphere at about 350 ° C. This resin 5 is flattened.

次に、絶縁層３の表面上に樹脂５を覆うように、図９に示されるように、本発明の導電層の一例の金属薄膜６がスパッタ法によって形成される。その後、図１０に示されるように、金属薄膜６上にゲート電極層をパターニングするためのリソグラフィが実行される。次に、図１１に示されるように、熱処理によって樹脂５が分解される。その後、図１２に示されるように、金属薄膜６のうち分解された樹脂５上に形成されていた部分７が除去される。その結果、電子放出材料４が露出する。次に、露出した電子放出材料４に対して表面処理が施される。 Next, as shown in FIG. 9, a metal thin film 6 as an example of the conductive layer of the present invention is formed by sputtering so as to cover the resin 5 on the surface of the insulating layer 3. Thereafter, as shown in FIG. 10, lithography for patterning the gate electrode layer on the metal thin film 6 is performed. Next, as shown in FIG. 11, the resin 5 is decomposed by heat treatment. After that, as shown in FIG. 12, the portion 7 formed on the decomposed resin 5 in the metal thin film 6 is removed. As a result, the electron emission material 4 is exposed. Next, a surface treatment is performed on the exposed electron emission material 4.

本実施の形態の電子放出源は、以上のような工程を経て製造されるため、以下のような特徴を有する。 Since the electron emission source of the present embodiment is manufactured through the above processes, it has the following characteristics.

本実施の形態の電子放出源は、電子放出材料と絶縁層とが焼結工程において膜収縮作用によって分離される。そのため、ゲート電極層と電子放出材料との間の耐電圧の確保のために必要な距離が容易に確保され得る。また、電子放出材料、絶縁層およびゲート電極層を個々のマスクを用いてパターニングする必要がない。そのため、マスク数が低減される。また、アライメントのズレが低減される。そのため、ゲート電極層と電子放出源との位置関係のばらつきが生じ難い。その結果、電子放出材料の面方向の電子放出量の均一化を図ることができる。したがてって、良好な発光均一性を有する背面パネルが得られる。 In the electron emission source of the present embodiment, the electron emission material and the insulating layer are separated from each other by the film shrinking action in the sintering process. Therefore, the distance necessary for securing the withstand voltage between the gate electrode layer and the electron emission material can be easily secured. Further, it is not necessary to pattern the electron emission material, the insulating layer, and the gate electrode layer using individual masks. Therefore, the number of masks is reduced. In addition, misalignment is reduced. Therefore, variation in the positional relationship between the gate electrode layer and the electron emission source hardly occurs. As a result, the electron emission amount in the surface direction of the electron emission material can be made uniform. Therefore, a back panel having good light emission uniformity can be obtained.

以下、本実施の形態の電子放出源の製造方法を詳細に説明する。
工程１：カソード層２の形成（図１参照）
図１に示されるように、ガラス基板１の上面上に透明導電膜が形成される。透明導電性膜としては、たとえばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜が用いられる。ＩＴＯ膜は、カソード層２となる膜である。また、ＩＴＯ膜は、スパッタ法によって形成される。その後、フォトリソグラフィ等の方法を用いて、ＩＴＯ膜がパターニングされる。それにより、カソード層２がライン状に形成される。 Hereinafter, the manufacturing method of the electron emission source of the present embodiment will be described in detail.
Step 1: Formation of cathode layer 2 (see FIG. 1)
As shown in FIG. 1, a transparent conductive film is formed on the upper surface of the glass substrate 1. For example, an ITO (Indium Tin Oxide) film is used as the transparent conductive film. The ITO film is a film that becomes the cathode layer 2. The ITO film is formed by sputtering. Thereafter, the ITO film is patterned using a method such as photolithography. Thereby, the cathode layer 2 is formed in a line shape.

なお、カソード層２の膜厚は、たとえば０．３μｍである。また、前述のフォトリソグラフィとは、半導体製造技術において、光または電子線等を利用して、基板上にパターンを転写する写真製版のことを意味する。このリソグラフィ工程は、レジストの塗布、露光、エッチング、および、レジストの除去等の様々な工程を含んでいる。ただし、これらの工程は、一般的な工程であるため、本実施の形態においては、それらの工程が一つの工程として説明される。 The film thickness of the cathode layer 2 is, for example, 0.3 μm. The above-mentioned photolithography means photoengraving in which a pattern is transferred onto a substrate using light, electron beam or the like in semiconductor manufacturing technology. This lithography process includes various processes such as resist application, exposure, etching, and resist removal. However, since these steps are general steps, in the present embodiment, these steps are described as one step.

工程２：絶縁層の形成（図２参照）
次に、図２に示されるように、ガラス基板１およびカソード層２を覆うようにたとえば感光性ガラスペーストがスクリーン印刷によって形成される。この後、１５０℃で３０分間、乾燥工程が実行される。それにより、ガラスペーストが乾燥させられる。その結果、膜厚３０μｍの乾燥膜が得られる。ここで、乾燥膜の膜厚は、ペーストの粘度、固形分比、スクリーン版のメッシュワイヤ径、および乳剤厚などよって様々である。そのため、所望の膜厚が得られるように、ペーストの粘度、固形分比、スクリーン版のメッシュワイヤ径、および乳剤厚が調整される。また、本実施の形態においては、乾燥膜の膜厚が３０μｍであるが、後述される焼成工程を経て絶縁層と電子放出材料とが分離しさえすれば、乾燥膜の膜厚は、３０μｍに限定されず、いかなる値であってもよい。 Step 2: Formation of an insulating layer (see FIG. 2)
Next, as shown in FIG. 2, for example, a photosensitive glass paste is formed by screen printing so as to cover the glass substrate 1 and the cathode layer 2. Then, a drying process is performed at 150 degreeC for 30 minutes. Thereby, the glass paste is dried. As a result, a dry film having a thickness of 30 μm is obtained. Here, the film thickness of the dry film varies depending on the viscosity of the paste, the solid content ratio, the mesh wire diameter of the screen plate, the emulsion thickness, and the like. Therefore, the viscosity of the paste, the solid content ratio, the mesh wire diameter of the screen plate, and the emulsion thickness are adjusted so as to obtain a desired film thickness. In the present embodiment, the thickness of the dry film is 30 μm. However, as long as the insulating layer and the electron emission material are separated through a baking process described later, the thickness of the dry film is reduced to 30 μm. It is not limited and any value may be used.

工程３：絶縁層内への開口部の形成（図３参照）
次に、図３に示されるように、感光性ガラスペーストからなる絶縁層３に、フォトリソグラフィの方法を用いて、開口部３ａが形成される。本実施の形態においては、感光性ガラスペーストはネガ型の感光性を有する。そのため、露光された部分が、光硬化し、現像後に残存する。また、開口部３ａの断面形状においては、カソード層２の表面における径よりも絶縁層３の表面における径の方が小さい。つまり、開口部３ａは、いわゆる逆テーパー形状を有している。開口部３ａが逆テーパー形状に形成される理由は次のようなものである。 Step 3: Formation of an opening in the insulating layer (see FIG. 3)
Next, as shown in FIG. 3, an opening 3a is formed in the insulating layer 3 made of a photosensitive glass paste by using a photolithography method. In the present embodiment, the photosensitive glass paste has negative photosensitivity. Therefore, the exposed portion is photocured and remains after development. Further, in the cross-sectional shape of the opening 3 a, the diameter on the surface of the insulating layer 3 is smaller than the diameter on the surface of the cathode layer 2. That is, the opening 3a has a so-called reverse taper shape. The reason why the opening 3a is formed in a reverse taper shape is as follows.

感光性ガラスペーストが直径０．３〜１μｍ程度のガラス粉末を内包している。そのため、光の散乱が起き易い。そのため、感光性ガラスペースト膜の深い位置ではパターンの輪郭がぼやける。つまり、感光ガラスペーストの深い位置においては、浅い位置に比較して、比較的狭い範囲でしか、光硬化が生じない。その結果、逆テーパー形状を有する開口部３ａが形成される。 The photosensitive glass paste contains glass powder having a diameter of about 0.3 to 1 μm. Therefore, light scattering is likely to occur. Therefore, the outline of the pattern is blurred at a deep position of the photosensitive glass paste film. That is, at a deep position of the photosensitive glass paste, photocuring occurs only in a relatively narrow range as compared with a shallow position. As a result, an opening 3a having a reverse taper shape is formed.

工程４：絶縁層の焼成（図４参照）
次に、図４に示されるように、感光性ガラスペースト内に含有される樹脂成分、主にはエチルセルロースが、大気中３５０℃で、焼成される。その結果、エチルセルロースは焼失する。さらに、５５０℃まで温度が上昇し、一旦、ガラスが軟化する。その後、感光性ガラスペーストは、室温まで冷却される。その結果、均質な絶縁層３が得られる。このとき、絶縁層３の膜厚は、エチルセルロースの焼失に起因して、１２μｍ程度になっている。また、絶縁層３のパターン形状は縮小される。膜厚の減少およびパターン形状の縮小の程度は、感光性ガラスペースト中のエチルセルロースの含有率および焼成温度に依存している。 Step 4: Insulating layer firing (see FIG. 4)
Next, as shown in FIG. 4, the resin component contained in the photosensitive glass paste, mainly ethyl cellulose, is baked at 350 ° C. in the atmosphere. As a result, the ethylcellulose is burned out. Furthermore, the temperature rises to 550 ° C., and the glass softens once. Thereafter, the photosensitive glass paste is cooled to room temperature. As a result, a uniform insulating layer 3 is obtained. At this time, the film thickness of the insulating layer 3 is about 12 μm due to the burning of ethyl cellulose. Further, the pattern shape of the insulating layer 3 is reduced. The degree of film thickness reduction and pattern shape reduction depends on the ethyl cellulose content in the photosensitive glass paste and the firing temperature.

工程５：電子放出材料の形成（図５参照）
次に、電子放出材料としてのカーボンナノチューブを含有したペーストが、スクリーン印刷法によって、ガラス基板１上に塗布される。カーボンナノチューブペーストはカーボンナノチューブの他にエチルセルロースおよびターピネオールなどを含有している。また、ペースト中には、鉛ガラス微粒子、銀微粒子、または、ニッケル微粒子が含有されていてもよい。 Step 5: Formation of electron-emitting material (see FIG. 5)
Next, a paste containing carbon nanotubes as an electron emission material is applied onto the glass substrate 1 by screen printing. The carbon nanotube paste contains ethyl cellulose and terpineol in addition to the carbon nanotubes. The paste may contain lead glass fine particles, silver fine particles, or nickel fine particles.

印刷されたカーボンナノチューブ膜の厚さは、周囲の絶縁層３の膜厚より大きい。印刷されたカーボンナノチューブ膜の膜厚は、印刷ペーストの粘度、固形分比、スクリーン版のメッシュワイヤ径、および乳剤厚などによって様々である。そのため、印刷後のカーボンナノチューブ膜の膜厚が所望の値になるように、印刷ペーストの粘度、固形分比、スクリーン版のメッシュワイヤ径、および乳剤厚等のパラメータが調整される。また、１回の印刷ではカーボンナノチューブ膜の膜厚が所望の膜厚に至らない場合には、印刷されたカーボンナノチューブ膜が乾燥された後、２層目以降のカーボンナノチューブ膜が、１層目のカーボンナノチューブ膜上に重ねて印刷されても、所望の膜厚を有する電子放出材料を形成することができる。 The thickness of the printed carbon nanotube film is larger than the film thickness of the surrounding insulating layer 3. The thickness of the printed carbon nanotube film varies depending on the viscosity of the printing paste, the solid content ratio, the mesh wire diameter of the screen plate, the emulsion thickness, and the like. Therefore, parameters such as the viscosity of the printing paste, the solid content ratio, the mesh wire diameter of the screen plate, and the emulsion thickness are adjusted so that the thickness of the carbon nanotube film after printing becomes a desired value. In addition, when the carbon nanotube film does not reach a desired film thickness by one printing, after the printed carbon nanotube film is dried, the second and subsequent carbon nanotube films are the first layer. Even when printed on the carbon nanotube film, an electron-emitting material having a desired film thickness can be formed.

工程６：電子放出材料膜の研磨工程（図６参照）
次に、図６に示されるように、絶縁層３の開口部３ａ内の領域以外の領域に形成された電子放出材料４が研磨によって除去される。研磨のために回転ベルト形式自動研磨機が使用される。その研磨機においては、約＃１０００番の研磨テープが、ゴムローラーに巻きつけられている。研磨時には、カーボンナノチューブ膜上に水を流しながら研磨テープがゴムローラーとともに回転させられる。この研磨機によって研磨面が平坦化される。その結果、絶縁層３の上面上の電子放出材料４が全て除去され、開口部３ａ内に埋め込まれた電子放出材料４の表面が周囲の絶縁層３表面と同じ高さに位置付けられる。 Process 6: Polishing process of electron emission material film (see FIG. 6)
Next, as shown in FIG. 6, the electron emission material 4 formed in a region other than the region in the opening 3a of the insulating layer 3 is removed by polishing. A rotating belt type automatic polishing machine is used for polishing. In the polishing machine, about # 1000 polishing tape is wound around a rubber roller. At the time of polishing, the polishing tape is rotated together with the rubber roller while flowing water over the carbon nanotube film. The polishing surface is flattened by this polishing machine. As a result, all of the electron emission material 4 on the upper surface of the insulating layer 3 is removed, and the surface of the electron emission material 4 embedded in the opening 3a is positioned at the same height as the surface of the surrounding insulating layer 3.

この工程においては、絶縁層３の開口部３ａ内における電子放出材料４としてのカーボンナノチューブ膜の膜厚が、周囲の絶縁層３の膜厚よりも大きくなっている。そのため、研磨時に開口部３ａ内のカーボンナノチューブ膜の表面も研磨される。その結果、開口部３ａ内のカーボンナノチューブ膜の上面の高さとその周囲の絶縁層３の上面の高さとが一致する。 In this step, the film thickness of the carbon nanotube film as the electron emission material 4 in the opening 3 a of the insulating layer 3 is larger than the film thickness of the surrounding insulating layer 3. Therefore, the surface of the carbon nanotube film in the opening 3a is also polished during polishing. As a result, the height of the upper surface of the carbon nanotube film in the opening 3a matches the height of the upper surface of the surrounding insulating layer 3.

工程７：電子放出材料膜の焼成（図７参照）
次に、電子放出材料４としてのカーボンナノチューブ膜内に含有される樹脂成分、主にはエチルセルロースが、焼成される。エチルセルロースは、大気中で３５０の温度で焼失する。したがって、電子放出材料４の温度が、５５０℃まで上げられた後、室温まで下げられる。その間に、カーボンナノチューブ膜中の樹脂が焼失する。そのため、カーボンナノチューブ膜の体積は減少する。その結果、図７に示されるように、カーボンナノチューブ膜の膜厚が減少し、周囲の絶縁層３の表面よりも低い位置にカーボンナノチューブ膜の表面が位置付けられる。 Step 7: Firing of the electron emission material film (see FIG. 7)
Next, the resin component contained in the carbon nanotube film as the electron emission material 4, mainly ethyl cellulose, is baked. Ethyl cellulose burns out at a temperature of 350 in the atmosphere. Therefore, the temperature of the electron emission material 4 is raised to 550 ° C. and then lowered to room temperature. During that time, the resin in the carbon nanotube film burns away. Therefore, the volume of the carbon nanotube film is reduced. As a result, as shown in FIG. 7, the film thickness of the carbon nanotube film decreases, and the surface of the carbon nanotube film is positioned at a position lower than the surface of the surrounding insulating layer 3.

一方、カーボンナノチューブ膜は、面内方向にも収縮する。そのため、カーボンナノチューブ膜と絶縁層３とは面内方向において分離される。つまり、電子放出材料４と絶縁層３とは、面内方向において分離される。さらに、絶縁層３は、５５０℃の温度の雰囲気中で軟化する。そのとき、絶縁層３の表面張力によって、逆テーパー形状を有する開口部３ａは、カソード層２の主表面に対して垂直方向に延びる壁面を有する開口部３ｂへ変化する。その結果、カーボンナノチューブ膜と絶縁層３との分離が促進される。 On the other hand, the carbon nanotube film contracts in the in-plane direction. Therefore, the carbon nanotube film and the insulating layer 3 are separated in the in-plane direction. That is, the electron emission material 4 and the insulating layer 3 are separated in the in-plane direction. Furthermore, the insulating layer 3 is softened in an atmosphere having a temperature of 550 ° C. At that time, due to the surface tension of the insulating layer 3, the opening 3 a having a reverse taper shape changes to an opening 3 b having a wall surface extending in a direction perpendicular to the main surface of the cathode layer 2. As a result, separation between the carbon nanotube film and the insulating layer 3 is promoted.

工程８：樹脂の充填および研磨（図８参照）
次に、溶剤に樹脂が溶解したペーストが、スクリーン印刷等を用いて、絶縁層３の開口部３ｂに充填され、樹脂５が形成される。このとき、開口部３ｂの領域以外の領域にペーストが塗布され、前述の工程６における電子放出材料４の研磨方法と同じ方法で、樹脂が研磨され、開口部３ｂ内に樹脂５が残存させられる。 Step 8: Filling and polishing resin (see FIG. 8)
Next, the paste in which the resin is dissolved in the solvent is filled in the opening 3b of the insulating layer 3 by using screen printing or the like, and the resin 5 is formed. At this time, the paste is applied to a region other than the region of the opening 3b, the resin is polished by the same method as the method for polishing the electron emission material 4 in the above-described step 6, and the resin 5 is left in the opening 3b. .

電子放出材料４の焼成工程における収縮によって電子放出材料４の上面は周囲の絶縁層３の上面よりも低く位置付けられている。そのため、樹脂５の研磨が実行されても、電子放出材料４上には樹脂５が残存している。言い換えれば、樹脂５が研磨された後においても電子放出材料４は樹脂５によって被覆されている。 The upper surface of the electron emission material 4 is positioned lower than the upper surface of the surrounding insulating layer 3 due to the shrinkage in the firing process of the electron emission material 4. Therefore, even if the polishing of the resin 5 is performed, the resin 5 remains on the electron emission material 4. In other words, the electron emission material 4 is covered with the resin 5 even after the resin 5 is polished.

この工程において使用される樹脂５は、３５０℃程度の温度の大気中で焼失するものであることが必要である。また、本実施の形態で使用された樹脂５は、エチルセルロースがターピネオールに溶解したペースト状態のものである。 The resin 5 used in this step needs to burn out in the atmosphere at a temperature of about 350 ° C. The resin 5 used in the present embodiment is in a paste state in which ethyl cellulose is dissolved in terpineol.

工程９：ゲート電極層の形成（図９参照）
図９に示されるように、絶縁層３および樹脂５を連続して覆うように、絶縁層３および樹脂５上に導電性材料が形成される。導電性材料は、後述されるパターニング工程を経て導電性膜としてのゲート電極層６になる。本実施の形態では、ゲート電極層６は、ＡＬ膜からなり、スパッタリング法によって形成され、０．３μｍという膜厚を有している。 Step 9: Formation of gate electrode layer (see FIG. 9)
As shown in FIG. 9, a conductive material is formed on insulating layer 3 and resin 5 so as to continuously cover insulating layer 3 and resin 5. The conductive material becomes the gate electrode layer 6 as a conductive film through a patterning process described later. In the present embodiment, the gate electrode layer 6 is made of an AL film, is formed by a sputtering method, and has a thickness of 0.3 μm.

工程１０：ゲート電極層のパターニング（図１０参照）
導電性材料が、ゲート電極層６として機能するように、通常のリソグラフィの工程を用いて、ストライプ状にパターニングされる。ただし、この工程では、ゲート電極層のみがパターニングされ、ゲート電極層６に接続された電子取出部は形成されない。 Step 10: Patterning of the gate electrode layer (see FIG. 10)
The conductive material is patterned in a stripe shape using a normal lithography process so as to function as the gate electrode layer 6. However, in this step, only the gate electrode layer is patterned, and the electron extraction portion connected to the gate electrode layer 6 is not formed.

工程１１：樹脂の焼成工程（図１１参照）
図１１に示されるように、樹脂５が３５０度の大気中で１時間焼成される。それにより、樹脂５が焼失する。このとき、樹脂５はゲート電極層６となるＡＬ膜で被覆されているが、ＡＬ膜に微小なピンホールを開けながら蒸発することが確認されている。図１１においては、便宜上、ゲート電極層６と電子放出材料４との間には空隙が設けられている描画が行なわれているが、実際の完全に樹脂５が焼失した状態では、ピンホールを多数含んだＡＬ膜７が電子放出材料４の上面に密着している。 Step 11: Resin baking step (see FIG. 11)
As shown in FIG. 11, the resin 5 is baked for 1 hour in an atmosphere of 350 degrees. Thereby, the resin 5 is burned out. At this time, although the resin 5 is covered with the AL film to be the gate electrode layer 6, it has been confirmed that the resin 5 evaporates while opening a minute pinhole in the AL film. In FIG. 11, for the sake of convenience, drawing in which a gap is provided between the gate electrode layer 6 and the electron emission material 4 is performed. However, in the state where the resin 5 is actually completely burned out, pinholes are formed. A large number of AL films 7 are in close contact with the upper surface of the electron emission material 4.

工程１２：不要部分の導電性膜としてのＡＬ膜の除去工程（図１２参照）
図１２に示されるように、本実施の形態においては、ピンホールを多数含んだＡＬ膜７の除去に粘着テープが使用される。ピンホールを多数含んだＡＬ膜７に粘着テープを貼り付け、その粘着テープを引き剥がす。それにより、脆くなったＡＬ膜７のみが粘着テープに付着して除去される。その結果、絶縁層３の上面上に、絶縁層３の開口部３ｂのパターン形状と同一のパターン形状の開口部を有するゲート電極層６が残存する。 Step 12: Step of removing the AL film as the conductive film of unnecessary portions (see FIG. 12)
As shown in FIG. 12, in the present embodiment, an adhesive tape is used to remove the AL film 7 containing many pinholes. Adhesive tape is applied to the AL film 7 containing many pinholes, and the adhesive tape is peeled off. Thereby, only the brittle AL film 7 is attached to the adhesive tape and removed. As a result, the gate electrode layer 6 having an opening having the same pattern shape as the pattern shape of the opening 3 b of the insulating layer 3 remains on the upper surface of the insulating layer 3.

工程１３：電子放出材料の表面処理（図１３参照）
図１３に示されるように、本実施の形態においては、電子放出材料４としてスクリーン印刷されたカーボンナノチューブ膜が使用されている。そのため、良好な電界電子放出を得るために、レーザ照射による表面活性化処理が実行される。ＹＡＧ（Yttrium Aluminum Garnet）レーザの３倍高調波が、１００ｍＪ／ｃｍ²のエネルギー密度で、電子放出材料４に照射される。その結果、カーボンナノチューブ膜の表面に、電子放出特性が良好な起毛したカーボンナノチューブが得られる。 Step 13: Surface treatment of electron emission material (see FIG. 13)
As shown in FIG. 13, in this embodiment, a screen-printed carbon nanotube film is used as the electron-emitting material 4. Therefore, in order to obtain good field electron emission, surface activation treatment by laser irradiation is performed. The electron emission material 4 is irradiated with a third harmonic of a YAG (Yttrium Aluminum Garnet) laser at an energy density of 100 mJ / cm ² . As a result, brushed carbon nanotubes having good electron emission characteristics are obtained on the surface of the carbon nanotube film.

（実施の形態２）
本実施の形態の電子放出源の製造方法は、実施形態１の電子放出源の製造方法とほぼ同様である。そのため、以下においては、本実施の形態の電子放出源の製造方法と実施の形態１の電子放出源の製造方法とが異なる点のみが説明される。 (Embodiment 2)
The manufacturing method of the electron emission source of the present embodiment is almost the same as the manufacturing method of the electron emission source of the first embodiment. Therefore, in the following, only the difference between the electron emission source manufacturing method of the present embodiment and the electron emission source manufacturing method of the first embodiment will be described.

実施の形態１の電子放出源の製造方法においては、絶縁層３を形成するための感光性ガラスペーストが、３０μｍの乾燥膜厚が得られるように、スクリーン印刷される。一方、本実施の形態においては、図２に示される絶縁層３が上下２層に分けて印刷される。 In the manufacturing method of the electron emission source of Embodiment 1, the photosensitive glass paste for forming the insulating layer 3 is screen-printed so as to obtain a dry film thickness of 30 μm. On the other hand, in this embodiment, the insulating layer 3 shown in FIG. 2 is printed in two upper and lower layers.

ネガ型である感光性ガラスペーストが、露光および現像によって、パターンニングされるときに、ペーストの表面からガラス基板の上面までの間において露光光が散乱する。そのため、ガラス基板の上面の近傍の開口部の幅が、ペーストの上面の開口部の幅よりも大きくなる。そのため、開口部が、いわゆる逆テーパー型になる。 When a negative photosensitive glass paste is patterned by exposure and development, exposure light is scattered from the surface of the paste to the upper surface of the glass substrate. Therefore, the width of the opening near the upper surface of the glass substrate is larger than the width of the opening on the upper surface of the paste. Therefore, the opening is a so-called reverse taper type.

本実施の形態の電子放出源の製造方法によれば、それぞれの膜厚が１５μｍになる２層の乾燥膜が重ねて印刷されるため、逆テーパーの勾配が、実施の形態１の電子放出源の製造方法における逆テーパーの勾配より大きくなる。 According to the manufacturing method of the electron emission source of the present embodiment, since two dry films each having a film thickness of 15 μm are printed in an overlapping manner, the gradient of the reverse taper is the electron emission source of the first embodiment. It becomes larger than the gradient of the reverse taper in the manufacturing method.

膜厚１５μｍである一層目のペーストが、スクリーン印刷される。その後、１層目のペーストが熱風炉内において１５０℃の温度で３０分間乾燥される。それにより、１層目のペースト内の溶剤が蒸発する。その結果、ペーストが固化し、１層目の乾燥膜が形成される。 A first layer paste having a film thickness of 15 μm is screen-printed. Thereafter, the first layer paste is dried in a hot air oven at a temperature of 150 ° C. for 30 minutes. Thereby, the solvent in the paste of the first layer evaporates. As a result, the paste is solidified and a first dry film is formed.

その後、膜厚が１５μｍである２層目のペーストがスクリーン印刷される。その後、２層目のペーストが、熱風炉内において１５０℃の温度で３０分間、乾燥される。それにより、２層目のペースト内の溶剤が蒸発する。その結果、ペーストが固化し、２層目の乾燥膜が形成される。その結果、膜厚が３０μｍである２層からなる乾燥膜が形成される。 Thereafter, a second layer paste having a film thickness of 15 μm is screen-printed. Thereafter, the second layer paste is dried in a hot air oven at a temperature of 150 ° C. for 30 minutes. Thereby, the solvent in the paste of the second layer evaporates. As a result, the paste is solidified and a second dry film is formed. As a result, a two-layer dry film having a film thickness of 30 μm is formed.

２層からなる乾燥膜は、両主表面から１５μｍの位置に界面を有する。そのため、ガラス基板１に近い位置においては、界面に比較して、露光時に露光光が減衰する。その結果、ガラス基板１に近いほど開口部の幅が大きくなる。本実施の形態の２層からなる乾燥膜からなる絶縁層の開口部がガラス基板１へ向かって広がる度合いは、実施の形態１の開口部３ａがガラス基板１へ向かって広がる度合いよりも大きい。 The two-layer dry film has an interface at a position of 15 μm from both main surfaces. Therefore, exposure light attenuates at the time of exposure at a position close to the glass substrate 1 as compared with the interface. As a result, the closer to the glass substrate 1, the greater the width of the opening. The degree to which the opening of the insulating layer formed of the two-layer dry film according to the present embodiment expands toward the glass substrate 1 is greater than the degree at which the opening 3 a according to the first embodiment extends toward the glass substrate 1.

（実施の形態３）
実施の形態１においては、ゲート電極層としてスパッタによって形成された金属薄膜が用いられているが、金属薄膜の代わりに金属電極層が用いられてもよい。これによれば、電子放出材料の上に樹脂などを形成する必要がない。そのため、電子放出材料の表面の汚染を防止することができる。その結果、良好な電子放出特性を得ることが可能になる。 (Embodiment 3)
In Embodiment 1, a metal thin film formed by sputtering is used as the gate electrode layer, but a metal electrode layer may be used instead of the metal thin film. According to this, it is not necessary to form a resin or the like on the electron emission material. Therefore, contamination of the surface of the electron emission material can be prevented. As a result, it is possible to obtain good electron emission characteristics.

また、電子放出材料の表面が、電子放出材料の焼結によって絶縁層の表面よりも低く位置付けられる。そのため、金属電極層が絶縁層の表面に接するように設置されれば、金属電極層と電子放出材料との間に隙間が形成される。また、電子放出材料と絶縁層との間に距離が十分に大きければ、電子放出材料と金属電極との間の耐電圧は充分なものになる。 Further, the surface of the electron emission material is positioned lower than the surface of the insulating layer by sintering the electron emission material. Therefore, if the metal electrode layer is installed so as to be in contact with the surface of the insulating layer, a gap is formed between the metal electrode layer and the electron emission material. If the distance between the electron emitting material and the insulating layer is sufficiently large, the withstand voltage between the electron emitting material and the metal electrode is sufficient.

以下では、本実施の形態の電子放出源の製造方法が、実施の形態１の電子放出源の製造方法との比較しながら詳細に説明される。 Below, the manufacturing method of the electron emission source of this Embodiment is demonstrated in detail, comparing with the manufacturing method of the electron emission source of Embodiment 1. FIG.

本実施の形態の電子放出源の製造方法においては、まず、実施の形態１の工程１から工程７までの工程が実行される。工程１〜工程７の説明は、ここでは、繰り返さない。 In the method for manufacturing an electron emission source according to the present embodiment, first, steps 1 to 7 in the first embodiment are performed. The description of step 1 to step 7 is not repeated here.

工程８：導電性メッシュ電極としての金属電極層の設置（図１４参照）
次に、絶縁層３上にゲート電極層となる導電層の一例の金属電極層９が形成される。本実施の形態において使用される金属電極層９およびそれに対応する電子放出材料４が、図１４に示されている。金属電極層９には複数の電子放出用開口部９ａが形成されている。電子放出用開口部９ａのそれぞれは、平面的に見て、電子放出材料４のサイズよりも小さなサイズを有している。つまり、金属電極層９は、複数の貫通孔を有する導電性メッシュ電極層である。そのため、ゲート電極層による電子ビームの収束および偏向作用が画素ごとに発生することはない。その結果、金属電極層９の設置のために、高い精度で位置合わせを行なう必要がない。 Step 8: Installation of a metal electrode layer as a conductive mesh electrode (see FIG. 14)
Next, a metal electrode layer 9 as an example of a conductive layer to be a gate electrode layer is formed on the insulating layer 3. A metal electrode layer 9 and an electron emission material 4 corresponding to the metal electrode layer 9 used in the present embodiment are shown in FIG. A plurality of electron emission openings 9 a are formed in the metal electrode layer 9. Each of the electron emission openings 9a has a size smaller than the size of the electron emission material 4 in a plan view. That is, the metal electrode layer 9 is a conductive mesh electrode layer having a plurality of through holes. Therefore, the convergence and deflection of the electron beam by the gate electrode layer does not occur for each pixel. As a result, it is not necessary to perform alignment with high accuracy for the installation of the metal electrode layer 9.

図１５においては、比較的短い金属電極層９が２本示されている。しかしながら、実際のデバイスにおいては、表示領域の横幅に相当する長さの短冊状電極が、ゲートラインの本数分並んで配置されることが必要である。そのため、金属電極層９の長手方向に沿ってゲートラインにテンションをかけながら、金属電極層９の位置合わせが行なわれる。また、短冊状の金属電極層９が並んで繋がった状態で設置された後、短冊状の金属電極層９同士が接続されている部分が、レーザカット等によって切断されてもよい。 In FIG. 15, two relatively short metal electrode layers 9 are shown. However, in an actual device, it is necessary that strip electrodes having a length corresponding to the horizontal width of the display area are arranged side by side by the number of gate lines. Therefore, alignment of the metal electrode layer 9 is performed while applying tension to the gate line along the longitudinal direction of the metal electrode layer 9. Further, after the strip-shaped metal electrode layers 9 are installed in a state where they are connected side by side, a portion where the strip-shaped metal electrode layers 9 are connected may be cut by laser cutting or the like.

この後、良好な電界電子放出特性を得るために、図１６に示されるように、電子放出用開口部１１を介して、レーザ光が電子放出材料４に照射されてもよい。これにより、表面活性化処理が電子放出材料１２に施される。この表面活性化処理は実施の形態１において説明された処理と同様の処理であるため、ここではその詳細な説明は繰り返されない。 Thereafter, in order to obtain good field electron emission characteristics, as shown in FIG. 16, the electron emission material 4 may be irradiated with laser light through the electron emission opening 11. Thereby, the surface activation treatment is performed on the electron emission material 12. Since this surface activation process is the same as the process described in the first embodiment, detailed description thereof will not be repeated here.

（実施の形態４）
実施の形態１の電子放出源の製造方法におけるゲート電極層のパターニング方法においては、金属薄膜がスパッタによって形成され、かつ、犠牲層である樹脂の熱分解によってゲート電極層としては不要な部分の金属薄膜が除去される。 (Embodiment 4)
In the patterning method of the gate electrode layer in the manufacturing method of the electron emission source according to the first embodiment, the metal thin film is formed by sputtering, and the metal which is unnecessary as the gate electrode layer is obtained by thermal decomposition of the resin which is the sacrificial layer. The thin film is removed.

一方、本実施の形態の電子放出源の製造方法においては、絶縁層上にのみゲート電極層のための材料が形成される方法が採用される。電子放出材料が焼結された後においては、絶縁層の表面が最も高く位置付けられている。そのため、導電体含有ペーストが転写ローラー上に塗布され、転写ローラーが転がされれば、絶縁層の上面にのみ導電体ペーストが転写される。 On the other hand, in the manufacturing method of the electron emission source of the present embodiment, a method in which a material for the gate electrode layer is formed only on the insulating layer is employed. After the electron emitting material is sintered, the surface of the insulating layer is positioned highest. Therefore, when the conductor-containing paste is applied on the transfer roller and the transfer roller is rolled, the conductor paste is transferred only to the upper surface of the insulating layer.

以下、本実施の形態の電子放出源の製造方法が具体的に説明される。
本実施の形態の電子放出源の製造方法においては、ゲート電極層の形成工程において、電子放出材料上に樹脂などの材料が形成される必要がない。そのため、電子放出材料の特性を劣化させることがない。さらに、ゲート電極層は、絶縁層の平面形状に一致するような平面形状に、自己整合的に形成される。そのため、絶縁層とゲート電極層との位置合わせ（アライメント）誤差が発生しない。 Hereinafter, the manufacturing method of the electron emission source of the present embodiment will be specifically described.
In the manufacturing method of the electron emission source of the present embodiment, it is not necessary to form a material such as resin on the electron emission material in the step of forming the gate electrode layer. Therefore, the characteristics of the electron emission material are not deteriorated. Further, the gate electrode layer is formed in a self-aligned manner in a planar shape that matches the planar shape of the insulating layer. Therefore, an alignment error between the insulating layer and the gate electrode layer does not occur.

以下、図１７〜図３６を参照しながら、本実施の形態の電子放出源の製造方法が説明される。 Hereinafter, the manufacturing method of the electron emission source of the present embodiment will be described with reference to FIGS.

工程１：カソード層２の形成（図１７および１８参照）
まず、ガラス基板１の上面上に透明導電膜が形成される。透明導電膜としては、たとえばＩＴＯ膜が用いられる。ＩＴＯ膜は、カソード層２となる膜である。ＩＴＯ膜は、スパッタによって形成される。ＴＩＯ膜の膜厚は、たとえば０．３μｍである。その後、フォトリソグラフィ等の方法を用いて、ＩＴＯ膜がパターニングされ、カソード層２がライン状に形成される。 Step 1: Formation of cathode layer 2 (see FIGS. 17 and 18)
First, a transparent conductive film is formed on the upper surface of the glass substrate 1. For example, an ITO film is used as the transparent conductive film. The ITO film is a film that becomes the cathode layer 2. The ITO film is formed by sputtering. The film thickness of the TIO film is, for example, 0.3 μm. Thereafter, the ITO film is patterned using a method such as photolithography to form the cathode layer 2 in a line shape.

また、ここで挙げたフォトリソグラフィとは、半導体製造技術において、光または電子線等を利用して基板上にパターンを転写する写真製版のことを意味する。このフォトリソグラフィは、レジストの塗布、露光、エッチング、および、レジストの除去等様々な工程を含んでいるが、一般的な工程であるため、ここでは一つの工程として説明される。 In addition, the photolithography mentioned here means a photoengraving process in which a pattern is transferred onto a substrate using light or an electron beam in the semiconductor manufacturing technology. Although this photolithography includes various processes such as resist application, exposure, etching, and resist removal, it is a general process and will be described here as one process.

工程２：第１絶縁層２１の形成（図１９および図２０参照）
ガラス基板１のほぼ全面上に、カソード層２を覆うように、たとえば感光性ガラスペーストがスクリーン印刷によって形成される。その後、１５０℃で３０分間、乾燥工程が実行される。それにより、膜厚が５μｍである乾燥膜が得られる。乾燥膜の膜厚は、ペーストの粘度、固形分比、スクリーン版のメッシュワイヤ径、および乳剤厚等によって決定される。そのため、乾燥膜の膜厚が所望の値になるように、ペーストの粘度、固形分比、スクリーン版のメッシュワイヤ径、および乳剤厚などが調整される。また、本実施の形態においては、膜厚が５μｍである乾燥膜が形成されるが、カソード層２とゲート電極層との間の絶縁性を確保することができる乾燥膜であれば、膜厚はその値に限定されず、いかなる値であってもよい。この乾燥膜が第１絶縁層２１となる。 Step 2: Formation of the first insulating layer 21 (see FIGS. 19 and 20)
For example, a photosensitive glass paste is formed on almost the entire surface of the glass substrate 1 by screen printing so as to cover the cathode layer 2. Then, a drying process is performed at 150 degreeC for 30 minutes. Thereby, a dry film having a film thickness of 5 μm is obtained. The film thickness of the dry film is determined by the viscosity of the paste, the solid content ratio, the mesh wire diameter of the screen plate, the emulsion thickness, and the like. Therefore, the viscosity of the paste, the solid content ratio, the mesh wire diameter of the screen plate, the emulsion thickness, and the like are adjusted so that the thickness of the dry film becomes a desired value. In the present embodiment, a dry film having a film thickness of 5 μm is formed. If the dry film can ensure insulation between the cathode layer 2 and the gate electrode layer, the film thickness Is not limited to that value and may be any value. This dry film becomes the first insulating layer 21.

その後、第１絶縁層２１に、リソグラフィの方法を用いて、ストライプ状の開口部２１ａが形成される。ストライプ状の開口部２１ａはストライプ状のカソード層２と直交するように配置される。その後、第１絶縁層２１を構成するガラス材料の軟化点より高い温度である５５０℃まで第１絶縁層２１の温度が上昇させられる。それにより、第１絶縁層２１を構成するガラス材料が軟化する。その後、第１絶縁層２１が室温まで冷却され、均質な第１絶縁層２１が形成される。 Thereafter, a stripe-shaped opening 21a is formed in the first insulating layer 21 using a lithography method. The stripe-shaped openings 21 a are arranged so as to be orthogonal to the stripe-shaped cathode layer 2. Then, the temperature of the 1st insulating layer 21 is raised to 550 degreeC which is a temperature higher than the softening point of the glass material which comprises the 1st insulating layer 21. FIG. Thereby, the glass material which comprises the 1st insulating layer 21 softens. Then, the 1st insulating layer 21 is cooled to room temperature, and the homogeneous 1st insulating layer 21 is formed.

工程３：第２絶縁層３の形成（図２１および図２２参照）
ガラス基板１のほぼ全面上に、カソード層２および第１絶縁層２１を覆うように、たとえば感光性ガラスペーストがスクリーン印刷によって形成される。その後、１５０℃の温度で３０分間、乾燥工程が実行され、膜厚が３０μｍである乾燥膜が得られる。この乾燥膜の膜厚も、ペーストの粘度、固形分比、スクリーン版のメッシュワイヤ径、および乳剤厚等を考慮して決定される。そのため、ペーストの粘度、固形分比、スクリーン版のメッシュワイヤ径、および乳剤厚等が、所望の膜厚の乾燥膜が得られるように調整される。また、本実施の形態においては、膜厚が３０μｍである乾燥膜が説明されているが、後述される焼成工程を経て絶縁層と電子放出材料との分離が生じさえすれば、乾燥膜の膜厚は、３０μｍに限ったものではない。 Step 3: Formation of the second insulating layer 3 (see FIGS. 21 and 22)
For example, a photosensitive glass paste is formed on the substantially entire surface of the glass substrate 1 by screen printing so as to cover the cathode layer 2 and the first insulating layer 21. Then, a drying process is performed for 30 minutes at the temperature of 150 degreeC, and the dry film | membrane whose film thickness is 30 micrometers is obtained. The thickness of the dry film is also determined in consideration of the viscosity of the paste, the solid content ratio, the mesh wire diameter of the screen plate, the emulsion thickness, and the like. Therefore, the viscosity of the paste, the solid content ratio, the mesh wire diameter of the screen plate, the emulsion thickness, and the like are adjusted so as to obtain a dry film having a desired film thickness. In the present embodiment, a dry film having a film thickness of 30 μm is described. However, as long as the insulating layer and the electron-emitting material are separated from each other through a baking process described later, the film of the dry film is used. The thickness is not limited to 30 μm.

次に、感光性ガラスペーストからなる絶縁層３に、フォトリソグラフィの方法を用いて、開口部３ａおよび３ｂが形成される。本実施の形態においては、感光性ガラスペーストはネガ型であり、露光された部分は、光硬化し、現像後に膜が残存する部分である。開口部３ａおよび３ｂのそれぞれの断面形状においては、図２１および図２２に示されるように、カソード層２の上面における径または幅よりも絶縁層３の上面における径または幅が小さい。すなわち、開口部３ａおよび３ｂは、いわゆる逆テーパー形状を有している。 Next, openings 3a and 3b are formed in the insulating layer 3 made of a photosensitive glass paste by using a photolithography method. In the present embodiment, the photosensitive glass paste is a negative type, and the exposed portion is a portion where the film is photocured and the film remains after development. In the respective cross-sectional shapes of the openings 3a and 3b, as shown in FIGS. 21 and 22, the diameter or width on the upper surface of the insulating layer 3 is smaller than the diameter or width on the upper surface of the cathode layer 2. That is, the openings 3a and 3b have a so-called reverse taper shape.

開口部３ａは、ストライプ状の開口部同士の間に位置する楕円形の貫通孔であり、開口部３ｂは、ストライプ状のスリットである。ストライプ状の開口部３ｂは、平面的に見て、ストライプ状のカソード層２と直交し、かつ、第１絶縁層２１のストライプ状の開口部２１ａと重ならない。また、開口部３ａは、画素に対応するものであり、平面的に見て、第１絶縁層２１のストライプ状の開口部２１ａに内包される。 The opening 3a is an elliptical through hole located between the stripe-shaped openings, and the opening 3b is a stripe-shaped slit. The stripe-shaped opening 3 b is orthogonal to the stripe-shaped cathode layer 2 in a plan view and does not overlap with the stripe-shaped opening 21 a of the first insulating layer 21. The opening 3 a corresponds to a pixel and is included in the stripe-shaped opening 21 a of the first insulating layer 21 in plan view.

工程４：第２絶縁層３の焼成（図２３および図２４参照）
次に、感光性ガラスペースト内に含有される樹脂成分、主にエチルセルロースが、大気雰囲気中で３５０℃の温度で焼成される。それにより、エチルセルロースは焼失する。その後、ガラスペースト中のガラスの軟化点より高い温度である５５０℃まで感光性ガラスペーストが熱せられる。それにより、ガラスペースト中のガラスが軟化する。その後、ガラスペーストは、室温まで冷却される。その結果、均質な絶縁層３が得られる。このとき、絶縁層３に関しては、エチルセルロースの焼失に起因した体積収縮によって、膜厚が１２μｍ程度まで減少し、パターン形状が縮小される。この膜厚の減少およびパターン形状の縮小の程度は、感光性ガラスペースト中のエチルセルロースの含有率および焼成温度に依存する。 Step 4: Firing of the second insulating layer 3 (see FIGS. 23 and 24)
Next, the resin component contained in the photosensitive glass paste, mainly ethyl cellulose, is baked at a temperature of 350 ° C. in an air atmosphere. Thereby, the ethyl cellulose is burned off. Thereafter, the photosensitive glass paste is heated to 550 ° C., which is higher than the softening point of the glass in the glass paste. Thereby, the glass in the glass paste is softened. Thereafter, the glass paste is cooled to room temperature. As a result, a uniform insulating layer 3 is obtained. At this time, with respect to the insulating layer 3, the film thickness is reduced to about 12 μm due to volume shrinkage caused by the burning of ethyl cellulose, and the pattern shape is reduced. The degree of reduction of the film thickness and reduction of the pattern shape depends on the ethyl cellulose content in the photosensitive glass paste and the firing temperature.

工程５：電子放出材料の形成（図２５および図２６参照）
本実施の形態においては、電子放出材料として、カーボンナノチューブを含有したペーストが、スクリーン印刷によって、開口部２１ａ，３ａ，３ｂ内に埋め込まれるとともに、第２絶縁層３上に形成される。カーボンナノチューブペーストは、カーボンナノチューブの他にエチルセルロースおよびターピネオールなどを含有している。また、ペーストは、鉛ガラス微粒子、銀微粒子、またはニッケル微粒子を含有してもよい。 Step 5: Formation of electron-emitting material (see FIGS. 25 and 26)
In the present embodiment, a paste containing carbon nanotubes as an electron emission material is embedded in the openings 21a, 3a, 3b and formed on the second insulating layer 3 by screen printing. The carbon nanotube paste contains ethyl cellulose and terpineol in addition to the carbon nanotubes. The paste may contain lead glass fine particles, silver fine particles, or nickel fine particles.

カーボンナノチューブ膜が印刷された後の膜厚は、刷ペーストの粘度、固形分比、スクリーン版のメッシュワイヤ径、および乳剤厚等によって決定される。そのため、ペーストの粘度、固形分比、スクリーン版のメッシュワイヤ径、および乳剤厚などが、印刷膜が所望の膜厚になるように、調整される。また、１回の印刷のみでは、印刷されたカーボンナノチューブ膜の膜厚が所望の大きさより小さい場合には、印刷されたカーボンナノチューブ膜が乾燥された後に、２層目以降のカーボナノチューブ膜が重ねて印刷され、全体として所望の膜厚を有する印刷膜が形成されてもよい。 The film thickness after the carbon nanotube film is printed is determined by the viscosity of the printing paste, the solid content ratio, the mesh wire diameter of the screen plate, the emulsion thickness, and the like. Therefore, the viscosity of the paste, the solid content ratio, the mesh wire diameter of the screen plate, the emulsion thickness, and the like are adjusted so that the printed film has a desired film thickness. In addition, if the thickness of the printed carbon nanotube film is smaller than a desired size by only one printing, the carbon nanotube films of the second and subsequent layers are overlapped after the printed carbon nanotube film is dried. A printed film having a desired film thickness as a whole may be formed.

工程６：電子放出材料の研磨工程（図２７および図２８参照）
本工程においては、絶縁層３の開口部３ａおよび３ｂが設けられている領域以外の領域に形成された電子放出材料４が研磨によって除去される。すなわち、第２絶縁層３上の電子放出材料４が研磨によって除去される。研磨のために回転ベルト形式自動研磨機が使用される。その研磨機においては、＃１０００番の研磨テープがゴムローラーに巻き付けられている。研磨時には、研磨テープが電子放出材料４に圧着され、電子放出材料４上に水を流しながら、研磨テープが、ゴムローラーとともに回転させられる。この研磨機を使用することによって、研磨面が平坦に仕上げられる。そのため、絶縁層３上の電子放出材料は、全て除去され、開口部３ａおよび３ｂ内に埋め込まれた電子放出材料４の表面は、周囲の絶縁層３の表面と同じ高さに位置付けられる。 Step 6: Electron emitting material polishing step (see FIGS. 27 and 28)
In this step, the electron emission material 4 formed in a region other than the region where the openings 3a and 3b of the insulating layer 3 are provided is removed by polishing. That is, the electron emission material 4 on the second insulating layer 3 is removed by polishing. A rotating belt type automatic polishing machine is used for polishing. In the polishing machine, # 1000 polishing tape is wound around a rubber roller. At the time of polishing, the polishing tape is pressed against the electron emission material 4, and the polishing tape is rotated together with the rubber roller while flowing water over the electron emission material 4. By using this polishing machine, the polished surface is finished flat. Therefore, all the electron emitting material on the insulating layer 3 is removed, and the surface of the electron emitting material 4 embedded in the openings 3a and 3b is positioned at the same height as the surface of the surrounding insulating layer 3.

この工程においては、工程５の説明で述べられたように、電子放出材料４、すなわちカーボンナノチューブ膜の膜厚は、周囲の絶縁層３の膜厚よりも大きい。そのため、研磨時に開口部３ａ内のカーボンナノチューブ膜の表面も研磨される。その結果、開口部３ａのカーボンナノチューブ膜の表面と周囲の絶縁層の表面とが同一平面内に位置付けられる。 In this step, as described in the description of step 5, the thickness of the electron emission material 4, that is, the carbon nanotube film is larger than the thickness of the surrounding insulating layer 3. Therefore, the surface of the carbon nanotube film in the opening 3a is also polished during polishing. As a result, the surface of the carbon nanotube film in the opening 3a and the surface of the surrounding insulating layer are positioned in the same plane.

工程７：電子放出材料膜の焼成（図２９および図３０参照）
電子放出材料４の一例としてのカーボンナノチューブ膜内に含有される樹脂成分、主にはエチルセルロースが、大気雰囲気中で、３５０℃の温度で焼成される。それにより、エチルセルロースは焼失する。また、樹脂成分は、５５０℃の温度で熱処理され、その後、室温まで冷却される。これにより、カーボンナノチューブ膜中の樹脂が焼失する。そのため、カーボンナノチューブ膜の体積は小さくなる。そのため、図２９および図３０に示されるように、カーボンナノチューブ膜の膜厚が減少する。その結果、周囲の絶縁層３の上面よりも低い位置にカーボンナノチューブ膜の上面が位置付けられる。一方、カーボンナノチューブ膜は、面内方向にも収縮する。そのため、カーボンナノチューブ膜と第１絶縁層２１および第２絶縁層３とは面内方向において分離される。さらに、絶縁層は５５０℃の雰囲気中で軟化する。それにより、絶縁層３に表面張力が生じる。前述の処理によって、カソード電極層２上に位置する電子放出材料４を内包する開口部３００が形成される。開口部３００は、平面形状が楕円形の貫通孔である。また、絶縁層２１上に位置する電子放出材料４を挟む開口部３０００が形成される。開口部３０００はスリット形状を有している。 Step 7: Firing of the electron emission material film (see FIGS. 29 and 30)
A resin component, mainly ethyl cellulose, contained in a carbon nanotube film as an example of the electron emission material 4 is baked at a temperature of 350 ° C. in an air atmosphere. Thereby, the ethyl cellulose is burned off. The resin component is heat-treated at a temperature of 550 ° C. and then cooled to room temperature. Thereby, the resin in the carbon nanotube film is burned out. Therefore, the volume of the carbon nanotube film is reduced. Therefore, as shown in FIGS. 29 and 30, the film thickness of the carbon nanotube film decreases. As a result, the upper surface of the carbon nanotube film is positioned at a position lower than the upper surface of the surrounding insulating layer 3. On the other hand, the carbon nanotube film contracts in the in-plane direction. Therefore, the carbon nanotube film is separated from the first insulating layer 21 and the second insulating layer 3 in the in-plane direction. Furthermore, the insulating layer is softened in an atmosphere at 550 ° C. Thereby, surface tension is generated in the insulating layer 3. By the above-described processing, an opening 300 that encloses the electron emission material 4 located on the cathode electrode layer 2 is formed. The opening 300 is a through hole having an elliptical planar shape. In addition, an opening 3000 sandwiching the electron emission material 4 located on the insulating layer 21 is formed. The opening 3000 has a slit shape.

その結果、逆テーパー形状からガラス基板１の主表面に対して垂直な方向に延びる貫通孔３００が形成される。その結果、絶縁層３の側面とカーボンナノチューブ膜すなわち電子放出材料４との分離を促進することができる。 As a result, a through hole 300 extending from the reverse tapered shape in the direction perpendicular to the main surface of the glass substrate 1 is formed. As a result, separation between the side surface of the insulating layer 3 and the carbon nanotube film, that is, the electron emission material 4 can be promoted.

ここで、第２絶縁層３から分離された電子放出材料４は、位置に応じて２種類の役割を果たす。図２９および図３０に示されるように、開口部３００内の電子放出材料４はカソード層２に接触しており、平面形状が楕円形であり、画素に対応して配置されている。一方、開口部３０００内の電子放出材料４は、カソード層２に接触していない。そのため、電子放出材料４は電子を放出しない。開口部３０００内の電子放出材料４は、ストライプ状であり、ストライプ形状のゲート電極層を分離する役割を果たす。 Here, the electron emission material 4 separated from the second insulating layer 3 plays two roles depending on the position. As shown in FIGS. 29 and 30, the electron emission material 4 in the opening 300 is in contact with the cathode layer 2, has a planar shape of an ellipse, and is arranged corresponding to the pixel. On the other hand, the electron emission material 4 in the opening 3000 is not in contact with the cathode layer 2. Therefore, the electron emission material 4 does not emit electrons. The electron emission material 4 in the opening 3000 has a stripe shape and plays a role of separating the stripe-shaped gate electrode layer.

工程８：ゲート電極層２２の形成（図３１および図３２参照）
本実施の形態においては、導電体含有ペーストとして、銀微粒子が含有されたペーストが使用されている。銀含有ペーストが転写ローラー上に塗布され、転写ローラーが第２絶縁層３上を転がる。それにより、最も高く位置付けられた第二絶縁層３の上面のみに導電膜が転写される。その後、焼成工程が実行され、銀含有ペーストに含有されている樹脂成分が消失する。その結果、銀からなる連続膜が形成される。その連続膜がゲート電極層２２となる。 Step 8: Formation of the gate electrode layer 22 (see FIGS. 31 and 32)
In the present embodiment, a paste containing silver fine particles is used as the conductor-containing paste. The silver-containing paste is applied on the transfer roller, and the transfer roller rolls on the second insulating layer 3. Accordingly, the conductive film is transferred only to the upper surface of the second insulating layer 3 positioned highest. Then, a baking process is performed and the resin component contained in the silver-containing paste disappears. As a result, a continuous film made of silver is formed. The continuous film becomes the gate electrode layer 22.

この後、良好な電界電子放出を得るために、ゲート電極層２２を介して、レーザ照射による表面活性化処理が実行される。この表面活性化処理は、実施の形態１において説明された表面活性化処理と同様であるため、本実施の形態においては、その説明は繰り返されない。 Thereafter, in order to obtain good field electron emission, a surface activation process by laser irradiation is performed through the gate electrode layer 22. Since this surface activation process is similar to the surface activation process described in the first embodiment, the description thereof will not be repeated in the present embodiment.

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。 The embodiment disclosed this time should be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, rather than the description above, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.

実施の形態１の電子放出源の製造工程を説明するための断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view for explaining a manufacturing step of the electron emission source of the first embodiment. 実施の形態１の電子放出源の製造工程を説明するための断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view for explaining a manufacturing step of the electron emission source of the first embodiment. 実施の形態１の電子放出源の製造工程を説明するための断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view for explaining a manufacturing step of the electron emission source of the first embodiment. 実施の形態１の電子放出源の製造工程を説明するための断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view for explaining a manufacturing step of the electron emission source of the first embodiment. 実施の形態１の電子放出源の製造工程を説明するための断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view for explaining a manufacturing step of the electron emission source of the first embodiment. 実施の形態１の電子放出源の製造工程を説明するための断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view for explaining a manufacturing step of the electron emission source of the first embodiment. 実施の形態１の電子放出源の製造工程を説明するための断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view for explaining a manufacturing step of the electron emission source of the first embodiment. 実施の形態１の電子放出源の製造工程を説明するための断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view for explaining a manufacturing step of the electron emission source of the first embodiment. 実施の形態１の電子放出源の製造工程を説明するための断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view for explaining a manufacturing step of the electron emission source of the first embodiment. 実施の形態１の電子放出源の製造工程を説明するための断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view for explaining a manufacturing step of the electron emission source of the first embodiment. 実施の形態１の電子放出源の製造工程を説明するための断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view for explaining a manufacturing step of the electron emission source of the first embodiment. 実施の形態１の電子放出源の製造工程を説明するための断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view for explaining a manufacturing step of the electron emission source of the first embodiment. 実施の形態１の電子放出源の製造工程を説明するための断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view for explaining a manufacturing step of the electron emission source of the first embodiment. 実施の形態３の電子放出源の製造工程を説明するための断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view for explaining a manufacturing process of the electron emission source of the third embodiment. 実施の形態３の電子放出源の製造工程を説明するための断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view for explaining a manufacturing process of the electron emission source of the third embodiment. 実施の形態３の電子放出源の製造工程を説明するための断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view for explaining a manufacturing process of the electron emission source of the third embodiment. 実施の形態４の電子放出源の製造工程を説明するための上面図である。FIG. 10 is a top view for explaining the manufacturing process for the electron emission source according to the fourth embodiment. 図１７のＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩ線断面図である。It is the XVIII-XVIII sectional view taken on the line of FIG. 実施の形態４の電子放出源の製造工程を説明するための上面図である。FIG. 10 is a top view for explaining the manufacturing process for the electron emission source according to the fourth embodiment. 図１９のＸＸ−ＸＸ線断面図である。It is the XX-XX sectional view taken on the line of FIG. 実施の形態４の電子放出源の製造工程を説明するための上面図である。FIG. 10 is a top view for explaining the manufacturing process for the electron emission source according to the fourth embodiment. 図２１のＸＸＩＩ−ＸＸＩＩ線断面図である。It is the XXII-XXII sectional view taken on the line of FIG. 実施の形態４の電子放出源の製造工程を説明するための上面図である。FIG. 10 is a top view for explaining the manufacturing process for the electron emission source according to the fourth embodiment. 図２３のＸＸＩＶ−ＸＸＩＶ線断面図である。It is the XXIV-XXIV sectional view taken on the line of FIG. 実施の形態４の電子放出源の製造工程を説明するための上面図である。FIG. 10 is a top view for explaining the manufacturing process for the electron emission source according to the fourth embodiment. 図２５のＸＸＶＩ−ＸＸＶＩ線断面図である。It is XXVI-XXVI sectional view taken on the line of FIG. 実施の形態４の電子放出源の製造工程を説明するための上面図である。FIG. 10 is a top view for explaining the manufacturing process for the electron emission source according to the fourth embodiment. 図２７のＸＸＶＩＩＩ−ＸＸＶＩＩＩ線断面図である。It is the XXVIII-XXVIII sectional view taken on the line of FIG. 実施の形態４の電子放出源の製造工程を説明するための上面図である。FIG. 10 is a top view for explaining the manufacturing process for the electron emission source according to the fourth embodiment. 図２９のＸＸＸ−ＸＸＸ線断面図である。FIG. 30 is a sectional view taken along line XXX-XXX in FIG. 29. 実施の形態４の電子放出源の製造工程を説明するための上面図である。FIG. 10 is a top view for explaining the manufacturing process for the electron emission source according to the fourth embodiment. 図３１のＸＸＸＩＩ−ＸＸＸＩＩ線断面図である。FIG. 32 is a sectional view taken along line XXXII-XXXII in FIG. 31.

符号の説明Explanation of symbols

１ガラス基板、２カソード層、３絶縁層、４電子放出材料、５樹脂層、６金属薄膜、７ピンホールを多数含んだ金属薄膜、８レーザ光、９金属電極層、１２電子放出材料、２１絶縁層、２２ゲート電極層。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Glass substrate, 2 Cathode layer, 3 Insulating layer, 4 Electron emission material, 5 Resin layer, 6 Metal thin film, 7 Metal thin film containing many pinholes, 8 Laser light, 9 Metal electrode layer, 12 Electron emission material, 21 Insulating layer, 22 Gate electrode layer.

Claims

基板上にカソード層を形成するステップと、
前記カソード層上に絶縁層を形成するステップと、
前記絶縁層に開口部を形成するステップと、
前記開口部内に電子放出材料を形成するステップと、
前記電子放出材料を焼結して前記絶縁層と前記電子放出材料との間に空隙を形成するステップとを備え、
前記電子放出材料を形成するステップは、
前記開口部に電子放出材料を充填するステップと、
前記電子放出材料を乾燥させるステップと、
前記絶縁層上の前記電子放出材料を研磨によって除去するとともに、前記絶縁層および前記電子放出材料の上面を平坦化するステップとを含む、電子放出源の製造方法。 Forming a cathode layer on the substrate;
Forming an insulating layer on the cathode layer;
Forming an opening in the insulating layer;
Forming an electron emission material in the opening;
Sintering the electron emitting material to form a gap between the insulating layer and the electron emitting material;
Forming the electron-emitting material comprises:
Filling the opening with an electron emitting material;
Drying the electron emitting material;
Wherein together is removed by polishing the electron emission material on the insulating layer, and a step of planarizing the upper surface of the insulating layer and the electron-emitting material, electron emission source manufacturing method.

基板上にカソード層を形成するステップと、
前記カソード層上に絶縁層を形成するステップと、
前記絶縁層に開口部を形成するステップと、
前記開口部内に電子放出材料を形成するステップと、
前記電子放出材料を焼結して前記絶縁層と前記電子放出材料との間に空隙を形成するステップと、
前記絶縁層上にゲート電極層を形成するステップとを備え、
前記ゲート電極層を形成するステップは、
前記絶縁層と前記電子放出材料との間の空隙に樹脂を充填するステップと、
前記樹脂を乾燥させるステップと、
前記絶縁層上の前記樹脂を研磨によって除去し、前記絶縁層および前記樹脂の上面を平坦化するステップと、
平坦化された前記絶縁層および前記樹脂上の上面に導電性膜を形成するステップと、
前記樹脂を熱処理によって分解させるステップと、
前記樹脂上に形成されていた導電性膜を除去するステップとを含む、電子放出源の製造方法。 Forming a cathode layer on the substrate;
Forming an insulating layer on the cathode layer;
Forming an opening in the insulating layer;
Forming an electron emission material in the opening;
Sintering the electron emitting material to form a gap between the insulating layer and the electron emitting material;
And a step of forming a gate electrode layer on the insulating layer,
Forming the gate electrode layer comprises:
Filling a gap between the insulating layer and the electron-emitting material with a resin;
Drying the resin;
Removing the resin on the insulating layer by polishing, and planarizing the upper surface of the insulating layer and the resin;
Forming a conductive film on the planarized insulating layer and the upper surface of the resin;
Decomposing the resin by heat treatment;
Method of manufacturing steps and a, electron emission source to remove the conductive film formed on the resin.

前記導電性膜を除去するステップにおいては、前記導電性膜に粘着テープが貼り付けられ、その後、前記粘着テープが前記導電性膜とともに引き剥がされる、請求項２に記載の電子放出源の製造方法。 The method of manufacturing an electron emission source according to claim 2 , wherein in the step of removing the conductive film, an adhesive tape is attached to the conductive film, and then the adhesive tape is peeled off together with the conductive film. .