JP4817627B2 - Method for manufacturing display device - Google Patents
Method for manufacturing display device Download PDFInfo
- Publication number
- JP4817627B2 JP4817627B2 JP2004248225A JP2004248225A JP4817627B2 JP 4817627 B2 JP4817627 B2 JP 4817627B2 JP 2004248225 A JP2004248225 A JP 2004248225A JP 2004248225 A JP2004248225 A JP 2004248225A JP 4817627 B2 JP4817627 B2 JP 4817627B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- wiring
- display device
- thin film
- insulator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 94
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 31
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 95
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 84
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 64
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 51
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 51
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 49
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 29
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 28
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 26
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 24
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 21
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims description 20
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 19
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 15
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 10
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 6
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 4
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 4
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 claims description 3
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 claims description 3
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 claims description 3
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 claims description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 116
- 239000010408 film Substances 0.000 description 35
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 35
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 230000006870 function Effects 0.000 description 19
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 14
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 12
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 10
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 8
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 8
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 8
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 6
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 6
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 2
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 2
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000010943 off-gassing Methods 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005499 laser crystallization Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 silver halide Chemical class 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
本発明は、外部から水分や酸素の侵入を防止する構造を有する表示装置及びその作製方法に関する。また液滴吐出法を用いた表示装置の作製方法に関する。 The present invention relates to a display device having a structure for preventing moisture and oxygen from entering from the outside and a manufacturing method thereof. The present invention also relates to a method for manufacturing a display device using a droplet discharge method.
近年、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子等を代表とする自発光型の素子を用いた表示装置の開発が進められている。前記表示装置は、自発光型ゆえの高画質、広視野角、バックライトが不必要であることによる薄型、軽量等の利点を活かして、幅広く利用されている。 In recent years, a display device using a self-luminous element typified by an electroluminescence (EL) element or the like has been developed. The display device is widely used by taking advantage of the high image quality, wide viewing angle, thinness, lightness, and the like due to the fact that a backlight is unnecessary because of the self-luminous type.
但し、自発光型の素子は、輝度等の特性が初期に比べて劣化し、部分的に輝度が劣化するダークスポットや、表示画面の端から輝度が劣化していくシュリンクという現象が生じる。これらの不具合は、露出した絶縁体に水分や酸素が侵入し、時間の経過と共に、水分や酸素が発光素子に達することで生じる該発光素子の劣化に起因する。 However, the self-luminous element has characteristics such as luminance that deteriorates compared to the initial state, and a phenomenon such as a dark spot where the luminance partially deteriorates and a shrink phenomenon that the luminance deteriorates from the edge of the display screen occurs. These defects are caused by deterioration of the light emitting element caused by moisture and oxygen entering the exposed insulator and the moisture and oxygen reaching the light emitting element over time.
また、近年、液滴吐出法によるパターン形成は、フラットパネルディスプレイの分野に応用され、活発に開発が進められている。液滴吐出法は、直接描画するためにマスクが不要、大型基板に適用しやすい、材料の利用効率が高い等の多くの利点を有するため、ＥＬ層やカラーフィルタ、プラズマディスプレイの電極等の作製に応用されている（例えば非特許文献１参照）。
上記の実情を鑑み、本発明は、外部から水分や酸素の侵入を防止して、これらの侵入物に起因した発光素子の劣化を防止する表示装置の提供と、該表示装置の作製に際し、作製工程を簡略化した作製方法の提供を課題とする。 In view of the above circumstances, the present invention provides a display device that prevents moisture and oxygen from entering from the outside and prevents deterioration of a light-emitting element due to these intrusions, and is manufactured when the display device is manufactured. An object is to provide a manufacturing method with simplified processes.
上述した従来技術の課題を解決するために、本発明においては以下の手段を講じる。 In order to solve the above-described problems of the prior art, the following measures are taken in the present invention.
本発明は、露出した層間絶縁体から水分や酸素が侵入しないように、該層間絶縁体の外周に、シール材を配置した表示装置を提供する。
この表示装置は、薄膜トランジスタ及び発光素子を備えた表示部と、前記表示部の外周に配置された引き回し配線が設けられた第１の基板と、前記第１の基板に対向する第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板を貼り合わせるシール材とを有する。そして、前記第１の基板上に形成された複数層の絶縁体のうち、有機材料又は珪素と酸素との結合で骨格構造が形成された材料からなる層間絶縁体は、前記表示部内と前記引き回し配線と配線との交差部のみに設けられ、前記シール材は、前記層間絶縁体の外周に設けられることを特徴とする。この表示装置の上面図と断面図は、図１、２に示す通りである。
The present invention provides a display device in which a sealing material is arranged on the outer periphery of an interlayer insulator so that moisture and oxygen do not enter from the exposed interlayer insulator.
The display device includes a display unit including a thin film transistor and a light emitting element, a first substrate provided with a lead wiring disposed on an outer periphery of the display unit, and a second substrate facing the first substrate, And a sealing material for bonding the first substrate and the second substrate. Of the multiple layers of insulators formed on the first substrate, an interlayer insulator made of an organic material or a material in which a skeleton structure is formed by a combination of silicon and oxygen is routed between the display portion and the lead wire. It is provided only at the intersection between the wirings, and the sealing material is provided on the outer periphery of the interlayer insulator. A top view and a cross-sectional view of this display device are as shown in FIGS.
本発明は、露出した層間絶縁体から水分や酸素が侵入しないように、該層間絶縁体上にバリア体を形成した表示装置を提供する。
この表示装置は、薄膜トランジスタ及び発光素子を備えた表示部、前記薄膜トランジスタを備えた駆動回路、及び前記表示部の外周に配置された引き回し配線が設けられた第１の基板と、前記第１の基板に対向する第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板を貼り合わせるシール材とを有する。そして、前記第１の基板上に形成された複数層の絶縁体のうち、有機材料又は珪素と酸素との結合で骨格構造が形成された材料からなる層間絶縁体は、前記表示部内と前記引き回し配線と配線との交差部のみに設けられ、前記駆動回路上に形成された前記層間絶縁体の端部は、バリア体により被覆され、前記シール材は、前記駆動回路上に設けられることを特徴とする。この表示装置の上面図と断面図は、図５、６に示す通りである。
The present invention provides a display device in which a barrier body is formed on an interlayer insulator so that moisture and oxygen do not enter from the exposed interlayer insulator.
The display device includes a display unit including a thin film transistor and a light emitting element, a driving circuit including the thin film transistor, a first substrate provided with a lead wiring disposed on an outer periphery of the display unit, and the first substrate. And a sealing material for bonding the first substrate and the second substrate together. Of the multiple layers of insulators formed on the first substrate, an interlayer insulator made of an organic material or a material in which a skeleton structure is formed by a combination of silicon and oxygen is routed between the display portion and the lead wire. Provided only at the intersection of the wiring, the end of the interlayer insulator formed on the drive circuit is covered with a barrier body, and the sealing material is provided on the drive circuit. And A top view and a cross-sectional view of this display device are as shown in FIGS.
上記の本発明の表示装置の説明において、表示部の外周とは、第１の基板上における、表示部以外の領域を意味しており、つまり、外周とは、ものの外側に沿ったまわりという意味である。引き回し配線とは、表示部の外周に配置された配線を総称したものである。例えば、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各々に対応したアノード線と、カソード線の合わせて４本の電源線と、表示部及び駆動回路等と接続端子を接続する複数本の配線を総称したものである。
有機材料とは、アクリルやポリイミド等を指す。また、珪素と酸素との結合で骨格構造が形成された材料とは、代表的にはシロキサン系ポリマー等の重合によってできた化合物材料を指す。詳しくは、珪素と酸素との結合で骨格構造が構成され置換基に少なくとも水素を含む材料、又は、置換基にフッ素、アルキル基、若しくは芳香族炭化水素のうち少なくとも１種を有する材料を指す。
In the description of the display device of the present invention described above, the outer periphery of the display unit means a region other than the display unit on the first substrate, that is, the outer periphery means around the outside of the object. It is. The routing wiring is a general term for wiring arranged on the outer periphery of the display unit. For example, a plurality of anode lines corresponding to each of R (red), G (green), and B (blue), a total of four power lines including a cathode line, and a plurality of connection terminals connected to a display unit, a drive circuit, and the like. It is a general term for the wiring of a book.
The organic material refers to acrylic or polyimide. The material in which the skeleton structure is formed by the bond of silicon and oxygen typically indicates a compound material made by polymerization of a siloxane polymer or the like. Specifically, it refers to a material having a skeleton structure formed of a bond of silicon and oxygen and containing at least hydrogen as a substituent, or a material having at least one of fluorine, an alkyl group, and an aromatic hydrocarbon as a substituent.
層間絶縁体とは、薄膜トランジスタが含むゲート絶縁膜の上層に配置された、単層又は積層の絶縁体に相当する。多くの場合において、前記絶縁体には開口部が設けられ、該開口部に充填される導電体は、上層のパターンと下層のパターンを接続する配線として機能する。従って膜厚は比較的厚く形成され、具体的には５０ｎｍ〜５μｍ（好適には１００ｎｍ〜２μｍ）の厚さで形成される絶縁体に相当する。また層間絶縁体の端部とは、基板上に形成された層間絶縁体のパターンの端部を指す。
バリア体とは、発光素子の劣化を促進する物質の侵入を防止する絶縁性材料又は導電性材料からなり、具体的には、分子内にフッ素原子を含有するモノマーを含む樹脂、又は炭素と水素原子のみから構成されるモノマーを含む樹脂であり、さらに具体的にはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、ノボラック樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂等を用いる。
An interlayer insulator corresponds to a single-layer or multi-layer insulator disposed over a gate insulating film included in a thin film transistor. In many cases, the insulator is provided with an opening, and the conductor filled in the opening functions as a wiring connecting the upper layer pattern and the lower layer pattern. Therefore, the film thickness is formed relatively thick, and specifically corresponds to an insulator formed with a thickness of 50 nm to 5 μm (preferably 100 nm to 2 μm). The end portion of the interlayer insulator refers to an end portion of the pattern of the interlayer insulator formed on the substrate.
The barrier body is made of an insulating material or a conductive material that prevents entry of a substance that promotes deterioration of the light-emitting element. Specifically, the barrier body is a resin containing a monomer containing a fluorine atom in the molecule, or carbon and hydrogen. A resin containing a monomer composed of only atoms, and more specifically, an epoxy resin, an acrylic resin, a phenol resin, a novolac resin, a melamine resin, a urethane resin, or the like is used.
引き回し配線と配線との交差部とは、例えば、引き回し配線と、表示部内に配列される信号線や走査線との交差部を指す。
駆動回路とは、表示部と同一基板上に形成される駆動回路に相当し、例えば、信号線駆動回路、走査線駆動回路、ＣＰＵやメモリに相当する機能回路に相当する。
表示装置とは、画像表示デバイス、発光デバイス、照明装置などの光源を含む。また、画素部及び駆動回路を基板とカバー材との間に封入したパネル、前記パネルにＦＰＣが取り付けられたモジュール、該ＦＰＣの先にドライバＩＣが設けられたモジュール、パネルにＣＯＧ方式等によりドライバＩＣが実装されたモジュール、モニターに用いるディスプレイなどを範疇に含む。
The intersection between the routing wiring and the wiring indicates, for example, an intersection between the routing wiring and a signal line or a scanning line arranged in the display portion.
The driver circuit corresponds to a driver circuit formed over the same substrate as the display portion. For example, the driver circuit corresponds to a signal line driver circuit, a scan line driver circuit, a functional circuit corresponding to a CPU or a memory.
The display device includes a light source such as an image display device, a light emitting device, and a lighting device. In addition, a panel in which a pixel portion and a drive circuit are enclosed between a substrate and a cover material, a module in which an FPC is attached to the panel, a module in which a driver IC is provided at the end of the FPC, a driver by a COG method or the like on the panel This category includes modules with ICs and displays used for monitors.
本発明の表示装置の作製方法は、第１の基板上に薄膜トランジスタ、発光素子及び引き回し配線を形成するものであり、導電性材料を含む組成物を吐出して、前記第１の基板上の導電性パターンを形成するステップ、前記第１の基板上に形成された複数層の絶縁体のうち、少なくとも１層は、有機材料又は珪素と酸素との結合で骨格構造が形成された材料により、前記表示部内と前記引き回し配線と配線との交差部のみに形成するステップ、前記表示部内と前記引き回し配線と配線の交差部の外周にシール材を形成するステップ、前記第１の基板に対向する第２の基板を、前記シール材により貼り合わせるステップを有することを特徴とする。上記のステップを経ると、露出した層間絶縁体から水分や酸素が侵入しないように、該層間絶縁体の外周に、シール材を配置した表示装置が完成する。 In a method for manufacturing a display device of the present invention, a thin film transistor, a light emitting element, and a lead wiring are formed over a first substrate, and a conductive material on the first substrate is discharged by discharging a composition containing a conductive material. A step of forming a conductive pattern, and at least one of the plurality of insulators formed on the first substrate is made of an organic material or a material in which a skeleton structure is formed by a bond of silicon and oxygen, Forming only at the intersection of the display portion and the routing wiring and wiring, forming a seal material on the outer periphery of the intersection of the display portion and the routing wiring and wiring, and a second facing the first substrate The step of bonding the substrate with the sealing material is provided. After the above steps, a display device is completed in which a sealant is disposed on the outer periphery of the interlayer insulator so that moisture and oxygen do not enter from the exposed interlayer insulator.
本発明の表示装置の作製方法は、導電性材料を含む組成物を吐出して、前記第１の基板上の導電性パターンを形成するステップ、前記第１の基板上に形成された複数層の絶縁体のうち、少なくとも１層は、有機材料又は珪素と酸素との結合で骨格構造が形成された材料により、前記表示部内と前記引き回し配線と配線との交差部のみに形成するステップ、前記駆動回路上に形成された前記絶縁体に接するように、組成物を吐出してバリア体を形成するステップ、前記駆動回路上にシール材を形成するステップ、前記第１の基板に対向する第２の基板を前記シール材により貼り合わせるステップを有することを特徴とする。上記のステップを経ると、露出した層間絶縁体から水分や酸素が侵入しないように、該層間絶縁体上にバリア体を形成した表示装置が完成する。なお、上記のステップにおいて、導電性材料を含む組成物を吐出するステップでは、液滴吐出法を適用する。 In the method for manufacturing a display device of the present invention, a step of discharging a composition containing a conductive material to form a conductive pattern on the first substrate, a plurality of layers formed on the first substrate, Of the insulators, at least one layer is formed only in the display portion and at the intersection between the lead-out wiring and the wiring by an organic material or a material in which a skeleton structure is formed by a bond of silicon and oxygen, and the driving A step of forming a barrier body by discharging a composition so as to be in contact with the insulator formed on the circuit; a step of forming a sealing material on the drive circuit; and a second surface facing the first substrate. It has the step which bonds a board | substrate together with the said sealing material. After the above steps, a display device in which a barrier body is formed on the interlayer insulator is completed so that moisture and oxygen do not enter from the exposed interlayer insulator. Note that in the above steps, a droplet discharging method is applied in the step of discharging a composition containing a conductive material.
上記構成を有する本発明は、発光素子に直接接する絶縁体に水分や酸素が侵入することを防止し、該発光素子の劣化を防止することができる。従って、ダークスポットやシュリンクを引き起こさず、製品としての信頼性を向上させた表示装置を提供することができる。
また、前記表示装置の作製に際し、作製工程に液滴吐出法を適用することで、露光・現像などのフォトリソグラフィ工程の削除が可能となり、歩留まりを向上させた表示装置の作製方法を提供することができる。
The present invention having the above structure can prevent moisture and oxygen from entering the insulator that is in direct contact with the light-emitting element, and can prevent deterioration of the light-emitting element. Therefore, it is possible to provide a display device that does not cause dark spots or shrinkage and has improved reliability as a product.
In addition, in manufacturing the display device, by applying a droplet discharge method to a manufacturing process, a photolithography process such as exposure and development can be eliminated, and a method for manufacturing a display device with improved yield is provided. Can do.
本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本発明の構成において、同じものを指す符号は異なる図面間で共通して用いる。
（実施の形態１）
Embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the following description, and it is easily understood by those skilled in the art that modes and details can be variously changed without departing from the spirit and scope of the present invention. Therefore, the present invention should not be construed as being limited to the description of the embodiments below. Note that in the structures of the present invention described below, the same reference numerals are used in common in different drawings.
(Embodiment 1)
本発明の表示装置について、図１を用いて説明する。図１（Ａ）は本発明の表示装置の上面図であり、基板１００上に、各々が発光素子及び薄膜トランジスタを含む複数の画素がマトリクス状に配置された表示部１０１、走査線駆動回路１０２、１０３、信号線駆動回路１０４、シール材１０５、引き回し配線１０６、１０７、層間絶縁体１０８、接続端子１０９が設けられた表示装置の上面図である。
The display device of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1A is a top view of a display device of the present invention. A
引き回し配線１０６は、ここでは表示部１０１の外周に配置される３本の電源線を総称したものである。この３本の電源線は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）のいずれかの副画素に対応したアノード線とする。なお、ＲＧＢの各々に対応して電源線を設ける必要はなく、カラー画像の表示に際し、各々の副画素に対応した電源電位を供給する必要がない場合には、１本の電源線のみを設ければよい。引き回し配線１０７も電源線であり、ここではカソード線とする。
Here, the
層間絶縁体１０８とは、基板１００上に形成された複数層の絶縁体のうち、有機材料又は珪素と酸素との結合で骨格構造が形成された材料からなる絶縁体であり、具体的には、薄膜トランジスタが含むゲート絶縁膜の上層に配置された、単層又は積層の絶縁体に相当する。また、有機材料又は珪素と酸素との結合で骨格構造が形成された材料で形成された絶縁体に相当する。多くの場合において、前記層間絶縁体には開口部が設けられ、該開口部に充填される導電体は、上層のパターンと下層のパターンを接続する配線として機能する。従って膜厚は比較的厚く形成され、具体的には５０ｎｍ〜５μｍ（好適には１００ｎｍ〜２μｍ）の厚さで形成される絶縁体に相当する。
例えば、トップゲート型の薄膜トランジスタが含む第１の導電体（ゲート電極）と、該薄膜トランジスタが含む半導体（活性層）の不純物領域に接続する第２の導電体（ソース・ドレイン配線）を絶縁する絶縁体に相当する。また、ボトムゲート型の薄膜トランジスタが含む半導体（活性層）と、該半導体の不純物領域に接続する導電体（ソース・ドレイン配線）の間に配置される絶縁体に相当する。また、チャネル保護タイプ及びチャネルエッチタイプの薄膜トランジスタが含むＮ型非晶質半導体に接続する第１の導電体と、該第１の導電体に接続する第２の導電体との間に配置される絶縁体に相当する。
The
For example, insulation that insulates a first conductor (gate electrode) included in a top-gate thin film transistor and a second conductor (source / drain wiring) connected to an impurity region of a semiconductor (active layer) included in the thin film transistor. Corresponds to the body. Further, this corresponds to an insulator disposed between a semiconductor (active layer) included in a bottom-gate thin film transistor and a conductor (source / drain wiring) connected to an impurity region of the semiconductor. Further, it is disposed between the first conductor connected to the N-type amorphous semiconductor included in the channel protection type and channel etch type thin film transistors and the second conductor connected to the first conductor. It corresponds to an insulator.
接続端子１０９は、導電性粒子を介して、ＦＰＣ等が貼り付けられる端子である。前記接続端子１０９を介して、表示部１０１等に、様々な信号や電源電圧が供給される。
The
なお図１では、基板１００上に表示部１０１と、走査線駆動回路１０２、１０３、信号線駆動回路１０４が一体形成された表示装置を図示するが、表示装置の用途等に依っては、走査線駆動回路１０２、１０３のみを一体形成して、信号線駆動回路１０４はドライバＩＣをＣＯＧ方式で実装する方法や、全ての駆動回路についてドライバＩＣで代用する方法を採用してもよい。
Note that FIG. 1 illustrates a display device in which a
図１（Ｂ）は図１（Ａ）における点線で囲んだ領域１１０の拡大図であり、シール材１０５、引き回し配線１０６、１０７、層間絶縁体１０８を含む領域１１０の拡大図である。上述したように、引き回し配線１０６は３本のアノード線を総称したものであり、図１（Ｂ）では、Ｒに対応したアノード線を１０６ｒ、Ｇに対応したアノード線を１０６ｇ、Ｂに対応したアノード線を１０６ｂとしている。
1B is an enlarged view of a
本発明の表示装置は、シール材１０５と層間絶縁体１０８が設けられる箇所に特徴を有する。詳しくは、表示部１０１内と、引き回し配線１０６、１０７と配線が交差する部分のみに層間絶縁体１０８が設けられる点、層間絶縁体１０８の外周にシール材１０５が設けられる点を特徴とする。
なお、引き回し配線１０６、１０７と配線が交差する部分とは、表示部１０１内に配置される信号線と引き回し配線１０６、１０７が交差する部分、引き回し配線１０６同士が交差する部分である。
The display device of the present invention is characterized in that the
Note that the portions where the
上記特徴を有する本発明は、層間絶縁体１０８の外周に設けられたシール材１０５により、発光素子に直接接する絶縁体に水分や酸素が侵入することを防止し、該発光素子の劣化を防止することができる。従って、ダークスポットやシュリンクを引き起こさず、製品としての信頼性を向上させた表示装置を提供することができる。
In the present invention having the above characteristics, the sealing
図２（Ｂ）は、図１（Ａ）のＢ−Ｂ’−Ｂ’’における断面図であり、引き回し配線の断面図である。図２（Ｂ）において、基板１００上にゲート絶縁膜である絶縁体１４１、該絶縁体１４１上に第１の導電体１２０〜１２２、層間絶縁体１２３〜１２６、アノード線に相当する第２の導電体１０６ｒ、１０６ｇ、１０６ｂが設けられており、シール材１０５により基板１１１と貼り合わされている。
図２（Ｃ）は、図１（Ｂ）のＣ−Ｃ’における断面図であり、引き回し配線の断面図である。図２（Ｃ）において、基板１００上に、ゲート絶縁膜である絶縁体１４１、該絶縁体１４１上に接続端子１０９として機能する第１の導電体１６８、アノード線に相当する第２の導電体１０６ｒ、１０６ｇ、１０６ｂが設けられており、シール材１０５により、基板１１１と貼り合わされている。
2B is a cross-sectional view taken along the line BB′-B ″ of FIG. 1A, and is a cross-sectional view of the lead wiring. 2B, an
FIG. 2C is a cross-sectional view taken along the line CC ′ of FIG. 1B, and is a cross-sectional view of the lead wiring. In FIG. 2C, an
図２（Ｂ）に示すように、引き回し配線１０６の交差部には、層間絶縁体１２３〜１２６が設けられている一方、図２（Ｃ）に示すように、表示部１０１と引き回し配線と配線との交差部以外には、層間絶縁体が設けられないことがわかる。
As shown in FIG. 2B,
図２（Ａ）は、図１（Ａ）（Ｂ）のＡ−Ａ’−Ａ’’における断面図であり、表示部１０１、信号線駆動回路１０４及び接続端子１０９の断面図である。図２（Ａ）の断面構造については、図３を用いて、その作製工程に従って以下に説明する。
2A is a cross-sectional view taken along line A-A′-A ″ of FIGS. 1A and 1B, and is a cross-sectional view of the
基板１００は、ガラス基板、石英基板、金属基板、バルク半導体基板、ステンレス基板又は本作製工程の処理温度に耐えうるプラスチック基板を用いる（図３（Ａ））。必要に応じて、基板１００上に絶縁体からなる下地膜を形成する。
続いて、基板１００上に、公知の方法（スパッタリング法、ＬＰＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等）により、半導体１６５〜１６７を形成する。ここでは、半導体１６５〜１６７は多結晶半導体とする。前記多結晶半導体は、公知の方法により非晶質半導体を形成し、該非晶質半導体を公知の結晶化法（レーザ結晶化法、ＲＴＡ法又はファーネスアニール炉を用いる熱結晶化法、結晶化を助長する金属元素を用いる熱結晶化法等）により結晶化し、さらに所望の形状にパターニングして形成する。
As the
Subsequently,
次いで、半導体１６５〜１６７上に、公知の方法により、酸化珪素膜、窒化珪素膜等からなる絶縁体１４１を形成する。絶縁体１４１はゲート絶縁膜として機能する。
Next, an
次に、絶縁体１４１上に、液滴吐出法により、導電性材料を含む組成物を吐出して、第１の導電体１４２〜１４５を形成する（図３（Ｂ））。第１の導電体１４２〜１４５は、接続端子又はゲート電極として機能する。
液滴吐出法で行うパターンの作製は、液滴吐出手段を用いて行う。前記液滴吐出手段とは、組成物の吐出口を有するノズルや、１つ又は複数のノズルを具備したヘッド等の液滴を吐出する手段を有するものの総称とする。液滴吐出手段が具備するノズルの径は、０．０２〜１００μｍ（好適には３０μｍ以下）に設定し、該ノズルから吐出される組成物の吐出量は０．００１ｐｌ〜１００ｐｌ（好適には１０ｐｌ以下）に設定するとよい。この吐出量は、ノズルの径の大きさに比例して増加する。但し、ノズルの径は、第１の導電体１４２〜１４５の形状やその大きさに従って適宜変更するとよい。また、被処理物とノズルの吐出口との距離は、所望の箇所に滴下するために、出来る限り近づけておくことが好ましく、好適には０．１〜３ｍｍ（好適には１ｍｍ以下）程度に設定する。
Next, a composition containing a conductive material is discharged over the
Fabrication of a pattern performed by a droplet discharge method is performed using a droplet discharge unit. The droplet discharge means is a general term for a device having means for discharging droplets such as a nozzle having a composition discharge port and a head having one or a plurality of nozzles. The diameter of the nozzle provided in the droplet discharge means is set to 0.02 to 100 μm (preferably 30 μm or less), and the discharge amount of the composition discharged from the nozzle is 0.001 pl to 100 pl (preferably 10 pl). The following should be set. This discharge amount increases in proportion to the size of the nozzle diameter. However, the nozzle diameter may be appropriately changed according to the shape and size of the
吐出口から吐出する組成物は、導電体を溶媒に溶解又は分散させたものを用いる。導電体は、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、ロジウム（Ｒｈ）、タングステン（Ｗ）、アルミニウム（Ａｌ）等の金属、ハロゲン化銀の微粒子、又は分散性ナノ粒子に相当する。または、透明導電膜として用いられるインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、有機インジウム、有機スズ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、窒化チタン（ＴｉＮ）等に相当する。但し、吐出口から吐出する組成物は、比抵抗値を考慮して、金、銀、銅のいずれかの材料を溶媒に溶解又は分散させたものを用いることが好適である。より好適には、低抵抗な銀、銅を用いるとよい。但し、銀、銅を用いる場合には、不純物対策のため、合わせてバリア膜を設けるとよい。
溶媒は、酢酸ブチル、酢酸エチル等のエステル類、イソプロピルアルコール、エチルアルコール等のアルコール類、メチルエチルケトン、アセトン等の有機溶剤等に相当する。
組成物の粘度は５０ｃｐ以下が好適であり、これは、乾燥が起こることを防止したり、吐出口から組成物を円滑に吐出できるようにしたりするためである。また、組成物の表面張力は、４０ｍＮ／ｍ以下が好適である。なお、用いる溶媒や、用途に合わせて、組成物の粘度等は適宜調整するとよい。一例として、ＩＴＯや、有機インジウム、有機スズを溶媒に溶解又は分散させた組成物の粘度は５〜５０ｍＰａ・Ｓ、銀を溶媒に溶解又は分散させた組成物の粘度は５〜２０ｍＰａ・Ｓ、金を溶媒に溶解又は分散させた組成物の粘度は１０〜２０ｍＰａ・Ｓである。
A composition in which a conductor is dissolved or dispersed in a solvent is used as the composition discharged from the discharge port. Conductors are silver (Ag), gold (Au), copper (Cu), nickel (Ni), platinum (Pt), palladium (Pd), iridium (Ir), rhodium (Rh), tungsten (W), aluminum It corresponds to a metal such as (Al), silver halide fine particles, or dispersible nanoparticles. Alternatively, it corresponds to indium tin oxide (ITO), organic indium, organic tin, zinc oxide (ZnO), titanium nitride (TiN), or the like used as a transparent conductive film. However, it is preferable to use a composition in which any one of gold, silver, and copper is dissolved or dispersed in a solvent in consideration of the specific resistance value as the composition discharged from the discharge port. More preferably, low resistance silver or copper is used. However, when silver or copper is used, a barrier film may be provided as a countermeasure against impurities.
The solvent corresponds to esters such as butyl acetate and ethyl acetate, alcohols such as isopropyl alcohol and ethyl alcohol, organic solvents such as methyl ethyl ketone and acetone.
The viscosity of the composition is preferably 50 cp or less, in order to prevent the drying from occurring or to smoothly discharge the composition from the discharge port. The surface tension of the composition is preferably 40 mN / m or less. Note that the viscosity of the composition and the like may be appropriately adjusted according to the solvent to be used and the application. As an example, the viscosity of a composition in which ITO, organic indium, or organic tin is dissolved or dispersed in a solvent is 5 to 50 mPa · S, the viscosity of a composition in which silver is dissolved or dispersed in a solvent is 5 to 20 mPa · S, The viscosity of the composition in which gold is dissolved or dispersed in a solvent is 10 to 20 mPa · S.
各ノズルの径や所望のパターン形状などに依存するが、ノズルの目詰まり防止や高精細なパターンの作製のため、導電体の粒子の径はなるべく小さい方が好ましく、好適には粒径０．１μｍ以下が好ましい。組成物は、電解法、アトマイズ法又は湿式還元法等の公知の方法で形成されるものであり、その粒子サイズは、一般的に約０．５〜１０μｍである。但し、ガス中蒸発法で形成すると、分散剤で保護されたナノ分子は約７ｎｍと微細であり、またこのナノ粒子は、被覆剤を用いて各粒子の表面を覆うと、溶剤中に凝集がなく、室温で安定に分散し、液体とほぼ同じ挙動を示す。従って、被覆剤を用いることが好ましい。
組成物を吐出する工程は、減圧下で行うと、組成物を吐出して被処理物に着弾するまでの間に、該組成物の溶媒が揮発し、後の乾燥と焼成の工程を省略することができる。また、減圧下で行うと、導電体の表面に酸化膜などが形成されないため好ましい。
また、組成物を吐出後、乾燥と焼成の一方又は両方の工程を行う。乾燥と焼成の工程は、両工程とも加熱処理の工程であるが、例えば、乾燥は１００度で３分間、焼成は２００〜３５０度で１５分間〜３０分間で行うもので、その目的、温度と時間が異なるものである。乾燥の工程、焼成の工程は、常圧下又は減圧下で、レーザ光の照射や瞬間熱アニール、加熱炉などにより行う。なお、この加熱処理は、第１の導電体１４２〜１４５の形成後に行ってもよいし、該第１の導電体１４２〜１４５の上層に絶縁体を形成後に行ってもよく、そのタイミングは特に限定されない。乾燥と焼成の工程を良好に行うためには、基板を加熱しておいてもよく、そのときの温度は、基板等の材質に依存するが、一般的には１００〜８００度（好ましくは２００〜３５０度）とする。本工程により、組成物中の溶媒の揮発、又は化学的に分散剤を除去するとともに、周囲の樹脂が硬化収縮することで、ナノ粒子間を接触させ、融合と融着を加速する。
Although depending on the diameter of each nozzle and the desired pattern shape, the diameter of the conductor particles is preferably as small as possible for preventing nozzle clogging and producing a high-definition pattern. 1 μm or less is preferable. The composition is formed by a known method such as an electrolytic method, an atomizing method, or a wet reduction method, and its particle size is generally about 0.5 to 10 μm. However, when formed in a gas evaporation method, the nanomolecules protected with the dispersant are as fine as about 7 nm. When the surface of each particle is covered with a coating agent, the nanoparticles are aggregated in the solvent. And stably disperse at room temperature and shows almost the same behavior as liquid. Therefore, it is preferable to use a coating agent.
When the step of discharging the composition is performed under reduced pressure, the solvent of the composition is volatilized between the time of discharging the composition and landing on the object to be processed, and the subsequent drying and baking steps are omitted. be able to. Further, it is preferable to perform under reduced pressure because an oxide film or the like is not formed on the surface of the conductor.
In addition, after discharging the composition, one or both steps of drying and baking are performed. The drying and baking steps are both heat treatment steps. For example, drying is performed at 100 degrees for 3 minutes, and baking is performed at 200 to 350 degrees for 15 minutes to 30 minutes. Time is different. The drying process and the firing process are performed under normal pressure or reduced pressure by laser light irradiation, rapid thermal annealing, a heating furnace, or the like. Note that this heat treatment may be performed after the
レーザ光の照射は、連続発振またはパルス発振の気体レーザ又は固体レーザを用いれば良い。前者の気体レーザとしては、エキシマレーザ、ＹＡＧレーザ等が挙げられ、後者の固体レーザとしては、Ｃｒ、Ｎｄ等がドーピングされたＹＡＧ、ＹＶＯ4等の結晶を使ったレーザ等が挙げられる。なお、レーザ光の吸収率の関係から、連続発振のレーザを用いることが好ましい。また、パルス発振と連続発振を組み合わせた所謂ハイブリッドのレーザ照射方法を用いてもよい。但し、基板１００の耐熱性に依っては、レーザ光の照射による加熱処理は、該基板１００が破壊しないように、数マイクロ秒から数十秒の間で瞬間的に行うとよい。
瞬間熱アニール（ＲＴＡ）は、不活性ガスの雰囲気下で、紫外光乃至赤外光を照射する赤外ランプやハロゲンランプなどを用いて、急激に温度を上昇させ、数分〜数マイクロ秒の間で瞬間的に熱を加えて行う。この処理は瞬間的に行うために、実質的に最表面の薄膜のみを加熱することができ、下層の膜には影響を与えない。つまり、プラスチック基板等の耐熱性が弱い基板１００にも影響を与えない。
For the laser light irradiation, a continuous wave or pulsed gas laser or solid-state laser may be used. Examples of the former gas laser include an excimer laser and a YAG laser, and examples of the latter solid-state laser include a laser using a crystal such as YAG or YVO 4 doped with Cr, Nd, or the like. Note that it is preferable to use a continuous wave laser because of the absorption rate of the laser light. In addition, a so-called hybrid laser irradiation method combining pulse oscillation and continuous oscillation may be used. However, depending on the heat resistance of the
Instantaneous thermal annealing (RTA) uses an infrared lamp or a halogen lamp that irradiates ultraviolet light or infrared light in an inert gas atmosphere, and rapidly raises the temperature for several minutes to several microseconds. This is done by applying heat instantaneously. Since this treatment is performed instantaneously, only the outermost thin film can be heated substantially without affecting the lower layer film. That is, the
次に、作製された第１の導電体１４２〜１４５と、必要に応じて作製されたレジストの一方又は両方をマスクとして、半導体１６５〜１６７にＰ型又はＮ型を付与する不純物を添加して、不純物を含む不純物領域１５９〜１６１と、チャネル形成領域１６２〜１６４を形成する。
そうすると、不純物領域１５９〜１６１のいずれか１つとチャネル形成領域１６２〜１６４のいずれか１つを含む半導体１６５〜１６７、絶縁体１４１、及び第１の導電体１４３〜１４５から構成されるトランジスタ（薄膜トランジスタ、ＴＦＴ）１３０〜１３２が完成する。
Next, an impurity imparting P-type or N-type is added to the
Then, a transistor (thin film transistor) including the
次に、絶縁体１４１上に、プラズマＣＶＤ法、スパッタリング法、ＳＯＧ（ＳｐｉｎＯｎＧｌａｓｓ）法及びスピンコート法等の公知の方法を用いて、５０ｎｍ〜５μｍ（好適には１００ｎｍ〜２μｍ）の厚さで、絶縁体を全面に形成し、マスクを用いて所望の形状にパターニングして、層間絶縁体１４７〜１５３を形成する（図３（Ｃ））。
なお、層間絶縁体１４７〜１５３は、液滴吐出法により形成することが好ましい。その理由として、公知の方法（特にスピンコート法）に比べて、材料の利用効率が格段に向上する点が挙げられる。また、液滴吐出法により、所望の箇所のみに組成物を吐出すれば、露光・現像等の工程を省略することができるため、歩留まりが格段に向上する。但し、この場合には、ソース・ドレイン配線を形成する前に、ゲート絶縁膜として機能する絶縁体１４１をパターン加工する必要がある。
Next, a thickness of 50 nm to 5 μm (preferably 100 nm to 2 μm) is formed on the
Note that the
層間絶縁体１４７〜１５３の材料は、酸化珪素膜、窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜及び酸化窒化珪素膜等の珪素を含む材料、アクリル、ベンゾシクロブテン、パリレン、フレア、透過性を有するポリイミドなどの有機材料、シロキサン系ポリマー等の重合によってできた化合物材料等を用いて、単層又は積層して形成する。有機材料を用いると、その平坦性が優れているため、後に導電体を成膜した際にも、段差部で膜厚が極端に薄くなったり、断線が起こったりすることがなく、好適である。但し、有機材料は、脱ガス発生の防止のため、層間絶縁体１４７〜１５３の下層と上層に、珪素を含む無機材料で薄膜を形成するとよい。具体的には、プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法により、窒化酸化珪素膜や窒化珪素膜を形成することが好適である。
上記構成を有する本発明は、層間に配置する絶縁体として有機材料を用いても、該有機材料は外部から遮断されているため、水分を吸収することがなく、発光素子の劣化を防止することができる。有機材料は水分を吸収する性質を有している反面、その平坦性は高く、層間に位置する薄膜や土手としての利用することによる利点は高い。つまり、本発明では、有機材料の吸水性という性質を気にすることなく、平坦性が必要な箇所に有機材料を用いることができる。また、有機材料は、低誘電率であるという利点をも有し、層間に位置する薄膜として用いると配線容量が低減するため、高速動作が必要な表示装置に用いることが好適である。
シロキサン系ポリマーは、珪素と酸素との結合で骨格構造が構成され置換基に少なくとも水素を含む材料、又は、置換基にフッ素、アルキル基、または芳香族炭化水素のうち少なくとも１種を有する材料の代表例として挙げたものであり、上記条件の範疇にある様々な材料を用いることができる。このシロキサン系ポリマーは、平坦性に優れており、また透明性や耐熱性をも有し、シロキサンポリマーからなる絶縁体を形成後に３００度〜６００度程度以下の温度で加熱処理を行うことができる。この加熱処理により、例えば水素化と焼成の処理を同時に行うことができる。
Materials for the
In the present invention having the above structure, even when an organic material is used as an insulator disposed between layers, the organic material is blocked from the outside, so that moisture is not absorbed and deterioration of the light-emitting element is prevented. Can do. The organic material has a property of absorbing moisture, but has a high flatness, and has an advantage of being used as a thin film or a bank located between layers. That is, in the present invention, the organic material can be used in a place where flatness is required without worrying about the water absorption property of the organic material. In addition, the organic material has an advantage that it has a low dielectric constant, and when used as a thin film positioned between layers, the wiring capacity is reduced. Therefore, the organic material is preferably used for a display device that requires high-speed operation.
A siloxane-based polymer is a material having a skeleton structure formed of a bond of silicon and oxygen and containing at least hydrogen as a substituent, or a material having at least one of fluorine, an alkyl group, or an aromatic hydrocarbon as a substituent. These are given as representative examples, and various materials within the above conditions can be used. This siloxane-based polymer is excellent in flatness, has transparency and heat resistance, and can be heat-treated at a temperature of about 300 ° C. to 600 ° C. or less after forming an insulator made of a siloxane polymer. . By this heat treatment, for example, hydrogenation and baking treatment can be performed simultaneously.
次に、絶縁体１４１及び層間絶縁体１４７〜１５３上に、液滴吐出法により、導電性材料を含む組成物を吐出して、引き回し配線又はソース配線・ドレイン配線として機能する第２の導電体１５４〜１５８を形成する。
Next, a second conductor that functions as a lead wiring or a source wiring / drain wiring by discharging a composition containing a conductive material onto the
次に、トランジスタ１３２が含む不純物領域１６１に接する導電体１５８に接するように、液滴吐出法により、第１の電極（画素電極）として機能する導電体１３４を形成する（図２（Ａ））。次いで、公知の方法により、土手として機能する絶縁体１３３を形成し、前記導電体１３４に接するように電界発光層１３５を形成し、該電界発光層１３５に接するように導電体１３６を積層形成する。そうすると、導電体１３４、電界発光層１３５及び導電体１３６からなる発光素子が完成する。
なお、発光素子を構成する一対の電極は、一方は陽極、他方は陰極に相当する。陽極及び陰極には、金属、合金、電気伝導体化合物及びこれらの混合物といった材料を用いることが好ましく、陽極には仕事関数の大きい材料、陰極には仕事関数の小さい材料を用いる。陽極と陰極の間に挟まれる電界発光層は、有機材料（低分子、高分子、中分子）、無機材料の広汎に渡る材料により、単層、積層又は混合構造で形成され、この電界発光層におけるルミネッセンスには、一重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（蛍光）と、三重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（リン光）とが含まれる。また、電界発光層を構成する材料として、シングレットの材料、トリプレットの材料のいずれでもよく、これらの材料やその構造等については、特開２００２−１５１２６９号公報を参考にするとよい。
Next, a
Note that one of a pair of electrodes included in the light-emitting element corresponds to an anode and the other corresponds to a cathode. It is preferable to use materials such as metals, alloys, electrical conductor compounds, and mixtures thereof for the anode and the cathode. A material having a high work function is used for the anode, and a material having a low work function is used for the cathode. The electroluminescent layer sandwiched between the anode and the cathode is formed of a single layer, a stacked layer, or a mixed structure by a wide range of organic materials (low molecules, polymers, medium molecules) and inorganic materials. Luminescence in the light includes light emission (fluorescence) when returning from the singlet excited state to the ground state and light emission (phosphorescence) when returning from the triplet excited state to the ground state. The material constituting the electroluminescent layer may be either a singlet material or a triplet material. For these materials and their structures, refer to JP-A No. 2002-151269.
また、発光素子から発せられる光は、基板１００の方向（下面出射）、又は基板１００とは反対の方向（上面出射）のどちらに出射してもよい。さらに、発光素子を構成する一対の電極として、透光性を有する材料を用いるか、又は光を透過する厚さに形成することで、上面出射と下面出射の両者を行う両面出射を行ってもよい。 The light emitted from the light emitting element may be emitted either in the direction of the substrate 100 (lower surface emission) or in the direction opposite to the substrate 100 (upper surface emission). Further, as a pair of electrodes constituting the light-emitting element, a light-transmitting material is used, or a double-sided emission that performs both top emission and bottom emission is performed by forming a light transmitting thickness. Good.
最後に、全面に保護膜として機能する絶縁体１３７を形成する。なお、土手として機能する絶縁体１３３は、公知の方法により、珪素を含む材料や、有機材料等を用いて形成する。但し、電界発光層１３５はその膜厚が薄く、段切れしやすいため、曲率半径が連続的に変化するなだらかな面を得ることが可能な感光性アクリルや感光性のポリイミドを用いて形成するとよい。
Finally, an
続いて、層間絶縁体１４７〜１５３の外周に、スクリーン印刷法又はディスペンサ法により、シール材１０５を形成し、該シール材１０５を用いて、基板１００と基板１１１を貼り合わせる。上記工程を経て、発光素子を有する表示装置が完成する。
Subsequently, a sealing
上記作製方法を有する本発明は、第１の導電体１４２〜１４５、第２の導電体１５４〜１５８、導電体１３４、１３６の、導電性を有する全てのパターンを液滴吐出法で形成することを特徴とする。
上記特徴により、以下のような効果をもたらす。まず、全面に導電性材料からなる薄膜を形成し、その後パターン加工を行うと、コンタクトホール（開口部）の側面や端部に残った導電性材料により、配線間のショートが生じることがあるが、液滴吐出法で形成する本発明では、そのようなショートの発生を防止することができる。また、液滴吐出法を用いる本発明は、材料の利用効率が大幅に向上し、廃液処理量が少なくなるため、環境問題の解決に貢献したプロセスを提供することができる。さらに、マスクが不要なために製造工程が簡略化し、歩留まりが向上する。また、所謂第５世代以降の一辺が１メータ以上の基板にも容易に対応可能であり、常圧下であれば、真空機構などがいらないため、クリーンルーム内のフットプリントの増大を抑制することができる。
In the present invention having the above manufacturing method, all conductive patterns of the
The following features bring about the following effects. First, when a thin film made of a conductive material is formed on the entire surface, and then patterned, the conductive material remaining on the side surface or end of the contact hole (opening) may cause a short circuit between wirings. In the present invention formed by the droplet discharge method, occurrence of such a short circuit can be prevented. Further, according to the present invention using the droplet discharge method, the utilization efficiency of the material is greatly improved and the amount of waste liquid processing is reduced, so that it is possible to provide a process that contributes to solving environmental problems. Furthermore, since a mask is unnecessary, the manufacturing process is simplified and the yield is improved. In addition, it is possible to easily cope with a substrate having a side of a so-called fifth generation and beyond, and a substrate of 1 meter or more, and if it is under normal pressure, a vacuum mechanism or the like is not required, so an increase in footprint in the clean room can be suppressed. .
なお、図２に示した断面構造では、第２の導電体１５５〜１５８が形成されたレイヤーと同じレイヤーに画素電極として機能する導電体１３４が形成されている。しかしながら、発光素子から発せられる光が基板１００と反対側に出射する所謂上面出射の場合、開口率の向上のため、第２の導電体１５５〜１５８上に、絶縁体を１層追加して形成し、該絶縁体上に画素電極として機能する導電体を形成してもよい。その場合の断面構造を図４に示す。
In the cross-sectional structure shown in FIG. 2, a
図４において、基板１００上にトランジスタ１３２、該トランジスタ１３２上に層間絶縁体１５１〜１５３、該層間絶縁体１５１〜１５３に接する第２の導電体１５７、１５８、該第２の導電体１５８上に層間絶縁体１７０、１７１、該層間絶縁体１７０、１７１に接する第３の導電体１７４、絶縁体１７２、１７３上に該第３の導電体１７４に接する導電体（画素電極）１３４、電界発光層１３５及び導電体（対向電極）１３６からなる発光素子、そして、全面を覆う絶縁体１３７を有する。
層間絶縁体１５１〜１５３と、層間絶縁体１７０、１７１の一方又は両方は、公知の方法により、有機材料や珪素を含む無機材料で形成する。但し、有機材料を用いる場合には、脱ガス発生防止のため、有機材料で形成された薄膜の上層と下層の一方又は両方に、珪素を含む材料による薄膜を形成するとよい。
図４に示す構成を有する表示装置は、画素電極として機能する導電体１３４の配置面積を拡大することができるため、その開口率を向上させることができる。
（実施の形態２）
In FIG. 4, a
One or both of the
In the display device having the structure illustrated in FIG. 4, the arrangement area of the
(Embodiment 2)
本発明の表示装置について、図５、１２を用いて説明する。図５は本発明の表示装置の上面図であり、基板２００上に、各々が発光素子を含む複数の画素がマトリクス状に配置された表示部２５１、走査線駆動回路２５２、２５３、信号線駆動回路２５４、シール材２５５、引き回し配線２５６、２５７、層間絶縁体２５８、接続端子２５９、バリア体２６０が設けられた表示装置の上面図である。
The display device of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 5 is a top view of the display device of the present invention. A
引き回し配線２５６は、ここでは表示部２５１の外周に配置される３本の電源線を総称したものである。引き回し配線２５７も電源線であり、ここではカソード線とする。
層間絶縁体２５８とは、基板２００上に形成された複数層の絶縁体のうち、有機材料又は珪素と酸素との結合で骨格構造が形成された材料からなる絶縁体であり、具体的には、薄膜トランジスタが含むゲート絶縁膜の上層に配置された、単層又は積層の絶縁体に相当する。多くの場合において、前記絶縁体には開口部が設けられ、該開口部に充填される導電体は、上層のパターンと下層のパターンを接続する配線として機能する。従って膜厚は比較的厚く形成され、具体的には５０ｎｍ〜５μｍ（好適には１００ｎｍ〜２μｍ）の厚さで形成される絶縁体に相当する。
バリア体２６０とは、発光素子の劣化を促進する物質の侵入を防止する絶縁性材料又は導電性材料からなり、具体的には、エポキシ樹脂や導電体の水分や酸素の侵入を防止する材料を用いる。
Here, the
The
The
本発明の表示装置は、シール材２５５と層間絶縁体２５８が設けられる箇所に特徴を有する。詳しくは、層間絶縁体２５８が表示部２５１内と、引き回し配線２５６、２５７と配線が交差する部分のみに設けられる点、シール材２５５が信号線駆動回路２５４上を除いて、層間絶縁体２５８の外周に設けられる点を特徴とする。そして、信号線駆動回路２５４上の露出した層間絶縁体２５８の端部を、液滴吐出法により形成したバリア体２６０により被覆する点を最大の特徴とする。
なお、引き回し配線２５６、２５７と配線が交差する部分とは、引き回し配線２５６と表示部２５１内に配置される信号線が交差する部分、引き回し配線２５６同士が交差する部分である。
The display device of the present invention is characterized in that the
Note that the portions where the
次に、図１２に示す本発明の表示装置の上面図について説明する。図１２に示す表示装置は、図５に示す表示装置の構成と比較すると、バリア体２６１、２６２が新たに設けられ、かつ、シール材２５５が設けられる位置が異なっている。また、引き回し配線２５６は、３本の電源線を総称したものでなく、１本の電源線に相当するものである。
Next, a top view of the display device of the present invention shown in FIG. 12 will be described. The display device shown in FIG. 12 is different from the configuration of the display device shown in FIG. 5 in that the
上記構成を有する本発明の表示装置は、シール材２５５と層間絶縁体２５８が設けられる箇所に特徴を有し、層間絶縁体２５８が表示部２５１内と、引き回し配線２５６、２５７と配線が交差する部分のみに設けられる点、シール材２５５が走査線駆動回路２５２、２５３と信号線駆動回路２５４上を除いて、層間絶縁体２５８の外周に設けられる点を特徴とする。そして、走査線駆動回路２５２、２５３と信号線駆動回路２５４の端部は、液滴吐出法により形成したバリア体２６０〜２６２により被覆する点を最大の特徴とする。
The display device of the present invention having the above structure is characterized in that the
上記特徴を有する本発明は、駆動回路上以外は層間絶縁体２５８の外周にシール材２５５が設けられ、且つ、信号線駆動回路２５４上の層間絶縁体２５８の露出した部分は、液滴吐出法により形成したバリア体により被覆するために、発光素子に直接接する絶縁体に水分や酸素が侵入することを防止し、該発光素子の劣化を防止することができる。従って、ダークスポットやシュリンクを引き起こさず、製品としての信頼性を向上させた表示装置を提供することができる。さらに、駆動回路上にシール材２５５を設けるため、狭額縁化が実現された表示装置を提供することができる。
In the present invention having the above characteristics, a
なお図５、１２では、基板２００上に表示部２５１と、走査線駆動回路２５２、２５３と信号線駆動回路２５４が一体形成された表示装置を図示するが、表示装置の用途等に依っては、走査線駆動回路２５２、２５３のみを一体形成して、信号線駆動回路２５４はドライバＩＣをＣＯＧ方式で実装する方法や、全ての駆動回路についてドライバＩＣで代用する方法を採用してもよい。つまり、信号線駆動回路２５４を形成しない場合には、シール材２５５は、表示部２５１上に配置され、そうするとさらなる狭額縁化が実現される。
5 and 12 illustrate a display device in which the
図６（Ａ）は、図５のＡ−Ａ’における断面図であり、接続端子２５９、表示部２５１及び信号線駆動回路２５４の断面図である。図６（Ｂ）は、図５のＢ−Ｂ’における断面図であり、接続端子２５９と信号線駆動回路２５４の端部の断面図である。ここで、図６（Ａ）の断面構造について、図７、８を用いて、その作製工程に従って以下に説明する。
6A is a cross-sectional view taken along line A-A ′ in FIG. 5, and is a cross-sectional view of the
基板２００は、ガラス基板、石英基板、金属基板、ステンレス基板又は本作製工程の処理温度に耐えうるプラスチック基板を用いる（図７（Ａ））。必要に応じて、基板２００上に絶縁体からなる下地膜を形成する。
続いて、基板２００上に、液滴吐出法により、導電性材料を含む組成物を吐出して、導電体２０１を形成する。導電体２０１は、ゲート電極として機能する。
次に、公知の方法により、酸化珪素膜、窒化珪素膜等からなる絶縁体２０２を形成する。絶縁体２０２はゲート絶縁膜として機能する。
続いて、公知の方法により、絶縁体２０２上に、半導体２０３を形成する。ここでは、非晶質半導体とする。次いで、公知の方法により、半導体２０３上に、一導電型の不純物を含む半導体であるＮ型半導体２０４を形成する。Ｎ型半導体２０４は、非晶質半導体に不純物元素を添加するドーピング法を用いて形成しもよいし、シランガスとフォスフィンガスを用いて形成してもよい。次に、レジストとなるマスク２０５を形成する。このマスク２０５は、液滴吐出法により形成すると、露光・現像等の工程が省略でき、さらに材料の利用効率も向上するため好ましい。
As the
Subsequently, a
Next, an
Subsequently, the
そして、マスク２０５を用いて、半導体２０３及びＮ型半導体２０４を同時にパターン加工して、半導体２０６、Ｎ型半導体２０７を形成する（図７（Ｂ））。次に、液滴吐出法により、導電性材料を含む組成物を吐出して、導電体２０９、２１０を形成する。
Then, the
続いて、導電体２０９、２１０をマスクとして、半導体２０６及びＮ型半導体２０７を同時にパターン加工して、半導体２１１、Ｎ型半導体２１２、２１３を形成する（図７（Ｃ））。そうすると、導電体２０１、絶縁体２０２、半導体２０６及びＮ型半導体２０７を含むトランジスタ２３１が完成する。
なお、ここで完成したトランジスタ２３１は、非晶質半導体により構成されている。このａ−ＳｉＴＦＴを発光素子の駆動用トランジスタとして用いる場合、その電流能力の向上を目的として、チャネル幅Ｗ／チャネル長Ｌ＝１〜１００（好ましくは５〜２０）に設定することが好適である。具体的には、チャネル長を５〜１５μｍ、チャネル幅Ｗを２０〜１２００μｍ（好ましくは４０〜６００μｍ）に設定することが好適である。なお、チャネル幅Ｗとチャネル長を上記のように設定すると、画素内におけるトランジスタの占有面積が大きくなってしまう。従って、発光素子は基板と反対の方向に出射する上面出射を行うことが好ましい。
Subsequently, using the
Note that the completed
次に、全面に絶縁体２３２を形成する。この絶縁体２３２は、トランジスタ２３１が含むチャネル形成領域を保護する機能を有する。
次いで、絶縁体２３２上に、公知の方法を用いて、５０ｎｍ〜５μｍ（好適には１００ｎｍ〜２μｍ）の厚さで、全面に絶縁体を形成し、マスクを用いて所望の形状にパターニングして、層間絶縁体２１４、２１５を形成する。
なお、層間絶縁体２１４、２１５は液滴吐出法で形成することが好ましい。その理由として、公知の方法（特にスピンコート法）に比べて、材料の利用効率が格段に向上する点が挙げられる。また、液滴吐出法により、所望の箇所のみに組成物を吐出すれば、露光・現像等の工程を省略することができるため、歩留まりが格段に向上する。但し、この場合には、後の工程で導電体２１０に接続する導電体を新たに形成する前に、絶縁体２３２をパターン加工する必要がある。
Next, an
Next, an insulator is formed over the entire surface of the
Note that the
層間絶縁体２１４、２１５の材料は、酸化珪素膜等の珪素を含む材料、アクリルや透過性を有するポリイミドなどの有機材料、シロキサン系ポリマー等の重合によってできた化合物材料等を用いて、単層又は積層して形成する。
シロキサン系ポリマーは、珪素と酸素との結合で骨格構造が構成され置換基に少なくとも水素を含む材料、又は、置換基にフッ素、アルキル基若しくは芳香族炭化水素のうち少なくとも１種を有する材料の代表例として挙げたものであり、上記条件の範疇にある様々な材料を用いることができる。
有機材料と、珪素と酸素との結合で骨格構造が形成された材料は、平坦性が優れているため、後に導電体を成膜した際にも、段差部で膜厚が極端に薄くなったり、断線が起こったりすることがなく、好適である。また、珪素と酸素との結合で骨格構造が形成された材料は、また透明性や耐熱性をも有し、成膜後に３００度程度の加熱処理を行うことができる。この加熱処理により、水素化と焼成の処理を同時に行うことができる。
A material of the
A siloxane-based polymer is a representative of a material having a skeleton structure composed of a bond of silicon and oxygen and containing at least hydrogen as a substituent, or a material having at least one of fluorine, an alkyl group, or an aromatic hydrocarbon as a substituent. It is mentioned as an example, and various materials within the above conditions can be used.
A material in which a skeleton structure is formed by a combination of an organic material and silicon and oxygen has excellent flatness. Therefore, even when a conductor is formed later, the film thickness becomes extremely thin at a step portion. It is preferable that no disconnection occurs. In addition, a material in which a skeleton structure is formed by a bond of silicon and oxygen also has transparency and heat resistance, and can be subjected to heat treatment at about 300 degrees after film formation. By this heat treatment, hydrogenation and baking treatment can be performed simultaneously.
次に、導電体２１０に接するように、液滴吐出法により、導電性材料を含む組成物を吐出して、引き回し配線等の配線又はソース配線・ドレイン配線として機能する第２の導電体２０８、２１６、２１７を形成する（図８（Ａ））。
Next, a
この際、図示するように、層間絶縁体２１４の端部２３０は露出した状態にある。露出した状態のままであると、ここから水分や酸素が侵入し、これらの侵入物により発光素子が劣化する可能性がある。そこで、露出した端部２３０を、液滴吐出法により、組成物を吐出して、バリア体２１８を形成する（図８（Ｂ））。
ここで用いる組成物は、水分や酸素の侵入を防止する性質を有し、且つ、液滴吐出法で形成が可能な粘度が５０ｃｐ以下の組成物を用いればよい。これらの性質を有するものとしては、例えば、公知の導電性材料や、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、ノボラック樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂等の樹脂材料を用いる。なおこれらの樹脂材料を用いる場合、その粘度は、溶媒を用いて溶解又は分散することで調整するとよい。また、撥水性の樹脂が好ましく、例えば、フッ素原子が含まれた樹脂、あるいは炭化水素のみで構成された樹脂が挙げられる。より詳しくは、分子内にフッ素原子を含有するモノマーを含む樹脂、或いは全て炭素と水素原子のみから構成されるモノマーを含む樹脂が挙げられる。
なお、バリア体２１８を導電性材料で形成する際には、配線とのショートが生じないように、パターンを形成する必要がある。従って、配線とのショートが発生する可能性がある領域においては、バリア体２１８は樹脂材料で形成することが好ましい。また、バリア体２１８の形成に際し、端部２３０の角度によっては、段切れを起こす可能性がある。従って、端部２３０は、ならだかな傾斜面になるように形成することが必要であり、具体的には、３０〜７０度のテーパー形状に形成するとよい。さらに、この段切れを防止するために、１滴又は複数滴を吐出後に焼成して、組成物を固化する処理を繰り返し行うとよい。
At this time, as illustrated, the end 230 of the
The composition used here may have a property of preventing intrusion of moisture and oxygen and a composition having a viscosity of 50 cp or less that can be formed by a droplet discharge method. As what has these characteristics, resin materials, such as a well-known electroconductive material and an epoxy resin, an acrylic resin, a phenol resin, a novolak resin, a melamine resin, a urethane resin, are used, for example. In addition, when using these resin materials, the viscosity is good to adjust by melt | dissolving or disperse | distributing using a solvent. In addition, a water-repellent resin is preferable, and examples thereof include a resin containing a fluorine atom or a resin composed only of a hydrocarbon. More specifically, a resin containing a monomer containing a fluorine atom in the molecule, or a resin containing a monomer composed entirely of carbon and hydrogen atoms can be given.
Note that when the
また、図８（Ｃ）は、図５のＢ−Ｂ’における断面図である。図示するように、Ｂ−Ｂ’における領域では、層間絶縁体２２９は導電体２３３に被覆されている。従って、外部からの水分や酸素の侵入はある程度防止できる。しかし、より確実に外部からの不純物の侵入を防止するために、バリア体２２８を形成することが好ましい。
FIG. 8C is a cross-sectional view taken along B-B ′ of FIG. As shown in the drawing, the
次に、導電体２１７に接するように、液滴吐出法により、第１の電極（画素電極）として機能する導電体２２０を形成する（図６（Ａ））。次に、公知の方法により、土手となる絶縁体２２１、２２２を形成し、前記導電体２２０に接するように電界発光層２２３を形成し、該電界発光層２２３に接するように導電体２２４を積層形成する。そうすると、導電体２２０、電界発光層２２３及び導電体２２４からなる発光素子が完成する。最後に、全面に保護膜として機能する絶縁体２２５を形成する。
Next, a
次に、スクリーン印刷法又はディスペンサ法により、シール材２２６を形成し、該シール材２２６を用いて、基板２００と対向基板２２７を貼り合わせる。上記工程を経て、図６（Ａ）（Ｂ）に示すような、発光素子を有する表示装置が完成する。
Next, a
なお、バリア体２１８は、シール材を用いて行う封止前に形成しているが、本発明はこれに限定されず、封止後、バリア体２１８の形成を行ってもよい。その場合、バリア体２１８は、表示部２５１上に形成しなければ、対向基板２２７を被覆するように形成してもよい。
Note that although the
上記作製方法を有する本発明は、導電体２０１、２０８〜２１０、２１６、２１７、２２０の導電性を有する全てのパターンを液滴吐出法で形成することを特徴とする。
上記特徴により、以下のような効果をもたらす。まず、全面に導電性材料からなる薄膜を形成し、その後パターン加工を行うと、コンタクトホール（開口部）の側面や端部に導電性材料が残ってしまい、配線間のショートが生じることがあるが、液滴吐出法で形成する本発明では、そのようなショートの発生を防止することができる。
The present invention having the above manufacturing method is characterized in that all the conductive patterns of the
The following features bring about the following effects. First, if a thin film made of a conductive material is formed on the entire surface and then patterned, the conductive material may remain on the side surface and end of the contact hole (opening), resulting in a short circuit between the wirings. However, in the present invention formed by the droplet discharge method, such a short circuit can be prevented.
なお、図６に示した断面構造では、導電体２１６、２１７が形成されたレイヤーと同じレイヤーに画素電極として機能する導電体２２０が形成されている。しかしながら、図４に示すように、発光素子から発せられる光が基板２００と反対側に出射する所謂上面出射の場合、開口率の向上のため、導電体２１６、２１７上に、絶縁体を１層追加して形成し、該絶縁体上に画素電極として機能する導電体を形成してもよい。上記構成を有する表示装置は、画素電極として機能する導電体１３４の配置面積を拡大することができるため、その開口率を向上させることができる。
In the cross-sectional structure shown in FIG. 6, a
本実施の形態は、実施の形態１と自由に組み合わせることができる。 This embodiment mode can be freely combined with Embodiment Mode 1.
本発明の配線の作製及び半導体装置の作製の際に用いられる液滴吐出装置の一例について、図９を用いて説明する。まず、液滴吐出装置の構成について図９（Ａ）を用いて簡単に説明する。本装置の必須の構成要素としては、１つのノズルを具備する液滴吐出手段（図示せず）、又は複数のノズルが一軸方向に配列されたヘッドを具備する液滴吐出手段（図示せず）、該液滴吐出手段を制御するコントローラ及びＣＰＵ（図示せず）、基板６４０１を固定しＸＹθ方向に可動するステージ６４０３等が挙げられる。なお、タクトタイムの向上という点から、複数のノズルが一軸方向に配列されたヘッドを具備する液滴吐出手段を用いることが好ましい。
An example of a droplet discharge device used for manufacturing the wiring and the semiconductor device of the present invention will be described with reference to FIGS. First, the structure of the droplet discharge device will be briefly described with reference to FIG. As an essential component of this apparatus, a droplet discharge means (not shown) having one nozzle, or a droplet discharge means (not shown) having a head in which a plurality of nozzles are arranged in a uniaxial direction. And a controller and CPU (not shown) for controlling the droplet discharge means, a
６４０２は液滴吐出手段を設置する枠であり、図９（Ｂ）に図示する液滴吐出手段を嵌める構造になっている。このステージ６４０３は、基板６４０１を真空チャック等の手法で固定する機能も有する。そして、液滴吐出手段が有する各ノズルの吐出口から基板６４０１の方向に組成物が吐出されて、パターンが形成される。
ステージ６４０３と液滴吐出手段は、コントローラを介してＣＰＵにより制御される。また、ＣＣＤカメラなどの撮像手段（図示せず）もＣＰＵにより制御される。撮像手段は、マーカーの位置を検出して、その検出した情報をＣＰＵに供給する。なお、パターンの作製に際し、液滴吐出手段を移動してもよいし、液滴吐出手段を固定してステージ６４０３を移動させてもよい。但し、液滴吐出手段を移動する場合には、組成物の加速度や、液滴吐出手段に具備されたノズルと被処理物との距離、その環境を考慮して行う必要がある。
The
その他、図示しないが、付随する構成要素として、吐出した組成物の着弾精度を向上させるために、液滴吐出手段が上下に動く移動機構とその制御手段等を設けてもよい。そうすると、吐出する組成物の特性に応じて、ヘッドと基板６４０１の距離を変えることができる。さらに、清浄な空気を供給し、作業領域の埃を低減するクリーンユニット等を設けてもよい。また、図示しないが、基板を加熱する手段、加えて温度、圧力等、種々の物性値を測定する手段を、必要に応じて設置しても良く、これら手段も、筐体の外部に設置した制御手段によって一括制御することが可能である。さらに制御手段をＬＡＮケーブル、無線ＬＡＮ、光ファイバ等で生産管理システム等に接続すれば、工程を外部から一律管理することが可能となり、生産性を向上させることに繋がる。なお、着弾した組成物の乾燥を早め、また組成物の溶媒成分を除去するために、真空排気を行って、減圧下で動作させてもよい。
In addition, although not shown in the drawings, as an accompanying component, in order to improve the landing accuracy of the discharged composition, a moving mechanism in which the droplet discharging means moves up and down, its control means, and the like may be provided. Then, the distance between the head and the
図９（Ｂ）は液滴吐出手段を示しており、６４０４は圧電素子、６４０５、６４０６は枠であり、図９（Ａ）に示す枠６４０２に嵌める際に用いる。６４０７は吐出口である。なお、図９（Ｂ）では、圧電素子を用いた、所謂ピエゾ方式の場合を図示したが、溶液の材料によっては、発熱体を発熱させ気泡を生じさせ溶液を押し出す方式を用いても良い。この場合、圧電素子を発熱体に置換した構造となる。また液滴吐出のためには、溶液と、液室流路、予備液室、流体抵抗部、加圧室、溶液吐出口との濡れ性が重要となる。そのため材質との濡れ性を調整するための炭素膜、樹脂膜等をそれぞれの流路に形成してもよい。また、枠６４０５、６４０６の内部には、配線や供給管等が設けられ、図９（Ａ）に示す装置に図９（Ｂ）に示す液滴吐出手段が取り付けられた際には、該配線は圧電素子を制御するための駆動回路に接続され、該供給管は組成物が充填されたタンクに接続される。
FIG. 9B shows a droplet discharge means,
本発明を適用して作製される電子機器の一例として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、カーオーディオなどの音響再生装置、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機又は電子書籍等）、家庭用ゲーム機などの記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤＶＤ等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置）などが挙げられる。それら電子機器の具体例を図１０、図１１に示す。 As an example of an electronic device manufactured by applying the present invention, a video camera, a digital camera, a goggle type display, a navigation system, a sound reproducing device such as a car audio, a notebook type personal computer, a game device, a portable information terminal (mobile computer) , A mobile phone, a portable game machine, an electronic book, etc.), an image playback device equipped with a recording medium such as a home game machine (specifically, a display capable of playing back a recording medium such as a DVD and displaying the image) And the like). Specific examples of these electronic devices are shown in FIGS.
図１０（Ａ）は携帯端末であり、本体９１０１、表示部９１０２等を含む。図１０（Ｂ）は、携帯端末の内部に配置された、表示部９１０２、駆動回路９１０３が一体形成されたパネルを示す。図１０（Ｃ）はＰＤＡであり、本体９２０１、表示部９２０２等を含む。図１０（Ｄ）は、携帯型ゲーム機器であり、本体９４０１、表示部９４０２等を含む。図１０（Ｅ）は、デジタルビデオカメラであり、表示部９７０１、９７０２等を含む。
FIG. 10A illustrates a portable terminal, which includes a
本発明は、表示部９１０２、９２０２、９４０２、９７０１及び９７０２が含む各パネルとその作製に適用される。これらの表示部を含む各パネルは、一対の基板が貼り合わせられたものであり、本発明は、このパネルとその作製方法に適用される。
The present invention is applied to each panel included in the
図１１（Ａ）は、テレビであり、筐体９５０１、表示部９５０２等を含む。図１１（Ｂ）は、パソコンと付属して用いるモニターであり、筐体９６０１、表示部９６０２等を含む。図１１（Ｃ）は、ノートパソコンであり、筐体９８０１、表示部９８０２等を含む。
FIG. 11A illustrates a television, which includes a
本発明は、表示部９５０２、９６０２及び９８０２を含む各パネルの作製に適用される。なお、図１１（Ａ）〜（Ｃ）に示す電子機器のように、１０インチ以上のサイズの表示部９５０２、９６０２及び９８０２を含む各パネルは、価格やプロセスの観点から、実施の形態２で示したように、非晶質半導体でチャネル部を形成する薄膜トランジスタ（ａ−ＳｉＴＦＴ）により構成することが好適である。非晶質半導体は、作製工程における結晶化工程を省くことができるため、安価な電子機器を提供することができる。
The present invention is applied to manufacture of each panel including the
ダークスポットやシュリンクを引き起こさず、製品としての信頼性を向上させた本発明の表示装置を適用すれば、長寿命化を実現した電子機器を提供することができる。また、液滴吐出法を適用することで簡略化した表示装置の作製方法を提供する本発明により、低価格化を実現した電子機器を提供することができる。 By applying the display device of the present invention, which does not cause dark spots and shrinkage and has improved reliability as a product, an electronic device with a long life can be provided. In addition, according to the present invention which provides a method for manufacturing a display device that is simplified by applying a droplet discharge method, an electronic device with reduced cost can be provided.
なお、上記に挙げた電子機器において、図１０に示す携帯型の端末には、表示部に設ける表示素子として、自発光型の発光素子を用いることが好ましい。発光素子は、バックライトなどが必要ないため、液晶素子を用いる場合に比べて、薄型・小型・軽量が実現されるためである。また、図１１に示すように、１０インチ以上の比較的大型の電子機器においても、発光素子を用いることによって、薄型、小型・軽量が実現される。特に、図１１（Ａ）に示すような、４０インチ程度のテレビにおいては、ＣＲＴのテレビと比較すると、その重さや大きさが格段に向上する。 Note that in the above-described electronic device, a self-luminous light-emitting element is preferably used as a display element provided in the display portion in the portable terminal illustrated in FIG. This is because a light-emitting element does not require a backlight or the like, and thus is thinner, smaller, and lighter than when a liquid crystal element is used. In addition, as shown in FIG. 11, even in a relatively large electronic device of 10 inches or more, thinness, small size, and light weight are realized by using a light emitting element. In particular, in a television of about 40 inches as shown in FIG. 11A, the weight and size are significantly improved compared to a CRT television.
１００ 基板
１０１ 表示部
１０２ 走査線駆動回路
１０３ 走査線駆動回路
１０４ 信号線駆動回路
１０５ シール材
１０６ 引き回し配線
１０６ｒ 導電体
１０６ｇ 導電体
１０６ｂ 導電体
１０７ 引き回し配線
１０８ 層間絶縁体
１０９ 接続端子
１１０ 領域
１１１ 基板
DESCRIPTION OF
Claims (4)
前記第１の薄膜トランジスタと前記第２の薄膜トランジスタ上に層間絶縁層を形成し、
前記層間絶縁層上に発光素子を形成し、
前記第１の薄膜トランジスタと前記発光素子が設けられた表示部内に、導電性材料を含む第１の組成物を吐出して配線を形成し、
前記表示部の外周に、導電性材料を含む第２の組成物を吐出して、引き回し配線を形成し、
前記第２の薄膜トランジスタが設けられた駆動回路内の前記層間絶縁層の端部を被覆するように、絶縁性材料を含む組成物を吐出してバリア体層を形成し、
前記表示部内の前記層間絶縁層の外周と、前記駆動回路内の前記層間絶縁層上に、シール材を形成し、
前記第１の基板と対向するように第２の基板を設けて、前記シール材を用いて前記第１の基板と前記第２の基板を貼り合わせ、
前記第１の薄膜トランジスタと前記第２の薄膜トランジスタのそれぞれが含むゲート電極は、導電性材料を含む第３の組成物を吐出して形成され、
前記層間絶縁層は、前記表示部内、及び前記配線と前記引き回し配線との交差部に形成され、
前記配線及び前記引き回し配線が設けられている領域において、前記配線と前記引き回し配線との交差部以外には前記層間絶縁層が設けられておらず、
前記層間絶縁層は、有機材料または珪素と酸素の結合で骨格構造が形成された材料により形成され、
前記層間絶縁層の端部は、３０〜７０度のテーパー形状を有し、
前記バリア体層を、前記絶縁性材料を含む組成物の液滴を１滴または複数滴吐出した後に焼成する処理を繰り返し行うことにより形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 Forming a first thin film transistor and a second thin film transistor on a first substrate;
Forming an interlayer insulating layer on the first thin film transistor and the second thin film transistor;
Forming a light emitting element on the interlayer insulating layer;
In the display portion provided with the first thin film transistor and the light emitting element, a first composition containing a conductive material is discharged to form a wiring.
On the outer periphery of the display portion, a second composition containing a conductive material is discharged to form a lead wiring,
A barrier body layer is formed by discharging a composition containing an insulating material so as to cover an end portion of the interlayer insulating layer in the driving circuit provided with the second thin film transistor;
Forming a sealing material on the outer periphery of the interlayer insulating layer in the display unit and on the interlayer insulating layer in the drive circuit;
A second substrate is provided so as to face the first substrate, and the first substrate and the second substrate are bonded together using the sealing material,
A gate electrode included in each of the first thin film transistor and the second thin film transistor is formed by discharging a third composition including a conductive material,
The interlayer insulating layer is formed in the display portion and at the intersection of the wiring and the lead wiring,
In the region where the wiring and the routing wiring are provided, the interlayer insulating layer is not provided other than the intersection of the wiring and the routing wiring,
The interlayer insulating layer is formed of an organic material or a material in which a skeleton structure is formed by a bond of silicon and oxygen,
The end of the interlayer insulating layer has a tapered shape of 30 to 70 degrees,
A method for manufacturing a display device, wherein the barrier body layer is formed by repeatedly performing a firing process after discharging one or a plurality of droplets of the composition containing the insulating material.
前記絶縁性材料は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ノボラック樹脂、メラミン樹脂、またはウレタン樹脂であることを特徴とする表示装置の作製方法。 In claim 1 ,
The method for manufacturing a display device, wherein the insulating material is an epoxy resin, a phenol resin, a novolac resin, a melamine resin, or a urethane resin.
前記絶縁性材料は、分子内にフッ素原子を含有するモノマーを含む樹脂、または炭素原子と水素原子のみから構成されるモノマーを含む樹脂であることを特徴とする表示装置の作製方法。 In claim 1 ,
The method for manufacturing a display device, wherein the insulating material is a resin including a monomer containing a fluorine atom in a molecule or a resin including a monomer including only a carbon atom and a hydrogen atom.
前記第１の組成物、前記第２の組成物および前記第３の組成物は、それぞれ、被覆剤により粒子の表面が覆われた導電体を溶解または分散させたものであることを特徴とする表示装置の作製方法。 In any one of Claims 1 thru | or 3 ,
Each of the first composition, the second composition, and the third composition is obtained by dissolving or dispersing a conductor whose particle surface is covered with a coating agent. A method for manufacturing a display device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004248225A JP4817627B2 (en) | 2003-08-29 | 2004-08-27 | Method for manufacturing display device |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003307267 | 2003-08-29 | ||
| JP2003307267 | 2003-08-29 | ||
| JP2004248225A JP4817627B2 (en) | 2003-08-29 | 2004-08-27 | Method for manufacturing display device |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005100979A JP2005100979A (en) | 2005-04-14 |
| JP2005100979A5 JP2005100979A5 (en) | 2007-08-30 |
| JP4817627B2 true JP4817627B2 (en) | 2011-11-16 |
Family
ID=34467401
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004248225A Expired - Fee Related JP4817627B2 (en) | 2003-08-29 | 2004-08-27 | Method for manufacturing display device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4817627B2 (en) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8350466B2 (en) | 2004-09-17 | 2013-01-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
| JP4687351B2 (en) * | 2005-09-20 | 2011-05-25 | カシオ計算機株式会社 | Manufacturing method of display panel |
| JP5880100B2 (en) * | 2012-02-10 | 2016-03-08 | コニカミノルタ株式会社 | Manufacturing method of transparent electrode |
| US9692008B2 (en) | 2013-06-11 | 2017-06-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Organic electroluminescent display device |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11233257A (en) * | 1998-02-12 | 1999-08-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Dispersed electroluminescent element and its manufacture |
| JP2000133649A (en) * | 1998-10-22 | 2000-05-12 | Canon Inc | Formation of insulating film on element circuit substrate |
| JP4831873B2 (en) * | 2000-02-22 | 2011-12-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Self-luminous device and manufacturing method thereof |
| JP4101529B2 (en) * | 2001-02-22 | 2008-06-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Display device and manufacturing method thereof |
| JP2003203783A (en) * | 2001-10-26 | 2003-07-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light emitting device |
| JP2003208980A (en) * | 2002-01-11 | 2003-07-25 | Fuji Electric Co Ltd | Color conversion filter board and color conversion color display using it |
| JP3864796B2 (en) * | 2002-02-06 | 2007-01-10 | セイコーエプソン株式会社 | Drawing pattern data generation method, drawing pattern data generation apparatus, functional droplet discharge apparatus including the same, liquid crystal display device manufacturing method, organic EL device manufacturing method, electron emission device manufacturing method, PDP device manufacturing method, electricity Electrophoretic display manufacturing method, color filter manufacturing method, organic EL manufacturing method, spacer forming method, metal wiring forming method, lens forming method, resist forming method, and light diffuser forming method |
| JP2003243327A (en) * | 2002-02-20 | 2003-08-29 | Seiko Epson Corp | Electronic device, and method and device for forming wiring |
-
2004
- 2004-08-27 JP JP2004248225A patent/JP4817627B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2005100979A (en) | 2005-04-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9287343B2 (en) | Display device and method for manufacturing the same | |
| JP4748955B2 (en) | Pattern fabrication method | |
| US7812355B2 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same, liquid crystal television, and EL television | |
| US7358183B2 (en) | Method for manufacturing wiring and method for manufacturing semiconductor device | |
| US7955907B2 (en) | Semiconductor device, television set, and method for manufacturing the same | |
| JP4939756B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| JP4619060B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| US9237657B2 (en) | Wiring substrate, semiconductor device, and method for manufacturing thereof | |
| JP2004241770A (en) | Method of manufacturing conductive layer and method of manufacturing semiconductor device | |
| JP4498715B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| JP4554292B2 (en) | Method for manufacturing thin film transistor | |
| JP4817627B2 (en) | Method for manufacturing display device | |
| JP4785396B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| JP4877866B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| JP4623986B2 (en) | Method for manufacturing display device | |
| JP4718818B2 (en) | Method for manufacturing thin film transistor | |
| JP4683898B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070712 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070712 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110105 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110215 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110517 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110527 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110823 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110830 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140909 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140909 Year of fee payment: 3 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |