JP4813362B2 - 半導体メモリカード - Google Patents
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Description
まず、実施の形態1のICカードの構成を図2を用いて説明する。
図2は、実施の形態1のICカード100の機能的な構成を示す機能ブロック図である。ICカード100は、本発明の半導体メモリカードの一例であり、複数のアプリケーションプログラムを実行可能な非接触型ICカードである。
上述の実施の形態1では、ICカード100が、サーバ104から提供される単一のサービスに対応する処理を継続して実行する場合を説明した。実施の形態2では、ICカード100が、複数のサービスのそれぞれに対応する独立した処理を、それぞれの処理ごとに断続的に実行する場合について説明する。
実施の形態3として、実施の形態1および2のICカード100のセキュリティを向上させるための構成について説明を行なう。ICカード100のセキュリティを向上させることにより、秘匿性の高い情報の処理を断続的に、かつ、より安全に実行することができる。なお、具体的な説明および図示は実施の形態2のICカード100を基礎として行なう。また、実施の形態3のICカード100の使用環境は、実施の形態1または実施の形態2と同じである。
実施の形態3では、レジスタ情報を退避させる際に暗号化強度を示す情報を利用し、実施の形態1および2のICカード100のセキュリティを向上させる構成について説明した。
以上、実施の形態1〜4について説明した。なお、これまでの説明においてICカード100が備える、電圧検出部300、退避部302、I/F部301、復帰部303、通信種別取得部800、退避判断部304、認証部305および復帰判断部306のそれぞれは、コンピュータプログラムとして実現される。当該プログラムは、ICカード100のROMに格納され実行されるものと、外部よりダウンロードされ、FeRAM202に格納され実行されるものとがある。
また、さらに、上述の電圧検出部300等の機能ブロックは、CPU、RAM、ROM、不揮発性メモリ等のハードウェア資源との組み合わせにより、集積回路であるLSIとして実現される場合がある。これらは、個別に1チップ化されても良いし、一部又はすべてを含むように1チップ化されても良い。
202 FeRAM
203 アンテナ
300 電圧検出部
301 I/F部
302 退避部
303 復帰部
304 退避判断部
305 認証部
306 復帰判断部
800 通信種別取得部
Claims (7)
- プログラムを実行可能な半導体メモリカードであって、
情報を格納する不揮発性メモリと、
実行中のプログラムに関する情報を格納するレジスタと、
前記半導体メモリカードに対する供給電圧の変化を検出する検出部と、
他の機器と通信する通信部と、
前記検出部が所定の電圧低下状態を検出した場合、前記レジスタに格納されている情報であるレジスタ情報と、前記プログラムを特定するための付加情報と、前記プログラムが利用する暗号の強度を示す暗号情報とを対応付けて前記不揮発性メモリに退避させる退避部と、
前記レジスタ情報を前記レジスタに復帰させる前に、前記暗号情報に示される暗号の強度が所定の強度以上であるか否かを判断する復帰判断部と、
前記復帰判断部が、前記暗号情報に示される暗号の強度が所定の強度以上であると判断した場合、前記他の機器の認証を行なう認証部と、
前記検出部が所定の電圧上昇状態を検出した場合、前記不揮発性メモリに格納されている前記付加情報が所定の条件を満たし、かつ、前記認証部による前記他の機器の認証が成功したとき、前記レジスタ情報を前記レジスタに復帰させる復帰部と
を備える半導体メモリカード。 - 前記不揮発性メモリは破壊読出し領域を有し、
前記半導体メモリカードは、更に、前記退避部が前記レジスタ情報を前記レジスタに退避させる前に、実行中のプログラムが利用する暗号の強度が所定の強度以上であるか否かを判断する退避判断部を備え、
前記退避部は、前記検出部が所定の電圧低下状態を検出した場合、前記退避判断部により前記暗号の強度が所定の強度以上であると判断されたとき、前記レジスタ情報と前記付加情報と、前記プログラムが利用する暗号の強度を示す暗号情報とを対応付けて前記不揮発性メモリの前記破壊読出し領域に退避させる
請求項1記載の半導体メモリカード。 - 前記不揮発性メモリは、Ferroelectric Random Access Memory(FeRAM)である
請求項2記載の半導体メモリカード。 - プログラムを実行可能な半導体メモリカードにおいて前記プログラムを断続的に実行するためのプログラム実行方法であって、
前記半導体メモリカードは、情報を格納する不揮発性メモリと、実行中のプログラムに関する情報を格納するレジスタと、他の機器と通信する通信部とを有し、
前記プログラム実行方法は、
前記半導体メモリカードに対する供給電圧の変化を検出する検出ステップと、
前記検出ステップにおいて、所定の電圧低下状態が検出された場合、前記レジスタに格納されている情報であるレジスタ情報と、前記プログラムを特定するための付加情報と、前記プログラムが利用する暗号の強度を示す暗号情報とを対応付けて前記不揮発性メモリに退避させる退避ステップと、
前記レジスタ情報を前記レジスタに復帰させる前に、前記暗号情報に示される暗号の強度が所定の強度以上であるか否かを判断する復帰判断ステップと、
前記復帰判断ステップにおいて、前記暗号情報に示される暗号の強度が所定の強度以上であると判断した場合、前記他の機器の認証を行なう認証ステップと、
前記検出ステップにおいて、所定の電圧上昇状態が検出された場合、前記不揮発性メモリに格納されている前記付加情報が所定の条件を満たし、かつ、前記認証ステップにおける前記他の機器の認証が成功したとき、前記レジスタ情報を前記レジスタに復帰させる復帰ステップと
を含むプログラム実行方法。 - アプリケーションプログラムを実行可能な半導体メモリカードにおいて前記アプリケーションプログラムを断続的に実行するための実行プログラムであって、
前記半導体メモリカードは、情報を格納する不揮発性メモリと、実行中のアプリケーションプログラムに関する情報を格納するレジスタと、他の機器と通信する通信部とを有し、
前記実行プログラムは、
前記半導体メモリカードに対する供給電圧の変化を検出する検出ステップと、
前記検出ステップにおいて、所定の電圧低下状態が検出された場合、前記レジスタに格納されている情報であるレジスタ情報と、前記アプリケーションプログラムを特定するための付加情報と、前記プログラムが利用する暗号の強度を示す暗号情報とを対応付けて前記不揮発性メモリに退避させる退避ステップと、
前記レジスタ情報を前記レジスタに復帰させる前に、前記暗号情報に示される暗号の強度が所定の強度以上であるか否かを判断する復帰判断ステップと、
前記復帰判断ステップにおいて、前記暗号情報に示される暗号の強度が所定の強度以上であると判断した場合、前記他の機器の認証を行なう認証ステップと、
前記検出ステップにおいて、所定の電圧上昇状態が検出された場合、前記不揮発性メモリに格納されている前記付加情報が所定の条件を満たし、かつ、前記認証ステップにおける前記他の機器の認証が成功したとき、前記レジスタ情報を前記レジスタに復帰させる復帰ステップと
をコンピュータに実行させるための実行プログラム。 - アプリケーションプログラムを実行可能な半導体メモリカードにおいて前記アプリケーションプログラムを断続的に実行するための実行プログラムが格納された、コンピュータが読み取り可能な記録媒体であって、
前記半導体メモリカードは、情報を格納する不揮発性メモリと、実行中のアプリケーションプログラムに関する情報を格納するレジスタと、他の機器と通信する通信部とを有し、
前記記録媒体は、
前記半導体メモリカードに対する供給電圧の変化を検出する検出ステップと、
前記検出ステップにおいて、所定の電圧低下状態が検出された場合、前記レジスタに格納されている情報であるレジスタ情報と、前記アプリケーションプログラムを特定するための付加情報と、前記プログラムが利用する暗号の強度を示す暗号情報とを対応付けて前記不揮発性メモリに退避させる退避ステップと、
前記レジスタ情報を前記レジスタに復帰させる前に、前記暗号情報に示される暗号の強度が所定の強度以上であるか否かを判断する復帰判断ステップと、
前記復帰判断ステップにおいて、前記暗号情報に示される暗号の強度が所定の強度以上であると判断した場合、前記他の機器の認証を行なう認証ステップと、
前記検出ステップにおいて、所定の電圧上昇状態が検出された場合、前記不揮発性メモリに格納されている前記付加情報が所定の条件を満たし、かつ、前記認証ステップにおける前記他の機器の認証が成功したとき、前記レジスタ情報を前記レジスタに復帰させる復帰ステップと
をコンピュータに実行させるための実行プログラムが格納された記録媒体。 - プログラムを実行可能な半導体メモリカードにおいてプログラムを断続的に実行するための集積回路であって、
前記半導体メモリカードは、情報を格納する不揮発性メモリと、他の機器と通信する通信部とが設けられており、
前記集積回路は、
実行中のプログラムに関する情報を格納するレジスタと、
前記半導体メモリカードに対する供給電圧の変化を検出する検出部と、
前記検出部が所定の電圧低下状態を検出した場合、前記レジスタに格納されている情報であるレジスタ情報と、前記プログラムを特定するための付加情報と、前記プログラムが利用する暗号の強度を示す暗号情報とを対応付けて前記不揮発性メモリに退避させる退避部と、
前記レジスタ情報を前記レジスタに復帰させる前に、前記暗号情報に示される暗号の強度が所定の強度以上であるか否かを判断する復帰判断部と、
前記復帰判断部が、前記暗号情報に示される暗号の強度が所定の強度以上であると判断した場合、前記他の機器の認証を行なう認証部と、
前記検出部が所定の電圧上昇状態を検出した場合、前記不揮発性メモリに格納されている前記付加情報が所定の条件を満たし、かつ、前記認証部による前記他の機器の認証が成功したとき、前記レジスタ情報を前記レジスタに復帰させる復帰部と
を備える集積回路。
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