JP4811518B2 - 弾性表面波装置 - Google Patents
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Description
本発明は、帯域フィルタや共振子等に用いられる弾性表面波装置に関し、より詳細には、水晶からなる圧電基板上にIDT電極及びZnOからなる圧電膜が積層された構造を有する弾性表面波装置に関する。
従来、さまざまな圧電材料を用いて、種々の弾性表面波装置が提案されている。例えば、下記の非特許文献1には、ZnO膜と水晶とを積層した構造を有する小型の弾性表面波フィルタが開示されている。ここでは、27°YカットX伝搬の水晶からなる圧電基板上にAlからなるIDT電極が形成されており、IDT電極を覆うようにZnOからなる圧電膜が積層されたトランスバーサル型の弾性表面波フィルタが示されている。IDT電極の弾性表面波の波長で規格化した膜厚H/λが0.02とされている。ZnOからなる圧電膜の規格化膜厚H/λは0.3とされており、それによって、WCDMA方式の携帯電話機のIF段の380MHz帯の帯域フィルタが構成されている。
「ZnO膜/水晶構造を用いた小型、低損失フィルタ」第31回EMシンポジウム、pp、87−94(2002/5)
「ZnO膜/水晶構造を用いた小型、低損失フィルタ」第31回EMシンポジウム、pp、87−94(2002/5)
非特許文献1に記載のように、従来、ZnO/IDT電極/水晶からなる積層構造については、トランスバーサル型の弾性表面波フィルタ装置への応用が検討されていた。
他方、表面波装置としては、トランスバーサル型の弾性表面波フィルタの他に、電極における表面波の反射を利用した弾性表面波共振子や、弾性表面波共振子型フィルタなどの共振子型の弾性表面波装置が知られている。もっとも、ZnO/IDT電極/水晶からなる構造の共振子型の弾性表面波フィルタ装置への応用は十分に検討されていなかった。
近年、携帯電話機の帯域フィルタとしては、比帯域幅が約1%と狭帯域であり、かつ選択度に優れた帯域フィルタが求められている。例えば、クオルコム社によるメディアFLO(登録商標)のような携帯電話向け映像放送サービスでは、中心周波数700MHzであり、かつ帯域幅が6MHz(比帯域幅で0.85%)の帯域フィルタが求められている。このような狭帯域で、選択度に優れた帯域フィルタは、トランスバーサル型の弾性表面波フィルタでは実現が困難であった。また、LiTaO3、LiNbO3または水晶などを圧電基板として用いた縦結合共振子型の弾性表面波フィルタでも、温度特性が悪いあるいは電気機械結合係数が適していない等の理由からこのような帯域幅を得ることは困難であった。
なお、共振子型の弾性表面波装置において、IDT電極の周期で定まる波長をλ、圧電基板におけるIDT部が電気的開放時の位相速度をV、IDT部が電気的短絡時の位相速度VmとしたときのV−VmをΔV、中心周波数をF、帯域幅をΔFとした場合、電気機械結合係数K2は下記の式(1)を満たしている。但し、式(1)において∝は比例を意味する。
K2/2=|ΔV|/V
=|ΔV/λ|/(V/λ)∝|ΔF|/F…式(1)
上記比帯域幅0.85%を確保した上で、共振子型の弾性表面波フィルタ装置を小型化するには、IDT電極の電極指の反射係数を高めることが求められる。しかしながら、従来、共振子型の弾性表面波フィルタ装置において、反射係数を十分に高めることは困難であり、従って、上記のような要求に応える共振子型の弾性表面波フィルタ装置を実現することはできなかった。
=|ΔV/λ|/(V/λ)∝|ΔF|/F…式(1)
上記比帯域幅0.85%を確保した上で、共振子型の弾性表面波フィルタ装置を小型化するには、IDT電極の電極指の反射係数を高めることが求められる。しかしながら、従来、共振子型の弾性表面波フィルタ装置において、反射係数を十分に高めることは困難であり、従って、上記のような要求に応える共振子型の弾性表面波フィルタ装置を実現することはできなかった。
本発明の目的は、上述した従来技術の現状に鑑み、IDT電極の電極指の反射係数を高めることができ、それによって、狭い比帯域幅を実現することを可能とする共振子型の弾性表面波装置を提供することにある。
本発明によれば、オイラー角が(0°±5°,0°〜140°,0°±40°)である水晶からなる圧電基板と、前記圧電基板上に形成されており、かつ複数本の電極指を有するIDT電極と、前記IDT電極の電極指間に配置されており、かつ該電極指と同じ厚みを有するSiO2膜と、前記IDT電極及び前記SiO2膜を覆うように形成されており、かつc軸配向のZnOからなる圧電膜とを備え、弾性表面波としてレイリー波が利用される弾性表面波装置において、前記IDT電極が、Au、Ta、W、Pt、Cu、Ni及びMoからなる群から選択された少なくとも1種の金属を主体とする金属材料からなり、弾性表面波の波長をλとした場合、前記IDT電極において主体となる金属と、前記IDT電極のλで規格化してなる規格化膜厚h/λと、前記圧電膜のλで規格化してなる規格化膜厚h/λとが、下記の表1で示す各組み合わせの範囲内とされていることを特徴とする、弾性表面波装置が提供される。
本発明に係る弾性表面波装置では、好ましくは、前記IDT電極の主体となる金属と、前記IDT電極のλで規格化してなる規格化膜厚と、前記圧電膜のλで規格化してなる規格化膜厚とが、下記の表2に示す各組み合わせの範囲内とされる。この場合には、IDT電極の電極指の1本当たりの弾性表面波の反射係数の絶対値を0.05以上とより一層高くすることができる。
より好ましくは、前記IDT電極の主体となる金属と、前記IDT電極のλで規格化してなる規格化膜厚と、前記圧電膜のλで規格化してなる規格化膜厚とが、下記の表3に示す各組み合わせの範囲内とされる。この場合には、IDT電極の電極指の1本当たりの弾性表面波の反射係数の絶対値を0.1以上とより一層高くすることができる。
また、上記圧電基板のオイラー角は、好ましくは、(0°±5°,0°〜23°,0°±40°)または(0°±5°,105°〜140°,0°±40°)の範囲とされ、その場合には、水晶からなる圧電基板の正の周波数温度係数TCFを、ZnOからなる圧電薄膜の負の周波数温度係数により効果的に相殺でき、周波数温度係数TCFの絶対値が小さい弾性表面波装置を提供することができる。
また、本発明の他の広い局面によれば、オイラー角が(0°±5°,0°〜140°,0°±40°)である水晶からなる圧電基板と、前記圧電基板上に形成されており、複数本の電極指を有するIDT電極と、前記IDT電極の電極指間に配置されており、かつ該電極指と同じ厚みを有するSiO2膜と、前記IDT電極及び前記SiO2膜を覆うように形成されたc軸配向ZnOからなる圧電膜とを備え、弾性表面波としてレイリー波が利用される弾性表面波装置において、前記IDT電極がAu、Ta、W、Pt、Cu、Ni及びMoからなる群から選択された複数の金属の積層金属膜からなり、前記積層金属膜を構成する各金属膜の膜厚Tと各金属膜を構成している金属の密度との積の総和を、前記積層金属膜を構成する各金属膜の膜厚Tの総和で除算して得られる商を平均密度とし、弾性表面波波長をλとすると、前記平均密度、前記IDT電極の規格化膜厚及び前記ZnO膜の規格化膜厚が、下記の表4に示す各組み合わせの範囲内であることを特徴とする、弾性表面波装置が提供される。
本発明に係る弾性表面波装置では、上記特定のオイラー角の水晶からなる圧電基板上にIDT電極と、IDT電極の電極指間に配置されておりかつIDT電極の電極指と同じ厚みを有するSiO2膜とが形成されており、IDT電極及びSiO2膜を覆うようにZnOからなる圧電膜が形成されている構造において、IDT電極が上記特定の金属を主体とする金属材料からなり、IDT電極において主体となる金属と、IDT電極の規格化膜厚と、圧電膜の規格化膜厚とが表1に示す各組み合わせの範囲内とされているため、IDTの電極指1本当たりの弾性表面波の反射係数の絶対値を0.025以上と高くすることができる。従って、ZnO/IDT電極/水晶の積層構造を有する共振子型の弾性表面波装置であって、狭帯域かつ高選択度の弾性表面波装置を提供することが可能となる。
また、本発明において、上記のように、積層金属膜からなるIDT電極において、積層金属膜を構成する各金属膜の膜厚Tと、各金属膜を構成している金属の密度との積の総和を、積層金属膜を構成する各金属膜の膜厚Tの総和で除算した値を平均密度とし、弾性表面波の波長をλとした場合、平均密度、IDT電極の規格化膜厚及びZnOの規格化膜厚が表4に示す下記の範囲内とされている場合においても、同様に、IDTの電極指1本当たりの弾性表面波の反射係数の絶対値を0.025以上と高くすることができ、共振子型の弾性表面波装置であって、狭帯域かつ高選択度の弾性表面波装置を提供することが可能となる。
1…弾性表面波装置
2…圧電基板
3…電極
4…圧電膜
5,6…反射器
7…SiO2膜
2…圧電基板
3…電極
4…圧電膜
5,6…反射器
7…SiO2膜
以下、図面を参照しつつ本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
図1(a),(b)は、本発明の一実施形態に係る弾性表面波装置の部分切欠正面断面図及び電極構造を示す模式的平面図である。
弾性表面波装置1は、オイラー角が(0°±5°,0°〜140°,0°±40°)である水晶からなる圧電基板2を有する。圧電基板2上に、IDT電極3が形成されている。IDT電極3は複数本の電極指を有する。IDT電極3の電極指3間には、SiO2膜7が形成されている。SiO2膜7の厚みは、IDT電極の電極指の厚みと等しくされている。IDT電極3及びSiO2膜7を覆うように、c軸配向のZnO膜4が圧電膜として形成されている。IDT電極と、SiO2膜7の厚みが等しいので、ZnO膜4の上面は平坦化されている。
なお、図1(b)に示すように、IDT電極3の表面波伝搬方向両側には、反射器5,6が配置されている。
本実施形態の弾性表面波装置は、上記電極構造を有する共振子型弾性表面波フィルタであり、弾性表面波としてはレイリー波を使用している。
そして、上記IDT電極3は、Au、Ta、W、Pt、Cu、Ni及びMoからなる群から選択された少なくとも1種の金属を主体とする金属材料からなる。弾性表面波の波長をλとしたとき、IDT電極3において主体となる上記金属材料と、上記IDT電極の弾性表面波の波長で規格化してなる規格化膜厚と、上記圧電膜の弾性表面波の波長で規格化した規格化膜厚とが、下記の表5に示す各組み合わせの範囲内とされていることを特徴とする。
本実施形態によれば、IDT電極3の電極指1本当たりの弾性表面波の反射係数の絶対値を0.025以上とすることができ、比帯域幅が狭い狭帯域の共振子型の弾性表面波フィルタを提供することができる。
すなわち、本願発明者は、水晶基板上にIDT電極を形成し、かつZnOからなる圧電薄膜を積層した構造について、水晶基板のオイラー角を上記の特定の範囲とし、IDT電極を構成する金属を材料及びその厚み、並びにZnO膜の厚みを種々変化させて検討したところ、これらを上記の特定の範囲とすることにより、弾性表面波の反射係数の絶対値0.025以上と高くし得ることを見出し、本発明をなすに至ったものである。すなわち、本発明は、実験的に見出されたものである。
図2〜図9には、上記弾性表面波装置1において、水晶からなる圧電基板として、オイラー角が(0°,117°,0°)の水晶基板を用い、IDT電極を構成する金属材料として、それぞれ、Al、Au、Ta、W、Pt、Cu、NiまたはMoを用い、これらの内の1種の金属からなるIDT電極の弾性表面波の波長で規格化した規格化膜厚及びZnO膜の弾性表面波の波長で規格化した規格化膜厚を変化させた場合のIDTの電極指1本当たりの反射係数の変化を示す図である。
図2から明らかなように、ZnO/SiO2−Al/水晶からなる積層構造では、AlからなるIDT電極の規格化膜厚を0.04〜0.12の範囲で変化させたとしても、ZnOの規格化膜厚の如何に関わらず、反射係数の絶対値を0.025以上とすることができないことがわかる。なお、図2及び以下の図面においては、SiO2膜7とIDT電極4とが同じ厚みで形成されている構造の層をSiO2−電極構成金属で表現する。例えば、図2では、SiO2−Alで表現されており、図中のSiO2−Al=0.04は、SiO2膜及びAl膜の双方の規格化膜厚が0.04であることを意味する。
図3から明らかなように、IDT電極がAuからなる場合には、IDT電極の規格化膜厚を0.005以上、0.1以下の範囲で、ZnO膜4の規格化膜厚を0.03以上、0.45以下の範囲で選択することにより反射係数の絶対値を0.025以上とし得ることがわかる。同様に、図4〜図9から明らかなように、オイラー角(0°,117°,0°)の水晶を用いた場合、IDT電極を構成する金属が、Ta、W、Pt、Cu、Ni及びMoの場合、それぞれ、上述した表4に記載のIDT電極3の規格化膜厚範囲、かつZnO膜4の規格化膜厚範囲とすることにより、反射係数の絶対値を0.025以上とし得ることがわかる。
また、図10〜図12には、オイラー角が(0°,117°,35°)の水晶からなる圧電基板上に、同じくAl、AuまたはCuからなるIDT電極3及びSiO2膜7を種々の厚みで形成し、ZnO膜4の厚みを種々変化させた場合のIDT電極3の規格化膜厚及びZnO膜4の規格化膜厚と、反射係数との関係を示す各図である。図10から明らかなように、IDT電極がAlからなる場合には、図2の場合と同様に、反射係数の絶対値を0.025以上とし得ないことがわかる。
これに対して、オイラー角が(0°,117°,35°)の水晶基板に変更したことを除いては、図3及び図8の場合と同様にして構成された弾性表面波装置では、図11及び図12から明らかなように、IDT電極3の規格化膜厚範囲及びZnO膜4の規格化膜厚範囲の組み合わせを上述した表5に示されている範囲内とすることにより、反射係数の絶対値を0.025以上とし得ることがわかる。
また、図3〜図9及び図11、図12から明らかなように、反射係数の絶対値を0.05以上とするには、下記の表6に示す各組み合わせの範囲内とすればよく、より好ましくは、下記の表7に示す各組み合わせの範囲内とすることにより、反射係数の絶対値を0.1以上とし得ることがわかる。
図13は、上記弾性表面波装置1における水晶からなる圧電共振子のオイラー角(0°,θ,0°)のθを変化させた場合のレイリー波の周波数温度係数TCFの変化を示す図である。図13から明らかなように、オイラー角(0°,θ,0°)のθが0°〜140°の範囲ではTCFが正であることがわかる。
ZnO膜の周波数温度係数TCFは負の値である。従って、図13から明らかなように、オイラー角のθを0°〜140°の範囲とすれば、水晶の周波数温度係数TCFがZnO膜の周波数温度係数TCFで相殺され、周波数温度係数TCFの絶対値の小さい弾性表面波装置を提供し得ることがわかる。従って、好ましくは、水晶からなる圧電基板2のオイラー角は(0°,0°〜140°,0°)とすることが望ましい。より好ましくは、(0°,0°〜23°,0°)または(0°,105°〜140°,0°)であれば、TCFが正であり、かつTCFが+3〜+20ppmの範囲にあるので、ZnO膜の膜厚により温度変化による特性の変化をより一層小さくすることができる。
さらに、図14は、オイラー角のψと、周波数温度係数TCFとの関係を示す図である。ここでは、実線でオイラー角(0°,119°45’,ψ)の水晶を用いた場合の結果が、破線でオイラー角(0°,132°45’,ψ)の水晶を用いた場合の結果が示されている。図14から明らかなように、オイラー角のψが0°±40°の範囲では、TCFが正であることがわかる。従って、図14から明らかなようにオイラー角のψを0°±40°の範囲とすれば、水晶の周波数温度係数TCFがZnO膜の負の周波数温度係数TCFで相殺されることがわかる。
よって、図13及び図14から明らかなように、周波数温度係数TCFの絶対値が小さい、温度変化による特性の安定な弾性表面波装置を得るには、水晶からなる圧電基板のオイラー角は、(0°,0°〜140°,0°±40°)の範囲とすべきことがわかる。
なお、オイラー角のφについては、0°±5°の範囲であれば、0°の場合とほぼ同等の結果が得られることが確かめられている。従って、オイラー角で、(0°±5°,0°〜140°,0°±40°)の水晶からなる圧電基板2を用いればよい。より好ましくは、(0°±5°,0°〜23°,0°±40°)または(0°±5°,105°〜140°,0°±40°)とすればよく、それによって、より一層温度変化による特性の安定な弾性表面波装置を提供することができる。
図15〜図17は、オイラー角(0°,132°45’,0°)の水晶からなる圧電基板上に、Al、AuまたはCuからなるIDT電極3及びSiO2膜7を種々の厚みで形成し、かつZnO膜4を種々の厚みで形成した構造の反射係数の変化を示す図である。図15から明らかなように、IDT電極3がAlからなる場合には、図2及び図8の場合と同様に、ZnO膜4の規格化膜厚の如何に関わらず、反射係数の絶対値を0.025以上とすることができないことがわかる。
これに対して、図16及び図17から明らかなように、オイラー角(0°,132°45’,0°)の水晶からなる圧電基板2上に、AuやCuからなるIDT電極3、SiO2膜7及びZnO膜4を種々の厚みで形成した構造では、オイラー角が(0°,117°,0°)である図3及び図8の結果と同様の反射係数の得られることがわかる。すなわち、上記のように、温度特性の安定な弾性表面波装置を得ようとして、オイラー角のθを117°から132°45’に変更したとしても同様の反射係数を実現し得ることがわかる。
図18〜図20は、オイラー角(φ、θ、ψ)=(0°,65°,0°)の水晶からなる圧電基板2上に、Al、Au、CuからなるIDT電極3及びSiO2膜7を種々の厚みで形成し、かつZnO膜4を種々の厚みで形成した構造の反射係数の変化を示す図である。オイラー角(0°,65°,0°)の水晶を用いた場合においても、図18から明らかなように、IDT電極をAlで構成した場合には、反射係数の絶対値を0.025以上とし得ないことがわかる。
これに対して、図19及び図20から明らかなように、オイラー角(φ、θ、ψ)=(0°,65°,0°)の水晶からなる圧電基板2上に、AuまたはCuからなるIDT電極3、SiO2膜7及びZnO膜4を種々の厚みで形成した構造では、オイラー角(φ、θ、ψ)=(0°,117°,0°)である図2、3及び図8の結果と略同様の反射係数の得られることがわかる。すなわち、上記のように、温度特性の安定な弾性表面波装置を得ようとしてオイラー角のθを117°から65°に変えたとしても略同様の反射係数を得ることができることがわかる。
よって、本発明によれば、オイラー角の(0°±5°,0°〜140°,0°±40°)、好ましくは、(0°±5°,0°〜23°,0°±40°)または(0°±5°,105°〜140°,0°±40°)の水晶からなる圧電基板2を用い、IDT電極3を上記Au、Ta、W、Pt、Cu、NiまたはMoで形成し、該IDT電極3の規格化膜厚と、ZnO膜4の規格化膜厚とを上述した、表5の各組み合わせの範囲内、より好ましくは表6に示す各組み合わせの範囲内、さらに好ましくは、表7に示した各組み合わせの範囲内とすることにより、周波数温度係数TCFの絶対値が小さく、温度特性が良好であり、しかもIDT電極の電極指の反射係数を高めることができ、従って、狭帯域幅の弾性表面波装置を容易に提供することが可能となる。
なお、上記実施形態では、IDT電極が、Au、Ta、W、Pt、Cu、NiまたはMoにより形成されていたが、IDT電極は、上記純金属で形成される必要は必ずしもない。すなわち、Au、Ta、W、Pt、Cu、Ni及びMoからなる群から選択された少なくとも1種の金属を主体とする金属材料によりIDT電極が形成されればよい。
この場合、上記金属を主体とする金属材料とは、上記各金属、あるいは該金属を主成分とする合金であってもよい。また、上記金属材料は複数の金属膜を積層した積層金属膜からなるものであってもよく、その場合には、積層金属膜全体における主成分が、Au、Ta、W、Pt、Cu、Ni及びMoからなる群から選択された1種の金属もしくは該金属を主成分とする合金であればよい。
なお、本発明においては、上記IDT電極3はAu、Ta、W、Pt、Cu、Ni及びMoからなる群から選択された複数の金属により形成された複数の金属膜を積層してなる積層金属膜であってもよい。この場合は、IDT電極の規格化膜厚については、積層金属膜の平均密度を考慮して定めればよい。
積層金属膜を構成している各金属膜の膜厚Tと、各金属膜を構成している金属の下記表8に示されている密度ρとの積の総和を、積層金属膜の全膜厚すなわち複数の金属膜の膜厚Tの総和で除算した値を平均密度とする。そして、弾性表面波の波長λとしたときに、平均密度、IDT電極3の規格化膜厚及びZnO膜4の規格化膜厚が下記の表9の範囲内とされればよい。
すなわち、積層金属膜からなる場合には、その積層金属膜の平均密度が、Au、Ta、W、Pt、Cu、NiまたはMoの密度と等しいように構成された場合には、密度の大きさに応じて、表5と同様のIDT電極の規格化膜厚の及びZnO膜の規格化膜厚範囲を選択することにより、電極指1本当たりの反射係数を0.025以上とすることができる。
そして、積層金属膜からなるIDT電極の平均密度が、上述した表9に示す平均密度と一致しない場合には、表9において、最も近い平均密度の場合の組合せで代用すればよい。例えば、それぞれがTa、Pt、W、AuまたはMoからなる5層の金属膜の厚みを、それぞれa、b、c、d、eとし、各金属膜の密度をρ(Ta)、ρ(Pt)、ρ(W)、ρ(Au)、ρ(Mo)とすると、平均密度ρavは、{a×ρ(Ta)+b×ρ(Pt)+c×ρ(W)+d×ρ(Au)+e×ρ(Mo)}/(a+b+c+d+e)となる。総厚みtは、t=a+b+c+d+eである。
上記規格化膜厚a〜eが、それぞれ、0.01、0.02、0.03、0.04及び0.05の場合、ρav=(2455.68)/0.15=16371.2kg/m3となる。この値は、Taの密度ρ(Ta)に最も近いため、表5における平均密度が16678kg/m3の場合の組み合わせで代用すれば、反射係数をほぼ0.025以上と高めることができる。
なお、本発明における弾性表面波装置は、共振子型であれば特に限定されず、縦結合型などの様々な共振子型の弾性表面波フィルタや、1ポート型弾性表面波共振子などに本発明を適用することができる。
Claims (7)
- オイラー角が(0°±5°,0°〜140°,0°±40°)である水晶からなる圧電基板と、
前記圧電基板上に形成されており、かつ複数本の電極指を有するIDT電極と、
前記IDT電極の電極指間に配置されており、かつ該電極指と同じ厚みを有するSiO2膜と、
前記IDT電極及び前記SiO2膜を覆うように形成されており、かつc軸配向のZnOからなる圧電膜とを備え、
弾性表面波としてレイリー波が利用される弾性表面波装置において、
前記IDT電極が、Au、Ta、W、Pt、Cu、Ni及びMoからなる群から選択された少なくとも1種の金属を主体とする金属材料からなり、弾性表面波の波長をλとした場合、前記IDT電極において主体となる金属と、前記IDT電極のλで規格化してなる規格化膜厚と、前記圧電膜のλで規格化してなる規格化膜厚とが、下記の表1で示す各組み合わせの範囲内とされていることを特徴とする、弾性表面波装置。
- 前記水晶からなる圧電基板のオイラー角が、(0°±5°,0°〜23°,0°±40°)または(0°±5°,105°〜140°,0°±40°)の範囲内にある、請求項1〜3のいずれか1項に記載の弾性表面波装置。
- 前記金属材料が、Au、Ta、W、Pt、Cu、Ni及びMoからなる群から選択した少なくとも1種の金属、または該金属を主成分とする合金である、請求項1〜4のいずれか1項に記載の弾性表面波装置。
- 前記金属材料が、複数の金属膜を積層した積層金属膜からなり、積層金属膜全体における主たる成分が、Au、Ta、W、Pt、Cu、Ni及びMoからなる群から選択された少なくとも1種の金属もしくは該金属を主成分とする合金である、請求項1〜5のいずれか1項に記載の弾性表面波装置。
- オイラー角が(0°±5°,0°〜140°,0°±40°)である水晶からなる圧電基板と、
前記圧電基板上に形成されており、複数本の電極指を有するIDT電極と、
前記IDT電極の電極指間に配置されており、かつ該電極指と同じ厚みを有するSiO2膜と、
前記IDT電極及び前記SiO2膜を覆うように形成されたc軸配向ZnOからなる圧電膜とを備え、
弾性表面波としてレイリー波が利用される弾性表面波装置において、
前記IDT電極がAu、Ta、W、Pt、Cu、Ni及びMoからなる群から選択された複数の金属の積層金属膜からなり、
前記積層金属膜を構成する各金属膜の膜厚Tと各金属膜を構成している金属の密度との積の総和を、前記積層金属膜を構成する各金属膜の膜厚Tの総和で除算して得られる商を平均密度とし、弾性表面波波長をλとすると、前記平均密度、前記IDT電極の規格化膜厚及び前記ZnO膜の規格化膜厚が、下記の表4に示す各組み合わせの範囲内であることを特徴とする、弾性表面波装置。
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