JP4802583B2 - スペーサの製造方法 - Google Patents
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Description
(A)導電性材料の粒子が分散されたセラミック材料を準備し、次いで、
(B)セラミック材料を切断してスペーサ基材を得た後、
(C)スペーサ基材の側面部における導電性材料の粒子を除去し、次いで、
(D)スペーサ基材の側面部上に帯電防止膜を設ける、
工程から成り、以て、セラミック材料から成るスペーサ基材と、スペーサ基材の側面部上に設けられた帯電防止膜とから成るスペーサを得ることを特徴とする。
前記工程(C)において、スペーサ基材の側面部における導電性材料の粒子を液体に溶解することにより、スペーサ基材の側面部における導電性材料の粒子を除去する構成とすることができる。
(A)導電性材料の粒子が分散されたセラミック材料を準備し、次いで、
(B)セラミック材料の表面部における導電性材料の粒子を除去し、次いで、
(C)セラミック材料を切断してスペーサ基材を得た後、
(D)スペーサ基材の側面部上に帯電防止膜を設ける、
工程から成り、以て、セラミック材料から成るスペーサ基材と、スペーサ基材の側面部上に設けられた帯電防止膜とから成るスペーサを得ることを特徴とする。
前記工程(B)において、セラミック材料の表面部における導電性材料の粒子を液体に溶解することにより、スペーサ基材の側面部における導電性材料の粒子を除去する構成とすることができる。
(A)導電性材料の粒子が分散されたセラミック材料を準備し、次いで、
(B)セラミック材料の表面部における導電性材料の粒子を除去し、次いで、
(C)帯電防止膜をセラミック材料の表面上に設けた後、
(D)帯電防止膜が設けられたセラミック材料を切断する、
工程から成り、以て、セラミック材料から成るスペーサ基材と、スペーサ基材の側面部上に設けられた帯電防止膜とから成るスペーサを得ることを特徴とする。
(a)セラミック粉末、導電性付与材料粉末を分散質とし、バインダーを添加してグリーンシート用スラリーを調製し、
(b)グリーンシート用スラリーから、グリーンシートを得、その後、
(c)グリーンシートを焼成する、
ことにより得ることができる。
グリーンシート用スラリーの分散質となるセラミック粉末を構成する材料として、ムライト等のケイ酸アルミニウム化合物やアルミナ等の酸化アルミニウム、チタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸鉛、ジルコニア(酸化ジルコニウム)、コーディオライト、硼珪酸塩バリウム、珪酸鉄、ガラスセラミック材料、これらに、酸化チタンや酸化クロム、酸化マグネシウム、酸化鉄、酸化バナジウム、酸化ニッケルを添加したもの等を例示することができるし、例えば、特表2003−524280号公報等に記載されている材料を用いることもできる。尚、グリーンシート用スラリーの分散質となる導電性付与材料は、スラリー内にあっては、必ずしも導電性を示さなくてもよい。導電性付与材料は、グリーンシートの焼成の際に化学的組成が変化するものであってもよいし、焼成により化学的組成が変化しないものであってもよい。具体的には、グリーンシートを焼成することにより、グリーンシート内の導電性付与材料も焼成されるが、焼成された導電性付与材料(以下、焼成後導電性付与材料と呼ぶ場合がある)が導電性を示すものであればよい。グリーンシート用スラリーの分散質となる導電性付与材料として、例えば、金や白金等の貴金属;モリブデン酸化物、ニオブ酸化物、タングステン酸化物、ニッケル酸化物等の金属酸化物;チタン炭化物、タングステン炭化物、ニッケル炭化物等の金属炭化物;モリブデン酸アンモニウム等の金属塩を挙げることができる。更には、これらの混合物であってもよい。即ち、導電性付与材料は、単一の種類の材料から成る態様であってもよいし、複数の種類の材料から成る態様であってもよい。また、グリーンシート用スラリーに添加されるバインダーを構成する材料として、有機系バインダー材料(例えば、アクリル系エマルジョンやポリビニルアルコール(PVA)、ポリエチレングリコール、ポリエチレングリコール)あるいは無機系バインダー材料(例えば、水ガラス)を挙げることができる。
(a)支持体上に形成され、第1の方向に延びる帯状のカソード電極、
(b)カソード電極及び支持体上に形成された絶縁層、
(c)絶縁層上に形成され、第1の方向とは異なる第2の方向に延びる帯状のゲート電極、
(d)カソード電極とゲート電極の重複する重複領域に位置するゲート電極及び絶縁層の部分に設けられ、底部にカソード電極が露出した開口部、及び、
(e)開口部の底部に露出したカソード電極上に設けられた電子放出部、
から成る。
(1)支持体上にカソード電極を形成する工程、
(2)全面(支持体及びカソード電極上)に絶縁層を形成する工程、
(3)絶縁層上にゲート電極を形成する工程、
(4)カソード電極とゲート電極との重複領域におけるゲート電極及び絶縁層の部分に開口部を形成し、開口部の底部にカソード電極を露出させる工程、
(5)開口部の底部に位置するカソード電極上に電子放出部を形成する工程。
(1)支持体上にカソード電極を形成する工程、
(2)カソード電極上に電子放出部を形成する工程、
(3)全面(支持体及び電子放出部上、あるいは、支持体、カソード電極及び電子放出部上)に絶縁層を形成する工程、
(4)絶縁層上にゲート電極を形成する工程、
(5)カソード電極とゲート電極との重複領域におけるゲート電極及び絶縁層の部分に開口部を形成し、開口部の底部に電子放出部を露出させる工程。
(1)カソード電極に印加する電圧vCを一定とし、ゲート電極に印加する電圧vGを変化させる方式
(2)カソード電極に印加する電圧vCを変化させ、ゲート電極に印加する電圧vGを一定とする方式
(3)カソード電極に印加する電圧vCを変化させ、且つ、ゲート電極に印加する電圧vGも変化させる方式がある。
導電性材料の粒子が分散されたセラミック材料を準備する。具体的には、先ず、セラミック粉末、導電性付与材料粉末を分散質とし、例えばアクリル系エマルジョンやポリビニルアルコール(PVA)、ポリエチレングリコール等の有機材料から成るバインダーを添加してグリーンシート用スラリーを調製する(図2の[工程−100]参照)。スラリーに添加される導電性付与材料粉末の量を変えることにより、後述するスペーサ基材の比抵抗の値を制御することができる。実施例におけるスラリーを構成するセラミック粉末の組成、及び、導電性付与材料粉末の組成を表1に掲げる。これらの材料を、例えば、界面活性剤を含む水等から成る分散媒と混合して、スラリーを調製する。
次いで、グリーンシート用スラリーから、グリーンシートを得る(図2の[工程−110]参照)。実施例では、スラリーをドクターブレード法にて担持フィルム上に塗布し、スラリーを乾燥させることで、グリーンシートを得たが、これに限定するものではない。
その後、グリーンシートを焼成し、導電性材料の粒子が分散されたセラミック材料を得る(図2の[工程−120]参照)。焼成により、グリーンシート中のバインダーが除去されると共に、グリーンシートが焼結される。また、焼成により、グリーンシートに含まれる導電性付与材料も焼成され、導電性材料の粒子(より具体的には、焼成後導電性付与材料から成る粒子)が形成される。例えば、グリーンシートに含まれる導電性付与材料が酸化モリブデンである場合には、焼成により水素を含む還元雰囲気において焼成することによって酸化モリブデンが還元され、金属モリブデン(Mo)からなる粒子が形成される。このようにして、導電性材料の粒子が分散されたセラミック材料を準備することができる。
その後、金属を含むセラミック材料を切断することにより、スペーサ基材140Aを得る(図2の[工程−130]参照)。実施例において、スペーサ基材140Aの寸法を、 長手方向(図1においてX方向)に約150mm、
厚さ方向(図1においてY方向)に約100μm
高さ方向(図1においてZ方向)に約2mm、
としたが、これらに限定するものではない。尚、スペーサ基材140Aの比抵抗を、表1に示す。
次いで、スペーサ基材140Aの側面部における導電性材料の粒子を除去する。これにより、スペーサ基材140Aの側面部における単位面積当たりの導電性材料の粒子が占める割合を、スペーサ基材140Aの内部における単位面積当たりの導電性材料の粒子が占める割合よりも低くすることができる。実施例では、スペーサ基材140Aを所定の溶液に浸すことにより、スペーサ基材140Aの側面部における導電性材料の粒子を液体に溶解させることにより、導電性材料の粒子を除去するが、これに限定するものではない。具体的には、下記の表2の条件において除去を行った。図3の(A)〜(B)は、表1に示す実施例1のスペーサ基材140Aの側面部の表面における電子顕微鏡写真であって、図3の(A)は[工程−140]の処理前の写真であり、図3の(B)は[工程−140]の処理後の写真である。
その後、スペーサ基材140Aの側面部上に帯電防止膜140Bを設けることにより、セラミック材料から成るスペーサ基材140Aと、スペーサ基材140Aの側面部上に設けられた帯電防止膜140Bとから成るスペーサ140を得る(図2の[工程−150]参照)。スペーサ基材140Aの側面部上の帯電防止膜140Bの組成を、表1に掲げる。実施例においては、スパッタリング法を用いて帯電防止膜140Bを形成するが、これに限定するものではない。スパッタリング法に用いるターゲットの構造あるいは組成を説明する。ターゲットは、クロム酸化物である。このターゲットの製造方法を説明する。粒子状のクロム酸化物を、一般的な真空ホットプレス法によって焼結することにより、スパッタリング法に用いるターゲットを製造することができる。このターゲットを用いて、下記の表3に例示する条件にて帯電防止膜140Bを形成する。実施例においては、膜厚が約4nmの帯電防止膜140Bを形成する。
次いで、図1に示す表示装置の組立を行う。具体的には、スペーサ140を介して、蛍光体層22と電子放出領域EAとが対向するようにアノードパネルAPとカソードパネルCPとを配置する。アノードパネルAPとカソードパネルCP(より具体的には、支持体10と基板20)とを、例えば枠体26を介して、周縁部において接合する。接合に際しては、枠体26とアノードパネルAPとの接合部位、及び、枠体26とカソードパネルCPとの接合部位にフリットガラスを塗布し、予備焼成にてフリットガラスを乾燥した後、アノードパネルAPとカソードパネルCPと枠体とを貼り合わせ、約450゜Cで10〜30分の本焼成を行う。その後、アノードパネルAPとカソードパネルCPと枠体26と接着層とによって囲まれた空間を、貫通孔(図示せず)及びチップ管(図示せず)を通じて排気し、空間の圧力が10-4Pa程度に達した時点でチップ管を加熱溶融や圧接により封じ切る。このようにして、アノードパネルAPとカソードパネルCPと枠体26とに囲まれた空間を真空にすることができる。その後、必要な外部回路との配線を行い、実施例の表示装置を完成させることができる。
[導電性材料の粒子の除去]
溶液 :濃度30% 過酸化水素水
溶液及びスペーサ基材温度:25゜C
処理方法 :約3分溶液に浸し、その後水で洗浄し乾燥
[スパッタリング法による帯電防止膜の成膜条件]
スペーサ基材温度 :25゜C
成膜速度 :0.2nm/秒
圧力 :0.5Pa
プロセスガス :Ar
スパッタ方法 :RFスパッタ
Claims (6)
- 電子を放出する電子放出源が支持体に複数、形成されて成る第1パネルと、電子放出源から放出された電子が衝突する蛍光体層及びアノード電極が基板に形成されて成る第2パネルとが、それらの周縁部において接合され、第1パネルと第2パネルとによって挟まれた空間が真空に保持される平面型表示装置において使用され、第1パネルと第2パネルとの間に配置されるスペーサの製造方法であって、
(A)導電性材料の粒子が分散されたセラミック材料を準備し、次いで、
(B)セラミック材料を切断してスペーサ基材を得た後、
(C)スペーサ基材の側面部における導電性材料の粒子を除去し、次いで、
(D)スペーサ基材の側面部上に帯電防止膜を設ける、
工程から成り、以て、セラミック材料から成るスペーサ基材と、スペーサ基材の側面部上に設けられた帯電防止膜とから成るスペーサを得ることを特徴とするスペーサの製造方法。 - 前記工程(C)において、スペーサ基材の側面部における導電性材料の粒子を液体に溶解することにより、スペーサ基材の側面部における導電性材料の粒子を除去することを特徴とする請求項1に記載のスペーサの製造方法。
- 電子を放出する電子放出源が支持体に複数、形成されて成る第1パネルと、電子放出源から放出された電子が衝突する蛍光体層及びアノード電極が基板に形成されて成る第2パネルとが、それらの周縁部において接合され、第1パネルと第2パネルとによって挟まれた空間が真空に保持される平面型表示装置において使用され、第1パネルと第2パネルとの間に配置されるスペーサの製造方法であって、
(A)導電性材料の粒子が分散されたセラミック材料を準備し、次いで、
(B)セラミック材料の表面部における導電性材料の粒子を除去し、次いで、
(C)セラミック材料を切断してスペーサ基材を得た後、
(D)スペーサ基材の側面部上に帯電防止膜を設ける、
工程から成り、以て、セラミック材料から成るスペーサ基材と、スペーサ基材の側面部上に設けられた帯電防止膜とから成るスペーサを得ることを特徴とするスペーサの製造方法。 - 前記工程(B)において、スペーサ基材の側面部における導電性材料の粒子を液体に溶解することにより、スペーサ基材の側面部における導電性材料の粒子を除去することを特徴とする請求項3に記載のスペーサの製造方法。
- 電子を放出する電子放出源が支持体に複数、形成されて成る第1パネルと、電子放出源から放出された電子が衝突する蛍光体層及びアノード電極が基板に形成されて成る第2パネルとが、それらの周縁部において接合され、第1パネルと第2パネルとによって挟まれた空間が真空に保持される平面型表示装置において使用され、第1パネルと第2パネルとの間に配置されるスペーサの製造方法であって、
(A)導電性材料の粒子が分散されたセラミック材料を準備し、次いで、
(B)セラミック材料の表面部における導電性材料の粒子を除去し、次いで、
(C)帯電防止膜をセラミック材料の表面上に設けた後、
(D)帯電防止膜が設けられたセラミック材料を切断する、
工程から成り、以て、セラミック材料から成るスペーサ基材と、スペーサ基材の側面部上に設けられた帯電防止膜とから成るスペーサを得ることを特徴とするスペーサの製造方法。 - 前記工程(B)において、セラミック材料の表面部における導電性材料の粒子を液体に溶解することにより、セラミック材料の表面部における導電性材料の粒子を除去することを特徴とする請求項5に記載のスペーサの製造方法。
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