JP4801982B2 - Charged beam drawing method and drawing apparatus - Google Patents

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Description

本発明は、フィールド領域をサブフィールドに分割して描画する荷電ビーム描画技術に係わり、特にレジストヒーティングによる影響を考慮した荷電ビーム描画方法及び描画装置に関する。   The present invention relates to a charged beam drawing technique for drawing a field region by dividing it into subfields, and more particularly to a charged beam drawing method and a drawing apparatus in consideration of the influence of resist heating.

近年、マスクやウェハ等の試料上にＬＳＩパターンを描画する電子ビーム描画方法においては、レジストヒーティングが問題となっている。レジストヒーティングとは、照射電子ビームのエネルギーのうち、レジストで吸収されない成分が熱として蓄積され、局所的な寸法変動を引き起こす現象である。   In recent years, resist heating has become a problem in an electron beam drawing method for drawing an LSI pattern on a sample such as a mask or wafer. Resist heating is a phenomenon in which components of the irradiation electron beam energy that are not absorbed by the resist are accumulated as heat, causing local dimensional fluctuations.

電子ビーム描画装置を用いて試料基板上にパターンを描画する際、約６０μｍ角のサブフィールドを最小単位として用いる。サブフィールド内では、ショットは高速に照射されるので、レジストヒーティングの影響が無視できない。   When drawing a pattern on a sample substrate using an electron beam drawing apparatus, a subfield of about 60 μm square is used as a minimum unit. Since shots are irradiated at high speed within the subfield, the influence of resist heating cannot be ignored.

図５は、レジストヒーティングのシミュレーション結果を示す図である。図中の実線はショットの中心における温度の変化を示している。ショット開始から終了まで急激に温度が上昇し（９０Ｋ）、ショット終了から約１μｓ経過した時点で温度が１０Ｋ程度に安定している。図中の１点鎖線はショット中心から１μｍ右の位置における温度変化であり、ショット終了時点で約２０Ｋの温度上昇であり、ショット終了から約１μｓ経過した時点で温度が１０Ｋ程度に安定している。図中の２点鎖線はショット中心から２μｍ右の位置における温度変化であり、ショット終了時点でも殆ど温度上昇はない。   FIG. 5 is a diagram showing a simulation result of resist heating. The solid line in the figure shows the temperature change at the center of the shot. The temperature rapidly rises from the start to the end of the shot (90 K), and the temperature is stabilized at about 10 K when about 1 μs has elapsed from the end of the shot. The one-dot chain line in the figure is a temperature change at a position 1 μm to the right of the shot center. The temperature rises by about 20 K at the end of the shot, and the temperature is stabilized at about 10 K when about 1 μs has elapsed from the end of the shot. . A two-dot chain line in the figure is a temperature change at a position 2 μm to the right of the shot center, and there is almost no temperature rise even at the end of the shot.

なお、シミュレーション条件としては、電流密度：５０Ａ／ｃｍ2 、ドーズ量：１０μＣ／ｃｍ2 、ショットサイズ（最大）：１μｍ2 とした。 The simulation conditions were as follows: current density: 50 A / cm 2 , dose: 10 μC / cm 2 , and shot size (maximum): 1 μm 2 .

これまで、レジストヒーティングを低減させるために、以下の二つの方法が考案されている。   So far, the following two methods have been devised in order to reduce resist heating.

(1) ２重描画時に、１回目の描画で撃ったショットの順番に対して２回目の描画を逆の順番で行う描画方法（例えば、特許文献１参照）。   (1) A drawing method in which the second drawing is performed in the reverse order with respect to the order of shots shot in the first drawing at the time of double drawing (see, for example, Patent Document 1).

(2) ショットサイズによってセトリングタイムを変える描画方法（例えば、特許文献２参照）。   (2) A drawing method in which the settling time is changed depending on the shot size (see, for example, Patent Document 2).

また、ＬＳＩデザインルールの精細化やＯＰＣ（Optical Proximity-effect Correction）の複雑化に伴い、ショット数は増大傾向にある。描画装置は高電流密度化・セトリング時間短縮・描画多重度を少なくすることにより、高スループット化をはかっている。このような描画条件は、レジストヒーティングによる寸法変動を増大させる傾向にある。
特開平１１−２７４０３８号公報 特開２００１−１８９２６２号公報 Further, the number of shots tends to increase with the refinement of LSI design rules and the complexity of OPC (Optical Proximity-effect Correction). The drawing apparatus achieves high throughput by increasing the current density, shortening the settling time, and reducing the multiplicity of drawing. Such drawing conditions tend to increase dimensional variation due to resist heating.
Japanese Patent Laid-Open No. 11-274038 JP 2001-189262 A

前述した特許文献１，２では、レジストヒーティングの影響を低減させるために、主に熱の時間的変化を利用している。しかし、描画装置の高スループット化に伴い、熱の時間的変化を利用する方法ではレジストヒーティングの十分な低減は難しくなっている。このため、レジストヒーティングの影響による寸法精度の劣化が避けられず、描画精度の劣化を招いている。   In Patent Documents 1 and 2 described above, the temporal change of heat is mainly used in order to reduce the influence of resist heating. However, with the increase in throughput of the drawing apparatus, it is difficult to sufficiently reduce the resist heating by the method using the temporal change of heat. For this reason, deterioration in dimensional accuracy due to the influence of resist heating is unavoidable, leading to deterioration in drawing accuracy.

本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目的とするところは、レジストヒーティングの影響による寸法精度の劣化を抑制することができ、描画精度の向上に寄与し得る描画方法及び描画装置を提供することにある。   The present invention has been made in consideration of the above circumstances, and the object of the present invention is to reduce the deterioration of dimensional accuracy due to the influence of resist heating, and to provide a drawing method that can contribute to improvement of drawing accuracy and It is to provide a drawing apparatus.

上記課題を解決するために本発明は、次のような構成を採用している。   In order to solve the above problems, the present invention adopts the following configuration.

即ち、本発明の一態様は、偏向器の偏向幅で決まるフィールド領域を複数のサブフィールドに分割し、サブフィールド内のパターンをショット描画する荷電ビーム描画方法であって、前記サブフィールド内を格子状に分割し、現在のショット位置に対して次のショット位置が１格子以上離れるように該サブフィールド内のショットの順番を並べ替えるために、複数のメモリを用い、初期設定されたショット順に第１のメモリに格納されたショットデータを順次読み出し、読み出したショットデータを第２のメモリに格納し、且つ読み出したショットデータが第２のメモリに直前に格納したショットデータとショット位置が１格子以上離れている場合は第２のメモリに格納し、離れていない場合は第３のメモリに格納し、第１のメモリのショットデータが無くなったら、第３のメモリのショットデータを第１のメモリに転送し、上記の操作を繰り返して最終的に第２のメモリに格納されたショットデータの順番をショット順として定めることを特徴とする。 That is, one aspect of the present invention is a charged beam drawing method in which a field region determined by a deflection width of a deflector is divided into a plurality of subfields, and a pattern in the subfield is shot and drawn. In order to rearrange the order of shots in the subfield so that the next shot position is separated from the current shot position by one or more grids , a plurality of memories are used and The shot data stored in the first memory is sequentially read out, the read shot data is stored in the second memory, and the shot data and the shot position in which the read shot data is stored immediately before in the second memory are one lattice or more. If not, store in the second memory. If not, store in the third memory. When no more data, characterized by determining the shot data of the third memory is transferred to the first memory, the order of the final shot data stored in the second memory by repeating the above operation as a shot sequence And

また、本発明の別の一態様は、偏向器の偏向幅で決まるフィールド領域を複数のサブフィールドに分割し、サブフィールド内のパターンをショット描画する荷電ビーム描画装置であって、前記サブフィールド内を格子状に分割する手段と、初期設定されたショット順にショットデータを格納する第１のメモリと、第１のメモリから読み出されたショットデータを格納する第２及び第３のメモリと、第１のメモリから読み出されたショットデータが第２のメモリに直前に格納したショットデータとショット位置が１格子以上離れているか否かを判定する手段とを備え、前記ショット位置が１格子以上離れていると判定された場合は、第１のメモリから読み出されたショットデータを第２のメモリに格納し、離れていないと判定された場合は第３のメモリに格納し、第１のメモリのショットデータが無くなったら、第３のメモリのショットデータを第１のメモリに転送し、上記の操作を繰り返して最終的に第２のメモリに格納されたショットデータの順番をショット順として定めることを特徴とする。   Another aspect of the present invention is a charged beam drawing apparatus that divides a field region determined by a deflection width of a deflector into a plurality of subfields, and performs shot drawing of a pattern in the subfields. , A first memory that stores shot data in the order of shots that are initially set, a second and a third memory that store shot data read from the first memory, Means for determining whether or not the shot data read from the memory of 1 is stored in the second memory immediately before and the shot position is separated by one grid or more, and the shot position is separated by 1 grid or more. If it is determined that the shot data read from the first memory is stored in the second memory, and if it is determined that the shot data is not separated, the third data is stored. When the shot data stored in the memory and the first memory is lost, the shot data stored in the third memory is transferred to the first memory, and the above operation is repeated to finally store the shot data stored in the second memory. The data order is determined as a shot order.

本発明によれば、現在のショット位置に対して次のショット位置が１格子以上離れるようにショットの順番を並べ替えることにより、レジストヒーティングによる影響が次のショット部分に及ぼす影響を抑制することができる。即ち、熱の空間的な影響範囲を考慮することで、高スループット化を維持したままレジストヒーティングの影響による寸法精度の劣化を抑制することができる。従って、高スループット化を維持したまま描画精度の向上をはかることが可能となる。   According to the present invention, the influence of the resist heating on the next shot portion is suppressed by rearranging the shot order so that the next shot position is separated from the current shot position by one lattice or more. Can do. That is, by considering the spatial influence range of heat, it is possible to suppress deterioration of dimensional accuracy due to the influence of resist heating while maintaining high throughput. Therefore, it is possible to improve the drawing accuracy while maintaining high throughput.

以下、本発明の詳細を図示の実施形態によって説明する。   The details of the present invention will be described below with reference to the illustrated embodiments.

（第１の実施形態）
図１は、本発明の一実施形態に使用した電子ビーム描画装置を示す概略構成図である。 (First embodiment)
FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an electron beam drawing apparatus used in an embodiment of the present invention.

図中１０は試料室であり、この試料室１０内にはマスク等の試料１１を載置したステージ１２が収容されている。ステージ１２はステージ駆動回路１３によりＸ方向に（紙面左右方向）及びＹ方向（紙面表裏方向）に駆動される。ステージ１２の移動位置は、レーザ測長計等を用いた位置回路１４により測定される。   In the figure, reference numeral 10 denotes a sample chamber, and a stage 12 on which a sample 11 such as a mask is placed is accommodated in the sample chamber 10. The stage 12 is driven by the stage drive circuit 13 in the X direction (left and right direction on the paper surface) and in the Y direction (front and back direction on the paper surface). The moving position of the stage 12 is measured by a position circuit 14 using a laser length meter or the like.

試料室１０の上方には、電子ビーム光学系２０が設置されている。電子ビーム光学系２０は、電子銃２１、各種レンズ２２，２３，２４，２５，２６、ブランキング用偏向器３１、ビーム寸法可変用偏向器３２、ビーム走査用の主偏向器３３、ビーム走査用の副偏向器３４、及び２個のビーム成形用アパーチャ３５，３６等から構成されている。   An electron beam optical system 20 is installed above the sample chamber 10. The electron beam optical system 20 includes an electron gun 21, various lenses 22, 23, 24, 25, and 26, a blanking deflector 31, a beam size changing deflector 32, a beam scanning main deflector 33, and a beam scanning. The sub-deflector 34 and two beam shaping apertures 35, 36, and the like.

そして、主偏向器３３により所定のサブフィールドに位置決めし、副偏向器３４によりサブフィールド内での図形描画位置の位置決めを行うと共に、ビーム寸法可変用偏向器３２及び成形用アパーチャ３５，３６によりビーム形状を制御し、ステージ１２を一方向に連続移動させながらサブフィールドを描画する。このようにして一つのサブフィールドの描画が終了したら、次のサブフィールドの描画に移る。   Then, the main deflector 33 positions in a predetermined subfield, the subdeflector 34 positions the figure drawing position in the subfield, and the beam size variable deflector 32 and the shaping apertures 35 and 36 form a beam. The subfield is drawn while controlling the shape and continuously moving the stage 12 in one direction. When drawing of one subfield is completed in this way, the process proceeds to drawing of the next subfield.

さらに、複数のサブフィールドの集合であるフィールドの描画が終了したら、ステージ１２を連続移動方向と直交する方向にステップ移動させ上記処理を繰り返して各フィールド領域を順次描画するようになっている。ここで、フィールド領域は主偏向器３３の偏向幅で決まる短冊状の描画領域であり、サブフィールドは副偏向器３４の偏向幅で決まる単位描画領域である。   Further, when drawing of a field, which is a set of a plurality of subfields, is completed, the stage 12 is stepped in a direction perpendicular to the continuous movement direction, and the above process is repeated to draw each field region sequentially. Here, the field region is a strip-shaped drawing region determined by the deflection width of the main deflector 33, and the subfield is a unit drawing region determined by the deflection width of the sub deflector 34.

一方、制御計算機４０には記憶媒体である磁気ディスク４１に描画データが格納されている。磁気ディスク４１から読み出された描画データは、フィールド領域毎にパターンメモリ４２に一時的に格納される。データバッファ部４２に格納されたフィールド領域毎のパターンデータ、つまり描画位置及び描画図形データ等で構成されるフィールド情報は、データ解析部であるパターンデータデコーダ４３及び描画データデコーダ４４により解析される。   On the other hand, the control computer 40 stores drawing data on a magnetic disk 41 as a storage medium. The drawing data read from the magnetic disk 41 is temporarily stored in the pattern memory 42 for each field area. Pattern data for each field area stored in the data buffer unit 42, that is, field information composed of drawing positions, drawing graphic data, and the like are analyzed by a pattern data decoder 43 and a drawing data decoder 44, which are data analysis units.

パターンデータデコーダ４３の出力は、ブランキング回路４５、ビーム成形器ドライバ４６へ送られる。即ち、パターンデータデコーダ４３では、上記データに基づいてブランキングデータが作成され、このデータがブランキング回路４５に送られる。さらに、所望とするビーム寸法データも作成され、このビーム寸法データがビーム成形器ドライバ４６に送られる。そして、ビーム成形器ドライバ４６から前記電子ビーム光学系２０のビーム寸法可変用偏向器３２に所定の偏向信号が印加され、これにより電子ビームの寸法が制御される。   The output of the pattern data decoder 43 is sent to a blanking circuit 45 and a beam shaper driver 46. That is, the pattern data decoder 43 creates blanking data based on the above data and sends this data to the blanking circuit 45. Furthermore, desired beam size data is also created, and this beam size data is sent to the beam shaper driver 46. Then, a predetermined deflection signal is applied from the beam shaper driver 46 to the beam dimension varying deflector 32 of the electron beam optical system 20, thereby controlling the dimension of the electron beam.

描画データデコーダ４４の出力は、主偏向器ドライバ４７及び副偏向器ドライバ４８へ送られる。そして、主偏向器ドライバ４７から前記電子光学系２０の主偏向器３３に所定の偏向信号が印加され、これにより電子ビームは指定の主偏向位置に偏向走査される。さらに、副偏向器ドライバ４８から副偏向器３４に所定の副偏向信号が印加され、これによりサブフィールド内部の描画が行われる。   The output of the drawing data decoder 44 is sent to the main deflector driver 47 and the sub deflector driver 48. Then, a predetermined deflection signal is applied from the main deflector driver 47 to the main deflector 33 of the electron optical system 20, whereby the electron beam is deflected and scanned to a designated main deflection position. Further, a predetermined sub-deflection signal is applied from the sub-deflector driver 48 to the sub-deflector 34, thereby drawing inside the sub-field.

また、本実施形態では、描画データデコーダ４４と副偏向器ドライバ４８との間に、サブフィールド内のショット順番を並べ替えるためのショット順番設定回路４９が設けられている。そして、実際の描画時には、このショット順番設定回路４９から副偏向器ドライバ４８にショット順番が設定され、これによりレジストヒーティングによる影響を低減するものとなっている。   In this embodiment, a shot order setting circuit 49 for rearranging the shot order in the subfield is provided between the drawing data decoder 44 and the sub deflector driver 48. In actual drawing, a shot order is set from the shot order setting circuit 49 to the sub deflector driver 48, thereby reducing the influence of resist heating.

次に、本装置を用いた描画方法、特にショット順番を並べ替えるための方法について説明する。図２は、図１の装置を用いた描画方法を説明するためのフローチャートである。   Next, a drawing method using this apparatus, particularly a method for rearranging the shot order will be described. FIG. 2 is a flowchart for explaining a drawing method using the apparatus of FIG.

まず、図２に示すように、サブフィールド内を格子状に分割し、各々の格子に番号を割り振る（ステップＳ１）。この格子番号から格子のサブフィールド内の場所も分かるようにする。また、一つの格子のサイズは最大ショットサイズ程度とする。   First, as shown in FIG. 2, the subfield is divided into grids, and numbers are assigned to the respective grids (step S1). From this lattice number, the location in the subfield of the lattice is also known. Also, the size of one grid is set to the maximum shot size.

次いで、注目しているサブフィールドに所属する全てのショットに対してショットの位置情報から格子番号を演算し、格子番号を持たせる（ステップＳ２）。その後、サブフィールド内のショットの並べ替えを行う（ステップＳ３）。そして、並べ替えが完了した新しいショット順で描画を行う（ステップＳ４）。   Next, a lattice number is calculated from the position information of the shots for all shots belonging to the subfield of interest, and given a lattice number (step S2). Thereafter, the shots in the subfield are rearranged (step S3). Then, drawing is performed in the new shot order in which the rearrangement is completed (step S4).

次に、本実施形態の特徴であるステップＳ３、即ちショットの並べ替えの方法を、図３を参照して更に詳しく説明する。   Next, step S3, which is a feature of the present embodiment, that is, a shot rearrangement method will be described in more detail with reference to FIG.

前記ショット順番設定回路４９は、初期設定されたショット順にショットデータを格納する第１のメモリＡと、第１のメモリＡから読み出されたショットデータを格納する第２のメモリＢ及び第３のメモリＣと、第１のメモリＡから読み出されたショットデータが第２のメモリＢに直前に格納したショットデータとショット位置が１格子以上離れているか否かを判定する比較回路とを備えている。   The shot order setting circuit 49 includes a first memory A that stores shot data in the order of shots that are initially set, a second memory B that stores shot data read from the first memory A, and a third memory A memory C, and a comparison circuit that determines whether or not the shot data read from the first memory A immediately before the shot data stored in the second memory B is at least one lattice away from the shot data. Yes.

まず、サブフィールドに所属したショットの集合をメモリＡに移動する（ステップＳ３１）。次いで、メモリＡ上のショットを順番に読み出し、最初のショットはメモリＢに格納する。次のショット以降は、読み出したショットと直前にメモリＢに格納したショットとのｘ，ｙ方向位置を格子番号で比較する（ステップＳ３２）。ｘ，ｙ方向共にｎ格子より大きい場合はメモリＢの最後に加える（ステップＳ３３）。格子間の距離ｎは予め設定しておく。それ以外の場合はＮ個（Ｎ≧１）のメモリＣ１〜ＣＮの最後に順次加える（ステップＳ３４）。   First, the set of shots belonging to the subfield is moved to the memory A (step S31). Next, the shots on the memory A are sequentially read, and the first shot is stored in the memory B. After the next shot, the x and y direction positions of the read shot and the shot stored in the memory B immediately before are compared by the grid number (step S32). If it is larger than the n lattice in both the x and y directions, it is added to the end of the memory B (step S33). The distance n between the lattices is set in advance. In other cases, it is sequentially added to the end of N (N ≧ 1) memories C1 to CN (step S34).

ここで、ｘ，ｙ方向の何れかがｎ格子より小さいと判定され、メモリＣ１〜ＣＮに移動する場合は、各々のショットをメモリＣ１，Ｃ２…の順に加え、ＣＮまで使用したらＣ１に戻るようにする。また、一つの格子内のショットは必ずしも一つに限るものではなく複数のショットが存在するものであっても良い。そして、メモリ数Ｎは一つの格子内のショット数に応じて最適に設定すればよい。   Here, when it is determined that any of the x and y directions is smaller than the n lattice and the movement is made to the memories C1 to CN, each shot is added in the order of the memories C1, C2,. To. Further, the number of shots in one lattice is not necessarily limited to one, and a plurality of shots may exist. The number of memories N may be set optimally according to the number of shots in one grid.

メモリＡが空になったら、メモリＣ１からＣＮのショットデータをメモリＡに順に移動する。そして、ステップＳ３２〜Ｓ３４の操作を繰り返し、最終的にメモリＢに格納された順番をショット順として定める。   When the memory A becomes empty, the shot data of the memories C1 to CN are sequentially moved to the memory A. Then, the operations in steps S32 to S34 are repeated, and finally the order stored in the memory B is determined as the shot order.

上記の操作により、図４（ａ）に示すようなショット順番（時間的に連続するショットは位置的に連続している）は、図４（ｂ）に示すようになり、時間的に隣接するショットは何れも１格子以上離れた位置となる。なお、図中の５１はサブフィールド、５２は一つの格子、５３は一つのショットを示している。   As a result of the above operation, the shot order as shown in FIG. 4A (time-continuous shots are positionally continuous) becomes as shown in FIG. 4B and is temporally adjacent. Each shot is at a position separated by one or more grids. In the figure, 51 indicates a subfield, 52 indicates one grid, and 53 indicates one shot.

このように本実施形態によれば、現在のショット位置に対して次のショット位置が１格子以上離れるようにショットの順番を並べ替えることにより、レジストヒーティングによる影響が次のショット部分に及ぼす影響を抑制することができる。従って、高スループット化を維持したままレジストヒーティングの影響による寸法精度の劣化を抑制することができ、描画精度の向上をはかることが可能となる。   As described above, according to the present embodiment, the effect of resist heating on the next shot portion is affected by rearranging the shot order so that the next shot position is separated from the current shot position by one grid or more. Can be suppressed. Therefore, it is possible to suppress deterioration of dimensional accuracy due to the influence of resist heating while maintaining high throughput, and it is possible to improve drawing accuracy.

本発明者らが実験したレジストヒーティング・シミュレーションによると、最大ショットサイズでショットを撃った後、最大ショットサイズだけ離れた場所での到達温度はそのショット中心到達温度の約１／１０となっていた。この１／１０という数値は、レジストヒーティングの影響をほぼ無視できると言える範囲である。従って本実施形態のように、格子の大きさを最大ショットサイズに取り、ｊ−１番目とそれに続くｊ番目のショットの間隔をｎ格子にすることで、効率的にレジストヒーティングの影響を低減できることになる。さらに、格子間距離でショット順を判断することにより、毎回ショット間距離を計算する場合と比較して高速に処理を行うことができる。   According to the resist heating simulation conducted by the present inventors, after the shot was shot at the maximum shot size, the reached temperature at a location separated by the maximum shot size is about 1/10 of the shot center reached temperature. It was. This numerical value of 1/10 is in a range where the influence of resist heating can be almost ignored. Therefore, as in this embodiment, the lattice size is set to the maximum shot size, and the interval between the (j−1) th and subsequent jth shots is set to the n lattice, thereby effectively reducing the influence of resist heating. It will be possible. Further, by determining the shot order based on the inter-lattice distance, processing can be performed at a higher speed than when the inter-shot distance is calculated every time.

メモリＣは一つのメモリであっても良いが、本実施形態のように複数個使用すれば、最初の比較で１格子以上離れていないと判定されたショットを別のメモリに格納し、順番を変えてメモリＡに移動することにより、次の比較の際に連続するショットが１格子以上離れている可能性を高くすることができ、ショット並べ替えを高速に行うことができる。例えば、ショット密度がρ×１０6 ショット／ｍｍ2 のパターンを最大ショットサイズ１μｍで描画する場合、一つの格子に含まれるショットが連続的に並んでいる場合でも、Ｎ≧ρ個のメモリＣを用意することで高速に並べ替えることができる。 The memory C may be a single memory. However, if a plurality of memories C are used as in the present embodiment, shots determined not to be separated by one grid or more in the first comparison are stored in another memory, and the order is changed. By moving to memory A instead, it is possible to increase the possibility that consecutive shots are separated by one or more lattices in the next comparison, and to perform shot rearrangement at high speed. For example, when a pattern having a shot density of ρ × 10 6 shots / mm 2 is drawn with a maximum shot size of 1 μm, even when shots included in one lattice are continuously arranged, N ≧ ρ memories C are stored. By preparing, it can be rearranged at high speed.

（変形例）
なお、本発明は上述した実施形態に限定されるものではない。電子ビーム描画装置の構成は前記図１に何ら限定されるものではなく、偏向器の偏向幅で決まるフィールド領域を複数のサブフィールドに分割し、サブフィールド内のパターンをショット描画する方式であれば適用することができる。さらに、ショット順番設定回路の構成は前記図３に限定されるものではなく、サブフィールド内を格子状に分割し、現在のショット位置に対して次のショット位置が１格子以上離れるように該サブフィールド内のショットの順番を並べ替えるものであればよい。 (Modification)
In addition, this invention is not limited to embodiment mentioned above. The configuration of the electron beam drawing apparatus is not limited to that shown in FIG. 1 as long as the field region determined by the deflection width of the deflector is divided into a plurality of subfields, and a pattern in the subfield is shot and drawn. Can be applied. Further, the configuration of the shot order setting circuit is not limited to that shown in FIG. 3, but the subfield is divided into a grid, and the subshot is set so that the next shot position is separated by one grid or more from the current shot position. Any device that rearranges the order of shots in the field may be used.

例えば、比較回路においては、現在の読み出しデータと直前にメモリＢに格納されたデータとのショット位置を比較するのではなく、メモリＡ上のショットを順番に、ｊ番目のショットとｊ−１番目のショットのｘとｙ方向位置を格子番号で比較するようにしてもよい。この場合も、メモリＣを複数個用意しておくことにより、ショットの並べ替えが可能となる。   For example, in the comparison circuit, instead of comparing the shot positions of the current read data and the data stored in the memory B immediately before, the shots on the memory A are sequentially ordered with the jth shot and the j−1th shot. The positions in the x and y directions of the shots may be compared by the grid number. Also in this case, it is possible to rearrange shots by preparing a plurality of memories C.

また、実施形態では、電子ビーム描画装置を例に取り説明したが、本発明は電子ビームの代わりにイオンビームを用いたイオンビーム描画装置に適用することも可能である。さらに、実施形態では、ショットの並べ替えを回路的に行う例で説明しているが、これはソフトウェア上でも実現することが可能である。   In the embodiments, the electron beam drawing apparatus has been described as an example. However, the present invention can also be applied to an ion beam drawing apparatus using an ion beam instead of an electron beam. Furthermore, in the embodiment, an example in which shot rearrangement is performed in a circuit is described, but this can also be realized on software.

その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することができる。   In addition, various modifications can be made without departing from the scope of the present invention.

本発明の一実施形態に使用した電子ビーム描画装置を示す概略構成図。1 is a schematic configuration diagram showing an electron beam drawing apparatus used in an embodiment of the present invention. 図１の装置を用いた描画方法を説明するためのフローチャート。The flowchart for demonstrating the drawing method using the apparatus of FIG. ショット順番設定回路の構成及び動作を説明するためのフローチャート。The flowchart for demonstrating a structure and operation | movement of a shot order setting circuit. ショット順番の変更の様子を示す模式図。The schematic diagram which shows the mode of a change of shot order. レジストヒーティングのシミュレーション結果を示す図。The figure which shows the simulation result of resist heating.

符号の説明Explanation of symbols

１０…試料室
１１…試料
１２…ステージ
１３…ステージ駆動回路
１４…位置回路
２０…電子ビーム光学系
２１…電子銃
２２〜２６…各種レンズ
３１…ブランキング用偏向器
３２…ビーム寸法可変用偏向器
３３…ビーム走査用の主偏向器
３４…ビーム走査用の副偏向器
３５，３６…ビーム成形用アパーチャ
４０…制御計算機
４１…磁気ディスク
４２…パターンメモリ
４３…パターンデータデコーダ
４４…描画データデコーダ
４５…ブランキング回路
４６…ビーム成形器ドライバ
４７…主偏向器ドライバ
４８…副偏向器ドライバ
４９…ショット順番設定回路
５１…サブフィールド
５２…格子
５３…ショット DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Sample chamber 11 ... Sample 12 ... Stage 13 ... Stage drive circuit 14 ... Position circuit 20 ... Electron beam optical system 21 ... Electron gun 22-26 ... Various lenses 31 ... Deflector for blanking 32 ... Deflector for variable beam size 33 ... Main deflector for beam scanning 34 ... Sub deflector for beam scanning 35, 36 ... Aperture for beam shaping 40 ... Control computer 41 ... Magnetic disk 42 ... Pattern memory 43 ... Pattern data decoder 44 ... Drawing data decoder 45 ... Blanking circuit 46 ... Beam shaper driver 47 ... Main deflector driver 48 ... Sub deflector driver 49 ... Shot order setting circuit 51 ... Subfield 52 ... Lattice 53 ... Shot

Claims (4)

偏向器の偏向幅で決まるフィールド領域を複数のサブフィールドに分割し、サブフィールド内のパターンをショット描画する荷電ビーム描画方法であって、
前記サブフィールド内を格子状に分割し、現在のショット位置に対して次のショット位置が１格子以上離れるように該サブフィールド内のショットの順番を並べ替えるために、
複数のメモリを用い、初期設定されたショット順に第１のメモリに格納されたショットデータを順次読み出し、読み出したショットデータを第２のメモリに格納し、且つ読み出したショットデータが第２のメモリに直前に格納したショットデータとショット位置が１格子以上離れている場合は第２のメモリに格納し、離れていない場合は第３のメモリに格納し、第１のメモリのショットデータが無くなったら、第３のメモリのショットデータを第１のメモリに転送し、上記の操作を繰り返して最終的に第２のメモリに格納されたショットデータの順番をショット順として定めることを特徴とする荷電ビーム描画方法。 A charged beam drawing method in which a field region determined by a deflection width of a deflector is divided into a plurality of subfields, and a pattern in the subfield is shot by drawing,
In order to divide the inside of the subfield into a grid and rearrange the order of shots in the subfield so that the next shot position is separated from the current shot position by one grid or more .
Using a plurality of memories, the shot data stored in the first memory is sequentially read in the order of the initially set shot, the read shot data is stored in the second memory, and the read shot data is stored in the second memory. If the shot data stored immediately before and the shot position are separated from each other by one grid, the shot data is stored in the second memory. If not, the shot data is stored in the third memory. Charged beam drawing characterized by transferring shot data of a third memory to the first memory and repeating the above operation to finally determine the order of the shot data stored in the second memory as the shot order Method. 前記サブフィールドを分割する格子の大きさを、最大ビームサイズにほぼ等しくしたことを特徴とする請求項１記載の荷電ビーム描画方法。   2. The charged beam writing method according to claim 1, wherein the size of the grating dividing the subfield is substantially equal to the maximum beam size. 前記ショットの順番を並べ替えるために、前記分割された各々の格子に番号を割り振り、全てのショットに位置情報から格子番号を持たせ、この格子番号を基に前記サブフィールド内のショットを並べ替えることを特徴とする請求項１又は２記載の荷電ビーム描画方法。   In order to rearrange the order of the shots, a number is assigned to each of the divided grids, and all the shots are given a grid number from position information, and the shots in the subfield are rearranged based on the grid number. The charged beam drawing method according to claim 1 or 2, wherein 偏向器の偏向幅で決まるフィールド領域を複数のサブフィールドに分割し、サブフィールド内のパターンをショット描画する荷電ビーム描画装置であって、
前記サブフィールド内を格子状に分割する手段と、初期設定されたショット順にショットデータを格納する第１のメモリと、第１のメモリから読み出されたショットデータを格納する第２及び第３のメモリと、第１のメモリから読み出されたショットデータが第２のメモリに直前に格納したショットデータとショット位置が１格子以上離れているか否かを判定する手段とを備え、
前記ショット位置が１格子以上離れていると判定された場合は、第１のメモリから読み出されたショットデータを第２のメモリに格納し、離れていないと判定された場合は第３のメモリに格納し、第１のメモリのショットデータが無くなったら、第３のメモリのショットデータを第１のメモリに転送し、上記の操作を繰り返して最終的に第２のメモリに格納されたショットデータの順番をショット順として定めることを特徴とする荷電ビーム描画装置。 A charged beam drawing apparatus that divides a field region determined by a deflection width of a deflector into a plurality of subfields and performs shot drawing of a pattern in the subfield,
Means for dividing the subfield into a grid, a first memory for storing shot data in the order of the initially set shots, and second and third for storing shot data read from the first memory A memory and means for determining whether or not the shot data read immediately from the first memory and the shot data stored immediately before in the second memory are at least one lattice apart from the shot data;
When it is determined that the shot position is separated by one grid or more, the shot data read from the first memory is stored in the second memory, and when it is determined that the shot position is not separated, the third memory is stored. When the shot data of the first memory is stored, the shot data of the third memory is transferred to the first memory, and the above operation is repeated to finally store the shot data stored in the second memory. The charged beam drawing apparatus is characterized in that the order is determined as a shot order.
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