JP4797919B2 - 透明ガスバリア性フィルムおよびその製造方法 - Google Patents
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レン、ポリプロピレン等)、ポリエステル系(ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等)、ポリアミド系(ナイロン−6、ナイロン−66等)、ポリスチレン、エチレンビニルアルコール、ポリ塩化ビニル、ポリイミド、ポリビニルアルコール、ポリカーボネイト、ポリエーテルスルホン、アクリル、セルロース系(トリアセチルセルロース、ジアセチルセルロース等)などが挙げられるが特に限定されない。また、透明プラスチック基材を用いた場合、ロール・トゥ・ロールによって大量生産に適するため、好ましい。実際的には、用途や要求物性により適宜選定をすることが望ましく、限定をする例ではないが医療用品、薬品、食品等の包装には、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレン、ナイロンなどがコスト的に用いやすく、電子部材、光学部材等の極端に水分を嫌う内容物を保護する包装には、ポリエチレンナフタレート、ポリイミド類、ポリエーテルスルホンなどのそれ自体も高いガスバリア性能を有する基材を用いることが望ましい。また、透明高分子フィルム基材2の厚みは限定するものではないが、用途に応じて、6μmから200μm程度が使用しやすい。更に、透明高分子フィルム基材2は、高分子透明プラスチック基材の上に別の高分子膜を形成した多層基材を用いても良い。
のxが1.8を超えた組成において着色が無く透明性も高くガスバリア性能の良好な膜となった。ただし、酸化珪素膜1に形成された膜の硬度が高過ぎると、圧縮応力が強い場合に膜が破壊されクラックの原因となり、逆にガスバリア性能は劣ってしまう恐れがある。ここで、蒸着膜では比較的膜の硬度が低いため、圧縮応力が強くてもクラックが発生するほどには至らずガスバリア性能が上がるものと考えられる。
電子ビーム加熱方式真空蒸着装置で、開閉可能なシャッターを有する蒸発装置の内部で、電子銃から放出する電子ビームを酸化珪素材料に照射し、酸化珪素材料を蒸発させた。そして、シャッターを開くことにより、この真空蒸着装置内に設置した透明高分子フィルム基材2に、蒸発した酸化珪素の粒子を吹付け酸化珪素膜1を成膜した。透明高分子フィルム基材2としては、PET(ポリエチレンテレフタレート、東レ社製T60)の25μm厚のフィルムを用いた。蒸発装置の電子銃から放出する電子ビームの加速電圧を40kV、電子ビームの電流を0.25Aとして酸化珪素材料(SiO、キヤノンオプトロン社製)を加熱した。そして、酸化珪素の蒸発粒子が透明高分子フィルム基材2へ付着する軌跡上にパイプ方式で水蒸気を1sccm、二酸化炭素を3sccm導入した。酸化珪素材料の蒸発が始まった時点で蒸発装置のシャッターを開け、透明高分子フィルム基材2の上に酸化珪素膜1が250nm積層された透明ガスバリア性フィルムが形成されるように成膜時間を調整した。圧力は0.043Paであった。同時に、シリコンウェハ(直径76mm)上にも酸化珪素膜1を成膜した。
実施例1と同様の透明高分子フィルム基材2と酸化珪素材料の加熱条件で、蒸発装置内に水蒸気を3sccm、二酸化炭素を5sccm導入した。透明高分子フィルム基材2の上に酸化珪素膜1が50nm積層された透明ガスバリア性フィルムが形成されるように成膜時間を調整した。圧力は0.043Paであった。同時に、シリコンウェハ(直径76mm)上にも酸化珪素膜1を成膜した。
実施例1と同様の透明高分子フィルム基材2と酸化珪素材料の加熱条件で、酸化珪素の蒸発粒子が透明高分子フィルム基材2へ付着する軌跡上にパイプ方式で水蒸気を10sccm、二酸化炭素を2sccm導入した。酸化珪素材料の蒸発が始まった時点で蒸発装置のシャッターを開け、酸化珪素膜1が50nm積層された透明ガスバリア性フィルムが形成されるように成膜時間を調整した。圧力は0.049Paであった。同時に、シリコンウェハ(直径76mm)上にも酸化珪素膜1を成膜した。
実施例1と同様の透明高分子フィルム基材2と酸化珪素材料の加熱条件で、蒸発装置内に水蒸気を3sccm導入し、二酸化炭素を入れずに成膜をした。膜厚は250nmとなるように成膜時間を調整した。圧力は0.031Paであった。同時に、シリコンウェハ(直径76mm)上にも酸化珪素膜1を成膜した。
実施例1と同様の透明高分子フィルム基材2と酸化珪素材料、加熱条件で、蒸発装置内に水蒸気を入れずに、二酸化炭素を5sccm導入し、透明高分子フィルム基材2の上に成膜をした。酸化珪素膜1が膜厚50nm積層された透明ガスバリア性フィルムが形成されるように成膜時間を調整した。圧力は0.033Paであった。同時に、シリコンウェハ(直径76mm)上にも酸化珪素膜1を成膜した。
実施例1と同様の透明高分子フィルム基材2と酸化珪素材料の加熱条件で、蒸発装置内に水蒸気も二酸化炭素も入れず、透明高分子フィルム基材2の上に成膜をした。圧力は0.028Paであった。酸化珪素膜1の膜厚が50nm積層された透明ガスバリア性フィルムが形成されるように成膜時間を調整した。同時に、シリコンウェハ(直径76mm)上にも酸化珪素膜1を成膜した。
1)光線透過率・・・分光光度計(島津製作所社製 UV−3100)を用いて、波長400nmの光の透過率を測定
2)水蒸気透過率・・・モダンコントロール社製(MOCON PERMATRAN W3/33)を用いて、40℃−90%RH雰囲気下で測定した。
3)元素組成比・・・ESCA(島津製作所社製 ESCA−3200)により、SiとOの元素組成比を測定。酸化珪素膜1表面とエッチング(120sec)により酸化珪素膜1内部の炭素成分濃度を測定。
4)圧縮応力・・・基材の反り量をマイクロメータで実測し、Es(基材のヤング率):4GPa、νs(基材のポワソン比):0.3、tsは基材の厚さ、tfは6)によって得られた酸化珪素膜1の膜厚を代入して算出。
5)酸化珪素膜の圧縮応力・・・薄膜応力測定装置(Tensor社製、FLX2320)を用いて、6)によって得られた酸化珪素膜1の膜厚を代入し測定
6)酸化珪素膜の膜厚・・・X線反射法によって測定(リガク社製、ATX-G)
表1、表2に評価した結果を示す。
った。水蒸気を導入しなかった場合を実験した比較例2及び3では、酸化珪素膜1の組成のSiOxの酸化度を表わすxの値が1.8未満であり、酸化度が悪かったが、この場合のガスバリア性能は悪かった。水蒸気を導入し二酸化炭素を導入しない場合を実験した比較例1では、酸化度xの値は1.8以上になったが、酸化珪素膜1の圧縮応力が70MPa未満であり、圧縮応力が不十分であり、この場合のガスバリア性能は悪かった。
2・・・透明高分子フィルム基材
Claims (3)
- 透明高分子フィルム基材の片面もしくは両面に、反応性ガスに少なくとも二酸化炭素を用いた蒸着により形成した酸化珪素膜を有し、前記酸化珪素膜の組成のSiOxの酸化度のxが1.8以上で2以下であり、前記酸化珪素膜の圧縮応力が70MPa以上で200MPa以下であることを特徴とする透明ガスバリア性フィルム。
- 前記酸化珪素膜の最表面の炭素濃度が前記酸化珪素膜の内部の炭素濃度の3倍以上6倍以下であることを特徴とする請求項1記載の透明ガスバリア性フィルム。
- 減圧下で酸化珪素材料をビーム加熱蒸着法により蒸発させることで酸化珪素粒子を得、かつ、前記酸化珪素材料の近傍に水蒸気および二酸化炭素の反応性ガスを導入し、前記酸化珪素粒子を透明高分子フィルム基材の片面もしくは両面に蒸着することで前記透明高分子フィルム基材上に酸化珪素膜を形成することを特徴とする透明ガスバリア性フィルムの製造方法。
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