JP4792381B2 - 基板処理装置、フォーカスリングの加熱方法及び基板処理方法 - Google Patents
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Description
PS 処理空間
10 基板処理装置
11 収容室
12 サセプタ
18 高周波電力板
19 第1の高周波電源
23 静電チャック
24 フォーカスリング
24a 内周縁部
26 フォーカスリング温度制御装置
32 第2の高周波電源
36 誘導コイル
37a,37b 断熱・絶縁部
38 電力供給棒
39 昇降装置
40 誘導発熱部
Claims (5)
- 基板を収容する収容室と、該収容室内に配置されて前記基板を載置する載置台とを備え、前記収容室内は減圧され、前記載置台には高周波電力が印加される基板処理装置であって、
磁力線による誘導加熱により発熱する環状の誘導発熱部を内部に有し、前記載置台に載置された基板の周縁部を囲うように前記載置台に載置される環状のフォーカスリングと、
電力が供給されることにより磁力線を発生する磁力線発生装置と、
電源と接続され、前記電源から前記磁力線発生装置に前記磁力線を発生させるための電力を供給する電力供給部と、
前記載置台に前記高周波電力が印加される前に、前記電力供給部を前記高周波電力が印加される領域から退避させる退避手段とを有し、
前記磁力線発生装置は、断熱・絶縁材によって全面が覆われた環状のコイルであり、
前記フォーカスリング、前記誘導発熱部及び前記コイルはそれぞれ、各中心軸が一致するように配置されると共に、前記コイルが発生する磁力線が前記誘導加熱部と交差するように前記コイルは前記フォーカスリングと前記載置台との間に配置され、
前記コイルで発生させた磁力線による誘導加熱により前記誘導発熱部を発熱させることで前記フォーカスリングが加熱されることを特徴とする基板処理装置。 - 前記誘導発熱部は、鉄、ステンレス、アルミニウム、シリコン、炭化珪素及び炭素の少なくとも1つからなることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
- 基板を収容する収容室と、該収容室内に配置されて前記基板を載置する載置台と、磁力線による誘導加熱により発熱する環状の誘導発熱部を内部に有し、前記載置台に載置された基板の周縁部を囲うように前記載置台に載置される環状のフォーカスリングと、電力が供給されることにより磁力線を発生する磁力線発生装置と、電源から前記磁力線発生装置に前記磁力線を発生させるための電力を供給する電力供給部とを備え、前記磁力線発生装置は、断熱・絶縁材によって全面が覆われた環状のコイルであり、前記フォーカスリング、前記誘導発熱部及び前記コイルはそれぞれ各中心軸が一致するように配置され、前記コイルが発生する磁力線が前記誘導加熱部と交差するように前記コイルは前記フォーカスリングと前記載置台との間に配置され、前記収容室内は減圧され、前記載置台には高周波電力が印加される基板処理装置における前記フォーカスリングの加熱方法であって、
前記誘導発熱部と交差するように前記コイルに磁力線を発生させて、前記誘導発熱部を前記磁力線による誘導加熱によって発熱させることにより、前記フォーカスリングを加熱する磁力線交差ステップと、
前記磁力線と前記誘導発熱部との交差を終了する交差終了ステップと、
前記交差終了ステップ後に、前記電力供給部を前記高周波電力が印加される領域から退避させる電力供給部退避ステップと、
前記電力供給部退避ステップ後に、前記載置台に前記高周波電力を印加する高周波電力印加ステップとを有することを特徴とするフォーカスリングの加熱方法。 - 基板を収容する収容室と、該収容室内に配置されて前記基板を載置する載置台と、磁力線による誘導加熱により発熱する環状の誘導発熱部を内部に有し、前記載置台に載置された基板の周縁部を囲うように前記載置台に載置される環状のフォーカスリングと、電力が供給されることにより磁力線を発生する磁力線発生装置と、電源から前記磁力線発生装置に前記磁力線を発生させるための電力を供給する電力供給部とを備え、前記磁力線発生装置は、断熱・絶縁材によって全面が覆われた環状のコイルであり、前記フォーカスリング、前記誘導発熱部及び前記コイルはそれぞれ各中心軸が一致するように配置され、前記コイルが発生する磁力線が前記誘導加熱部と交差するように前記コイルは前記フォーカスリングと前記載置台との間に配置され、前記載置台には高周波電力が印加される基板処理装置において、前記高周波電力に起因して発生するプラズマを用いて複数の前記基板へ枚葉毎にプラズマ処理を施す基板処理方法であって、
前記誘導発熱部と交差するように前記コイルに磁力線を発生させ、前記磁力線による誘導加熱によって前記誘導発熱部を発熱させることにより、前記フォーカスリングを所定の温度まで昇温させる昇温ステップと、
前記昇温ステップ後に、前記電力供給部を前記高周波電力が印加される領域から退避させる電力供給部退避ステップと、
前記フォーカスリングが前記所定の温度まで昇温され、前記電力供給部を前記高周波電力が印加される領域から退避させた後、前記フォーカスリングへ外部からの熱や電力を供給することなく、1枚目の前記基板に前記プラズマ処理を施す第1の処理ステップと、
前記フォーカスリングへ外部からの熱や電力を供給することなく、2枚目以降の前記基板へ枚葉毎に前記プラズマ処理を施す第2の処理ステップとを有し、
前記所定の温度は2枚目以降の前記基板の前記プラズマ処理における前記フォーカスリングの初期温度と同じであることを特徴とする基板処理方法。 - 前記昇温ステップでは、前記フォーカスリングを前記所定の温度より高温に昇温し、
前記第1の処理ステップ前に、前記高温に昇温された前記フォーカスリングを前記所定の温度まで放置冷却する放置冷却ステップを有することを特徴とする請求項4記載の基板処理方法。
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