JP4788258B2 - Charged particle transfer mask, manufacturing method thereof, and transfer method using charged particle transfer mask - Google Patents

Charged particle transfer mask, manufacturing method thereof, and transfer method using charged particle transfer mask Download PDF

Info

Publication number
JP4788258B2
JP4788258B2 JP2005269749A JP2005269749A JP4788258B2 JP 4788258 B2 JP4788258 B2 JP 4788258B2 JP 2005269749 A JP2005269749 A JP 2005269749A JP 2005269749 A JP2005269749 A JP 2005269749A JP 4788258 B2 JP4788258 B2 JP 4788258B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern
membrane
transfer
mask
transfer mask
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2005269749A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2007081272A (en
Inventor
秀幸 江口
晋二 国谷
佳之 根岸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toppan Inc
Original Assignee
Toppan Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toppan Inc filed Critical Toppan Inc
Priority to JP2005269749A priority Critical patent/JP4788258B2/en
Publication of JP2007081272A publication Critical patent/JP2007081272A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4788258B2 publication Critical patent/JP4788258B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Description

本発明は、荷電粒子用転写マスク及びそれを用いた転写方法に関し、詳しくは、転写マスクのメンブレン層の転写領域に位置座標測定用パターンを有する荷電粒子用転写マスクと荷電粒子用転写マスクの位置座標測定用パターンからマスク歪みの程度を算出し、マスクに形成された転写パターンをウェハ上に転写する転写方法に関する。   The present invention relates to a charged particle transfer mask and a transfer method using the same, and more particularly, to a position of a charged particle transfer mask and a charged particle transfer mask having a position coordinate measurement pattern in a transfer region of a membrane layer of the transfer mask. The present invention relates to a transfer method for calculating a degree of mask distortion from a coordinate measurement pattern and transferring a transfer pattern formed on a mask onto a wafer.

近年、半導体集積回路の微細化に伴い、その製造技術として電子線リソグラフィー等の研究開発が盛んにおこなわれている。ステンシルマスクは、これらリソグラフィー技術のマスクブランクスとして、厚さ２μm以下のＳｉ自立メンブレンに転写貫通パターンを形成したものである。   In recent years, with the miniaturization of semiconductor integrated circuits, research and development such as electron beam lithography has been actively performed as a manufacturing technique thereof. The stencil mask is obtained by forming a transfer penetrating pattern on a Si free-standing membrane having a thickness of 2 μm or less as a mask blank of these lithography techniques.

詳しくは、かかるリソグラフィー技術の中でも半導体の微細化に対応する方法として、電子線を用いたセルプロジェクション露光法やブロック露光法と呼ばれる方法、さらにＬＥＥＰＬ（Ｌｏｗ Ｅｎｅｒｇｙ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）やＥＰＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）法と呼ばれる電子線投影露光法が開発されている。   Specifically, among such lithography techniques, as a method corresponding to miniaturization of semiconductors, a method called cell projection exposure method using electron beam or block exposure method, LEEPL (Low Energy Electron Projection Lithography), EPL (Electron Projection Lithography) ) The electron beam projection exposure method called the method has been developed.

ＥＰＬ法やＬＥＥＰＬ法では、図１１に示すように、ステンシル転写マスク２１０を用いて回路パターンをレジスト層２２１が形成された感応基板２２０に転写する。
転写マスク２１０では、電子線を散乱もしくは吸収する厚さを有する自立メンブレン内に、回路パターンを形成するためのステンシル（開口部）２１１が設けてあり、電子線がステンシル（開口部）２１１を透過し、回路パターンが感応基板２２０に転写することにより、電子線投影露光を行う。 In the EPL method and the LEEPL method, as shown in FIG. 11, a circuit pattern is transferred to a sensitive substrate 220 on which a resist layer 221 is formed using a stencil transfer mask 210.
In the transfer mask 210, a stencil (opening) 211 for forming a circuit pattern is provided in a self-supporting membrane having a thickness that scatters or absorbs an electron beam, and the electron beam passes through the stencil (opening) 211. Then, the circuit pattern is transferred to the sensitive substrate 220 to perform electron beam projection exposure.

ＥＰＬ法やＬＥＥＰＬ法で用いられるステンシル転写マスク２３０では、図１２に示すように、自立メンブレン２３２の剛性を強めるために、回路パターンを分割し、厚さ２μm以下の自立メンブレンを梁（ストラット）２３１により１ｍｍ角程度の大きさに分割する梁付きメンブレンマスク２３０が提案されている（図１２（ａ）〜（ｃ）参照）。   In the stencil transfer mask 230 used in the EPL method or the LEEPL method, as shown in FIG. Has proposed a membrane mask 230 with a beam that is divided into a size of about 1 mm square (see FIGS. 12A to 12C).

近年の高スループット化の要求に伴い、メンブレンサイズの拡大化が望まれ、ＥＰＬ法では従来の１ｍｍ角のメンブレンではなく、４ｍｍ角のメンブレンが提案されている。
一方、ＬＥＥＰＬ法では、分割を必要としない一括メンブレンマスクが提案され、露光時に分割パターンを繋ぐ必要がなく、高スループットが得られるマスクとして期待されている。 With the recent demand for higher throughput, it is desired to increase the membrane size, and the EPL method proposes a 4 mm square membrane instead of the conventional 1 mm square membrane.
On the other hand, in the LEEPL method, a batch membrane mask that does not require division is proposed, and it is not necessary to connect division patterns at the time of exposure, and is expected as a mask that can obtain high throughput.

しかしながら、メンブレンサイズが拡大すると、メンブレンの剛性が低下することにより回路パターンの位置歪みを制御することが困難になるという問題がある。
さらには、作製したマスク上の回路パターンの位置座標を測定し、露光することが非常に困難になるという問題がある。 However, when the membrane size is increased, there is a problem that it becomes difficult to control the positional distortion of the circuit pattern due to a decrease in the rigidity of the membrane.
Furthermore, there is a problem that it is very difficult to measure and expose the position coordinates of the circuit pattern on the manufactured mask.

例えば、ＬＥＥＰＬ法について説明する。図１３（ａ）及び（ｂ）に示すように、一つのメンブレンのサイズｗが１ｍｍ程度の小さい梁２４１付き転写マスク２４０の場合、各メンブレン内の位置精度が要求される位置精度を満たしていれば、各メンブレンの位置座標を、梁２４１上部に形成された歪み測定用パターン２４２により位置座標を測定し、メンブレン位置を管理することで、精度良く重ね合わせ露光することが可能となる。   For example, the LEEPL method will be described. As shown in FIGS. 13A and 13B, in the case of a transfer mask 240 with a beam 241 in which the size w of one membrane is as small as about 1 mm, the positional accuracy within each membrane must satisfy the required positional accuracy. For example, the position coordinates of each membrane can be measured with the distortion measurement pattern 242 formed on the upper portion of the beam 241 and the position of the membrane can be managed to perform overlay exposure with high accuracy.

しかし、メンブレンサイズが拡大化し、たとえば図１４（ａ）及び（ｂ）に示すような一括メンブレンマスク２５０の場合、一般にメンブレンサイズｗは２０ｍｍを越える大きさになり、位置座標をメンブレン周辺の支持枠２５４上に形成された歪み測定用パターン２５３により測定しても、回路パターン群２５１までの距離が大きく、さらには、メンブレンの拡大化により転写領域２５３内の回路パターンの変位が大きくなり易いために、メンブレン上の位置座標を補正できなくなるという問題がある。   However, the membrane size is enlarged, and in the case of a collective membrane mask 250 as shown in FIGS. 14A and 14B, for example, the membrane size w generally exceeds 20 mm, and the position coordinates are determined based on the support frame around the membrane. Even if measurement is performed using the distortion measurement pattern 253 formed on the H.254, the distance to the circuit pattern group 251 is large, and further, the displacement of the circuit pattern in the transfer region 253 is likely to increase due to the enlargement of the membrane. There is a problem that the position coordinates on the membrane cannot be corrected.

また、大メンブレン内の回路パターンの位置精度を制御する方法として、図１５に示すような荷電粒子線用転写マスク２６０において、転写領域２６２内に転写解像度限界以上の寸法を有し、かつ転写されない、本パターン以外の凹部や凸部からなる付加パターン（ＩＰマーク）２６４を形成し、この付加パターン（ＩＰマーク）２６４の位置精度を利用することにより、露光に使用する回路パターンの位置座標情報とする方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。   Further, as a method for controlling the positional accuracy of the circuit pattern in the large membrane, in the charged particle beam transfer mask 260 as shown in FIG. 15, the transfer region 262 has a dimension exceeding the transfer resolution limit and is not transferred. By forming an additional pattern (IP mark) 264 composed of a concave portion or a convex portion other than the main pattern and using the positional accuracy of the additional pattern (IP mark) 264, position coordinate information of a circuit pattern used for exposure and A method has been proposed (see Patent Document 1, for example).

転写領域内に付加パターン（ＩＰマーク）２６４を設けることにより、荷電粒子線用転写マスクの回路パターンの位置精度補正は有る程度可能になるが、本パターン領域２６３に本パターンと共存する形で付加パターン（ＩＰマーク）２６４を形成しているので、本パターンのパターン密度やパターン構成によって付加パターン（ＩＰマーク）２６４の製造上の制約を受けることになり、付加パターン（ＩＰマーク）の精度を維持する上での管理上の問題が発生する。
特願２００５−１２３３３７号公報 By providing an additional pattern (IP mark) 264 in the transfer area, the positional accuracy of the circuit pattern of the charged particle beam transfer mask can be corrected to some extent, but it is added to the main pattern area 263 so as to coexist with the main pattern. Since the pattern (IP mark) 264 is formed, the production density of the additional pattern (IP mark) 264 is restricted by the pattern density and pattern configuration of this pattern, and the accuracy of the additional pattern (IP mark) is maintained. Management problems occur.
Japanese Patent Application No. 2005-123337

本発明は、上記問題点に鑑み考案されたもので、メンブレン領域のマージン領域（スカート部）に位置座標測定用パターンを設けることで、ウェハ上に転写される回路パターンの位置補正ができるようにした荷電粒子用転写マスク及びその製造法並びにその荷電粒子用転写マスクを用いた転写方法を提供することを目的とする。   The present invention has been devised in view of the above problems, and by providing a position coordinate measurement pattern in the margin area (skirt portion) of the membrane area, the position of the circuit pattern transferred onto the wafer can be corrected. It is an object of the present invention to provide a charged particle transfer mask, a manufacturing method thereof, and a transfer method using the charged particle transfer mask.

本発明に於いて上記課題を達成するために、まず請求項１においては、メンブレンと、このメンブレンを支持する梁と支持枠とを具備し、前記メンブレンにステンシル（開口部）転写パターンと位置座標測定用パターンとが形成されてなる一括メンブレン荷電粒子用転写マスクにおいて、前記位置座標測定用パターンがメンブレンのマージン領域（スカート部）に形成されており、前記位置測定用パターンが非貫通パターンであり、前記非貫通パターンは、マスク梁部を挟む位置に凸部もしくは凹部で形成されていることを特徴とする荷電粒子用転写マスクとしたものである。
In order to achieve the above object in the present invention, first, in claim 1, a membrane, a beam supporting the membrane and a support frame are provided, and a stencil (opening) transfer pattern and position coordinates are provided on the membrane. In the batch membrane charged particle transfer mask in which a measurement pattern is formed, the position coordinate measurement pattern is formed in a margin area (skirt portion) of the membrane, and the position measurement pattern is a non-penetrating pattern. The non-penetrating pattern is a transfer mask for charged particles, characterized in that it is formed with convex portions or concave portions at positions sandwiching the mask beam portion .

また、請求項２においては、前記凸部で形成された非貫通パターンが、Ｓｉ活性層表面に金属薄膜を付加することで形成されることを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子用転写マスクとしたものである。

Moreover, in Claim 2, the non-penetrating pattern formed by the said convex part is formed by adding a metal thin film to the Si active layer surface, The transfer for charged particles of Claim 1 characterized by the above-mentioned. It is a mask.

また、請求項３においては、メンブレン上に感光層を形成して、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行ってレジストパターンを形成し、レジストパターンをエッチングマスクにしてメンブレン層をエッチングして、メンブレン領域にステンシル（開口部）と位置座標測定用パターンを形成してなる荷電粒子用転写マスクの製造方法において、前記感光層が感度の異なる２種類以上の感光層から構成されていることを特徴とする、請求項１に記載の荷電粒子用転写マスクの製造方法としたものである。
According to a third aspect of the present invention, a photosensitive layer is formed on the membrane, a resist pattern is formed by performing a series of patterning processes such as pattern exposure and development, and the membrane layer is etched using the resist pattern as an etching mask. In the method of manufacturing a transfer mask for charged particles, in which a stencil (opening) and a position coordinate measurement pattern are formed in the membrane region, the photosensitive layer is composed of two or more types of photosensitive layers having different sensitivities. The method for producing a transfer mask for charged particles according to claim 1, wherein

さらにまた、請求項４においては、請求項１〜３のいずれか一項に記載の荷電粒子用転写マスクの位置座標測定用パターンからマスク歪みの程度を算出し、荷電粒子用転写マスクに形成された転写パターンを補正して、ウェハ上にパターンを転写することを特徴とするパターン転写方法。
Furthermore, in claim 4, the degree of mask distortion is calculated from the position coordinate measurement pattern of the charged particle transfer mask according to any one of claims 1 to 3 , and is formed on the charged particle transfer mask. A pattern transfer method comprising correcting a transferred pattern and transferring the pattern onto a wafer.

本発明の荷電粒子用マスクによれば、位置精度が劣化しやすい大メンブレンマスクにおいて、転写パターンの位置精度を精度良く補正することを可能となる。
さらには、本発明の荷電粒子用転写マスクの位置座標測定用パターンからマスク歪みの程度を算出して、転写パターンを補正するので、位置精度に優れた回路パターンをウェハ上に転写することができる。 According to the charged particle mask of the present invention, it is possible to accurately correct the position accuracy of a transfer pattern in a large membrane mask whose position accuracy is likely to deteriorate.
Furthermore, since the degree of mask distortion is calculated from the position coordinate measurement pattern of the transfer mask for charged particles of the present invention and the transfer pattern is corrected, a circuit pattern having excellent positional accuracy can be transferred onto the wafer. .

以下、本発明の実施の形態につき説明する。
図１（ａ）は、本発明の荷電粒子用転写マスクの一実施例を示す模式構成断面図である。
荷電粒子用転写マスク１００は、図１（ａ）に示すように、支持枠１１ａ及び梁１１ｂ上に中間酸化膜１２を介して自立メンブレン１３ａが形成されており、自立メンブレン１３ａにはステンシル（開口部）転写パターン１４とマージン領域（スカート部）に凹部からなる非貫通の位置座標測定用パターン１５ａが形成されたものである。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described.
FIG. 1A is a schematic sectional view showing an embodiment of a transfer mask for charged particles of the present invention.
In the charged particle transfer mask 100, as shown in FIG. 1A, a self-supporting membrane 13a is formed on a support frame 11a and a beam 11b via an intermediate oxide film 12, and a stencil (opening) is formed on the self-supporting membrane 13a. Part) A non-penetrating position coordinate measurement pattern 15a made of a recess is formed in the transfer pattern 14 and the margin area (skirt part).

ここで、マージン領域（スカート部）の位置関係について説明する。
図３（ａ）は、梁１１ｂ内に形成された自立メンブレン１３ａにステンシル（開口部）転写パターン１４とマージン領域（スカート部）に凹部からなる非貫通の位置座標測定用パターン１５ａが形成された荷電粒子用転写マスクの模式平面図である。
図３（ｂ）は、（ａ）をＡ−Ａ’線で切断した荷電粒子用転写マスクの模式構成断面図である。
荷電粒子用転写マスクの梁１１ｂ間の自立メンブレン１３ａは、梁１１ｂ内の開口部領域Ａと、有効露光領域Ｂと、開口部領域Ａから有効露光領域Ｂを差し引いた露光に寄与しないマージン領域（スカート部）Ｃに区分される。
通常梁１１ｂの内壁は、図３（ｂ）に示す破線のようにテーパー状となることが多い。そのため、梁１１ｂ内の開口部領域Ａから有効露光領域Ｂを差し引いた露光に寄与しない領域をマージン領域（スカート部）Ｃとして設定している。 Here, the positional relationship of the margin area (skirt portion) will be described.
In FIG. 3A, a stencil (opening) transfer pattern 14 and a non-penetrating position coordinate measurement pattern 15a including a recess are formed in a margin area (skirt portion) on a self-supporting membrane 13a formed in a beam 11b. It is a schematic plan view of the transfer mask for charged particles.
FIG. 3B is a schematic cross-sectional view of a charged particle transfer mask obtained by cutting (a) along the line AA ′.
The self-supporting membrane 13a between the beams 11b of the transfer mask for charged particles includes an opening region A in the beam 11b, an effective exposure region B, and a margin region that does not contribute to exposure by subtracting the effective exposure region B from the opening region A ( Skirt part) C.
The inner wall of the normal beam 11b is often tapered as shown by a broken line in FIG. Therefore, an area that does not contribute to exposure by subtracting the effective exposure area B from the opening area A in the beam 11b is set as a margin area (skirt part) C.

図１（ｂ）は、本発明の荷電粒子用転写マスクの他の実施例を示す模式構成断面図である。
荷電粒子用転写マスク１００ａは、図１（ｂ）に示すように、支持枠１１ａ及び梁１１ｂ上に中間酸化膜１２を介して自立メンブレン１３ａが形成されており、自立メンブレン１３ａにはステンシル（開口部）転写パターン１４とマージン領域（スカート部）に凸部からなる非貫通の位置座標測定用パターン５１ａが形成されたものである。
FIG. 1B is a schematic sectional view showing another embodiment of the charged particle transfer mask of the present invention.
In the charged particle transfer mask 100a, as shown in FIG. 1B, a self-supporting membrane 13a is formed on a support frame 11a and a beam 11b via an intermediate oxide film 12, and a stencil (opening) is formed on the self-supporting membrane 13a. Part) A non-penetrating position coordinate measurement pattern 51a made of a convex part is formed in the transfer pattern 14 and the margin area (skirt part).

図２（ａ）は、本発明の荷電粒子用転写マスクの他の実施例を示す模式構成断面図である。
荷電粒子用転写マスク１１０は、図２（ａ）に示すように、支持枠１１ａ及び梁１１ｂ上に自立メンブレン１３ａが形成されており、自立メンブレン１３ａにはステンシル（開口部）転写パターン１４とマージン領域（スカート部）に凹部からなる非貫通の位置座標測定用パターン１５ａが形成されたものである。
FIG. 2A is a schematic sectional view showing another embodiment of the charged particle transfer mask of the present invention.
As shown in FIG. 2A, the charged particle transfer mask 110 has a self-supporting membrane 13a formed on a support frame 11a and a beam 11b. The self-supporting membrane 13a has a stencil (opening) transfer pattern 14 and a margin. A non-penetrating position coordinate measurement pattern 15a made of a concave portion is formed in a region (skirt portion).

図２（ｂ）は、本発明の荷電粒子用転写マスクの他の実施例を示す模式構成断面図である。
荷電粒子用転写マスク１１０ａは、図２（ｂ）に示すように、支持枠１１ａ上に自立メンブレン１３ａが形成されており、自立メンブレン１３ａにはステンシル（開口部）転写パターン１４とマージン領域（スカート部）に凸部からなる非貫通の位置座標測定用パターン５１ａが形成されたものである。
FIG. 2B is a schematic sectional view showing another embodiment of the transfer mask for charged particles of the present invention.
As shown in FIG. 2B, the charged particle transfer mask 110a has a self-supporting membrane 13a formed on a support frame 11a. The self-supporting membrane 13a has a stencil (opening) transfer pattern 14 and a margin region (skirt). Part) is formed with a non-penetrating position coordinate measurement pattern 51a made of a convex part.

凸部からなる非貫通の位置座標測定用パターン５１ａの材質としては、たとえばＣｒもしくはＺｒを含む薄膜が使用でき、導電性および洗浄耐性を有することが好ましい。
非貫通の位置座標測定用パターン５１ａの凸部の高さは、位置座標測定の際に可能な程度の自立メンブレンと凸部パターンとのコントラストが得られる厚さで決定する。
高さの上限は凸部パターンを形成する膜の応力による回路パターンの位置精度の劣化を引き起こさない程度に決定される。 As a material of the non-penetrating position coordinate measurement pattern 51a made of a convex portion, for example, a thin film containing Cr or Zr can be used, and it is preferable to have conductivity and washing resistance.
The height of the convex portion of the non-penetrating position coordinate measurement pattern 51a is determined by a thickness that can obtain a contrast between the free-standing membrane and the convex portion pattern as much as possible at the time of position coordinate measurement.
The upper limit of the height is determined so as not to cause deterioration of the position accuracy of the circuit pattern due to the stress of the film forming the convex pattern.

上記したように、本発明の荷電粒子用転写マスクは、支持枠１１ａ及び梁１１ｂ上に自立メンブレン１３ａが形成されており、自立メンブレン１３ａには電子ビーム描画用のステンシル（開口部）転写パターン１４と、マージン領域（スカート部）に電子ビーム描画に関与しない凸部もしくは凹部からなる非貫通の位置座標測定用パターンを設けることにより、マスク歪みの程度を算出し、荷電粒子用転写マスクに形成された転写パターンを補正して、ウェハ上にパターンを転写できるようにしたものである。
また、本ステンシル（開口部）転写パターン１４のパターン密度やパターン構成によって凸部もしくは凹部からなる非貫通の位置座標測定用パターンの製造上の制約を受けることも無い。
また、本発明の荷電粒子用転写マスクは一括メンブレン構成となっている。 As described above, in the transfer mask for charged particles of the present invention, the self-supporting membrane 13a is formed on the support frame 11a and the beam 11b, and the stencil (opening) transfer pattern 14 for electron beam drawing is formed on the self-supporting membrane 13a. In addition, by providing a non-penetrating position coordinate measurement pattern consisting of convex portions or concave portions not involved in electron beam drawing in the margin region (skirt portion), the degree of mask distortion is calculated and formed on the charged particle transfer mask. The transfer pattern is corrected so that the pattern can be transferred onto the wafer.
Further, there is no restriction on the production of a non-penetrating position coordinate measuring pattern composed of convex portions or concave portions depending on the pattern density or pattern configuration of the stencil (opening) transfer pattern 14.
The charged particle transfer mask of the present invention has a collective membrane configuration.

非貫通の位置座標測定用パターン１５ａ、５１ａの一例を図１０（ａ）〜（ｄ）に示す。非貫通の位置座標測定用パターン１５ａ、５１ａとしては、（ａ）に示すクロスタイプ、（ｂ）に示すボックススタイプ、（ｃ）に示すＬ字タイプ、（ｄ）に示すスクエアタイプ等があり、Ｘ、Ｙ方向のエッジ検出がしやすい形状で、線幅Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３は1μｍ以上が望ましい。また、非貫通の位置座標測定用パターン１５ａ、５１ａの全長Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４は３〜１５μｍ程度が望ましい。   An example of the non-penetrating position coordinate measurement patterns 15a and 51a is shown in FIGS. Non-penetrating position coordinate measurement patterns 15a and 51a include a cross type shown in (a), a box type shown in (b), an L-shaped type shown in (c), and a square type shown in (d). The shape is easy to detect edges in the X, Y directions, and the line widths W1, W2, and W3 are preferably 1 μm or more. The total lengths L1, L2, L3, and L4 of the non-penetrating position coordinate measurement patterns 15a and 51a are preferably about 3 to 15 μm.

以下本発明の荷電粒子用転写マスクの製造方法について説明する。
図４（ａ）〜（ｆ）及び図５（ｇ）〜（ｉ）は、本発明の荷電粒子用転写マスクの製造方法の一実施例を工程順に示す模式構成断面図である。
これは凹部からなる非貫通の位置座標測定用パターンが形成された荷電粒子用転写マスク１００の製造方法の一例である。
まず、Ｓｉウェハ等からなるＳｉ支持基板１１上に酸化シリコン膜等からなる中間酸化膜１２を介してＳｉ活性層１３が形成されたＳＯＩ基板１０を用意する（図４（ａ）参照）。
 Hereinafter, a method for producing a transfer mask for charged particles of the present invention will be described.
4 (a) to 4 (f) and FIGS. 5 (g) to 5 (i) are schematic cross-sectional views showing an embodiment of the method for producing a transfer mask for charged particles according to the present invention in the order of steps.
This is an example of a manufacturing method of the charged particle transfer mask 100 in which a non-penetrating position coordinate measurement pattern formed of a recess is formed.
First, an SOI substrate 10 is prepared in which a Si active layer 13 is formed on an Si support substrate 11 made of a Si wafer or the like via an intermediate oxide film 12 made of a silicon oxide film or the like (see FIG. 4A).

次に、自立メンブレン形成時に同自立メンブレンの内部応力が例えば２０ＭＰａ以下となるように、Ｓｉ活性層１３への不純物拡散を行い、Ｓｉ活性層１３へ不純物が導入された自立メンブレン１３ａからなる応力調整済みＳＯＩ基板１０ａを作製する（図４（ｂ）参照）。
ここで、Ｓｉ活性層１３では、自立メンブレン形成時に、中間酸化膜１２の圧縮応力のために自立メンブレンは弛むため、Ｓｉ活性層１３には引っ張り応力を与える必要がある。そのため、不純物としてはリンやボロンのようなＳｉの原子半径より小さい原子半径を持つ不純物が選ばれる。 Next, an impurity is diffused into the Si active layer 13 so that the internal stress of the self-supporting membrane becomes, for example, 20 MPa or less when the self-supporting membrane is formed, and the stress adjustment is made of the self-supporting membrane 13a into which impurities are introduced into the Si active layer 13 A completed SOI substrate 10a is manufactured (see FIG. 4B).
Here, in the Si active layer 13, since the self-supporting membrane is loosened due to the compressive stress of the intermediate oxide film 12 when the self-supporting membrane is formed, it is necessary to apply a tensile stress to the Si active layer 13. Therefore, an impurity having an atomic radius smaller than that of Si, such as phosphorus or boron, is selected as the impurity.

次に、応力調整済みＳＯＩ基板１０ａ上に異なる感度を持つ２種類の化学増幅系電子線感応性レジストを塗布し、レジスト層２１及びレジスト層２２を形成する（図４（ｃ）参照）。   Next, two types of chemically amplified electron beam sensitive resists having different sensitivities are applied on the stress-adjusted SOI substrate 10a to form a resist layer 21 and a resist layer 22 (see FIG. 4C).

次に、非貫通の位置座標測定用パターン用レジストパターンを形成するための電子線露光３１を行う（図４（ｄ）参照）。さらに、ステンシル（開口部）転写パターン用レジストパターンを形成するための電子線露光３２を行う（図４（ｅ）参照）。
ここで、電子線露光３１の電子線照射量は１０μmＣ／ｃｍ2程度と、電子線露光３２の電子線照射量は３０μmＣ／ｃｍ2程度とする。 Next, electron beam exposure 31 is performed to form a non-penetrating position coordinate measurement pattern resist pattern (see FIG. 4D). Furthermore, electron beam exposure 32 is performed to form a resist pattern for a stencil (opening) transfer pattern (see FIG. 4E).
Here, the electron beam irradiation amount of the electron beam exposure 31 is about 10 μmC / cm 2, and the electron beam irradiation amount of the electron beam exposure 32 is about 30 μmC / cm 2 .

次に、専用の現像液でレジスト層２１及びレジスト層２２の現像処理を行い、開口部４１及び開口部４２を有するレジストパターンを形成する（図４（ｆ）参照）。
ここで、開口部４１は、レジスト層２１のみが現像処理されて形成されたもので、非貫通の位置座標測定用パターンを形成するためのレジストパターンとして作用する。
開口部４２は、レジスト層２１及びレジスト層２２が現像処理されて形成されたもので、ステンシル（開口部）転写パターンを形成するためのレジストパターンとして作用する。化学増幅系のレジストは電子線照射量に対する感度が非常に高いため、未完通パターン部のレジストパターン底部、つまりレジスト層２１の露出部はほとんど溶解することはないので、ドライエッチチング用に良好なレジスト形状が得られる。 Next, the resist layer 21 and the resist layer 22 are developed with a dedicated developer to form a resist pattern having an opening 41 and an opening 42 (see FIG. 4F).
Here, the opening 41 is formed by developing only the resist layer 21 and functions as a resist pattern for forming a non-penetrating position coordinate measurement pattern.
The opening 42 is formed by developing the resist layer 21 and the resist layer 22 and functions as a resist pattern for forming a stencil (opening) transfer pattern. Since the chemically amplified resist is very sensitive to the electron beam dose, the bottom of the resist pattern in the incomplete pattern portion, that is, the exposed portion of the resist layer 21 is hardly dissolved, which is favorable for dry etching. A resist shape is obtained.

次に、開口部４１及び開口部４２を有するレジストパターンをマスクにして、ＳＦ6やフロロカーボン等の混合ガスを用いて自立メンブレン１３ａのドライエッチングを行い、酸素プラズマ等による灰化処理を行ってレジストパターンを除去し、アンモニア過水やバッファードフッ酸による洗浄を行って、自立メンブレン１３ａにステンシル（開口部）転写パターン１４及び凹部からなる非貫通の位置座標測定用パターン１５ａを形成する（図５（ｇ）参照）。
ここで、非貫通の位置座標測定用パターン１５ａの凹部の深さは自立メンブレン１３ａの厚みの半分程度が目安である。 Next, using the resist pattern having the opening 41 and the opening 42 as a mask, the self-supporting membrane 13a is dry-etched using a mixed gas such as SF 6 or fluorocarbon, and an ashing process using oxygen plasma or the like is performed. The pattern is removed, and cleaning with ammonia water or buffered hydrofluoric acid is performed to form a non-penetrating position coordinate measurement pattern 15a including a stencil (opening) transfer pattern 14 and a recess in the self-supporting membrane 13a (FIG. 5). (See (g)).
Here, the depth of the concave portion of the non-penetrating position coordinate measurement pattern 15a is approximately a half of the thickness of the self-supporting membrane 13a.

次に、低圧ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）等により窒化膜等を成膜し、メンブレンウインドウ用パターン６１を形成する（図５（ｈ）参照）。   Next, a nitride film or the like is formed by low pressure CVD (Chemical Vapor Deposition) or the like to form a membrane window pattern 61 (see FIG. 5H).

次に、３０ｗｔ％のＫＯＨを８０℃に加熱し、ウエットエッチングによりＳｉ支持基板１１の一部を除去した後、さらに露出した中間酸化膜１２をＨＦ溶液でエッチングして支持枠１１ａ及び梁１１ｂを形成し、アンモニア過水やバッファードフッ酸による洗浄を行って、支持枠１１ａ及び梁１１ｂ上に中間酸化膜１２を介して自立メンブレン１３ａにステンシル（開口部）転写パターン１４と、マージン領域（スカート部）に凹部からなる非貫通の位置座標測定用パターン１５ａとが形成された本発明の荷電粒子用転写マスク１００を得る（図５（ｉ）参照）。
尚、Ｓｉ支持基板１１の除去には、転写パターン１４の開口部形成に用いたドライエッチングも好適に用いることができる。 Next, 30 wt% KOH is heated to 80 ° C., and a part of the Si support substrate 11 is removed by wet etching. Then, the exposed intermediate oxide film 12 is etched with an HF solution to form the support frame 11a and the beam 11b. Then, the substrate is washed with ammonia water or buffered hydrofluoric acid, and the stencil (opening) transfer pattern 14 and the margin region (skirt) are formed on the free-standing membrane 13a via the intermediate oxide film 12 on the support frame 11a and the beam 11b. A transfer mask 100 for charged particles of the present invention in which a non-penetrating position coordinate measurement pattern 15a formed of a concave portion is formed on a portion) is obtained (see FIG. 5I).
For removing the Si support substrate 11, dry etching used for forming the opening of the transfer pattern 14 can also be suitably used.

凸部からなる非貫通の位置座標測定用パターンが形成された荷電粒子用転写マスク１００ａの製造方法について説明する。
図６（ａ）〜（ｆ）及び図７（ｇ）〜（ｌ）は、凸部からなる非貫通の位置座標測定用パターンが形成された本発明の荷電粒子用転写マスクの製造方法の一実施例を工程順に示す模式構成断面図である。
まず、Ｓｉウェハ等からなるＳｉ支持基板１１上に酸化シリコン膜等からなる中間酸化膜１２を介してＳｉ活性層１３が形成されたＳＯＩ基板１０を用意する（図６（ａ）参照）
。 A method of manufacturing the charged particle transfer mask 100a on which a non-penetrating position coordinate measurement pattern made of a convex portion is formed will be described.
6 (a) to 6 (f) and FIGS. 7 (g) to (l) show one method for manufacturing a transfer mask for charged particles according to the present invention, in which a non-penetrating position coordinate measuring pattern made up of convex portions is formed. It is a schematic structure sectional view showing an example in order of processes.
First, an SOI substrate 10 in which a Si active layer 13 is formed on an Si support substrate 11 made of a Si wafer or the like via an intermediate oxide film 12 made of a silicon oxide film or the like is prepared (see FIG. 6A).
.

次に、自立メンブレン形成時に同自立メンブレンの内部応力が例えば２０ＭＰａ以下となるように、Ｓｉ活性層１３への不純物拡散を行い、Ｓｉ活性層１３へ不純物が導入された自立メンブレン１３ａからなる応力調整済みＳＯＩ基板１０ａを作製する（図６（ｂ）参照）。
ここで、Ｓｉ活性層１３の場合、自立メンブレン形成時に、中間酸化膜１２の圧縮応力のために自立メンブレンは弛むため、Ｓｉ活性層１３には引っ張り応力を与える必要がある。そのため、不純物としてはリンやボロンのようなＳｉの原子半径より小さい原子半径を持つ不純物が選ばれる。 Next, an impurity is diffused into the Si active layer 13 so that the internal stress of the self-supporting membrane becomes, for example, 20 MPa or less when the self-supporting membrane is formed, and the stress adjustment is made of the self-supporting membrane 13a into which impurities are introduced into the Si active layer 13 A completed SOI substrate 10a is manufactured (see FIG. 6B).
Here, in the case of the Si active layer 13, since the free standing membrane is loosened due to the compressive stress of the intermediate oxide film 12 when the free standing membrane is formed, it is necessary to apply a tensile stress to the Si active layer 13. Therefore, an impurity having an atomic radius smaller than that of Si, such as phosphorus or boron, is selected as the impurity.

次に、応力調整済みＳＯＩ基板１０ａ上に化学増幅系電子線感応性レジストを塗布すし、ホットプレートによるベ−クを行ってレジスト層２３を形成する。（図６（ｃ）参照）。   Next, a chemically amplified electron beam sensitive resist is applied on the stress-adjusted SOI substrate 10a, and baking is performed with a hot plate to form a resist layer 23. (See FIG. 6 (c)).

次に、レジスト層２３に非貫通の位置座標測定用パターン用レジストパターンを形成するための電子線露光３１を行う（図６（ｄ）参照）。   Next, electron beam exposure 31 is performed to form a resist pattern for non-penetrating position coordinate measurement patterns in the resist layer 23 (see FIG. 6D).

次に、専用の現像液でレジスト層２３の現像処理を行い、開口部４３を有するレジストパターン２３ａを形成する（図６（ｅ）参照）。   Next, the resist layer 23 is developed with a dedicated developer to form a resist pattern 23a having an opening 43 (see FIG. 6E).

次に、クロム、ジルコニウム等の金属材料をスパッタリングして、レジストパターン２３ａ上及び開口部４３内の自立メンブレン１３ａ上に金属薄膜層５１を形成する（図６（ｆ）参照）。
ここで、金属薄膜層５１の膜厚は、Ｓｉ活性層１３の膜厚の半分程度が目安である。 Next, a metal material such as chromium or zirconium is sputtered to form a metal thin film layer 51 on the resist pattern 23a and on the free-standing membrane 13a in the opening 43 (see FIG. 6F).
Here, the film thickness of the metal thin film layer 51 is approximately about half the film thickness of the Si active layer 13.

次に、専用の剥離液でレジストパターン２３ａを剥離処理し、自立メンブレン１３ａのマージン領域（スカート部）に凸部からなる非貫通の位置座標測定用パターン５１ａを形成する（図７（ｇ）参照）。
ここで、上記凸部からなる非貫通の位置座標測定用パターン５１ａをリフトオフ法にて形成したが、これは、あくまでも一例であって、これに限定されるものではない。 Next, the resist pattern 23a is stripped with a dedicated stripping solution to form a non-penetrating position coordinate measurement pattern 51a including a convex portion in the margin region (skirt portion) of the self-supporting membrane 13a (see FIG. 7G). ).
Here, the non-penetrating position coordinate measurement pattern 51a composed of the convex portions is formed by the lift-off method, but this is merely an example, and the present invention is not limited to this.

次に、電子線感応性レジストを塗布し、レジスト層２４を形成し、ステンシル（開口部）転写パターン用レジストパターンを形成するための電子線露光３２を行う（図７（ｈ）参照）。   Next, an electron beam sensitive resist is applied, a resist layer 24 is formed, and an electron beam exposure 32 for forming a resist pattern for a stencil (opening) transfer pattern is performed (see FIG. 7H).

次に、専用の現像液でレジスト層２４の現像処理を行い、開口部４４を有するレジストパターン２４ａを形成する（図７（ｉ）参照）。   Next, the resist layer 24 is developed with a dedicated developer to form a resist pattern 24a having an opening 44 (see FIG. 7 (i)).

次に、開口部４４を有するレジストパターン２４ａをマスクにして、ＳＦ6やフロロカーボン等の混合ガスを用いて自立メンブレン１３ａのドライエッチングを行い、酸素プラズマ等による灰化処理を行ってレジストパターン２４ａを除去し、アンモニア過水やバッファードフッ酸による洗浄を行って、自立メンブレン１３ａにステンシル（開口部）転写パターン１４を形成する（図７（ｊ）参照）。 Next, using the resist pattern 24a having the opening 44 as a mask, the self-supporting membrane 13a is dry-etched using a mixed gas such as SF 6 or fluorocarbon, and an ashing process using oxygen plasma or the like is performed to form the resist pattern 24a. The stencil (opening) transfer pattern 14 is formed on the self-supporting membrane 13a by removing it and washing with ammonia peroxide or buffered hydrofluoric acid (see FIG. 7 (j)).

次に、低圧ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）等により窒化膜等を成膜し、メンブレンウインドウ用パターン６１を形成する（図７（ｋ）参照）。   Next, a nitride film or the like is formed by low pressure CVD (Chemical Vapor Deposition) or the like to form a membrane window pattern 61 (see FIG. 7 (k)).

次に、３０ｗｔ％のＫＯＨを８０℃に加熱し、ウエットエッチングによりＳｉ支持基板
１１の一部を除去した後、さらに露出した中間酸化膜１２をＨＦ溶液でエッチングして支持枠１１ａ及び梁１１ｂを形成し、アンモニア過水やバッファードフッ酸による洗浄を行って、支持枠１１ａ及び梁１１ｂ上に中間酸化膜１２を介して自立メンブレン１３ａにステンシル（開口部）転写パターン１４と、マージン領域（スカート部）に凸部からなる非貫通の位置座標測定用パターン５１ａとが形成された本発明の荷電粒子用転写マスク１００ａを得る（図７（ｌ）参照）。 Next, 30 wt% KOH is heated to 80 ° C., and a part of the Si support substrate 11 is removed by wet etching. Then, the exposed intermediate oxide film 12 is etched with an HF solution to form the support frame 11a and the beam 11b. Then, the substrate is washed with ammonia water or buffered hydrofluoric acid, and the stencil (opening) transfer pattern 14 and the margin region (skirt) are formed on the free-standing membrane 13a via the intermediate oxide film 12 on the support frame 11a and the beam 11b. A transfer mask 100a for charged particles of the present invention in which a non-penetrating position coordinate measurement pattern 51a made of a convex portion is formed on the portion (see FIG. 7 (l)).

上記で述べた凹部からなる非貫通の位置座標測定用パターンが形成された荷電粒子用転写マスク１００の他の製造方法について説明する。
図８（ａ）〜（ｆ）及び図９（ｇ）〜（ｉ）は、凹部からなる非貫通の位置座標測定用パターンが形成された本発明の荷電粒子用転写マスクの製造方法の一実施例を工程順に示す模式構成断面図である。
まず、Ｓｉウェハ等からなるＳｉ支持基板１１上に酸化シリコン膜等からなる中間酸化膜１２を介してＳｉ活性層１３が形成されたＳＯＩ基板１０を用意する（図８（ａ）参照）。 Another manufacturing method of the charged particle transfer mask 100 in which the non-penetrating position coordinate measurement pattern including the concave portions described above is formed will be described.
8 (a) to 8 (f) and FIGS. 9 (g) to 9 (i) show an embodiment of the method for manufacturing a transfer mask for charged particles of the present invention on which a non-penetrating position coordinate measuring pattern formed of a recess is formed. It is a schematic structure sectional view showing an example in order of processes.
First, an SOI substrate 10 is prepared in which an Si active layer 13 is formed on an Si support substrate 11 made of a Si wafer or the like via an intermediate oxide film 12 made of a silicon oxide film or the like (see FIG. 8A).

次に、自立メンブレン形成時に同自立メンブレンの内部応力が例えば２０ＭＰａ以下となるように、Ｓｉ活性層１３への不純物拡散を行い、Ｓｉ活性層１３へ不純物が導入された自立メンブレン１３ａからなる応力調整済みＳＯＩ基板１０ａを作製する（図８（ｂ）参照）。
ここで、Ｓｉ活性層１３の場合、自立メンブレン形成時に、中間酸化膜１２の圧縮応力のために自立メンブレンは弛むため、Ｓｉ活性層１３には引っ張り応力を与える必要がある。そのため、不純物としてはリンやボロンのようなＳｉの原子半径より小さい原子半径を持つ不純物が選ばれる。 Next, an impurity is diffused into the Si active layer 13 so that the internal stress of the self-supporting membrane becomes, for example, 20 MPa or less when the self-supporting membrane is formed, and the stress adjustment is made of the self-supporting membrane 13a into which impurities are introduced into the Si active layer 13 A completed SOI substrate 10a is manufactured (see FIG. 8B).
Here, in the case of the Si active layer 13, since the free standing membrane is loosened due to the compressive stress of the intermediate oxide film 12 when the free standing membrane is formed, it is necessary to apply a tensile stress to the Si active layer 13. Therefore, an impurity having an atomic radius smaller than that of Si, such as phosphorus or boron, is selected as the impurity.

次に、応力調整済みＳＯＩ基板１０ａ上に電子線感応性レジストを塗布し、レジスト層２５を形成する（図８（ｃ）参照）。   Next, an electron beam sensitive resist is applied on the stress-adjusted SOI substrate 10a to form a resist layer 25 (see FIG. 8C).

次に、レジスト層２５に非貫通の位置座標測定用パターン用レジストパターンを形成するための電子線露光３１を行う（図８（ｄ）参照）。さらに、ステンシル（開口部）転写パターン用レジストパターンを形成するための電子線露光３２を行う（図８（ｅ）参照）。
ここで、レジスト層２５として感度が１００μmＣ／ｃｍ2程度のＰＭＭＡ（ポリメチルメタアクリレ−ト系）ポジレジストを５００ｎｍ厚で形成した場合、電子線露光３１の電子線照射量は１２０μＣ／ｃｍ2、電子線露光３２の電子線照射量は７０μＣ／ｃｍ2程度である。 Next, electron beam exposure 31 is performed to form a resist pattern for non-penetrating position coordinate measurement patterns in the resist layer 25 (see FIG. 8D). Further, electron beam exposure 32 is performed to form a resist pattern for a stencil (opening) transfer pattern (see FIG. 8E).
Here, when a PMMA (polymethyl methacrylate-based) positive resist having a sensitivity of about 100 μm C / cm 2 is formed as the resist layer 25 with a thickness of 500 nm, the electron beam irradiation amount of the electron beam exposure 31 is 120 μC / cm 2. The electron beam exposure dose of the electron beam exposure 32 is about 70 μC / cm 2 .

次に、専用の現像液でレジスト層２５の現像処理を行い、凹部４５及び開口部４６を有するレジストパターン２５ａを形成する（図８（ｆ）参照）。
ここで、凹部４５は、パターン形成に必要な電子線照射量より少ない電子線が照射されているため、半分程度の厚みのレジスト層が形成されており、非貫通の位置座標測定用パターンを形成するためのレジストパターンとして作用する。
開口部４６は、レジスト層２５をパターン形成に必要な電子線照射量で照射し、現像処理して形成したもので、ステンシル（開口部）転写パターンを形成するためのレジストパターンとして作用する。 Next, the resist layer 25 is developed with a dedicated developer to form a resist pattern 25a having a recess 45 and an opening 46 (see FIG. 8F).
Here, since the concave portion 45 is irradiated with an electron beam smaller than the amount of electron beam irradiation necessary for pattern formation, a resist layer having a thickness of about half is formed, and a non-penetrating position coordinate measurement pattern is formed. It acts as a resist pattern for this purpose.
The opening 46 is formed by irradiating the resist layer 25 with an electron beam dose necessary for pattern formation and developing, and acts as a resist pattern for forming a stencil (opening) transfer pattern.

次に、凹部４５及び開口部４６を有するレジストパターン２５ａをマスクにして、ＳＦ6やフロロカーボン等の混合ガスを用いた自立メンブレン１３ａのドライエッチングを行い、レジストパターン２５ａを酸素プラズマ等による灰化処理にて除去し、アンモニア過水やバッファードフッ酸による洗浄を行って、自立メンブレン１３ａの所定位置にステン
シル（開口部）転写パターン１４と、マージン領域（スカート部）に凹部からなる非貫通の位置座標測定用パターン１５ａを形成する（図９（ｇ）参照）。
ここで、非貫通の位置座標測定用パターン１５ａの凹部の深さは自立メンブレン１３ａの厚みの半分程度が目安である。 Next, using the resist pattern 25a having the recess 45 and the opening 46 as a mask, the self-standing membrane 13a is dry-etched using a mixed gas such as SF 6 or fluorocarbon, and the resist pattern 25a is ashed by oxygen plasma or the like. , Stencil (opening) transfer pattern 14 at a predetermined position of self-supporting membrane 13a, and non-penetrating position consisting of a recess in a margin area (skirt part). A coordinate measurement pattern 15a is formed (see FIG. 9G).
Here, the depth of the concave portion of the non-penetrating position coordinate measurement pattern 15a is approximately a half of the thickness of the self-supporting membrane 13a.

次に、低圧ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）等により窒化膜等を成膜し、メンブレンウインドウ用パターン６１を形成する（図９（ｈ）参照）。   Next, a nitride film or the like is formed by low pressure CVD (Chemical Vapor Deposition) or the like to form a membrane window pattern 61 (see FIG. 9H).

次に、３０ｗｔ％のＫＯＨを８０℃に加熱し、ウエットエッチングによりＳｉ支持基板１１の一部を除去した後、さらに露出した中間酸化膜１２をＨＦ溶液でエッチングして支持枠１１ａ及び梁１１ｂを形成し、アンモニア過水やバッファードフッ酸による洗浄を行って、支持枠１１ａ及び梁１１ｂ上に中間酸化膜１２を介して自立メンブレン１３ａにステンシル（開口部）転写パターン１４と、マージン領域（スカート部）に凹部からなる非貫通の位置座標測定用パターン１５ａとが形成された本発明の荷電粒子用転写マスク１００を得る（図９（ｉ）参照）。   Next, 30 wt% KOH is heated to 80 ° C., and a part of the Si support substrate 11 is removed by wet etching. Then, the exposed intermediate oxide film 12 is etched with an HF solution to form the support frame 11a and the beam 11b. Then, the substrate is washed with ammonia water or buffered hydrofluoric acid, and the stencil (opening) transfer pattern 14 and the margin region (skirt) are formed on the free-standing membrane 13a via the intermediate oxide film 12 on the support frame 11a and the beam 11b. A transfer mask 100 for charged particles according to the present invention having a non-penetrating position coordinate measurement pattern 15a formed of a concave portion formed on a portion) is obtained (see FIG. 9I).

図２（ａ）及び（ｂ）に示す凹部からなる非貫通の位置座標測定用パターンが形成された本発明の荷電粒子用転写マスク１１０及び凸部からなる非貫通の位置座標測定用パターンが形成された本発明の荷電粒子用転写マスク１１０ａの製造方法については、Ｓｉ支持基板１１上に中間酸化膜１２を介さずに直接薄膜層からなる自立メンブレン１６を形成してＳｉ基板を作製するところが異なっているだけで、後の転写マスクの作製法は、上記非貫通の位置座標測定用パターンが形成された本発明の荷電粒子用転写マスク１００及び１００ａと同じ工程であるので、ここでは詳細な説明は省略し、Ｓｉ支持基板１１上に薄膜層からなる自立メンブレン１６を形成する方法を述べるにとどめる。   The charged particle transfer mask 110 of the present invention in which the non-penetrating position coordinate measuring pattern comprising the concave portions shown in FIGS. 2A and 2B is formed, and the non-penetrating position coordinate measuring pattern comprising the convex portions is formed. The method of manufacturing the charged particle transfer mask 110a of the present invention is different in that the Si substrate is formed by forming the self-supporting membrane 16 made of a thin film layer directly on the Si support substrate 11 without the intermediate oxide film 12 interposed therebetween. However, since the subsequent transfer mask manufacturing method is the same process as the charged particle transfer masks 100 and 100a of the present invention in which the non-penetrating position coordinate measurement pattern is formed, detailed description will be given here. Is omitted, and only a method of forming the self-supporting membrane 16 made of a thin film layer on the Si support substrate 11 will be described.

具体的には、ＳｉウェハからなるＳｉ支持基板１１上にスパッタ法やＣＶＤ等によりシリコン窒化膜やＩＴＯ膜やＤＬＣ膜等からなる薄膜層を形成して自立メンブレン１６とする。   Specifically, a thin film layer made of a silicon nitride film, an ITO film, a DLC film, or the like is formed on the Si support substrate 11 made of an Si wafer by sputtering, CVD, or the like to form the self-supporting membrane 16.

次に、上記マージン領域（スカート部）に凸部もしくは凹部からなる非貫通の位置座標測定用パターンが形成された本発明の荷電粒子用転写マスクを用いたパターン転写方法について説明する。
まず、非貫通の位置座標測定用パターン付き荷電粒子用転写マスクのステンシル（開口部）転写パターンの位置ひずみは、未完通の位置座標測定用パターンの位置座標を、位置精度測定機（例えば、Ｌｅｉｃａ社製ＬＭＳ−ＩＰＲＯ、もしくはＮｉｋｏｎ社製６ｉ）により測定することにより得る。 Next , a pattern transfer method using the charged particle transfer mask of the present invention in which a non-penetrating position coordinate measurement pattern consisting of a convex portion or a concave portion is formed in the margin area (skirt portion) will be described.
First, the positional distortion of a stencil (opening) transfer pattern of a charged particle transfer mask with a non-penetrating position coordinate measurement pattern is calculated by using a position accuracy measuring machine (for example, Leica) It is obtained by measuring with LMS-IPRO manufactured by Nikon or 6i) manufactured by Nikon.

次に、非貫通の位置座標測定用パターンの測定により得られた位置座標から、設計座標からのズレ量を補正式によりフィッティングしＬＥＥＰＬ露光時の補正量を求める。補正計算の式は様々あるが、１次の式について説明する。   Next, from the position coordinates obtained by measuring the non-penetrating position coordinate measurement pattern, a deviation amount from the design coordinates is fitted by a correction formula to obtain a correction amount at the time of LEEPL exposure. Although there are various correction calculation formulas, the first-order formula will be described.

設計座標を（ｘ，ｙ）、測定座標を（ｕ，ｖ）とすると、一次の補正は下記の式により表される。
ｕ＝ａ0＋ａ1＊ｘ＋ａ2＊ｘ＋ａ3＊ｙ＋ａ4＊ｙ
ｖ＝ｂ0＋ｂ1＊ｘ＋ｂ2＊ｘ＋ｂ3＊ｙ＋ｂ4＊ｘ
ここで、ａo，ｂ0は並進、ａ1，ｂ1は倍率、ａ2，ａ3，ｂ2，ｂ3は回転、ａ4，ｂ4は直交の変形成分をそれぞれ表し、それぞれのパラメータを最適化し、測定座標の歪み成分を取り除くことができる。
１次式のみで歪み成分が取り除けない場合、さらに高次式として２次あるいは３次の式を
用いることが可能である。 When the design coordinates are (x, y) and the measurement coordinates are (u, v), the primary correction is expressed by the following equation.
u = a 0 + a 1 * x + a 2 * x + a 3 * y + a 4 * y
v = b 0 + b 1 * x + b 2 * x + b 3 * y + b 4 * x
Here, a o and b 0 are translations, a 1 and b 1 are magnifications, a 2 , a 3 , b 2 and b 3 are rotations, and a 4 and b 4 are orthogonal deformation components, respectively. And the distortion component of the measurement coordinate can be removed.
In the case where the distortion component cannot be removed by only the primary expression, it is possible to use a secondary or tertiary expression as a higher order expression.

上記の計算で得られたマスク歪みの補正量を、荷電粒子用転写マスクを用いたパターン転写時のビーム偏向量に反映することで、ウェハ上に、精度良く回路パターンを転写することができる。
また、ＬＥＥＰＬ装置のように加速電圧が２ｋｅｖの低加速電子線によりマスクパターンをウェハ上に転写する場合、電子線を遮蔽するために、非貫通パターンの厚みは１００ｎｍ程度必要であるが、本実施例の非貫通パターンは３００ｎｍ以上の厚みを有しているので、マスク転写時に非貫通パターンが転写されることはない。 By reflecting the correction amount of the mask distortion obtained by the above calculation in the beam deflection amount at the time of pattern transfer using the charged particle transfer mask, the circuit pattern can be transferred onto the wafer with high accuracy.
In addition, when a mask pattern is transferred onto a wafer with a low acceleration electron beam having an acceleration voltage of 2 kev as in the LEEPL apparatus, the thickness of the non-penetrating pattern needs to be about 100 nm in order to shield the electron beam. Since the non-penetrating pattern in the example has a thickness of 300 nm or more, the non-penetrating pattern is not transferred during mask transfer.

以下実施例により、本発明の荷電粒子用転写マスクを詳細に説明する。
まず、７２５μｍ厚のＳｉウェハからなるＳｉ支持基板１１上に１μｍ厚の中間酸化膜１２を介して０．７μｍ厚のＳｉ活性層１３が形成されたＳＯＩ基板１０を用意した（図４（ａ）参照）。 Hereinafter, the transfer mask for charged particles of the present invention will be described in detail with reference to examples.
First, an SOI substrate 10 in which a 0.7 μm thick Si active layer 13 was formed on a Si support substrate 11 made of a 725 μm thick Si wafer via a 1 μm thick intermediate oxide film 12 was prepared (FIG. 4A). reference).

次に、自立メンブレン形成時に同自立メンブレンの内部応力が例えば２０ＭＰａ以下となるように、Ｓｉ活性層１３へのリンもしくはボロン等の不純物拡散を行い、Ｓｉ活性層１３へリンもしくはボロン等の不純物が導入された自立メンブレン１３ａからなる応力調整済みＳＯＩ基板１０ａを作製した（図４（ｂ）参照）。   Next, diffusion of impurities such as phosphorus or boron into the Si active layer 13 is performed so that the internal stress of the self-supporting membrane becomes, for example, 20 MPa or less when the self-supporting membrane is formed. A stress-adjusted SOI substrate 10a made of the introduced self-supporting membrane 13a was produced (see FIG. 4B).

次に、応力調整済みＳＯＩ基板１０ａ上に３０μmＣ／ｃｍ2の感度を有する化学増幅系電子線感応性レジストを塗布し、ホットプレートによるベ−クを行って２５０ｎｍ厚のレジスト層２１を形成した後、１０μmＣ／ｃｍ2の感度を有する化学増幅系電子線感応性レジストを塗布し、ホットプレートによるベ−クを行って２５０ｎｍ厚のレジスト層２２を形成した（図４（ｃ）参照）。 Next, after applying a chemically amplified electron beam sensitive resist having a sensitivity of 30 μm C / cm 2 on the stress-adjusted SOI substrate 10a and baking with a hot plate, a 250 nm thick resist layer 21 is formed. A chemically amplified electron beam sensitive resist having a sensitivity of 10 μm C / cm 2 was applied and baked with a hot plate to form a 250 nm thick resist layer 22 (see FIG. 4C).

次に、１０μmＣ／ｃｍ2の電子線照射量で、非貫通の位置座標測定用パターン用のレジストパターンを形成するための電子線露光３１を行った（図４（ｄ）参照）。
さらに、３０μmＣ／ｃｍ2の電子線照射量で、ステンシル（開口部）転写パターン用のレジストパターンを形成するための電子線露光３２を行った（図４（ｅ）参照）。 Next, electron beam exposure 31 for forming a resist pattern for a non-penetrating position coordinate measurement pattern was performed at an electron beam dose of 10 μm C / cm 2 (see FIG. 4D).
Furthermore, electron beam exposure 32 was performed to form a resist pattern for a stencil (opening) transfer pattern with an electron beam dose of 30 μm C / cm 2 (see FIG. 4E).

次に、照射後の基板をホットプレートにより温度を１２０度に設定して９０秒間ベークした後、アルカリ系の現像液を用いてレジスト層２１及びレジスト層２２の現像処理を行い、レジスト層２２の所定位置に開口部４１を、レジスト層２１及びレジスト層２２の所定位置に開口部４２を有するレジストパターンを形成した（図４（ｆ）参照）。   Next, after irradiating the substrate after irradiation with a hot plate at a temperature of 120 ° C. for 90 seconds, the resist layer 21 and the resist layer 22 are developed using an alkaline developer. A resist pattern having openings 41 at predetermined positions and openings 42 at predetermined positions of the resist layer 21 and the resist layer 22 was formed (see FIG. 4F).

次に、開口部４１及び開口部４２を有するレジストパターンをマスクにして、ＳＦ6やフロロカーボン等の混合ガスを用いて自立メンブレン１３ａのドライエッチングを行い、酸素プラズマ等による灰化処理を行ってレジストパターンを除去し、アンモニア過水やバッファードフッ酸による洗浄を行って、自立メンブレン１３ａにステンシル（開口部）転写パターン１４及び深さ０．３５μｍの凹部からなる非貫通の位置座標測定用パターン１５ａを形成した（図５（ｇ）参照）。 Next, using the resist pattern having the opening 41 and the opening 42 as a mask, the self-supporting membrane 13a is dry-etched using a mixed gas such as SF 6 or fluorocarbon, and an ashing process using oxygen plasma or the like is performed. The pattern is removed and washed with ammonia-hydrogen peroxide or buffered hydrofluoric acid, and a non-penetrating position coordinate measurement pattern 15a comprising a stencil (opening) transfer pattern 14 and a recess having a depth of 0.35 μm on a self-supporting membrane 13a. (See FIG. 5G).

次に、低圧ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）にて、成膜温度７８０℃、圧力３０Ｐａとし、成膜ガスにはジクロロシアン、アンモニア、窒素を用いて、窒化膜を成膜し、メンブレンウインドウ用パターン６１を形成した（図５（ｈ）参照）。   Next, a low-pressure CVD (Chemical Vapor Deposition) is performed to form a nitride film using a film forming temperature of 780 ° C. and a pressure of 30 Pa, using dichlorocyan, ammonia and nitrogen as the film forming gas. (See FIG. 5 (h)).

次に、３０ｗｔ％のＫＯＨを８０℃に加熱し、ウエットエッチングによりＳｉ支持基板
１１の一部を除去した後、さらに露出した中間酸化膜１２をＨＦ溶液でエッチングして支持枠１１ａ及び梁１１ｂを形成し、アンモニア過水やバッファードフッ酸による洗浄を行って、支持枠１１ａ及び梁１１ｂ上に中間酸化膜１２を介して自立メンブレン１３ａにステンシル（開口部）転写パターン１４と、マージン領域（スカート部）に深さ０．３５μｍの凹部からなる非貫通の位置座標測定用パターン１５ａとが形成された本発明の荷電粒子用転写マスク１００を得た（図５（ｉ）参照）。 Next, 30 wt% KOH is heated to 80 ° C., and a part of the Si support substrate 11 is removed by wet etching. Then, the exposed intermediate oxide film 12 is etched with an HF solution to form the support frame 11a and the beam 11b. Then, the substrate is washed with ammonia water or buffered hydrofluoric acid, and the stencil (opening) transfer pattern 14 and the margin region (skirt) are formed on the free-standing membrane 13a via the intermediate oxide film 12 on the support frame 11a and the beam 11b. The transfer mask 100 for charged particles of the present invention was obtained in which a non-penetrating position coordinate measurement pattern 15a composed of a recess having a depth of 0.35 μm was formed on the portion (see FIG. 5 (i)).

まず、７２５μｍ厚のＳｉウェハからなるＳｉ支持基板１１上に１μｍ厚の中間酸化膜１２を介して０．７μｍ厚のＳｉ活性層１３が形成されたＳＯＩ基板１０を用意した（図６（ａ）参照）。   First, an SOI substrate 10 in which a 0.7 μm thick Si active layer 13 was formed on a Si support substrate 11 made of a 725 μm thick Si wafer via a 1 μm thick intermediate oxide film 12 was prepared (FIG. 6A). reference).

次に、自立メンブレン形成時に同自立メンブレンの内部応力が例えば２０ＭＰａ以下となるように、Ｓｉ活性層１３へのリンもしくはボロン等の不純物拡散を行い、Ｓｉ活性層１３へリンもしくはボロン等の不純物が導入された自立メンブレン１３ａからなる応力調整済みＳＯＩ基板１０ａを作製した（図６（ｂ）参照）。   Next, diffusion of impurities such as phosphorus or boron into the Si active layer 13 is performed so that the internal stress of the self-supporting membrane becomes, for example, 20 MPa or less when the self-supporting membrane is formed. A stress-adjusted SOI substrate 10a made of the introduced self-supporting membrane 13a was produced (see FIG. 6B).

次に、応力調整済みＳＯＩ基板１０ａ上に化学増幅系電子線感応性レジストを塗布すし、ホットプレートによるベ−クをおこなって２５０ｎｍ厚さレジスト層２３を形成した。（図６（ｃ）参照）。   Next, a chemically amplified electron beam sensitive resist was applied onto the stress-adjusted SOI substrate 10a and baked with a hot plate to form a resist layer 23 having a thickness of 250 nm. (See FIG. 6 (c)).

次に、レジスト層２３に非貫通の位置座標測定用パターン用のレジストパターンを形成するために、１０μmＣ／ｃｍ2の電子線照射量で電子線露光３１を行った（図６（ｄ）参照）。 Next, in order to form a resist pattern for a non-penetrating position coordinate measurement pattern in the resist layer 23, electron beam exposure 31 was performed with an electron beam dose of 10 μm C / cm 2 (see FIG. 6D). .

次に、電子線照射後の基板をホットプレートにより１２０℃で９０秒間ベークした後、専用の現像液でレジスト層２３の現像処理を行い、開口部４３を有するレジストパターン２３ａを形成した（図６（ｅ）参照）。   Next, the substrate after electron beam irradiation was baked with a hot plate at 120 ° C. for 90 seconds, and then the resist layer 23 was developed with a dedicated developer to form a resist pattern 23a having an opening 43 (FIG. 6). (See (e)).

次に、クロムをスパッタリングして、レジストパターン２３ａ上及び開口部４３内の自立メンブレン１３ａ上に３００ｎｍ厚の金属薄膜層５１を形成した（図６（ｆ）参照）。   Next, chromium was sputtered to form a 300 nm-thick metal thin film layer 51 on the resist pattern 23a and on the free-standing membrane 13a in the opening 43 (see FIG. 6F).

次に、専用の剥離液でレジストパターン２３ａを剥離処理し、自立メンブレン１３ａのマージン領域（スカート部）に凸部からなる非貫通の位置座標測定用パターン５１ａを形成した（図７（ｇ）参照）。   Next, the resist pattern 23a is stripped with a dedicated stripping solution to form a non-penetrating position coordinate measurement pattern 51a made of a convex portion in the margin region (skirt portion) of the self-supporting membrane 13a (see FIG. 7G). ).

次に、化学増幅系電子線感応性レジストを塗布し、ホットプレートによるベークを行って３００ｎｍ厚のレジスト層２４を形成し、１０μmＣ／ｃｍ2の電子線照射量で、ステンシル（開口部）転写パターン用レジストパターンを形成するための電子線露光３２を行った（図７（ｈ）参照）。 Next, a chemically amplified electron beam sensitive resist is applied and baked by a hot plate to form a resist layer 24 having a thickness of 300 nm, and a stencil (opening) transfer pattern with an electron beam dose of 10 μm C / cm 2. Electron beam exposure 32 was performed to form a resist pattern for use (see FIG. 7H).

次に、照射後の基板をホットプレートにより１２０℃で９０秒間ベークした後、アルカリ系の現像液を用いてレジスト層２４の現像処理を行い、開口部４３を有するレジストパターン２４ａを形成した（図７（ｉ）参照）。   Next, the irradiated substrate was baked at 120 ° C. for 90 seconds using a hot plate, and then the resist layer 24 was developed using an alkaline developer to form a resist pattern 24a having an opening 43 (FIG. 7 (i)).

次に、開口部４４を有するレジストパターン２４ａをマスクにして、ＳＦ6やフロロカーボン等の混合ガスを用いて自立メンブレン１３ａのドライエッチングを行い、酸素プラズマ等による灰化処理を行ってレジストパターン１３ａを除去し、アンモニア過水やバッファードフッ酸による洗浄を行って、自立メンブレン１３ａにステンシル（開口部）転写パターン１４を形成した（図７（ｊ）参照）。 Next, using the resist pattern 24a having the opening 44 as a mask, the self-supporting membrane 13a is dry-etched using a mixed gas such as SF 6 or fluorocarbon, and an ashing process using oxygen plasma or the like is performed to form the resist pattern 13a. The stencil (opening) transfer pattern 14 was formed on the self-supporting membrane 13a by removing the substrate and washing with ammonia peroxide or buffered hydrofluoric acid (see FIG. 7 (j)).

次に、低圧ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）にて、成膜温度７８０℃、圧力３０Ｐａとし、成膜ガスにはジクロロシアン、アンモニア、窒素を用いて、窒化膜を成膜し、メンブレンウインドウ用パターン６１を形成した（図７（ｋ）参照）。   Next, a low-pressure CVD (Chemical Vapor Deposition) is performed to form a nitride film using a film forming temperature of 780 ° C. and a pressure of 30 Pa, using dichlorocyan, ammonia and nitrogen as the film forming gas. (See FIG. 7 (k)).

次に、３０ｗｔ％のＫＯＨを８０℃に加熱し、ウエットエッチングによりＳｉ支持基板１１の一部を除去した後、さらに露出した中間酸化膜１２をＨＦ溶液でエッチングして支持枠１１ａ及び梁１１ｂを形成し、アンモニア過水やバッファードフッ酸による洗浄を行って、支持枠１１ａ及び梁１１ｂ上に中間酸化膜１２を介して自立メンブレン１３ａにステンシル（開口部）転写パターン１４と、マージン領域（スカート部）に凸部からなる非貫通の位置座標測定用パターン５１ａとが形成された本発明の荷電粒子用転写マスク１００ａを得た（図７（ｌ）参照）。   Next, 30 wt% KOH is heated to 80 ° C., and a part of the Si support substrate 11 is removed by wet etching. Then, the exposed intermediate oxide film 12 is etched with an HF solution to form the support frame 11a and the beam 11b. Then, the substrate is washed with ammonia water or buffered hydrofluoric acid, and the stencil (opening) transfer pattern 14 and the margin region (skirt) are formed on the free-standing membrane 13a via the intermediate oxide film 12 on the support frame 11a and the beam 11b. The transfer mask 100a for charged particles of the present invention in which a non-penetrating position coordinate measurement pattern 51a made of a convex portion is formed on a portion) was obtained (see FIG. 7L).

（ａ）は、ステンシル（開口部）転写パターンと、マージン領域（スカート部）に凹部からなる非貫通の位置座標測定用パターンとが形成された本発明の荷電粒子用転写マスクの一実施例を示す部分模式構成断面図である。（ｂ）は、ステンシル（開口部）転写パターンと、マージン領域（スカート部）に凸部からなる非貫通の位置座標測定用パターンとが形成された本発明の荷電粒子用転写マスクの一実施例を示す部分模式構成断面図である。(A) is an embodiment of the transfer mask for charged particles of the present invention in which a stencil (opening) transfer pattern and a non-penetrating position coordinate measurement pattern made of a recess are formed in a margin area (skirt portion). It is a partial schematic structure sectional view shown. (B) is an example of a transfer mask for charged particles of the present invention in which a stencil (opening) transfer pattern and a non-penetrating position coordinate measurement pattern consisting of convex portions are formed in a margin region (skirt portion). FIG. （ａ）は、ステンシル（開口部）転写パターンと、マージン領域（スカート部）に凹部からなる非貫通の位置座標測定用パターンとが形成された本発明の荷電粒子用転写マスクの他の実施例を示す部分模式構成断面図である。（ｂ）は、ステンシル（開口部）転写パターンと、マージン領域（スカート部）に凸部からなる非貫通の位置座標測定用パターンとが形成された本発明の荷電粒子用転写マスクの他の実施例を示す部分模式構成断面図である。(A) is another embodiment of the transfer mask for charged particles of the present invention in which a stencil (opening) transfer pattern and a non-penetrating position coordinate measurement pattern made of a recess are formed in a margin area (skirt portion). FIG. (B) is another implementation of the transfer mask for charged particles of the present invention in which a stencil (opening) transfer pattern and a non-penetrating position coordinate measurement pattern consisting of convex portions are formed in a margin area (skirt portion). It is a partial schematic structure sectional view showing an example. （ａ）は、本発明の荷電粒子用転写マスクのマージン領域（スカート部）の位置関係を示す模式平面図である。（ｂ）は、（ａ）をＡ−Ａ’線で切断した模式構成断面図である。(A) is a schematic top view which shows the positional relationship of the margin area | region (skirt part) of the transfer mask for charged particles of this invention. (B) is a schematic cross-sectional view taken along line A-A ′ of (a). （ａ）〜（ｆ）は、マージン領域（スカート部）に凹部からなる非貫通の位置座標測定用パターンが形成された本発明の荷電粒子用転写マスクの製造方法の工程の一部を示す部分模式構成断面図である。(A)-(f) is a part showing a part of the process of the manufacturing method of the transfer mask for charged particles of the present invention in which a non-penetrating position coordinate measuring pattern comprising a recess is formed in a margin area (skirt part). FIG. （ｇ）〜（ｉ）は、マージン領域（スカート部）に凹部からなる非貫通の位置座標測定用パターンが形成された本発明の荷電粒子用転写マスクの製造方法の工程の一部を示す部分模式構成断面図である。(G)-(i) are the parts which show a part of process of the manufacturing method of the transfer mask for charged particles of this invention by which the pattern for the non-penetrating position coordinate which consists of a recessed part was formed in the margin area | region (skirt part). FIG. （ａ）〜（ｆ）は、マージン領域（スカート部）に凸部からなる非貫通の位置座標測定用パターンが形成された本発明の荷電粒子用転写マスクの製造方法の工程の一部を示す部分模式構成断面図である。(A)-(f) shows a part of process of the manufacturing method of the transfer mask for charged particles of this invention in which the non-penetrating position coordinate measuring pattern which consists of a convex part was formed in the margin area | region (skirt part). It is a partial schematic structure sectional view. （ｇ）〜（ｌ）は、マージン領域（スカート部）に凸部からなる非貫通の位置座標測定用パターンが形成された本発明の荷電粒子用転写マスクの製造方法の工程の一部を示す部分模式構成断面図である。(G)-(l) shows a part of process of the manufacturing method of the transfer mask for charged particles of this invention by which the non-penetrating position coordinate measuring pattern which consists of a convex part was formed in the margin area | region (skirt part). It is a partial schematic structure sectional view. （ａ）〜（ｆ）は、マージン領域（スカート部）に凹部からなる非貫通の位置座標測定用パターンが形成された本発明の荷電粒子用転写マスクの製造方法の工程の一部を示す部分模式構成断面図である。(A)-(f) is a part showing a part of the process of the manufacturing method of the transfer mask for charged particles of the present invention in which a non-penetrating position coordinate measuring pattern comprising a recess is formed in a margin area (skirt part). FIG. （ｇ）〜（ｉ）は、マージン領域（スカート部）に凹部からなる非貫通の位置座標測定用パターンが形成された本発明の荷電粒子用転写マスクの製造方法の工程の一部を示す部分模式構成断面図である。(G)-(i) are the parts which show a part of process of the manufacturing method of the transfer mask for charged particles of this invention by which the pattern for the non-penetrating position coordinate which consists of a recessed part was formed in the margin area | region (skirt part). FIG. （ａ）〜（ｄ）は、非貫通の位置座標測定用パターンの一実施例を示す説明図である。(A)-(d) is explanatory drawing which shows one Example of the pattern for a non-penetrating position coordinate measurement. 転写マスクを使って感応基板へパターン転写している状態を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the state which is pattern-transferring to the sensitive board | substrate using a transfer mask. （ａ）は、ＥＰＬ法やＬＥＥＰＬ法で用いられるステンシル転写マスクの一例を示す模式平面図である。（ｂ）は、（ａ）をＡ−Ａ’線で切断した模式構成断面図である。（ｃ）は、（ｂ）のＢ部を拡大した模式構成断面図である。(A) is a schematic plan view which shows an example of the stencil transfer mask used by EPL method or LEEPL method. (B) is a schematic cross-sectional view taken along line A-A ′ of (a). (C) is the schematic structure sectional drawing which expanded the B section of (b). （ａ）は、メンブレンの梁上部に歪み測定用パターンを設けた転写マスクの一例を示す模式平面図である。（ｂ）は、（ａ）をＡ−Ａ’線で切断した模式構成断面図である。(A) is a schematic top view which shows an example of the transfer mask which provided the pattern for a distortion measurement in the beam upper part of the membrane. (B) is a schematic cross-sectional view taken along line A-A ′ of (a). （ａ）は、一括メンブレンに歪み測定用パターンを設けた転写マスクの一例を示す模式平面図である。（ｂ）は、（ａ）をＡ−Ａ’線で切断した模式構成断面図である。(A) is a schematic top view which shows an example of the transfer mask which provided the pattern for distortion measurement in the package membrane. (B) is a schematic cross-sectional view taken along line A-A ′ of (a). 同一マスク内に露光用メンブレンとダミーメンブレンを設けた転写マスクの一例を示す模式平面図である。It is a schematic plan view which shows an example of the transfer mask which provided the membrane for exposure and the dummy membrane in the same mask.

符号の説明Explanation of symbols

１０……ＳＯＩ基板
１０ａ……応力調整済みＳＯＩ基板
１１……Ｓｉ支持基板
１１ａ……支持枠
１１ｂ……梁
１２……中間酸化膜
１３……Ｓｉ活性層
１３ａ、１６、２３２……自立メンブレン
１４……ステンシル（開口部）転写パターン
１５ａ……凹部からなる非貫通の位置座標測定用パターン
２１、２２、２３、２４、２５……レジスト層
２３ａ、２４ａ、２５ａ……レジストパターン
３１、３２……電子線露光
４１、４２、４４、４６……開口部
４３、４５……凹部
５１……金属薄膜層
５１ａ……凸部からなる非貫通の位置座標測定用パターン
６１……メンブレンウインドウ用パターン
１００、１１０……凹部からなる非貫通の位置座標測定用パターンとステンシル（開口部）転写パターンとが形成された荷電粒子用転写マスク
１１０ａ、１１０ａ……凸部からなる非貫通の位置座標測定用パターンとステンシル（開
口部）転写パターンとが形成された荷電粒子用転写マスク
２１０、２３０、２６０……ステンシル転写マスク
２１１、２３２……ステンシル（開口部）
２２０……感応基板
２２１……レジスト層
２３１、２４１……梁（ストラット）
２３２……自立メンブレン
２４０……梁付き転写マスク
２４２、２５２……歪み測定用パターン
２５０……一括メンブレンマスク
２５１……回路パターン群
２６１……露光用メンブレン
２６２……ダミーメンブレン
２６３……位置精度測定用パターン
Ａ……開口部領域
Ｂ……有効露光領域
Ｃ……マージン領域（スカート部） 10 ... SOI substrate 10a ... Stress-adjusted SOI substrate 11 ... Si support substrate 11a ... Support frame 11b ... Beam 12 ... Intermediate oxide film 13 ... Si active layers 13a, 16, 232 ... Free-standing membrane 14 ...... Stencil (opening) transfer pattern 15a... Non-penetrating position coordinate measurement patterns 21, 22, 23, 24, 25 consisting of recesses ...... Resist layers 23 a, 24 a, 25 a ...... Resist patterns 31, 32 ...... Electron beam exposure 41, 42, 44, 46... Opening 43, 45... Recessed portion 51... Thin metal film layer 51 a. 110... Transfer mask 110 a for charged particles on which a non-penetrating position coordinate measurement pattern consisting of concave portions and a stencil (opening) transfer pattern are formed 110a: charged particle transfer masks 210, 230, 260... Stencil transfer masks 211, 232 ... stencil (on which non-penetrating position coordinate measurement patterns consisting of convex portions and stencil (opening) transfer patterns are formed. Aperture)
220 ... Sensitive substrate 221 ... Resist layers 231 and 241 ... Beams (struts)
232 …… Self-standing membrane 240 …… Transfer masks 242 and 252 with beams …… Strain measurement pattern 250 …… Batch membrane mask 251 …… Circuit pattern group 261 …… Exposure membrane 262 …… Dummy membrane 263 …… Position accuracy measurement Pattern A ... Opening area B ... Effective exposure area C ... Margin area (skirt)

Claims (4)

メンブレンと、このメンブレンを支持する梁と支持枠とを具備し、前記メンブレンにステンシル（開口部）転写パターンと位置座標測定用パターンとが形成されてなる一括メンブレン荷電粒子用転写マスクにおいて、前記位置座標測定用パターンがメンブレンのマージン領域（スカート部）に形成されており、前記位置測定用パターンが非貫通パターンであり、前記非貫通パターンは、マスク梁部を挟む位置に凸部もしくは凹部で形成されていることを特徴とする荷電粒子用転写マスク。 In the transfer mask for collective membrane charged particles, comprising a membrane, a beam supporting the membrane, and a support frame, wherein a stencil (opening) transfer pattern and a position coordinate measurement pattern are formed on the membrane. The coordinate measurement pattern is formed in the margin area (skirt part) of the membrane, the position measurement pattern is a non-penetrating pattern, and the non-penetrating pattern is formed by a convex part or a concave part at a position sandwiching the mask beam part. A transfer mask for charged particles, characterized in that 前記凸部で形成された非貫通パターンが、Ｓｉ活性層表面に金属薄膜を付加することで形成されることを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子用転写マスク。 2. The charged particle transfer mask according to claim 1, wherein the non-penetrating pattern formed by the convex portion is formed by adding a metal thin film to the surface of the Si active layer . メンブレン上に感光層を形成して、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行ってレジストパターンを形成し、レジストパターンをエッチングマスクにしてメンブレン層をエッチングして、メンブレン領域にステンシル（開口部）と位置座標測定用パターンを形成してなる荷電粒子用転写マスクの製造方法において、前記感光層が感度の異なる２種類以上の感光層から構成されていることを特徴とする、請求項１に記載の荷電粒子用転写マスクの製造方法。 A photosensitive layer is formed on the membrane, a series of patterning processes such as pattern exposure and development are performed to form a resist pattern, the membrane layer is etched using the resist pattern as an etching mask, and a stencil (opening portion) is formed in the membrane area. ) and the method of manufacturing a charged particle for transferring a mask obtained by forming a position coordinate measurement pattern, characterized in that said photosensitive layer is composed of two or more photosensitive layers having different sensitivities, to claim 1 The manufacturing method of the transfer mask for charged particles of description . 請求項１〜３のいずれか一項に記載の荷電粒子用転写マスクの位置座標測定用パターンからマスク歪みの程度を算出し、荷電粒子用転写マスクに形成された転写パターンを補正して、ウェハ上にパターンを転写することを特徴とするパターン転写方法。
A wafer is obtained by calculating the degree of mask distortion from the position coordinate measurement pattern of the charged particle transfer mask according to any one of claims 1 to 3 and correcting the transfer pattern formed on the charged particle transfer mask. A pattern transfer method, wherein a pattern is transferred onto the pattern transfer method.
JP2005269749A 2005-09-16 2005-09-16 Charged particle transfer mask, manufacturing method thereof, and transfer method using charged particle transfer mask Expired - Fee Related JP4788258B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005269749A JP4788258B2 (en) 2005-09-16 2005-09-16 Charged particle transfer mask, manufacturing method thereof, and transfer method using charged particle transfer mask

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005269749A JP4788258B2 (en) 2005-09-16 2005-09-16 Charged particle transfer mask, manufacturing method thereof, and transfer method using charged particle transfer mask

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007081272A JP2007081272A (en) 2007-03-29
JP4788258B2 true JP4788258B2 (en) 2011-10-05

Family

ID=37941222

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005269749A Expired - Fee Related JP4788258B2 (en) 2005-09-16 2005-09-16 Charged particle transfer mask, manufacturing method thereof, and transfer method using charged particle transfer mask

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4788258B2 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6939075B2 (en) * 2017-05-12 2021-09-22 大日本印刷株式会社 Mask for charged particle beam exposure and its manufacturing method

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62177922A (en) * 1986-01-30 1987-08-04 Nec Corp Manufacture of semiconductor device
JPH1130850A (en) * 1997-07-11 1999-02-02 Nikon Corp Mask for projection aligner, projection exposing method and projection aligner
JP2002365787A (en) * 2001-06-08 2002-12-18 Semiconductor Leading Edge Technologies Inc Projection mask, electron beam exposure method, electron beam aligner, semiconductor device and production method for semiconductor device
JP2003086496A (en) * 2001-09-13 2003-03-20 Nikon Corp Transfer mask and manufacturing method, and projection exposure method
JP2004297002A (en) * 2003-03-28 2004-10-21 Sony Corp Mask and alignment method
JP4819307B2 (en) * 2003-10-15 2011-11-24 大日本印刷株式会社 Charged particle beam transfer mask and manufacturing method thereof
JP2005285894A (en) * 2004-03-29 2005-10-13 Nikon Corp Inspection method of exposure pattern and reticle for pattern exposure
JP2006024865A (en) * 2004-07-09 2006-01-26 Fujitsu Ltd Manufacturing method of charged particle beam lithography mask, and method for exposure of pattern
JP4572658B2 (en) * 2004-10-28 2010-11-04 凸版印刷株式会社 Stencil mask
JP2006216598A (en) * 2005-02-01 2006-08-17 Semiconductor Leading Edge Technologies Inc Mask for charged particle beam exposure and mask inspection method

Also Published As

Publication number Publication date
JP2007081272A (en) 2007-03-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7244533B2 (en) Method of the adjustable matching map system in lithography
TWI517211B (en) Methods of forming a substrate pattern and methods of calibrating an exposing tool
US7666553B2 (en) Fabrication method for photomask, fabrication method for device and monitoring method for photomask
JP4874149B2 (en) Mask pattern correction method and semiconductor device manufacturing method
JP2012208350A (en) Method for forming resist pattern, method for manufacturing three-dimensional structure and method for manufacturing semiconductor device
US20110191728A1 (en) Integrated circuit having line end created through use of mask that controls line end shortening and corner rounding arising from proximity effects
JP4860023B2 (en) Photo mask
JP2001312045A (en) Method for forming mask
JP4788258B2 (en) Charged particle transfer mask, manufacturing method thereof, and transfer method using charged particle transfer mask
CN110850677A (en) Preparation method of photoetching layer mask and ion implantation method
JP5145678B2 (en) Method of manufacturing stencil mask for ion implantation and stencil mask for ion implantation
JP5011774B2 (en) Transfer mask blank, transfer mask, and pattern exposure method
JP5332246B2 (en) Method for manufacturing stencil mask for ion implantation
JP5573306B2 (en) Photomask blank manufacturing method
US6830853B1 (en) Chrome mask dry etching process to reduce loading effect and defects
JP5515564B2 (en) Method for manufacturing stencil mask for ion implantation
JP2010026416A (en) Method for creating photomask pattern
JP5428318B2 (en) Stencil mask for ion implantation and manufacturing method thereof
JP4563101B2 (en) Mask pattern data correction method
JP2006189576A (en) Photomask, method for manufacturing the same, and method for manufacturing electronic device
CN114200796B (en) Alignment mark and forming method thereof
US11143973B2 (en) Method for designing photomask
WO2007013162A1 (en) Photomask, method for manufacturing such photomask and method for manufacturing electronic device
JP2008203634A (en) Creation method for photomask data, photomask and pattern forming method
KR0126878B1 (en) Half tone mask fabrication method using cr mask

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080822

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110218

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110301

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110502

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110621

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110704

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140729

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent (=grant) or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees