JP4787012B2 - 断面形状測定装置及び断面形状測定方法 - Google Patents
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さらに、半導体ウェハの断面形状の測定は、ウェハの量産ラインの途中で測定する場合も多く、このような場合ウェハの製造設備のスループットに適合するためには、ウェハの断面形状測定を短時間で行う必要がある。
本発明の別の目的は、ウェハの断面形状を短時間で測定でき、半導体ウェハの製造ラインに組み込むことが可能な断面形状測定装置を提供することにある。
測定されるべき半導体ウェハの第1の表面が位置する第1の側から、端縁の一次元画像を撮像する第1の撮像装置と、前記半導体ウェハの中心面をはさんで第1の側とは反対の第2の側から、前記端縁の一次元画像を撮像する第2の撮像装置と、第1及び第2の撮像装置からそれぞれ出力される一次元画像情報を用いて半導体ウェハの端縁の断面形状情報を出力する信号処理装置とを具え、
前記第1の撮像装置は、ライン状光ビームを発生する第1のライン状光ビーム発生手段と、当該ライン状光ビームを前記第1の側から第1の測定ビームとして半導体ウェハの端縁に向けて投射する第1の対物レンズと、前記第1の測定ビームの延在方向と対応する方向に配列された複数の受光素子を有し、半導体ウェハの端縁からの反射光を受光して端縁の一次元画像情報を出力する第1のリニァイメージセンサと、前記対物レンズをその光軸方向にそって移動させる第1の対物レンズ移動手段と、第1の対物レンズの光軸方向の位置を検出する第1の位置検出手段とを有し、
前記第2の撮像装置は、ライン状光ビームを発生する第2のライン状光ビーム発生手段と、当該ライン状光ビームを、前記第1の側とは反対の第2の側から第2の測定ビームとして半導体ウェハの端縁に向けて投射する第2の対物レンズと、前記第2の測定ビームの延在方向と対応する方向に配列された複数の受光素子を有し、半導体ウェハの端縁からの反射光を受光して端縁の一次元画像情報を出力する第2のリニァイメージセンサと、前記第2の対物レンズをその光軸方向にそって移動させる第2の対物レンズ移動手段と、第2の対物レンズの光軸方向の位置を検出する第2の位置検出手段とを有し、
前記第1及び第2の測定ビームは、半導体ウェハの中心面と直交する同一平面内に延在し、
前記信号処理装置は、前記第1及び第2のリニァイメージセンサからそれぞれ出力され、対物レンズを移動させながら撮像された複数の一次元画像情報を受け取る手段と、前記第1及び第2の位置検出手段からそれぞれ出力される位置情報を受け取る手段と、前記第1及び第2のリニァイメージセンサからそれぞれ出力される複数の一次元画像の各画素の最大輝度値を検出するピーク値検出手段と、各画素について輝度値が最大となる対物レンズの光軸方向の位置を検出する手段と、検出された位置情報を記憶するZ軸メモリと、前記Z軸メモリに記憶されている位置情報について座標変換を行って第1の側の断面輪郭と第2の側の断面輪郭を出力する座標変換手段と、前記2つの断面輪郭を合成して端縁の断面形状を出力する合成手段とを有することを特徴とする。
半導体ウェハの中心面の第1の側から、対物レンズを光軸方向に移動させながら、半導体ウェハの端縁に向けて、当該半導体ウェハの中心面と直交する面内に延在する第1のライン状の測定ビームを投射し、半導体ウェハの端縁からの反射光を受光して、複数の一次元画像を撮像する工程と、
前記複数の一次元画像について信号処理を行ない、前記一次元画像の各画素について輝度値が最大となる対物レンズの光軸方向の位置を検出し、検出された位置をメモリに記憶する工程と、
半導体ウェハの中心面をはさんで前記第1の側とは反対の第2の側から、対物レンズを光軸方向に移動させながら、前記第1の測定ビームと同一平面内に延在する第2の測定ビームを半導体ウェハの端縁に向けて投射し、半導体ウェハの端縁からの反射光を受光して、複数の一次元画像を撮像する工程と、
前記複数の一次元画像について信号処理を行ない、前記一次元画像の各画素について輝度値が最大となる対物レンズの光軸方向の位置を検出し、検出された位置を位置情報としてメモリに記憶する工程と、
前記第1の側から撮像することにより得られた位置情報と前記第2の側から撮像することにより得られた位置情報について座標変換処理を行い、第1の側及び第2の側の断面輪郭を出力する工程と、
前記2つの断面輪郭を合成して半導体ウェハの端縁の断面形状を出力することを特徴とする。
X=X0+xsinθ−ycosθ
Y=Y0+xcosθ+ysinθ
ここで、xは一次元画像の各画素の位置が対応し、yは各画素の反射光強度が最大となる対物レンズの光軸方向の位置が対応する。従って、一次元画像の各画素の位置情報xと対物レンズの光軸方向の位置情報yとに基づいて半導体ウェハの端縁の断面輪郭がそれぞれ算出される。座標変換回路48においては、座標変換処理を行って第1の側の断面輪郭及び第2の側の断面輪郭を算出し、これら2つの断面輪郭情報を合成回路49に供給する。
2 端縁
3a,3b 走査ビーム
20 レーザ光源
21 エキスパンダ光学系
22 偏光ビームスプリッタ
23 1/4波長板
24,26 リレーレンズ
25 振動ミラー
27 対物レンズ
28 サーボモータ
29 エンコーダ
30 結像レンズ
31 ピンホール
32 光検出器
33 増幅器
40 信号処理回路
41 A/D変換器
42 比較器
43 セレクタ
44 画像メモリ
45 カウンタ
46 第1のZ軸メモリ
47 第2のZ軸メモリ
48 座標変換回路
49 合成回路
Claims (6)
- 中心面をはさんで対向する第1及び第2の表面と、第1の表面と第2の表面との間に位置する端縁とを有する半導体ウェハの端縁の断面形状を測定する断面形状測定装置であって、
測定されるべき半導体ウェハの第1の表面が位置する第1の側から、端縁の一次元画像を撮像する第1の撮像装置と、前記半導体ウェハの中心面をはさんで第1の側とは反対の第2の側から、前記端縁の一次元画像を撮像する第2の撮像装置と、第1及び第2の撮像装置からそれぞれ出力される一次元画像情報を用いて半導体ウェハの端縁の断面形状情報を出力する信号処理装置とを具え、
前記第1の撮像装置は、ライン状光ビームを発生する第1のライン状光ビーム発生手段と、当該ライン状光ビームを前記第1の側から第1の測定ビームとして半導体ウェハの端縁に向けて投射する第1の対物レンズと、前記第1の測定ビームの延在方向と対応する方向に配列された複数の受光素子を有し、半導体ウェハの端縁からの反射光を受光して端縁の一次元画像情報を出力する第1のリニァイメージセンサと、前記対物レンズをその光軸方向にそって移動させる第1の対物レンズ移動手段と、第1の対物レンズの光軸方向の位置を検出する第1の位置検出手段とを有し、
前記第2の撮像装置は、ライン状光ビームを発生する第2のライン状光ビーム発生手段と、当該ライン状光ビームを、前記第1の側とは反対の第2の側から第2の測定ビームとして半導体ウェハの端縁に向けて投射する第2の対物レンズと、前記第2の測定ビームの延在方向と対応する方向に配列された複数の受光素子を有し、半導体ウェハの端縁からの反射光を受光して端縁の一次元画像情報を出力する第2のリニァイメージセンサと、前記第2の対物レンズをその光軸方向にそって移動させる第2の対物レンズ移動手段と、第2の対物レンズの光軸方向の位置を検出する第2の位置検出手段とを有し、
前記第1及び第2の測定ビームは、半導体ウェハの中心面と直交する同一平面内に延在し、
前記信号処理装置は、前記第1及び第2のリニァイメージセンサからそれぞれ出力され、対物レンズを移動させながら撮像された複数の一次元画像情報を受け取る手段と、前記第1及び第2の位置検出手段からそれぞれ出力される位置情報を受け取る手段と、前記第1及び第2のリニァイメージセンサからそれぞれ出力される複数の一次元画像の各画素の最大輝度値を検出するピーク値検出手段と、各画素について輝度値が最大となる対物レンズの光軸方向の位置を検出する手段と、検出された位置情報を記憶するZ軸メモリと、前記Z軸メモリに記憶されている位置情報について座標変換を行って第1の側の断面輪郭と第2の側の断面輪郭を出力する座標変換手段と、前記2つの断面輪郭を合成して端縁の断面形状を出力する合成手段とを有することを特徴とする断面形状測定装置。 - 請求項1に記載の断面形状測定装置において、前記第1及び第2のライン状光ビーム発生手段は、レーザビームを発生するレーザ光源と、複数のマイクロミラーを有し、各マイクロミラーの高速回動により入射したレーザ光を非コヒーレントなライン状光ビームに変換するマイクロミラー装置と、レーザ光源とマイクロミラー装置との間に配置され、レーザ光源からマイクロミラー装置に向かうレーザビームとマイクロミラー装置から対物レンズに向かうライン状光ビームとを分離する第1のビームスプリッタとを有し、レーザ光源から出射したレーザビームがマイクロミラー装置の光入射面に垂直に入射することを特徴とする断面形状測定装置。
- 請求項1又は2に記載の断面形状測定装置において、前記第1及び第2の対物レンズは45°以上の開口角を有すると共に、これら対物レンズの光軸は同一平面内に位置することを特徴とする断面形状測定装置。
- 請求項1、2又は3に記載の断面形状測定装置において、前記第1及び第2の撮像装置は、前記ライン状光ビーム発生手段と対物レンズとの間の光路中に配置され、ライン状光ビーム発生手段から半導体ウェハに向かうライン状光ビームと半導体ウェハから出射した反射ビームとを分離する第2のビームスプリッタをそれぞれ有することを特徴とする断面形状測定装置。
- 半導体ウェハの端縁に向けてライン状の測定ビームを投射し、端縁からの反射光をリニアイメージセンサにより受光し、リニアイメージセンサから出力される端縁の一次元画像情報を用いて半導体ウェハの端縁の断面形状を測定する断面形状測定方法であって、
半導体ウェハの中心面の第1の側から、対物レンズを光軸方向に移動させながら、半導体ウェハの端縁に向けて、当該半導体ウェハの中心面と直交する面内に延在する第1のライン状の測定ビームを投射し、半導体ウェハの端縁からの反射光を受光して、複数の一次元画像を撮像する工程と、
前記複数の一次元画像について信号処理を行ない、前記一次元画像の各画素について輝度値が最大となる対物レンズの光軸方向の位置を検出し、検出された位置をメモリに記憶する工程と、
半導体ウェハの中心面をはさんで前記第1の側とは反対の第2の側から、対物レンズを光軸方向に移動させながら、前記第1の測定ビームと同一平面内に延在する第2の測定ビームを半導体ウェハの端縁に向けて投射し、半導体ウェハの端縁からの反射光を受光して、複数の一次元画像を撮像する工程と、
前記複数の一次元画像について信号処理を行ない、前記一次元画像の各画素について輝度値が最大となる対物レンズの光軸方向の位置を検出し、検出された位置を位置情報としてメモリに記憶する工程と、
前記第1の側から撮像することにより得られた位置情報と前記第2の側から撮像することにより得られた位置情報について座標変換処理を行い、第1の側及び第2の側の断面輪郭を出力する工程と、
前記2つの断面輪郭を合成して半導体ウェハの端縁の断面形状を出力することを特徴とする断面形状測定方法。 - 請求項5に記載の断面形状測定方法において、前記対物レンズは、45°以上の開口角を有することを特徴とする断面形状測定方法。
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