JP4786440B2 - 面入射型受光素子および光受信モジュール - Google Patents
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- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 28
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 27
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 23
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 14
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 description 18
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 6
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 6
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 5
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
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- H—ELECTRICITY
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Description
本発明は面入射型受光素子および面入射型受光素子を搭載した光受信モジュールに係り、特に光通信用モジュールに用いる好適な面入射型受光素子および光通信システムに用いる好適な光受信モジュールに関する。
光ファイバを用いた光伝送用の受信側のデバイスとしてｐ-ｉ-ｎ型のフォトダイオード(ＰＩＮ-ＰＤ)が実用化されている。ＰＩＮ-ＰＤは、入射光により発生した電子および正孔が吸収層内の強いドリフト電界により移動するため、高周波応答に優れている特長がある。
ＰＩＮ-ＰＤの基本構造は、ｐ型キャップ層およびｐ型コンタクト層と、ｎ型コンタクト層とによって、吸収層(Ｉ層)を挟んだ構造である。ＰＩＮ-ＰＤの動作原理は、逆バイアスされたＰＤ内に入射した光が空乏化した吸収層においてキャリア（電子と正孔）に変換され、ｐ電極側に正孔が、ｎ電極側に電子が拡散・走行し、電流として取り出されるというものである。
特許文献１および特許文献２に記載されたＰＩＮ-ＰＤは、ｐ型またはｎ型の高濃度層にエネルギーバンドギャップが吸収層よりも大きい半導体材料を用いている。
特許文献１または特許文献２に記載された技術においては、吸収層(Ｉ層)よりもｐ型またはｎ型半導体層のエネルギーバンドギャップが大きいためにヘテロ接合によるキャリアの蓄積（パイルアップ）が生じる虞がある。パイルアップが生じると、高周波応答を劣化させるという不具合がある。これに対して、キャリアの蓄積を防ぐ目的でｐ型またはｎ型半導体層に吸収層と同じか、エネルギーバンドギャップの差が極めて小さい高濃度半導体材料を用いたメサ型のＰＩＮ-ＰＤも開発されている。しかし、このＰＩＮ−ＰＤは、受光部への入射光が吸収層を透過し、基板に近い側の高濃度層まで到達することによって、高濃度層内で遅いキャリアが発生し、高周波応答が劣化するという問題がある。この遅いキャリアの発生を低減するには高濃度層を薄くする手段が考えられるが、メサ型構造を形成する際のエッチング精度、厚みの制御性の点で容易ではない。
ｐ-ｉ-ｎ型の多層構造において、基板側の高濃度層の受光部に該当する部分をエッチングもしくは選択成長技術により、受光部の周囲に比べてあらかじめ薄くし、その上に吸収層およびもう一方の高濃度層を成長しメサ型構造の受光部を形成する。受光部に該当する高濃度層が薄いため、吸収層を透過した入射光による高濃度層での光吸収が低減され、かつメサ形成時には受光部周囲の高濃度層厚の制御性が確保される。これによって、良好なオーミックコンタクトを形成することが出来る。この結果、高周波応答特性に優れた光受信素子を得ることができる。
また、この光受信素子を光受信モジュールに適用することで、高周波応答特性に優れた光受信モジュールを得ることができる。
また、この光受信素子を光受信モジュールに適用することで、高周波応答特性に優れた光受信モジュールを得ることができる。
本発明により、大入力時の高周波応答特性に優れた受光素子および光受信モジュールを実現することができる。
以下本発明の実施の形態について、実施例を用いて図面を参照しながら説明する。なお、実質同一部位には同じ参照番号を振り、説明は繰り返さない。また、断面図においても、あえて断面にハッチングを施さない。これは、煩雑さを防ぐためである。
実施例１の受光素子について図１ないし図４を用いて説明する。ここで、図１は受光素子作成工程を説明する断面図である。図２は受光素子の断面図である。図３は受光素子の高周波応答の特性を説明する図である。図４は光受信モジュールのブロック図である。
受光素子は、図１(ａ)に示すように半絶縁性ＩｎＰ基板１０１上に、ＭＯＣＶＤ法によりＩｎＰバッファ層(ｕｎｄｏｐｅ、膜厚０.２μｍ)１０２およびｎ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層(ｎ型、不純物濃度：１ｘ１０^１８ｃｍ^−３、膜厚０.４μｍ、Ｅｇ=０.８ｅＶ)１０３ａを形成した後、受光部のみｎ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層１０３ａをＩｎＰバッファ層１０２まで、硫酸、過酸化水素、水の混酸でエッチングする(第一多層成長)。
受光素子は、図１(ａ)に示すように半絶縁性ＩｎＰ基板１０１上に、ＭＯＣＶＤ法によりＩｎＰバッファ層(ｕｎｄｏｐｅ、膜厚０.２μｍ)１０２およびｎ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層(ｎ型、不純物濃度：１ｘ１０^１８ｃｍ^−３、膜厚０.４μｍ、Ｅｇ=０.８ｅＶ)１０３ａを形成した後、受光部のみｎ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層１０３ａをＩｎＰバッファ層１０２まで、硫酸、過酸化水素、水の混酸でエッチングする(第一多層成長)。
その後、図１(ｂ)に示すようにＭＯＣＶＤ法により、ｎ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層(ｎ型、不純物濃度：１ｘ１０^１８ｃｍ^−３、膜厚０.３μｍ、Ｅｇ=０.８ｅＶ)１０３ｂ、ＩｎＧａＡｓ吸収層(ｕｎｄｏｐｅ、不純物濃度：５ｘ１０^１４ｃｍ^−３、膜厚１.５μｍ、Ｅｇ=０.７５ｅＶ)１０４、ＩｎＧａＡｓＰキャップ層(ｐ型、不純物濃度：１ｘ１０^１８ｃｍ^−３、膜厚０.１μｍ、Ｅｇ=０.８ｅＶ)１０５およびＩｎＧａＡｓコンタクト層(ｐ型、不純物濃度：１ｘ１０^１９ｃｍ^−３、膜厚０.１μｍ、Ｅｇ=０.７５ｅＶ)１０６を再成長する(第二多層成長)。
図１(ｃ)に示すように、円形の受光部周辺のＩｎＧａＡｓコンタクト層１０６からＩｎＰバッファ層１０２まで、リン酸と塩酸の混酸でウェットエッチングを行う(第一メサ形成)。
次に、図１（ｄ）に示すように、受光部を形成するためにｎ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層１０３ａとＩｎＰバッファ層１０２を、ｎ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層１０３ａの表面のｎ型コンタクト部１１０を残し、容量低減するために受光部周辺をさらに円形にリン酸系エッチャントでウェットエッチングを行う(第二メサ形成)。
図２において、保護膜としてスパッタ法またはＣＶＤ法によって、ＳｉＮ膜（膜厚０.２μｍ）１１４およびＳｉＯ２膜(膜厚０.８μｍ)１１５を形成する。さらに、高濃度半導体層とのコンタクト用の保護膜（ＳｉＮ／ＳｉＯ２）の部分的なエッチング工程、受光部のＳｉＮ膜を反射防止膜とするための受光部のＳｉＯ２膜１１５の部分的なエッチング工程、電子ビーム蒸着法により形成されたｐ電極１２１およびｎ電極１２２の形成工程、基板裏面の研磨工程および裏面電極１２３の形成工程を行うことで、ｐ-ｉ-ｎ型の受光素子１００Ａの作製を行った。
図２の中央の面入射型受光素子部の基板に近い側の受光部の高濃度コンタクト層１０３の膜厚は、受光部の周囲の膜厚に比べて薄くなるように形成されている。
図３において、横軸は周波数、縦軸はＳ２１特性である。受光素子１００Ａの周波数応答特性を評価したところ図３（ａ）の特性を得た。一方、図３（ｂ）の特性は、ｎ型コンタクト層の膜厚について、受光部と受光部周囲とで差が無い受光素子のものである。図３（ｂ）の特性は、ｎ型コンタクト層の膜厚が一様であるために、吸収層において吸収しきれずに透過した光によってｎ型コンタクト層にて遅いキャリアが発生し、低周波域での利得の低下が生じている。
一方、図３（ａ）の特性は、低周波領域での利得の劣化量を低減でき、高周波域でも周波数特性が改善されていることがわかる。また、受光部周囲のｎ型コンタクト部については、０.７μｍと厚いｎ+層によりメサ形成時のエッチング量にマージンがあり、エッチング後も０.５μｍ以上の高濃度層を残せるために１Ω以下の十分低いコンタクト抵抗が再現性良く得られている。
実施例１では、受光素子部のｎ型高濃度層の膜厚は、０.１μｍから０.４μｍの範囲にあることが好ましい。また、電極部のｎ型高濃度層の膜厚は、受光素子部の膜厚より０．１μｍ以上厚いことが好ましい。ｎ型高濃度層のエネルギーバンドギャップと、吸収層のエネルギーバンドギャップとの差は、０.２ｅＶ以内であることが好ましい。
実施例１では、ｎ型コンタクト層としてＩｎＧａＡｓＰ、吸収層材料としてＩｎＧａＡｓ、ｐ型キャップ層としてＩｎＧａＡｓＰ、ｐ型コンタクト層としてＩｎＧａＡｓを用いているが、受光する波長範囲を含んだ吸収端を有するＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＩｎＧａＡｌＡｓ、ＧａＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＮＡｓＳｂの材料系何れかをｐ-ｉ-ｎ構造に用いた場合においても、実施例１と同等な効果があることは言うまでも無い。また、実施例１においては各成長層の厚さ、不純物濃度を具体的に示しているが、高速性や波長範囲、大口径対応など受光素子としての用途に応じて別の厚み、濃度の組み合わせをもつ構造をとることも可能であり、同様の効果を期待できる。
さらに、実施例１では表面受光型受光素子を記載したが、裏面受光型受光素子も主要部の構成は同等で実現できる。これは、当業者にとって容易に理解できるものである。表面受光型受光素子と裏面受光型受光素子は、ともに面入射型受光素子である。
図４は実施例１の受光素子を組み込んだ光受信モジュールである。図４に記載された光受信モジュール１３０は、光受光素子１００をリミットアンプ付ＴＩＡ(Trans Impedance Amplifier)１３２とともに実装した光受信モジュールである。ここで、リミットアンプ付ＴＩＡ１３２は、プリアンプ１３２１と帰還抵抗１３２２とリミットアンプ１３２３から構成され、電流入力を電圧出力に変換する負帰還アンプである。光受信モジュール１３０は矢印で示した光信号を受信し、リミットアンプ付ＴＩＡ１３２の正相出力であるＯＵＴ１端子１３３と、逆相出力であるＯＵＴ２端子１３４とから電気信号として、出力する。この光受信モジュール１３０は、多層構造の各レイヤ間にあるヘテロ接合のエネルギーバンドギャップ差が小さい、または無いため、低電圧且つ大入力時にも帯域劣化が少なく、高周波応答特性に優れている。
実施例２の受光素子について図５を用いて説明する。ここで、図５は受光素子の断面図である。なお、この受光素子の形成工程の詳細に関しては、実施例１と同様のため省略する。
図５において、受光素子３００の中央の面入射型受光素子部の基板に近い側の高濃度コンタクト層３０６の受光部は、受光部の周囲に比べて薄くなるように形成されている。半絶縁性ＩｎＰ基板３０１上にＭＯＣＶＤ法により、ＩｎＰバッファ層(ｕｎｄｏｐｅ、膜厚０.２μｍ)３０２およびｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層(ｐ型、不純物濃度：１ｘ１０^１９ｃｍ^−３、膜厚０.４μｍ、Ｅｇ=０.７５ｅＶ)３０６を形成した後に、受光部のみｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層３０６をＩｎＰバッファ層３０２までエッチングする。
その後、ＭＯＣＶＤ法により、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層３０６を再成長、ＩｎＧａＡｌＡｓキャップ層(ｐ型、不純物濃度：３ｘ１０^１８ｃｍ^−３、膜厚０.１μｍ、Ｅｇ=０.８ｅＶ)３０５、ＩｎＧａＡｓ吸収層(ｕｎｄｏｐｅ、不純物濃度：５ｘ１０^１４ｃｍ^−３、膜厚１.７μｍ、Ｅｇ=０.７５ｅＶ)３０４および３０３のＩｎＧａＡｓコンタクト層(ｎ型、不純物濃度：７ｘ１０^１８ｃｍ^−３、膜厚０.１μｍ、Ｅｇ=０.７５ｅＶ)３０３を再成長する。
この多層構造から受光部を形成するために、ウェットエッチングにより、ＩｎＧａＡｓコンタクト層３０３からＩｎＧａＡｌＡｓキャップ層３０５をエッチングする。さらに、受光部周辺のｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層３０６とＩｎＰバッファ層３０２をエッチングする。このとき、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層３０６の表面が、ｐ型コンタクト部３１１となる。ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層３０６とＩｎＰバッファ層３０２のエッチングは、配線とパッド部とを保護膜を介して半絶縁基板上に配置することによってし容量低減するためである。
その後、保護膜としてスパッタ法またはＣＶＤ法によって、ＳｉＮ膜（膜厚０.２μｍ）３１４およびＳｉＯ２膜(膜厚０.８μｍ）３１５の形成工程、高濃度半導体層とのコンタクト用の保護膜のスルーホールエッチング工程、受光部のＳｉＮ膜３１４を反射防止膜とするためＳｉＯ２膜３１５の部分的なエッチング工程、電子ビーム蒸着法によるｐ電極３２１およびｎ電極３２２の形成工程、基板研磨工程および３２３の裏面電極３２３形成工程を行うことでｐ-ｉ-ｎ型の受光素子３００の作製を行った。
実施例２において、周波数応答特性を評価したところ図３と同様な特性が得られた。すなわち、低周波領域での利得の劣化量を低減できた。また、受光部周囲のｐ型コンタクト部については、０.５μｍの厚いｐ+層によりメサ形成時のエッチング量にマージンがあり、エッチング後も０.３μｍ以上の高濃度層を残せるために１Ω以下の十分低いコンタクト抵抗が再現性良く得られた。
実施例２では、受光素子部のｐ型高濃度層の膜厚は、０.１μｍから０.４μｍの範囲にあることが好ましい。また、電極部のｐ型高濃度層の膜厚は、受光素子部の膜厚より０．１μｍ以上厚いことが好ましい。ｐ型高濃度層のエネルギーバンドギャップと、吸収層のエネルギーバンドギャップとの差は、０.２ｅＶ以内であることが好ましい。
実施例２では、ｎ型コンタクト層としてＩｎＧａＡｓＰ、吸収層材料としてＩｎＧａＡｓ、ｐ型キャップ層としてＩｎＧａＡｓＰ、ｐ型コンタクト層としてＩｎＧａＡｓを用いている。しかし、受光する波長範囲を含んだ吸収端を有するＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＩｎＧａＡｌＡｓ、ＧａＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＮＡｓＳｂの材料系の何れかをｐ-ｉ-ｎ構造に用いた場合においても、実施例２の効果があることは言うまでも無い。また、実施例２は各成長層の厚み、濃度を具体的にあげているが、高速性や波長範囲、大口径対応など受光素子としての用途に応じて別の厚み、濃度の組み合わせをもつ構造をとることも可能であり、同様の効果を期待できる。
実施例２の受光素子をＴＩＡとともに図４に示す光受信モジュールとして実装した場合においても実施例１と同様に、多層構造の各レイヤ間にあるヘテロ接合のエネルギーバンドギャップ差が小さい、もしくは無いため、低電圧且つ大入力時にも帯域劣化が少なく、高周波応答特性に優れた光受信モジュールを実現できる。
実施例１、２では面入射型受光素子の基板に近い側の高濃度コンタクト層の受光部を、受光部の周囲に比べて薄くなるように形成するために、高濃度コンタクト層１０３、３０６の成長後にエッチングし、その後再成長をしている。しかし、酸化膜、窒化膜を用いたＭＯＣＶＤ法による選択成長も同様の構造を形成できる。これを、実施例３として図６を用いて説明しよう。ここで、図６は受光素子作成工程を説明する断面図である。
図６の受光素子１００Ｂへと加工途中において、半絶縁性ＩｎＰ基板１０１上に酸化膜の円孔を有するマスク１２４を形成し、ＭＯＣＶＤ法でＩｎＰバッファ層(ｕｎｄｏｐｅ、膜厚０.２μｍ)１０２、ｎ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層(ｎ型、不純物濃度：１ｘ１０^１８ｃｍ^−３、膜厚０.３μｍ、Ｅｇ=０.８ｅＶ)１０３、ＩｎＧａＡｓ吸収層(ｕｎｄｏｐｅ、不純物濃度：５ｘ１０^１４ｃｍ^−３、膜厚１.５μｍ、Ｅｇ=０.７５ｅＶ)１０４、ＩｎＧａＡｓＰキャップ層(ｐ型、不純物濃度：１ｘ１０^１８ｃｍ^−３、膜厚０.１μｍ、Ｅｇ=０.８ｅＶ)１０５およびＩｎＧａＡｓコンタクト層(ｐ型、不純物濃度：１ｘ１０^１９ｃｍ^−３、膜厚０.１μｍ、Ｅｇ=０.７５ｅＶ)１０６を形成する。
その後、この多層構造を用いて実施例１、２と同様のウェハプロセスにより受光素子を作成する。
その後、この多層構造を用いて実施例１、２と同様のウェハプロセスにより受光素子を作成する。
実施例３では、ＭＯＣＶＤ法での結晶成長時に、酸化膜段差部の周辺部のみ膜厚が厚くなることを利用している。多層構造は、円孔を有するマスク１２４内部で成長する。この結果、円孔中心部の高濃度コンタクト層の膜厚が、円孔のマスク近接部の高濃度コンタクト層の膜厚に比べて薄くなる。円孔中心部に、面入射型受光素子の受光部を設ければ、実施例１、２と同様に、低周波領域での利得の劣化量を低減できる。また、十分低いコンタクト抵抗が再現性良く得られる。
なお、実施例３では円孔を有するマスク材料として、酸化膜を用いたが窒化膜であってもよい。
なお、実施例３では円孔を有するマスク材料として、酸化膜を用いたが窒化膜であってもよい。
実施例３において、周波数応答特性を評価したところ図３と同様な特性が得られた。すなわち、低周波領域での利得の劣化量を低減できた。また、受光部周囲のｎ型コンタクト部については、０.５μｍの厚いｎ+層によりメサ形成時のエッチング量にマージンがあり、エッチング後も０.３μｍ以上の高濃度層を残せるために１Ω以下の十分低いコンタクト抵抗が再現性良く得られた。
実施例３の受光素子をＴＩＡとともに図４に示す光受信モジュールとして実装した場合においても実施例１と同様に、多層構造の各レイヤ間にあるヘテロ接合のエネルギーバンドギャップ差が小さい、もしくは無いため、低電圧且つ大入力時にも帯域劣化が少なく、高周波応答特性に優れた光受信モジュールを実現できる。
面入射型受光素子部の基板に近い側の高濃度コンタクト層の受光部を、受光部の周囲に比べて薄くなるように形成する他の実施例４を、図７を用いて説明する。ここで、図７は受光素子作成工程を説明する断面図である。
図７(ａ)の受光素子１００Ｃへと加工途中において、半絶縁性ＩｎＰ基板１０１上にＩｎＰバッファ層(ｕｎｄｏｐｅ、膜厚０.２μｍ)１０２ａ、ｎ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層(ｎ型、不純物濃度：１ｘ１０^１８ｃｍ^−３、膜厚０.３μｍ、Ｅｇ=０.８ｅＶ)１０３ｃ、ＩｎＧａＡｓ吸収層(ｕｎｄｏｐｅ、不純物濃度：５ｘ１０^１４ｃｍ^−３、膜厚１.５μｍ、Ｅｇ=０.７５ｅＶ)１０４、ＩｎＧａＡｓＰキャップ層(ｐ型、不純物濃度：１ｘ１０^１８ｃｍ^−３、膜厚０.１μｍ、Ｅｇ=０.８ｅＶ)１０５およびＩｎＧａＡｓコンタクト層(ｐ型、不純物濃度：１ｘ１０^１９ｃｍ^−３、膜厚０.１μｍ、Ｅｇ=０.７５ｅＶ)１０６を形成した後、ウェットエッチングで受光部のメサ形状を形成する。
その後、図７(ｂ)のようにＭＯＣＶＤ法により受光部以外の領域に１０２ｂのＩｎＰバッファ層(ｕｎｄｏｐｅ、膜厚０.２μｍ)、１０３ｄのｎ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層(ｎ型、不純物濃度：１ｘ１０^１８ｃｍ^−３、膜厚０.７μｍ、Ｅｇ=０.８ｅＶ)、を再成長し、受光部の高濃度コンタクト層を受光部の周辺に比べて薄くなる構造を形成する。その後、実施例１、２と同様のウェハプロセスにより受光素子を作成する。
実施例４において、周波数応答特性を評価したところ図３と同様な特性が得られた。すなわち、低周波領域での利得の劣化量を低減できた。また、受光部周囲のｎ型コンタクト部については、０.５μｍの厚いｎ+層によりメサ形成時のエッチング量にマージンがあり、エッチング後も０.３μｍ以上の高濃度層を残せるために１Ω以下の十分低いコンタクト抵抗が再現性良く得られた。
実施例４の受光素子をＴＩＡとともに図４に示す光受信モジュールとして実装した場合においても実施例１と同様に、多層構造の各レイヤ間にあるヘテロ接合のエネルギーバンドギャップ差が小さい、もしくは無いため、低電圧且つ大入力時にも帯域劣化が少なく、高周波応答特性に優れた光受信モジュールを実現できる。
１００…受光素子、１０１…ＩｎＰ基板、１０２…ＩｎＰバッファ層、１０３…ｎ型コンタクト層、１０４…光吸収層、１０５…ｐ型キャップ層、１０６…ｐ型コンタクト層、３０６…ｐ型コンタクト層、１１０…ｎ型コンタクト部、１１１…ｐ型コンタクト部、１１２…配線、１１３…パッド部、１１４…ＳｉＮ膜、１１５…ＳｉＯ２膜、１２１…ｐ電極、１２２…ｎ電極、１２３…裏面電極、１２４…ＳｉＮ膜またはＳｉＯ２膜、１３０…光受信モジュール入力光、１３１…受光素子、１３２…リミットアンプ付ＴＩＡ、１３３…ＯＵＴ１、１３４…ＯＵＴ２、１３５…ｐ型キャップ層、３００…受光素子、３０１…ＩｎＰ基板、３０２…ＩｎＰバッファ層、３０３…ｎ型コンタクト層、３０４…光吸収層、３０５…ｐ型キャップ層、３０６…ｐ型コンタクト層、３１０…ｎ型コンタクト部、３１１…ｐ型コンタクト部、３１２…配線、３１３…パッド部、３１４…ＳｉＮ膜、３１５…ＳｉＯ２膜、３２１…ｐ電極、３２２…ｎ電極、３２３…裏面電極。
Claims (4)
- 半導体基板上に、この半導体基板から順にｎ型高濃度層と、吸収層と、ｐ型高濃度層とを含むｐ−ｉ−ｎ型多層構造を有する面入射型受光素子において、
前記ｎ型高濃度層と、前記吸収層と、前記ｐ型高濃度層とは、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＩｎＧａＡｌＡｓ、ＧａＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＮＡｓＳｂの何れかにより主として構成されており、
受光部の前記ｎ型高濃度層は、第１の膜厚を有し、かつ前記受光部近傍の電極部では前記ｎ型高濃度層は、第２の膜厚を有し、
前記第１の膜厚は、０．４μｍ以下かつ、前記第２の膜厚より薄く、
前記受光部の前記ｎ型高濃度層と前記吸収層とのエネルギーバンドギャップ差が０．２ｅＶ以内であることを特徴とする面入射型受光素子。 - 半導体基板上に、この半導体基板から順にｐ型高濃度層と、吸収層と、ｎ型高濃度層とを含むｐ−ｉ−ｎ型多層構造を有する面入射型受光素子において、
前記ｐ型高濃度層と、前記吸収層と、前記ｎ型高濃度層とは、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＩｎＧａＡｌＡｓ、ＧａＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＮＡｓＳｂの何れかにより主として構成されており、
受光部の前記ｐ型高濃度層は、第１の膜厚を有し、かつ前記受光部近傍の電極部では前記ｐ型高濃度層は、第２の膜厚を有し、
前記第１の膜厚は、０．４μｍ以下かつ、前記第２の膜厚より薄く、
前記受光部の前記ｐ型高濃度層と前記吸収層とのエネルギーバンドギャップ差が０．２ｅＶ以内であることを特徴とする面入射型受光素子。 - 筐体内に受光素子とアンプとを配置し、光信号を受信して電気信号に変換する光受信モジュールにおいて、
前記受光素子は、半導体基板上に、この半導体基板から順にｎ型高濃度層と、吸収層と、ｐ型高濃度層とを含むｐ−ｉ−ｎ型多層構造を有し、前記ｎ型高濃度層と、前記吸収層と、前記ｐ型高濃度層とは、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＩｎＧａＡｌＡｓ、ＧａＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＮＡｓＳｂの何れかにより主として構成されており、受光部の前記ｎ型高濃度層は、第１の膜厚を有し、かつ前記受光部近傍の電極部では前記ｎ型高濃度層は、第２の膜厚を有し、前記第１の膜厚は、０．４μｍ以下かつ、前記第２の膜厚より薄く、前記受光部の前記ｎ型高濃度層と前記吸収層とのエネルギーバンドギャップ差が０．２ｅＶ以内であることを特徴とする光受信モジュール。 - 筐体内に受光素子とアンプとを配置し、光信号を受信して電気信号に変換する光受信モジュールにおいて、
前記受光素子は、半導体基板上に、この半導体基板から順にｐ型高濃度層と、吸収層と、ｎ型高濃度層とを含むｐ−ｉ−ｎ型多層構造を有し、前記ｐ型高濃度層と、前記吸収層と、前記ｎ型高濃度層とは、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＩｎＧａＡｌＡｓ、ＧａＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＮＡｓＳｂの何れかにより主として構成されており、受光部の前記ｐ型高濃度層は、第１の膜厚を有し、かつ前記受光部近傍の電極部では前記ｐ型高濃度層は、第２の膜厚を有し、前記第１の膜厚は、０．４μｍ以下かつ、前記第２の膜厚より薄く、前記受光部の前記ｐ型高濃度層と前記吸収層とのエネルギーバンドギャップ差が０．２ｅＶ以内であることを特徴とする光受信モジュール。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006184303A JP4786440B2 (ja) | 2006-07-04 | 2006-07-04 | 面入射型受光素子および光受信モジュール |
| US11/702,203 US7687874B2 (en) | 2006-07-04 | 2007-02-05 | Surface illuminated photodiode and optical receiver module |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006184303A JP4786440B2 (ja) | 2006-07-04 | 2006-07-04 | 面入射型受光素子および光受信モジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008016535A JP2008016535A (ja) | 2008-01-24 |
| JP4786440B2 true JP4786440B2 (ja) | 2011-10-05 |
Family
ID=38918383
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006184303A Active JP4786440B2 (ja) | 2006-07-04 | 2006-07-04 | 面入射型受光素子および光受信モジュール |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7687874B2 (ja) |
| JP (1) | JP4786440B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106571402B (zh) * | 2016-11-18 | 2024-03-29 | 吉林瑞能半导体有限公司 | 一种快恢复功率二极管及其制造方法 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5941877A (ja) * | 1982-08-31 | 1984-03-08 | Junichi Nishizawa | フオトトランジスタ |
| JPS6364370A (ja) * | 1986-09-04 | 1988-03-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体受光素子 |
| JP2675574B2 (ja) * | 1988-04-11 | 1997-11-12 | 富士通株式会社 | 半導体受光素子 |
| JPH0258877A (ja) * | 1988-08-25 | 1990-02-28 | Nec Corp | 半導体受光素子 |
| US5045908A (en) * | 1990-09-25 | 1991-09-03 | Motorola, Inc. | Vertically and laterally illuminated p-i-n photodiode |
| JP2906713B2 (ja) * | 1991-03-29 | 1999-06-21 | 三菱電機株式会社 | 光素子の多重安定性取得方法 |
| JPH0582827A (ja) | 1991-09-19 | 1993-04-02 | Nec Corp | 半導体受光素子 |
| US5448099A (en) * | 1993-03-04 | 1995-09-05 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Pin-type light receiving device, manufacture of the pin-type light receiving device and optoelectronic integrated circuit |
| JPH0832097A (ja) | 1994-07-11 | 1996-02-02 | Hitachi Ltd | 受光素子の製造方法 |
| JP3828982B2 (ja) * | 1997-04-14 | 2006-10-04 | 三菱電機株式会社 | 半導体受光素子 |
| US6452242B1 (en) * | 2000-03-23 | 2002-09-17 | Mp Technologies Llc | Multi color detector |
| WO2003081680A1 (fr) * | 2002-03-26 | 2003-10-02 | Japan Science And Technology Agency | Dispositif a magnetoresistance tunnel, dispositif de jonction de semiconducteurs et dispositif electroluminescent a semiconducteur |
| IL156744A (en) * | 2003-07-02 | 2011-02-28 | Semi Conductor Devices An Elbit Systems Rafael Partnership | Depletion-less photodiode with suppressed dark current |
| US7148463B2 (en) * | 2003-07-16 | 2006-12-12 | Triquint Semiconductor, Inc. | Increased responsivity photodetector |
| JP2005129689A (ja) * | 2003-10-23 | 2005-05-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体受光素子及び光受信モジュール |
| TW200642101A (en) * | 2005-05-18 | 2006-12-01 | Univ Southern Taiwan Tech | Photodetector |
-
2006
- 2006-07-04 JP JP2006184303A patent/JP4786440B2/ja active Active
-
2007
- 2007-02-05 US US11/702,203 patent/US7687874B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2008016535A (ja) | 2008-01-24 |
| US20080006895A1 (en) | 2008-01-10 |
| US7687874B2 (en) | 2010-03-30 |
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| Date | Code | Title | Description |
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