JP4785683B2 - 成膜装置 - Google Patents
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Re=k1*λ/NA
からわかるように、光源の短波長化だけでなく、NAの増大によっても解像度の向上は可能である。液浸露光では、ウエハーに接する空間を、例えば水のように屈折率が1より大きい物質で満たすことでNAの大きい光学設計を可能としている。理論上、ArFステッパーを液浸露光対応にしてNAを増大させた場合、F2 ステッパーで通常の露光を行った場合とほぼ同等の解像度が得られる。従って、解決困難な課題の多いF2 ステッパーよりもArFステッパーを液浸露光に対応させる方が利点が大きいと考えられ、現在ではArF液浸ステッパーの方が主流となっている。
ここで、Nは多孔質な膜の屈折率、Nbは充填率が1であるときの膜の屈折率、Naは空隙部分の屈折率を表し、Pは多孔質膜の充填率である。通常ステッパー内はN2 パージされているため、Naの値はほぼ1となる。従って、上式によれば、多孔質膜の充填率が低ければ低いほど屈折率も低くなることがわかる。
12 基板
13、14 仕切り部材
20 成膜室
21 スパッタガス供給手段
22 反応性ガス供給手段
Claims (6)
- 反応性スパッタリング法によって基板に薄膜を成膜する成膜装置において、スパッタ粒子を発生させるターゲットと、前記ターゲットの放電空間である第1の空間部を囲う第1の仕切り部材と、前記第1の空間部にスパッタガスを供給するスパッタガス供給手段と、前記第1の仕切り部材に配設された第1の開口と、前記第1の開口を介して前記第1の空間部に隣接する第2の空間部を囲う第2の仕切り部材と、前記第2の空間部に反応性ガスを供給する反応性ガス供給手段と、前記第2の仕切り部材に配設された前記第1の開口よりも開口径の小さな第2の開口と、前記第2の開口に対向するように前記基板を固定する基板ホルダと、を有することを特徴とする成膜装置。
- 前記第1および前記第2の空間部のうちの少なくとも一方の空間部の圧力を3.0Pa以上に制御することを特徴とする請求項1記載の成膜装置。
- 前記スパッタガスとして、Ar、Xe、Ne、Kr、もしくはそれらの混合ガスを用いることを特徴とする請求項1または2記載の成膜装置。
- 前記反応性ガスとして、F2、CmFn(m、nは整数)、NF3、SF6、O2、H2またはH2Oを用いることを特徴とする請求項1ないし3いずれか1項記載の成膜装置。
- 前記ターゲットとして、Mg、Al、Si、La、Gd、Nd、Naまたはそれらの化合物を用いることを特徴とする請求項1ないし4いずれか1項記載の成膜装置。
- 請求項1ないし5いずれか1項記載の成膜装置によってMgF2の膜を成膜することを特徴とする成膜方法。
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