JP4774636B2 - Icモジュール、icモジュールを有するicカード、および、製造方法 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、外力に強い、ICモジュール、ICモジュールを有するICカード、および、その製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、情報処理の効率化やセキュリティーの観点から、磁気カードに代えて、データの記録および処理を行う半導体素子によるIC回路を内蔵したICカードの実用化が進められている。ICカードは、通常、財布やカード入れに収納し、あるいはカード単体で携帯し使用される。この使用条件下では、ICカードに外部からの応力、衝撃力など(外力)が加わる場合が多く、その場合にはICカードに内蔵されているICチップに外力が加わりICチップが変形することにより、データの記録およびデータ処理等の機能が果たせなくなる恐れがある。このため、外力に対して変形、破壊しないICカードおよびICモジュールが望まれている。
【0003】
近年、特開2000−99678号公報に開示されているように、ICカードが製造される際に、ICチップの回路面以外に金属箔が残され、その金属箔によりICチップが補強されているICカードが知られている。また、特開平2−158156号公報に開示されているように、ICチップが樹脂で封止された、およびICチップ上に補強板が形成されたICカードが知られている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特開平2−158156号公報で開示された、ICチップが樹脂で封止されたICカードでは、十分な補強強度が得られないという問題点がある。
また、特開平2−158156号公報に開示された、ICチップ上に補強板が形成されたICカードでは、0.2mm以下の厚さのICチップ自身にエッチング処理が行なわれて補強板が形成されている。しかし、近年のICチップの高性能化に伴いICチップが大きく厚くなる傾向にあるため、ICチップ自身にエッチング処理等によって補強を行っても、十分な補強強度が得られないという問題がある。このため、外部からの衝撃力および曲げ応力によっても変形、破壊しないICモジュールおよびICカードが望まれている。
【0005】
したがって、本発明の目的は、外部からの衝撃および曲げに強いICモジュールとその製造方法、外部からの衝撃力および曲げ応力によっても変形、破壊しないICカードの製造方法を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、絶縁性基板と、当該絶縁性基板の一方の面において、少なくとも1回周回状に形成され、両端部が前記絶縁性基板の中心からずれた位置に形成された、アンテナコイルと、前記絶縁性基板の一方の面において、前記アンテナコイルの両端部が形成された位置に形成された、金属箔の第1の電極と、前記絶縁性基板の他方の面において、前記第1の電極の形成位置に対応して形成された、金属箔の第2の電極と、前記絶縁性基板の一方の面において、前記第1の電極と隣接して形成され、前記第2の電極と前記絶縁性基板に形成されたスルーホールを介して電気的に接続された、金属箔の第3の電極と、前記絶縁性基板の一方の面に隣接して形成された前記第1の電極および前記第3の電極の上に配置され、かつ、第1、第2の信号端子が前記第1の電極および前記第3の電極、および、前記アンテナコイルの前記両端部に接続されている、信号処理用ICチップと、を具備し、
前記絶縁性基板を挟んで対向して形成された前記第1の電極および前記第2の電極と誘電体として機能する前記樹脂製の絶縁性基板とで前記アンテナコイルと共振回路を構成するコンデンサを構成し、
前記絶縁性基板の一方の面に隣接して形成された前記第1の電極および前記第3の電極の形成領域の広さ、および、前記絶縁性基板の他方の面に形成された前記第2の電極の形成領域の広さは、前記ICチップの面積より広く、前記金属箔の第1の電極と前記金属箔の第2の電極が、前記ICチップに印加される曲げ応力および/または衝撃力を軽減する補強部材として機能し、
前記絶縁性基板の一方の面に隣接して形成された前記第1の電極および前記第3の電極の離間部分が前記ICチップの平面における中心からずれている、
ICモジュールが提供される。
【0007】
好ましくは、前記絶縁性基板の平面形状は矩形であり、前記アンテナコイルは、前記絶縁性基板の一方の面において、前記絶縁性基板の周縁に沿って矩形に、少なくとも1回周回状に形成され、前記両端部が前記絶縁性基板の中心からずれた位置に位置しており、前記ICチップの平面形状は矩形をしており、前記第1の電極、前記第2の電極および前記第3の電極は矩形をしており、前記絶縁性基板の一方の面に隣接して形成された前記第1の電極および前記第3の電極の矩形の形成領域の広さ、および、前記絶縁性基板の他方の面に形成された前記第2の電極の矩形の形成領域の広さは前記平面が矩形のICチップの面積より大きく、前記絶縁性基板の一方の面に隣接して形成された前記第1の電極および前記第3の電極の離間する平行部分が前記ICチップの中心からずれている。
【0008】
好ましくは、前記絶縁性基板の他方の面に形成された前記第2の電極の矩形の形成領域の広さは、前記絶縁性基板の一方の面に隣接して形成された前記第1の電極および前記第3の電極の矩形の形成領域の広さより広い。
【0009】
好ましくは、前記ICチップの前記第1、第3の電極の接続される面にバンプが設けられており、当該バンプが異方性導電フィルムを介して前記アンテナコイルに接続されている。
【0010】
好ましくは、前記アンテナコイルが、複数回周回状に形成されたとき、前記絶縁性基板の他方の面に、前記絶縁性基板の一方の面に周回状に形成されたアンテナコイルと交叉して形成されたアンテナ部が形成され、前記両端部の一方の端部が、前記絶縁性基板の一方の面に周回状に形成された前記アンテナコイルの一方の終端部であり、前記両端部の他方の端部が、前記絶縁性基板を貫通する第1の導電性部材に接続され、前記第1の導電性部材が、前記絶縁性基板の他方の面に形成されたアンテナ部の一端に接続され、前記アンテナ部の他端が、前記絶縁性基板を貫通する第2の導電性部材を介して前記絶縁性基板の一方の面に導かれ、前記絶縁性基板の一方の面に周回状に形成されたアンテナコイルの他方の終端部に接続されている。
【0011】
好ましくは、前記絶縁性基板の前記一方の面において、前記ICチップ、前記第1の電極および前記第3の電極の端部が、これらを覆う樹脂で封止されている。
【0012】
好ましくは、前記ICチップの前記第1の電極および前記第3の電極と接続される面と反対の面に、金属の補強板が配設されている。
【0013】
本発明によれば、上記ICモジュールと、当該ICモジュールの両側に設けられた樹脂製の接着シートと、前記接着シートの外部に設けられた樹脂製のコアシートと、前記コアシートの両側に設けられたオーバーシートと、が積層されている、ICカードが提供される。
【0014】
本発明によれば、上記ICモジュールを製造する方法が提供される。
【0015】
また本発明によれば、ICカードとして積層されるICモジュールを製造する方法であって、
当該ICモジュールは、平面寸法が前記ICカードと同じ絶縁性基板と、当該絶縁性基板の一方の面において、少なくとも1回周回状に形成され両端部が前記絶縁性基板の中心からずれた位置に形成された、アンテナコイルと、前記アンテナコイルの前記両端部に異方性導電フィルムを介して接続されている、信号処理用ICチップと、前記絶縁性基板の他方の面において、前記絶縁性基板を挟んだ前記ICチップに対応する部分に前記ICチップより広い面積で形成された前記ICチップに印加される曲げ応力および/または衝撃力を軽減する補強部材として機能する金属箔と、を具備し、
当該ICモジュールを製造する方法は、
前記絶縁性基板の一方の面および他方の面にぞれぞれ、第1の金属箔および第2の金属箔を形成する工程と、
前記一方の面に形成された第1の金属箔に対して、少なくとも1回周回状に形成され両端部が前記絶縁性基板の中心からずれた位置に前記アンテナコイルが形成されるように第1のレジスト、および、前記他方の面に形成された第2の金属箔に対して前記ICチップと対応する部分に前記金属箔が形成されるように、第2のレジスト、を塗布する工程と、
第1のエッチング処理を行い、かつ、第2のエッチング処理を行う工程と、
前記第1のエッチング処理の後残った第1のレジスト、かつ、前記第2のエッチング処理の後残った第2のレジストを除去する工程と、
前記処理によって形成された、前記アンテナコイルの前記両端部に異方性導電フィルムを転写する工程と、
前記転写された異方性導電フィルムの上に、前記信号処理用ICチップを載置する工程と、
熱圧着して前記ICチップを前記アンテナコイルの前記両端部に電気的に接続する工程と
を有する、ICモジュールを製造する方法が提供される。
【0032】
【発明の実施の形態】
第1の実施の形態
本発明の第1の実施の形態を図1〜図6を参照して説明する。
図1は、本実施の形態に係るICカードの構成を示す図である。
図2は、図1に図解したICカードに内蔵されているICモジュールの概略平面図である。
図3は、図2のA−A' 線における断面図である。
【0033】
図1に示すように、本第1の実施の形態に係る非接触型ICカード200は、7層のラミネート構造であり、後述するICモジュール100の両面に接着シート10,11を介して、コアシート12,13およびオーバーシート14,15が積層されている。
【0034】
ICカード200の大きさは、例えば、ISO国際規格で定められた、縦54mm、横85.6mm、厚さ0.76mm±10%である。
【0035】
まず、各カード基材について説明する。
接着シート10,11は、例えば、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂等を主成分としたシートにより構成されている。
コアシート12,13ならびにオーバーシート14,15は、プラスチック樹脂で構成されている。これらコアシート12,13ならびにオーバーシート14,15は、例えばPET−G、ABS樹脂、PET、PEN、アクリル樹脂、ポリカーボネート、塩化ビニル等のプラスチック樹脂のいずれかで構成されている。
【0036】
図に示すように、ICモジュール100は、センターシート1、アンテナコイル2、異方性導電フィルム3、ICチップ4、および補強金属箔5を有する。
【0037】
センターシート1は、プラスチック樹脂で形成されている。
アンテナコイル2は、ICチップ4に接続されているアンテナコイルであり、表面アンテナコイル21、裏面金属箔22、およびスルーホール23、24を有する。また、アンテナコイル2は、図示しないコンデンサと共振回路を形成し、共振周波数の電波を用いて信号の送受信を行う。
表面アンテナコイル21は、センターシート1の表面の周縁部にループ上に導電性の金属で形成されている。
また、表面アンテナコイル21は、スルーホール23,24を介して裏面金属箔22と電気的に接続している。
裏面金属箔22は、センターシート1の裏面に形成された導電性の金属箔であり、スルーホール23,24を介して表面アンテナコイル21と電気的に接続している。
また、裏面金属箔22は、表面アンテナコイル21と同一の材料で形成されているが、異なる材料で形成されていてもよい。
【0038】
異方性導電フィルム3は、例えば、導電性微粒子を接着材に分散配合したもので、フィルム自体は絶縁性を示すが、フィルムを圧縮することにより導電性微粒子相互が接触して導電性が顕在化するものである。
【0039】
ICチップ4は、信号処理用を行う回路を有するICチップであり、バンプ(接続用端子)6が設けられており、異方性導電フィルム3を介して、アンテナコイル2と電気的に接続されている。
【0040】
補強金属箔5は、センターシート1の裏面に、ICチップ4が実装される位置の反対側に金属で形成されている。また、補強金属箔5は、ICチップ4のセンターシート1の縁よりも大きく形成されている。
【0041】
このように、本実施の形態のICモジュール100およびICカード200においては、センターシート1の裏面に、ICチップ4が実装される位置の反対側の位置に補強金属箔5が形成されているために、ICチップ4の耐曲げ応力、耐衝撃力などが増すという効果がある。
【0042】
次に、ICモジュール100の製造方法について、図4に示す断面図および図5に示すフローチャートを用いて説明する。
【0043】
ステップST1:
図4(a)に示すように、センターシート1の両面に、金属箔21a,22aを張り付ける。
【0044】
ステップST2:
図4(b)に示すように、形成する表面アンテナコイル21、裏面金属箔22、および補強金属箔5のパターンを有するレジストR21,R22を塗布する。
【0045】
ステップST3:
図4(c)に示すように、エッチング液を用いてエッチングを行い、レジストR20,R22塗布部以外のセンターシート1を露出させる。
【0046】
ステップST3:
図4(d)に示すように、レジストR20,R22を除去して、所望の表面アンテナコイル21、裏面金属箔22、および補強金属箔5が形成される。
【0047】
ステップST4:
スルーホール23,24を形成し、表面アンテナコイル21と、裏面金属箔22を電気的に接続する。
【0048】
ステップST5:
上記のセンターシート1に形成された表面アンテナコイル21の上に、異方性導電フィルム3を転写して、ICチップ4の接続用端子6が下面に位置するように異方性導電フィルム3上に載置させ、上方から熱により圧着して、ICチップ4を表面アンテナコイル21に接続して固着させ、ICチップ4とアンテナコイル2とを電気的に接続する。
上記の工程により、本第1の実施の形態のICモジュール100を形成することができる。
【0049】
次に、ICカード200の製造方法を、図6に示すフローチャートを参照して説明する。
ステップST11:
上記のセンターシート1、接着シート10,11、コアシート12,13、オーバーシート14,15を図1に示したように積層させ、仮貼りを行う。
この仮張りの工程においては、例えば、2本のゴムロールで挟み込み、ロール間隔およびゴム強度を適宜調整、設定して積層させ、接着面中に空気が残存しないように、空気を押し出すようにして積層させる。
【0050】
ステップST12:
仮貼りした上記のセンターシート1、接着シート10,11、コアシート12,13、オーバーシート14,15の積層体を不図示のプレス板などのプレス具により熱とともに加圧し、ラミネート加工する。例えば、温度120°C、圧力20kg/cm2 、および加圧時間12分のプレスラミネート加工を行う。
【0051】
ステップST13:
以上の処理により、カードサイズに打ち抜いて、所望のICカード200を形成することができる。
【0052】
このように、本第1の実施の形態のICモジュール100およびICカード200の製造方法においては、裏面金属箔22、補強金属箔5を同時にエッチング加工により形成している。このため、裏面金属箔22および補強金属箔5を別々に形成する場合に比べて、製造方法が簡単になる。
【0053】
また、ICチップ4は、アンテナコイル2の上に搭載されて、接続用端子6および異方性導電フィルム3を介して、アンテナコイル2と接続している。このため、従来のワイヤボンディングで接続する方法に比べて製造方法が簡単になる。
【0054】
第2の実施の形態
第2の実施の形態を図7〜図9を参照して説明する。
図7は、本実施の形態に係るICカードに内蔵されているICモジュールの概略平面図である。
図8は、図7に図解したICモジュールのICチップおよびコンデンサを拡大した図である。
図9は、図8のB−B’線における断面図である。
本実施の形態のICモジュール100およびICカード200においては、図に示すように、ICモジュール100は、センターシート1、アンテナコイル2、異方性導電フィルム3、ICチップ4、およびコンデンサ7を有する。
【0055】
センターシート1は、プラスチック樹脂で形成されている。また、センターシート1は、コンデンサの誘電体の役割を持つ。
アンテナコイル2は、ICチップ4に接続されたコイルであり、表面アンテナコイル21、スルーホール23を介して電気的に接続されている裏面金属箔22を有する。
表面アンテナコイル21、スルーホール23、および異方性導電フィルム3は、第1の実施の形態で説明したものと同じである。
【0056】
図に示すように、ICモジュール100のコンデンサ7は、センターシート1と、センターシート1の表面に形成されたコンデンサ電極71およびコンデンサ電極72と、コンデンサ電極71,72が形成されている面の反対側の裏面に形成されたコンデンサ電極73、およびスルーホール8で構成されている。
【0057】
スルーホール8は、表面に形成されたコンデンサ電極72と、裏面に形成されたコンデンサ電極73を電気的に接続する。
【0058】
また、コンデンサ電極71およびコンデンサ電極72の縁が、搭載するICチップ4の中心からずれて形成されている。
【0059】
ICチップ4は、コンデンサ電極71とコンデンサ電極72にまたがって、かつ、ICチップ4の中心が、コンデンサ電極71およびコンデンサ電極72の縁とずれて搭載されている。
また、ICチップ4には、バンプ(接続用端子)6が設けられており、センターシート1の表面に形成されたコンデンサ電極71およびコンデンサ電極72と異方性導電フィルム3を介して、ICチップ4は電気的に接続されている。
【0060】
このように、本第2の実施の形態のICモジュール100およびICカード200においては、ICチップ4のコンデンサ電極の搭載領域とコンデンサ電極の搭載領域の1部とが共有されるとともに、ICチップ4の搭載領域に金属箔が2層重なり合って形成されているために、第1の実施の形態と比べて、さらにICチップ4の耐曲げ応力、耐衝撃力などが向上する。
【0061】
また、本第2の実施の形態のICモジュール100およびICカード200においては、ICチップ4の搭載領域が、コンデンサ電極71およびコンデンサ電極72に2分割され、その境界が、ICチップ4の中心からずれていることにより、ICチップ4の搭載領域の折れ曲がりやすい領域がICチップ4の端側になり、ICチップ4の機械的強度がさらに向上する。
【0062】
また、ICチップ4の搭載面に2つのコンデンサの電極71,72が形成されているため、ICチップ4の接続用端子6を直接搭載することにより、ICチップ4とコンデンサを接続することができ、ワイヤボンディングで接続する場合よりも、接続不良が起こりにくいという効果がある。
【0063】
また、ICモジュール100およびICカード200において、コンデンサ7の上にICチップ4を搭載することにより、従来コンデンサの電極として形成されていなかったICチップ4の下の面積を使用するが可能となり、従来よりも大きいキャパシタンスを確保することができる。
【0064】
また、ICモジュール100およびICカード200の製造方法については、第1の実施の形態に示したものとほぼ同じである。以下、第1の実施の形態と相違点を説明する。
【0065】
図5に示すように、ステップST2において、センターシート1の表面にコンデンサ電極71,72のパターンを有するレジスト、裏面にコンデンサ電極73のパターンを有するレジストを塗布する。
そして、エッチング処理を行い(ST3)、レジストを除去し(ST4)、コンデンサ電極71,72,73を形成する。
そして、ステップST5において、コンデンサ電極72コンデンサ電極73をスルーホール8で電気的に接続する。
そして、ステップST6において、形成したコンデンサ電極72とコンデンサ電極73をまたいで、かつICチップ4の中心がコンデンサ電極72とコンデンサ電極73の縁からずらして、異方性導電フィルムを介してICチップ4を搭載する。
上記の工程以外は、第1の実施の形態で説明したのと同様である。
【0066】
このように、本第2の実施の形態のICチップ100およびICカード200の製造方法においては、ICチップ4は、コンデンサ電極72とコンデンサ電極73をまたいで、かつICチップ4の中心がコンデンサ電極72とコンデンサ電極73の縁からずらして、異方性導電フィルム3を介してICチップ4を搭載される。このためICチップ4を搭載する工程が容易となる。
【0067】
第3に実施の形態
第3の実施の形態を図10を参照して説明する。
本実施の形態のICモジュール100およびICカード200においては、図10に示すように、ICチップ4が覆われるように樹脂50で封止されている。
樹脂封止50は、たとえば熱硬化性樹脂を用いて、異方性導電フィルム3、ICチップ4、およびコンデンサ電極71,72を封止している。
その他の構成については、第2の実施の形態のICモジュール100およびICカード200で説明したものと同様である。
【0068】
このように、本第3の実施の形態のICモジュール100およびICカード200においては、ICチップ4の搭載領域に金属箔が2層重なり合って形成され、さらにICチップ4が樹脂封止50で封止されている。このため、ICチップ4が樹脂封止のみで補強されている場合に比べて、耐曲げ応力、耐衝撃力などが向上する。
【0069】
本実施の形態のICモジュール100およびICカード200の製造方法については、第2の実施の形態のICモジュール100およびICカード200の製造方法とほぼ同じである。第2の実施の形態との相違点のみ説明する。
図11で示すように、ステップST7aにおいて、たとえばICチップ4を囲むように熱硬化性樹脂で覆い、加熱して硬化させ、樹脂封止50としてICチップ4を封止する。それ以外は、第2の実施の形態で説明したのと同様である。
【0070】
第4の実施の形態
第4の実施の形態を図12を参照して説明する。
本実施の形態のICモジュール100およびICカード200においては、図12に示すように、ICチップ4のコンデンサ電極71,72に接する面と反対側の面に金属で補強板60が形成されている。
その他の構成については、第2の実施の形態のICモジュール100およびICカード200で説明したのと同様である。
【0071】
このように、本第4の実施の形態のICモジュール100およびICカード200においては、ICチップ4のコンデンサ電極71,72に接する面と反対側の面に補強板60が形成されている。ICチップ4は、コンデンサ電極71,71、コンデンサ電極73で2重に補強され、さらに補強板60で補強される。このため、第2の実施の形態のICモジュール100およびICカード200に比べて、ICチップ4の耐曲げ応力、耐衝撃力などが増すという効果がある。このため、従来の補強板と比べて薄く補強板を形成しても、同等以上の耐曲げ応力、耐衝撃力などを得ることができる。
【0072】
本実施の形態のICモジュール100およびICカード200の製造方法については、ICチップ4のコンデンサ電極71、72に接する面と反対側の面に補強板60を金属で形成する以外は、第2の実施の形態で説明したのと同様である。以下相違点のみ説明する。
図13に示すように、ステップST7bにおいて、ICチップ4のコンデンサ電極71,72に接する面と反対側の面に、金属箔で補強板60を形成する。
それ以外は、第2の実施の形態で説明したのと同様である。
【0073】
なお、本発明は本実施の形態に限られるものではなく、任意好適な種々の改変が可能である。例えば本実施の形態のICチップ4は、異方性導電フィルムを介して接続を行ったがこれに限られるものではない。例えば、金ワイヤー等を用いて、ICチップ4の接続を行ってもよい。
【0074】
【発明の効果】
このように、本発明によれば、ICチップを外部に対して耐衝撃力および耐曲げ応力を向上させたICモジュールを提供することができる。
また、このように、本発明によれば、ICチップを外部に対して耐衝撃力および耐曲げ応力を向上させたICモジュールおよびICカードの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態に係るICカードの構成を示す図である。
【図2】図1に示したICカードに内蔵されているICモジュールの概略平面図である。
【図3】図2に示したICモジュールのICチップの断面図である。
【図4】図2に示したICモジュールの製造方法を示す図である。
【図5】図2に示したICモジュールの製造方法のフローチャートである。
【図6】図1に示したICカードの製造方法のフローチャートである。
【図7】本発明の第2の実施の形態に係るICカードに内蔵されているICモジュールの概略平面図である。
【図8】図7に示したICモジュールのICチップおよびコンデンサを拡大した図である。
【図9】図8に示したICモジュールおよびコンデンサの断面図である。
【図10】本発明の第3の実施の形態のICモジュールのICチップおよびコンデンサの断面図である。
【図11】図10に示したICモジュールの製造方法のフローチャートである。
【図12】本発明の第4の実施の形態のICモジュールのICチップおよびコンデンサの断面図である。
【図13】図12に示したICモジュールの製造方法のフローチャートである。
【符号の説明】
1…センターシート
2…アンテナコイル
21…表面アンテナコイル
21a,22a…金属箔
22…裏面金属箔
23,24…スルーホール
3…異方性導電フィルム
4…ICチップ
5…補強金属箔
6…接続用端子
7…コンデンサ
71,72,73…コンデンサ電極
8…スルーホール
10,11…接着シート
12,13…コアシート
14,15…オーバーシート
50…樹脂封止
60…補強板
100…モジュール
200…カード
R20,R21,R22…レジスト

Claims (17)

  1. 絶縁性基板と、
    当該絶縁性基板の一方の面において、少なくとも1回周回状に形成され、両端部が前記絶縁性基板の中心からずれた位置に形成された、アンテナコイルと、
    前記絶縁性基板の一方の面において、前記アンテナコイルの両端部が形成された位置に形成された、金属箔の第1の電極と、
    前記絶縁性基板の他方の面において、前記第1の電極の形成位置に対応して形成された、金属箔の第2の電極と、
    前記絶縁性基板の一方の面において、前記第1の電極と隣接して形成され、前記第2の電極と前記絶縁性基板に形成されたスルーホールを介して電気的に接続された、金属箔の第3の電極と、
    前記絶縁性基板の一方の面に隣接して形成された前記第1の電極および前記第3の電極の上に配置され、かつ、第1、第2の信号端子が前記第1の電極および前記第3の電極、および、前記アンテナコイルの前記両端部に接続されている、信号処理用ICチップと、
    を具備し、
    前記絶縁性基板を挟んで対向して形成された前記第1の電極および前記第2の電極と誘電体として機能する前記樹脂製の絶縁性基板とで前記アンテナコイルと共振回路を構成するコンデンサを構成しており、
    前記絶縁性基板の一方の面に隣接して形成された前記第1の電極および前記第3の電極の形成領域の広さ、および、前記絶縁性基板の他方の面に形成された前記第2の電極の形成領域の広さは、前記ICチップの面積より広く、前記金属箔の第1の電極と前記金属箔の第2の電極が、前記ICチップに印加される曲げ応力および/または衝撃力を軽減する補強部材として機能し、
    前記絶縁性基板の一方の面に隣接して形成された前記第1の電極および前記第3の電極の離間部分が前記ICチップの平面における中心からずれている、
    ICモジュール。
  2. 前記絶縁性基板の平面形状は矩形であり、
    前記アンテナコイルは、前記絶縁性基板の一方の面において、前記絶縁性基板の周縁に沿って矩形に、少なくとも1回周回状に形成され、前記両端部が前記絶縁性基板の中心からずれた位置に位置しており、
    前記ICチップの平面形状は矩形をしており、
    前記第1の電極、前記第2の電極および前記第3の電極は矩形をしており、
    前記絶縁性基板の一方の面に隣接して形成された前記第1の電極および前記第3の電極の矩形の形成領域の広さ、および、前記絶縁性基板の他方の面に形成された前記第2の電極の矩形の形成領域の広さは前記平面が矩形のICチップの面積より大きく、
    前記絶縁性基板の一方の面に隣接して形成された前記第1の電極および前記第3の電極の離間する平行部分が前記ICチップの中心からずれている、
    請求項1に記載のICモジュール。
  3. 前記絶縁性基板の他方の面に形成された前記第2の電極の矩形の形成領域の広さは、前記絶縁性基板の一方の面に隣接して形成された前記第1の電極および前記第3の電極の矩形の形成領域の広さより広い、
    請求項2に記載のICモジュール。
  4. 前記ICチップの前記第1、第3の電極の接続される面にバンプが設けられており、当該バンプが異方性導電フィルムを介して前記アンテナコイルに接続されている、
    請求項1〜3のいずれかに記載のICモジュール。
  5. 前記アンテナコイルが、複数回周回状に形成されたとき、
    前記絶縁性基板の他方の面に、前記絶縁性基板の一方の面に周回状に形成されたアンテナコイルと交叉して形成されたアンテナ部が形成され、
    前記両端部の一方の端部が、前記絶縁性基板の一方の面に周回状に形成された前記アンテナコイルの一方の終端部であり、
    前記両端部の他方の端部が、前記絶縁性基板を貫通する第1の導電性部材に接続され、
    前記第1の導電性部材が、前記絶縁性基板の他方の面に形成されたアンテナ部の一端に接続され、
    前記アンテナ部の他端が、前記絶縁性基板を貫通する第2の導電性部材を介して前記絶縁性基板の一方の面に導かれ、前記絶縁性基板の一方の面に周回状に形成されたアンテナコイルの他方の終端部に接続されている、
    請求項1〜4のいずれかに記載のICモジュール。
  6. 前記絶縁性基板の前記一方の面において、前記ICチップ、前記第1の電極および前記第3の電極の端部が、これらを覆う樹脂で封止されている、
    請求項1〜5のいずれかに記載のICモジュール。
  7. 前記ICチップの前記第1の電極および前記第3の電極と接続される面と反対の面に、金属の補強板が配設されている、
    請求項1〜5のいずれかに記載のICモジュール。
  8. 請求項1〜7のいずれかに記載のICモジュールと、
    当該ICモジュールの両側に設けられた樹脂製の接着シートと、
    前記接着シートの外部に設けられた樹脂製のコアシートと、
    前記コアシートの両側に設けられたオーバーシートと、
    が積層されている、
    ICカード。
  9. 請求項1〜4のいずれかに記載のICモジュールを製造する方法であって、
    一方の面に、少なくとも1回周回状に形成され、両端部が前記絶縁性基板の中心からずれた位置に形成された前記アンテナコイルと、当該アンテナコイルの両端部が形成された位置に形成された金属箔の第1の電極と、当該第1の電極と隣接して形成された金属箔の第3の電極とを有し、他方の面に、前記第1の電極の形成位置に対応して形成された金属箔の第2の電極を有し、当該絶縁性基板に形成されたスルーホールを介して前記第2の電極と前記第3の電極が電気的に接続されている、前記絶縁性基板を準備する、第1の工程と、
    前記ICチップに設けられたバンプを前記異方性導電フィルムを介して前記第1、第3の電極の接続されている前記アンテナコイルの両端部に接続する、第2の工程と
    を有する、ICモジュールを製造する方法。
  10. 請求項6に記載のICモジュールを製造する方法であって、
    一方の面に、少なくとも1回周回状に形成され、両端部が前記絶縁性基板の中心からずれた位置に形成された前記アンテナコイルと、当該アンテナコイルの両端部が形成された位置に形成された金属箔の第1の電極と、当該第1の電極と隣接して形成された金属箔の第3の電極とを有し、他方の面に、前記第1の電極の形成位置に対応して形成された金属箔の第2の電極を有し、当該絶縁性基板に形成されたスルーホールを介して前記第2の電極と前記第3の電極が電気的に接続されている、前記絶縁性基板を準備する、第1の工程と、
    前記ICチップに設けられたバンプを前記異方性導電フィルムを介して前記第1、第3の電極の接続されている前記アンテナコイルの両端部に接続する、第2の工程と、
    前記絶縁性基板の前記一方の面において、前記ICチップ、前記第1の電極および前記第3の電極の端部を覆って樹脂で封止する、第3の工程と、
    を有する、ICモジュールを製造する方法。
  11. 請求項7に記載のICモジュールを製造する方法であって、
    一方の面に、少なくとも1回周回状に形成され、両端部が前記絶縁性基板の中心からずれた位置に形成された前記アンテナコイルと、当該アンテナコイルの両端部が形成された位置に形成された金属箔の第1の電極と、当該第1の電極と隣接して形成された金属箔の第3の電極とを有し、他方の面に、前記第1の電極の形成位置に対応して形成された金属箔の第2の電極を有し、当該絶縁性基板に形成されたスルーホールを介して前記第2の電極と前記第3の電極が電気的に接続されている、前記絶縁性基板を準備する、第1の工程と、
    前記ICチップの前記第1の電極および前記第3の電極と接続される面と反対の面に、金属の補強板を配設する、第2の工程と
    を有する、ICモジュールを製造する方法。
  12. 前記絶縁性基板を準備する第1の工程において、
    前記絶縁性基板の一方の面および他方の面にぞれぞれ第1の金属箔および第2の金属箔を形成し、
    前記一方の面に形成された第1の金属箔に対して、少なくとも1回周回状に形成され、両端部が前記絶縁性基板の中心からずれた位置に前記アンテナコイルが形成され、当該アンテナコイルの両端部が形成された位置に前記第1の電極が形成され、当該第1の電極と隣接した位置に前記第3の電極が形成されるように、第1のレジストを塗布し、かつ、前記他方の面に形成された第2の金属箔に対して、前記第1の電極の形成位置に対応して第2の電極が形成されるように、第2のレジストを塗布し、
    前記第1のレジストを塗布した部分を残して第1のエッチング処理を行い、かつ、前記第2レジストを塗布した部分を残して第2のエッチング処理を行い、
    前記第1のエッチング処理後に残った第1のレジスト、および、前記第2のエッチング処理後に残った第2のレジストを除去し、
    前記絶縁性基板に形成されたスルーホールを介して前記第2の電極と前記第3の電極とを接続する、
    請求項9、10または11に記載のICモジュールを製造する方法。
  13. 前記第1の金属箔と前記第2の金属箔とは同じ導電性材料である、
    請求項12に記載のICモジュールを製造する方法。
  14. 請求項9、10、11のいずれかに記載のICモジュールを製造する方法の処理の後に、
    前記ICモジュールの両側に設けられた樹脂製の接着シートと、
    前記接着シートの外部に設けられた樹脂製のコアシートと、
    前記コアシートの両側に設けられたオーバーシートと、
    を順次積層する、
    ICカードの製造方法。
  15. ICカードとして積層されるICモジュールを製造する方法であって、
    当該ICモジュールは、平面寸法が前記ICカードと同じ絶縁性基板と、当該絶縁性基板の一方の面において、少なくとも1回周回状に形成され両端部が前記絶縁性基板の中心からずれた位置に形成された、アンテナコイルと、前記アンテナコイルの前記両端部に異方性導電フィルムを介して接続されている、信号処理用ICチップと、前記絶縁性基板の他方の面において、前記絶縁性基板を挟んだ前記ICチップに対応する部分に前記ICチップより広い面積で形成された前記ICチップに印加される曲げ応力および/または衝撃力を軽減する補強部材として機能する金属箔と、を具備し、
    当該ICモジュールを製造する方法は、
    前記絶縁性基板の一方の面および他方の面にぞれぞれ、第1の金属箔および第2の金属箔を形成する工程と、
    前記一方の面に形成された第1の金属箔に対して、少なくとも1回周回状に形成され両端部が前記絶縁性基板の中心からずれた位置に前記アンテナコイルが形成されるように第1のレジスト、および、前記他方の面に形成された第2の金属箔に対して前記ICチップと対応する部分に前記金属箔が形成されるように、第2のレジスト、を塗布する工程と、
    第1のエッチング処理を行い、かつ、第2のエッチング処理を行う工程と、
    前記第1のエッチング処理の後残った第1のレジスト、かつ、前記第2のエッチング処理の後残った第2のレジストを除去する工程と、
    前記処理によって形成された、前記アンテナコイルの前記両端部に異方性導電フィルムを転写する工程と、
    前記転写された異方性導電フィルムの上に、前記信号処理用ICチップを載置する工程と、
    熱圧着して前記ICチップを前記アンテナコイルの前記両端部に電気的に接続する工程と
    を有する、ICモジュールを製造する方法。
  16. 前記第1の金属箔と前記第2の金属箔とは同じ導電性材料である、
    請求項15に記載のICモジュールを製造する方法。
  17. 請求項15または16に記載のICモジュールを製造する方法の処理の後に、 前記ICモジュールの両側に設けられた樹脂製の接着シートと、
    前記接着シートの外部に設けられた樹脂製のコアシートと、
    前記コアシートの両側に設けられたオーバーシートと、
    を順次積層する、
    ICカードの製造方法。
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