JP4774006B2 - エッチング方法 - Google Patents
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Description
しかし、処理対象物表面に電極膜が露出していると、電極膜がハロゲンガスのプラズマと反応して腐食がおこる。
特に、銅電極膜は、Al電極膜に比べて低抵抗な上、酸化され難く、ITO等の透明電極膜と密着させた時のコンタクト抵抗の低下が起こり難いという利点があるが、銅電極膜はハロゲンガスと反応性が高く、腐食の進行が深刻であった。
本発明は、前記銅薄膜と前記銅薄膜との間の電極溝底面に露出する前記シリコン層をエッチングするエッチング方法であって、前記銅薄膜表面を予めレジスト膜で覆っておき、前記フッ素系ガスのプラズマを前記電極溝側面に露出する前記銅薄膜の側面に接触させるエッチング方法である。
本発明はエッチング方法であって、前記シリコン層をエッチングした後、前記処理対象物上でO2ガスのプラズマを発生させ、前記O2ガスのプラズマを露出する前記銅薄膜と接触させるエッチング方法である。
本発明はエッチング方法であって、前記シリコン層をエッチングした後、前記処理対象物を水で洗浄するエッチング方法である。
本発明はエッチング方法であって、前記フッ素系ガスのプラズマと、前記ハロゲンガスのプラズマの発生は、電極上に前記処理対象物を配置した状態で、前記電極に電圧を印加して行うエッチング方法である。
本発明はエッチング方法であって、前記銅薄膜は、Mgと、Zrと、Tiと、Niとからなる金属群より選択される少なくとも1種類の金属を含有する銅合金、又は純銅で構成されたエッチング方法である。
また、本発明でシリコン層とは、ポリシリコン、アモルファスシリコン等のシリコンを主成分とする層、ケイ素窒化物、ケイ素酸化物等のシリコン化合物を主成分とする層、又は、シリコンとシリコン化合物の両方を含有する層のことである。
この処理対象物10は、基板11を有しており、基板11上には、ゲート電極15と蓄積電極12が配置されている。
基板11上には、ゲート電極15と蓄積電極12を覆ってゲート絶縁膜14が配置されている。
ゲート絶縁膜14のゲート電極15の上方に位置する部分には、チャネル層16とシリコン層17が配置されている。
ゲート電極15の幅方向中央部分の真上位置は、銅薄膜をソース電極21とドレイン電極22に分離する電極溝18であり、この電極溝18の底面には、シリコン層17の表面が露出されている。
真空槽2の内部の天井側にはシャワープレート4が配置されており、底壁側には基板ホルダ5が配置されている。また、真空槽2には真空排気系9が接続されており、真空排気系9によって真空槽2の内部を真空排気し、処理対象物10を基板ホルダ5上に配置する。
シャワープレート4にはガス導入系8が接続されており、ガス導入系8からシャワープレート4に被膜形成ガスを導入し、該被膜形成ガスをシャワープレート4から真空槽2内部に噴出しながら、シャワープレート4及び真空槽2と、基板ホルダ5の間に交流電圧を印加し、被膜形成ガスのプラズマを生成する。
銅薄膜がエッチングガスプラズマに曝されると、表面が腐蝕し、信頼性が低下するが、本発明では、電極溝18内に露出する銅薄膜(ソース電極21、ドレイン電極22)側面はフッ素化合物で覆われた状態でエッチングガスプラズマに曝されるので、銅薄膜は腐蝕せず、信頼性は低下しない。
尚、酸素ガスプラズマに処理対象物10を曝す際に、レジスト膜25を除去してもよいし、処理対象物10を水洗前にレジスト膜25を酸で溶解、除去してもよい。
シリコン層以外にも、窒化ケイ素(SiN)や、酸化ケイ素(SiO2)GaAs、SnO2、Cr、Ti、TiN、W、Al等の他のエッチング対象物をエッチングする際にも、上記ハロゲンガスを用いることが可能である。
Siのエッチングガスとしては、例えばSF6、C4F8、CBrF3、CF4+O2、Cl2、SiCl4+Cl2、SF6+N2+Ar、BCl2+Cl2+Ar、CF4、NF3、SiF4、BF3、XeF2、ClF3、SiCl4、PCl3、BCl3、HCl、HBr、Br2、HI、I2等がある。
Alのエッチングガスとしては、例えばBCl3+Cl2、BCl3+CHF3+Cl2、BCl3+CH2+Cl2、B+Br3+Cl2、BCl3+Cl2+N2、SiO4+Cl2、SiCl4、Br2、HBrがある。
TiNのエッチングガスとしては、例えばCF4+O2+H2+NH3、C2F6+CO、CH3F+CO2、BCl 3+Cl2+N2、CF4等がある。
Wのエッチングガスとしては、例えばCF4、SF6+O2、SF6+Cl2+O2等がある。
Tiのエッチングガスとしては、例えばCF4、O2、SF6+O2、Cl2+He等がある。
Crのエッチングガスとしては、例えばCl2等がある。
アモルファスシリコンのエッチングガスとしては、例えばCF4+O2、Cl2+SF6等がある。
SnO2のエッチングガスとしては、例えばCH3OH、C2H5OH、Cl2+O2等がある。
GaAsのエッチングガスとしては、例えばCF4、BCl3+Cl2等がある。
また、SF6プラズマ処理を行い、かつ、エッチングガスプラズマに曝した後に、O2プラズマ処理又は水洗処理を行った場合には、銅薄膜を48時間放置しても、腐食が現れず、保存性がより高くなることが分かる。
以上はフッ素系ガスとしてSF6ガスを用いる場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。
上記表2から明らかなように、フッ素系ガスの種類を、SF6ガスから他のガスに変えても銅薄膜の腐食が防止されることが分かった。
Claims (6)
- 表面に露出し、銅もしくは銅合金を含む銅薄膜と、シリコンとシリコン化合物のいずれか一方又は両方を含有するシリコン層とを有する処理対象物の、前記シリコン層をエッチングするエッチング方法であって、
前記処理対象物上で、SF6ガスと、F2ガスと、NF3ガスと、CF4ガスと、C2F6ガスと、C3F8ガスと、C4F8ガスと、HFガスと、SiF4ガスと、BF3ガスと、XeF2ガスと、CHF3ガスとからなるフッ素系ガス群より選択される少なくとも1種類フッ素系ガスのプラズマを発生させ、前記フッ素系ガスのプラズマを、露出する前記銅薄膜と接触させた後、
前記処理対象物上でハロゲンガスを含有するエッチングガスのプラズマを発生し、前記エッチングガスのプラズマを前記シリコン層表面と接触させ、前記シリコン層をエッチングするエッチング方法。 - 前記銅薄膜と前記銅薄膜との間の電極溝底面に露出する前記シリコン層をエッチングする請求項1記載のエッチング方法であって、
前記銅薄膜表面を予めレジスト膜で覆っておき、
前記フッ素系ガスのプラズマを前記電極溝側面に露出する前記銅薄膜の側面に接触させるエッチング方法。 - 前記シリコン層をエッチングした後、
前記処理対象物上でO2ガスのプラズマを発生させ、前記O2ガスのプラズマを露出する前記銅薄膜と接触させる請求項1又は請求項2のいずれか1項記載のエッチング方法。 - 前記シリコン層をエッチングした後、
前記処理対象物を水で洗浄する請求項1記載のエッチング方法。 - 前記フッ素系ガスのプラズマと、前記ハロゲンガスのプラズマの発生は、電極上に前記処理対象物を配置した状態で、前記電極に電圧を印加して行う請求項1乃至請求項4のいずれか1項記載のエッチング方法。
- 前記銅薄膜は、Mgと、Zrと、Tiと、Niとからなる金属群より選択される少なくとも1種類の金属を含有する銅合金、又は純銅で構成された請求項1乃至請求項5のいずれか1項記載のエッチング方法。
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