JP4773630B2 - ダイアフラム型半導体装置とその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板に半導体製造技術を適用してダイアフラム構造を実現した半導体装置とその製造方法に関する。特に、犠牲層(エッチング層)をエッチングしてダイアフラムの下側に空間を形成する際に、ダイアフラムが撓みにくくしたダイアフラム型半導体装置とその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
シリコン半導体基板にシリコン加工技術(微細加工技術であり、以下では半導体製造技術という)を用いてダイアフラム型半導体装置を製造する技術が開発されており、例えば、特開2000−214035号公報に紹介されている。
この技術では、図1に示すダイアフラム型半導体装置を下記のようにして製造する。なお、指示線の指示先を明瞭化する為に、図の右半分ではハッチングを省略している。また、膜厚は著しく拡大されて図示されている。
(1)シリコン基板2の表面に不純物をドープして下部電極4を形成する。
(2)シリコン基板2の表面に第1耐エッチング層8を積層する。
(3)第1耐エッチング層8の表面の所定領域にエッチング層10を積層する。
(4)エッチング層10の表面に第2耐エッチング層下層12を積層する。
(5)第2耐エッチング層下層12の表面に、開口14bを有する多結晶シリコン層を積層し、不純物をドープして上部電極14を形成する。
(6)上部電極14を覆うように、第2耐エッチング層上層16を積層する。
(7)第2耐エッチング層下層12と第2耐エッチング層上層16をエッチングしてエッチング層10に達する開口17を作成する。
(8)第2耐エッチング層12,16の開口17からエッチング液を導入して、エッチング層10をエッチングして除去する。
(9)その結果、空間28が形成され、第2耐エッチング層下層12と上部電極14と第2耐エッチング層上層16によって空間28を画定するダイアフラム27が形成される。
(10)第2耐エッチング層の表面に封止膜24を積層して開口17を封止する。
(11)以上によって、ダイアフラム27と圧力基準室28が形成され、ダイアフラム27内に上部電極14が埋設されており、上部電極14に対向する下部電極4が形成されたダイアフラム型半導体装置が製造される。
この半導体装置の場合、ダイアフラム27の表面に作用する圧力が変化するとダイアフラム27が変形し、ダイアフラム27が変形すると上部電極14と下部電極4間の静電容量が変化するために、電極間の静電容量を測定することによって圧力を測定することができる。
【0003】
この場合、上部電極14はダイアフラム27の変形に追従して下部電極4との間の距離を変えることが重要であり、上部電極14は圧力基準室28の広がりよりも狭範囲に設けられている。上部電極14が圧力基準室28の広がりよりも広範囲に広がっていると、余分に広がっている部分からもたらされる静電容量が圧力に応じて変化しないために、検出感度が悪くなる。
図2が、圧力基準室28の広がりと上部電極14の広がりの様子を示し、上部電極14は圧力基準室28の広がりの内部に留まっている。なお、14aは上部電極14を外部配線に接続するための延長部である。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
図3から図6は、図1に示したダイアフラム型半導体装置の製造工程を経時的に示す。
半導体基板2の表面に、前記した各層(下部電極4、第1耐エッチング層8、エッチング層10、第2耐エッチング層下層12、上部電極層14、第2耐エッチング層上層16)を積層し(図3参照)、第2耐エッチング層12,16をエッチングしてエッチング層10に至る開口17を設け(図4参照)、開口17からエッチング層10をエッチングして空間28を形成し(図5参照)、その後に封止層24を積層する(図6参照)。
【0005】
エッチング層10をエッチングして空間28を形成する際に、図1に示したように、ダイアフラム27が半導体基板2の表面と平行を保っていることが好ましい。
しかしながら、実際には、図5に示したように、ダイアフラム27は下向きに凸形状に湾曲してしまう。極端な場合には、ダイアフラム27が半導体基板2の表面に接触して圧力検出の用をなさなくなることがある。半導体基板2に接するほど大きく撓まない場合でも、エッチング層10を除去したときにダイアフラム27が撓んでしまうと、ダイアフラムに作用する圧力変化と、電極4、14間の静電容量変化が比例しなくなり、半導体装置の出力が非線形となってしまう。
【0006】
本発明は、エッチング層10を除去したときのダイアフラム27(図5の状態)の撓みを小さく押さえられる構造を実現するために、開発された。
【0007】
本発明者らは、エッチング層10を除去したときにダイアフラム27が撓む理由を種々に検討した結果、第2耐エッチング層下層12と上層16はともに引張り応力状態であるところ、第2耐エッチング層下層12の積層基礎となっていたエッチング層10が除去されると、第2耐エッチング層下層12がダイアフラム27の下面を強く収縮させることが一つの理由であることを見出した。
【0008】
また、ダイアフラム27の周辺に段差があり、その段差に応力が集中してダイアフラム27を撓ませることを確認した。図3〜6において、図中18はエッチング層10が局部的に存在することに起因する段差であり、図中20は上部電極14が局部的に存在することに起因する段差であり、これらの段差18、20がダイアフラム27の周辺に近接して存在している。
本発明は、これらの原因を対策すると、ダイアフラム27の撓みを抑制できるという知見に基づいて発案されたものである。
【0009】
【課題を解決するための手段と作用】
本発明で実現された一つのダイアフラム型半導体装置は、ダイアフラムに埋設されている上部電極がダイアフラムで画定されるとともに平面視したときに円形状の圧力基準室の広がりよりも同心円状に広範囲に広がっていることを特徴とする。また、その上部電極の外縁形状が円形状である。さらに、上部電極には、圧力基準室の上方を延びる部分と圧力基準室の側方を延びる部分の間の段差が、圧力基準室の輪郭に沿って一巡して形成されていることを特徴とする。さらに、ダイアフラムの中央には、封止膜で封止されたエッチング用開口が形成されていることを特徴とする。
【0010】
前記したように、ダイアフラムに埋設されている上部電極がダイアフラムで画定される圧力基準室の広がりよりも広範囲に広がっていると、圧力によって変化しない静電容量成分が生み出されるために検出感度が悪化する。
反面、上部電極が圧力基準室の広がりよりも広範囲に広がっていると、ダイアフラムの上側と下側での応力のアンバランスが解消される。また、上部電極が局部的に存在することに起因する段差をダイアフラムから離れた箇所に設けることができる。これらの結果、ダイアフラムの撓みが抑制され、ダイアフラム型圧力検出装置の出力に線形性が確保しやすくなる。
またダイアフラムの撓みを抑制できると、上部電極と下部電極間の距離を小さく設計することができる。電極間距離を小さくできると、圧力に対して電極間の静電容量が大きく変化する。上部電極が圧力基準室の広がりよりも広範囲に広がっていると、圧力によって変化しない静電容量成分が生み出されるために検出感度が悪化する以上に、電極間距離を小さくできて静電容量変化を大きくできるという要素が強く働き、検出感度も上げることができる。
【0011】
上記の半導体装置は、好ましくは下記のようにして製造される。即ち、ダイアフラム型半導体装置を製造する方法は、半導体基板の表面に所定領域に広がるとともに平面視したときに円形状のエッチング層を積層する工程と、そのエッチング層の表面に耐エッチング層下層を積層する工程と、その耐エッチング層下層の表面にエッチング層の広がりよりも同心円状に広がるとともに外縁形状が円形状の上部電極層を積層する工程と、その上部電極層の表面に耐エッチング層上層を積層する工程と、その耐エッチング層上層と下層にエッチング層に達する開口を形成する工程と、その開口からエッチング層をエッチングして圧力基準室となる空間を作り出す工程とを備えている。上部電極層を積層する工程では、エッチング層の上方を延びる部分とエッチング層の側方を延びる部分の間の段差がエッチング層の輪郭に沿って一巡して上部電極層に形成される。開口を形成する工程では、開口が、耐エッチング層下層と上部電極層と耐エッチング層上層で構成されるダイアフラムの中央に形成される。
【0012】
この方法によると、ダイアフラムの撓みを抑制しながら、上部電極が圧力基準室の広がりよりも広範囲に広がっているダイアフラム型半導体装置を製造することができる。
【0016】
【実施の形態】
下記に説明する実施例の主要な特徴を最初に整理する。
(形態1) ダイアフラムに埋設されている上部電極は、ダイアフラムで画定される圧力基準室の広がりよりも広範囲に広がっている。
(形態2) 圧力基準室の外方領域に埋設されているエッチング層は、第2耐エッチング層で保護されている。
(形態3) 圧力基準室の外方領域に埋設されているエッチング層は、一つ又は複数のリング形状である。
(形態4) 圧力基準室の外方領域に埋設されているエッチング層は、周方向に複数個に分割されている。
【0017】
【実施例】
(第1実施例) 図7は、第1実施例の図1に対応する図を示す。この半導体装置は、
(1)シリコン基板32の表面に不純物をドープして下部電極34を形成する。
(2)シリコン基板32の表面に第1耐エッチング層38を積層する。
(3)第1耐エッチング層38の表面の所定領域にエッチング層40を積層する。
(4)エッチング層40の表面に第2耐エッチング層下層42を積層する。
(5)第2耐エッチング層下層42の表面に、開口44bを有する多結晶シリコン層を積層し、不純物をドープして上部電極44を形成する。このとき、図8に示すように、上部電極44は、エッチング層40の広がりよりも広範囲に広がるように積層する。
(6)上部電極44を覆うように、第2耐エッチング層上層46を積層する。
(7)第2耐エッチング層下層42と第2耐エッチング層上層46をエッチングしてエッチング層40に達する開口47を作成する。
(8)第2耐エッチング層42,46の開口47からエッチング液を導入して、エッチング層40をエッチングして除去する。
(9)その結果、空間58が形成され、第2耐エッチング層下層42と上部電極44と第2耐エッチング層上層46によって空間58を画定するダイアフラム57が形成される。
このとき、上部電極44がエッチング層40の広がりよりも広範囲に広がっているために、ダイアフラム57の撓みが抑制される。
【0018】
図15は、図5に示した従来のダイアフラムの撓みを示す。図中右端は、ダイアフラムの外周であり、左端がセンタのエッチング孔17での撓みを示す。カーブAは、犠牲層(エッチング層10)除去後のダイアフラムの撓みを示す。カーブBは、封止膜24をプラズマCVD法で積層した後のダイアフラムの撓みを示す。カーブCは、100KPaの圧力をダイアフラム27に作用させたときの撓みを示す。
図16は、第1実施例についての図15と同様のカーブを示す。この場合、ダイアフラムの撓み、特に、カーブBに示す完成したダイアフラムの撓みが抑制されていることが確認される。
【0019】
図16の場合、センタのエッチング孔付近でダイアフラムが上昇しようとするが、図7の距離W、即ち、上部電極44が存在せずに第2耐エッチング層下層42と上層46が直接接触する長さ(これは孔44bの大きさを調整することで自在に調整できる)を調整することで、補償できることが確認されている。
このように、上部電極44をエッチング層40の広がりよりも広範囲に広がらせると、ダイアフラム57の撓みが抑制される。
【0020】
(第1参考例) この第1参考例では、図9に示すように、第1耐エッチング層68の表面の所定領域にエッチング層70を積層する際に、エッチング層70の外方領域にエッチング層70から分離されたエッチング層71を積層する。その付加的エッチング層71は、その後に耐エッチング層72を積層することで保護される。この場合、エッチング層70のエッチング後に、外方の分離された付加的エッチング層71は除去されないで残る。
【0021】
このために、エッチング層70ないし圧力基準室88が局部的に存在することに起因する段差79は、ダイアフラムから遠い位置に追い遣られ、段差79がダイアフラムを撓ませる要素が抑制される。
【0022】
このとき、図9に示すように、上部電極74を圧力基準室88の輪郭よりも外側にまで伸ばすと、上部電極74が局部的に存在することに起因する段差79までダイアフラムから遠い位置に追い遣ることができ、効果的である。
【0023】
エッチング層70の外方領域に分離されて設けられる付加エッチング層71は、図10に示すように、多重リング形状71a,71b,71cであっても良い。あるいは、周方向に分離されていても良い。周方向に分離する様子は図14に示される。
【0024】
図11は、第2参考例を示し、右半分には圧力基準室を持たないコンデサ130が形成されている。このコンデサ130の静電容量は圧力に依然せず、専ら温度に依存して変化するために、温度補償用に用いられる。
図中、102はシリコン基板、104は下部電極、108は第1耐エッチング層、110はエッチング層、112は第2耐エッチング層下層、114は上部電極、116は第2耐エッチング層上層と封止膜、124はエッチング孔の封止部である。
図11と図12に示される109a、109b、109cは、エッチング層110の外方領域に分離されて設けられる多重リング形状の付加エッチング層であって、第2耐エッチング層内に埋設されている。図13に示すように一重のリング109dであっても良いし、図14に示すように周方向に分割されていても良い。図11に示すように、段差部120はダイアフラムから遠く離れており、ダイアフラムを撓ませにくい。なお、108は上部電極114のための配線であり、図示しない断面に下部電極104のための配線が設けられている。
【0025】
上記した実施例は、あくまで実施例であり、本発明は請求項記載の範囲内で様々に変形して実施することがでできる。
例えば、上部電極はアルミ等の金属層で形成することができる。半導体基板はシリコンに限られない。材料、形状は様々に変形することができる。
【0026】
【発明の効果】
請求項1のダイアフラム型半導体装置は、図7に例示されるように、ダイアフラム57に埋設されている上部電極44がダイアフラム57で画定される圧力基準室58の輪郭よりも広範囲に広がっているために、ダイアフラムの撓みが抑制され、ダイアフラム型圧力検出装置の出力に線形性が確保しやすくなる。また、上部電極と下部電極間の距離を小さく設計することができ、圧力に対する静電容量の変化を大きくして検出感度を上げることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 従来のダイアフラム型半導体装置の断面図を示す。
【図2】 従来のダイアフラム型半導体装置の圧力基準室輪郭と上部電極の関係を示す。
【図3】 従来のダイアフラム型半導体装置の製造途中での断面を示す。
【図4】 図3の後工程後の半導体装置の断面を示す。
【図5】 図4の後工程後の半導体装置の断面を示す。
【図6】 図5の後工程後の半導体装置の断面を示す。
【図7】 第1実施例のダイアフラム型半導体装置の断面図を示す。
【図8】 第1実施例のダイアフラム型半導体装置の圧力基準室輪郭と上部電極の関係を示す。
【図9】 第1参考例のダイアフラム型半導体装置の断面図を示す。
【図10】 第1参考例のダイアフラム型半導体装置の他の断面図を示す。
【図11】 第2参考例のダイアフラム型半導体装置の断面図を示す。
【図12】 圧力基準室から分離された外方領域に形成されるエッチング層の一例を示す。
【図13】 圧力基準室から分離された外方領域に形成されるエッチング層の他の例を示す。
【図14】 圧力基準室から分離された外方領域に形成されるエッチング層の他の例を示す。
【図15】 従来のダイアフラムの撓みを示す。
【図16】 第1実施例のダイアフラムの撓みを示す。
【符号の説明】
2、32、62、102:シリコン基板
4、34、64、104:下部電極
8、38、68、108:第1耐エッチング層
10、40、70、110:エッチング層
12、42、72、112:第2耐エッチング層下層
14、44、74、114:上部電極
16、46、76、116:第2耐エッチング層上層
24、54、84、 :封止膜
Claims (3)
- 半導体基板上に形成されたダイアフラムを持ち、感圧容量部の容量変化によって圧力を検出するための半導体装置であり、
そのダイアフラムに埋設されている上部電極が、ダイアフラムで画定されるとともに平面視したときに円形状の圧力基準室の広がりよりも同心円状に広範囲に広がっており、その上部電極の外縁形状が円形状であり、
上部電極には、圧力基準室の上方を延びる部分と圧力基準室の側方を延びる部分の間の段差が、圧力基準室の輪郭に沿って一巡して形成されており、
ダイアフラムの中央には、封止膜で封止されたエッチング用開口が形成されていることを特徴とするダイアフラム型半導体装置。 - 半導体基板の表面に所定領域に広がるとともに平面視したときに円形状のエッチング層を積層する工程と、
そのエッチング層の表面に耐エッチング層下層を積層する工程と、
その耐エッチング層下層の表面にエッチング層の広がりよりも同心円状に広がるとともに外縁形状が円形状の上部電極層を積層する工程と、
その上部電極層の表面に耐エッチング層上層を積層する工程と、
その耐エッチング層上層と下層にエッチング層に達する開口を形成する工程と、
その開口からエッチング層をエッチングする工程と、を備えており、
上部電極層を積層する工程では、エッチング層の上方を延びる部分とエッチング層の側方を延びる部分の間の段差がエッチング層の輪郭に沿って一巡して上部電極層に形成され、
開口を形成する工程では、開口が、耐エッチング層下層と上部電極層と耐エッチング層上層で構成されるダイアフラムの中央に形成される、ダイアフラム型半導体装置を製造する方法。 - 請求項1に記載のダイアフラム型半導体装置であり、前記半導体基板には、前記感圧容量部と並列して、圧力に対して静電容量が変化しない基準容量部が形成されているダイアフラム型半導体装置。
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Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3778128B2 (ja) * | 2002-05-14 | 2006-05-24 | 株式会社デンソー | メンブレンを有する半導体装置の製造方法 |
US7921728B2 (en) * | 2003-04-09 | 2011-04-12 | YPoint Capital, Inc | Flexible apparatus and method to enhance capacitive force sensing |
KR20050075659A (ko) * | 2004-01-17 | 2005-07-21 | 삼성전자주식회사 | 디지털 출력을 갖는 압력센서, 그 제조방법 및 그 센싱방법 |
JP2005262686A (ja) * | 2004-03-18 | 2005-09-29 | Ricoh Co Ltd | アクチュエータ、液滴吐出ヘッド、インクカートリッジ、インクジェット記録装置、マイクロポンプ、光変調デバイス、基板 |
JP4585426B2 (ja) * | 2005-10-31 | 2010-11-24 | アルプス電気株式会社 | 静電容量型圧力センサ |
US7775130B2 (en) * | 2006-10-26 | 2010-08-17 | Load Star Sensors, Inc | Capacitive sensor based inventory control |
JP2008212084A (ja) * | 2007-03-06 | 2008-09-18 | Kao Corp | アルカリプロテアーゼ |
US8240217B2 (en) * | 2007-10-15 | 2012-08-14 | Kavlico Corporation | Diaphragm isolation forming through subtractive etching |
KR101541906B1 (ko) * | 2007-11-07 | 2015-08-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 미소 전기기계식 장치 및 그 제작 방법 |
JP5396335B2 (ja) | 2009-05-28 | 2014-01-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | タッチパネル |
JP5778914B2 (ja) * | 2010-11-04 | 2015-09-16 | キヤノン株式会社 | 電気機械変換装置の製造方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0750789B2 (ja) * | 1986-07-18 | 1995-05-31 | 日産自動車株式会社 | 半導体圧力変換装置の製造方法 |
US5431057A (en) | 1990-02-12 | 1995-07-11 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. | Integratable capacitative pressure sensor |
DE4042336A1 (de) | 1990-02-12 | 1991-08-14 | Fraunhofer Ges Forschung | Drucksensoranordnung mit einem drucksensor und einem referenzelement |
US5332469A (en) * | 1992-11-12 | 1994-07-26 | Ford Motor Company | Capacitive surface micromachined differential pressure sensor |
US5369544A (en) * | 1993-04-05 | 1994-11-29 | Ford Motor Company | Silicon-on-insulator capacitive surface micromachined absolute pressure sensor |
JPH09257618A (ja) * | 1996-03-26 | 1997-10-03 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 静電容量型圧力センサおよびその製造方法 |
US5672808A (en) * | 1996-06-11 | 1997-09-30 | Moore Products Co. | Transducer having redundant pressure sensors |
JP4124867B2 (ja) * | 1998-07-14 | 2008-07-23 | 松下電器産業株式会社 | 変換装置 |
JP3362714B2 (ja) * | 1998-11-16 | 2003-01-07 | 株式会社豊田中央研究所 | 静電容量型圧力センサおよびその製造方法 |
-
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- 2001-05-15 JP JP2001144884A patent/JP4773630B2/ja not_active Expired - Fee Related
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- 2002-05-10 US US10/142,162 patent/US6802222B2/en not_active Expired - Lifetime
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