JP2006200980A - 静電容量型圧力センサおよび静電容量型アクチュエータ - Google Patents
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Abstract
【課題】 ダイヤフラムに特別な加工を施すことなく容易に製造でき、圧力の変化量に対する静電容量変化量の線形性を改善すること。
【解決手段】 ダイヤフラム3からなる可動電極が形成された一方の基板2と、固定電極4が形成された他方の基板5とが、可動電極と固定電極4の間に設けられたギャップ6を介して対向配置された構造体10を備え、前記ダイヤフラム3が圧力によって変形することによる可動電極と固定電極4との間の静電容量の変化を検知する静電容量型圧力センサであって、固定電極4が、閉じた領域内に空隙部を有する形状であり、中心4aから周縁部4bに向かって中心部からの距離の増加に対する面積増加率が大きくなる形状とされている静電容量型圧力センサ1とする。
【選択図】 図2
【解決手段】 ダイヤフラム3からなる可動電極が形成された一方の基板2と、固定電極4が形成された他方の基板5とが、可動電極と固定電極4の間に設けられたギャップ6を介して対向配置された構造体10を備え、前記ダイヤフラム3が圧力によって変形することによる可動電極と固定電極4との間の静電容量の変化を検知する静電容量型圧力センサであって、固定電極4が、閉じた領域内に空隙部を有する形状であり、中心4aから周縁部4bに向かって中心部からの距離の増加に対する面積増加率が大きくなる形状とされている静電容量型圧力センサ1とする。
【選択図】 図2
Description
本発明は、静電容量型圧力センサおよび静電容量型アクチュエータに関するものであり、特に、ダイヤフラムに特別な加工を施すことなく容易に製造でき、線形性を改善することができる静電容量型圧力センサおよび静電容量型アクチュエータに関する。
静電容量型圧力センサや静電容量型アクチュエータとして、一方の基板に形成されたダイヤフラム部と他方の基板に形成された固定電極部との間にギャップが設けられた構造体を備えたものがある。
上述した構造体を備えた静電容量型圧力センサとして、ダイヤフラムの外周縁部を中心部に比して肉薄に構成して所謂ヒンジを設けることにより、線形性を改善したもの(例えば、特許文献1)や、ダイヤフラムの形状を改良することにより、ダイヤフラムの内部残留応力、重力変化、振動などの影響を抑え、安定した感度と線形性が得られるようにしたものがある(例えば、特許文献2)。
特開平3−81635号公報
特開2001−267588号公報
上述した構造体を備えた静電容量型圧力センサとして、ダイヤフラムの外周縁部を中心部に比して肉薄に構成して所謂ヒンジを設けることにより、線形性を改善したもの(例えば、特許文献1)や、ダイヤフラムの形状を改良することにより、ダイヤフラムの内部残留応力、重力変化、振動などの影響を抑え、安定した感度と線形性が得られるようにしたものがある(例えば、特許文献2)。
しかしながら、特許文献1および特許文献2では、線形性を改善するためにダイヤフラムに特別な加工を施す必要があるため、製造工程が複雑で手間がかかることが問題となっていた。また、特許文献1および特許文献2では、静電容量型圧力センサの感度に影響を与えるダイヤフラムの加工工程が複雑であるため、ダイヤフラムの加工精度の向上に支障をきたし、静電容量型圧力センサの感度にバラツキを生じさせる場合があった。
また、上述した構造体を備えた静電容量型アクチュエータにおいては、静電力の変化量に対するダイヤフラムの変形量の線形性を改善させて、静電力による作動の精度を向上させることが要求されていた。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、ダイヤフラムに特別な加工を施すことなく容易に製造でき、圧力の変化量に対する静電容量変化量の線形性を改善することができ、静電容量の変化を高精度および高感度で検知できる静電容量型圧力センサおよびその製造方法を提供することを目的とする。
また、ダイヤフラムに特別な加工を施すことなく容易に製造でき、静電力の変化量に対するダイヤフラムの変形量の線形性を改善することができ、静電力によって精度よく作動する静電容量型アクチュエータおよびその製造方法を提供することを目的とする。
また、ダイヤフラムに特別な加工を施すことなく容易に製造でき、静電力の変化量に対するダイヤフラムの変形量の線形性を改善することができ、静電力によって精度よく作動する静電容量型アクチュエータおよびその製造方法を提供することを目的とする。
本発明の静電容量型圧力センサは、ダイヤフラムからなる可動電極が形成された一方の基板と、固定電極が形成された他方の基板とが、前記可動電極と前記固定電極との間に設けられたギャップを介して対向配置された構造体を備え、圧力によって前記ダイヤフラムが変形することによる前記可動電極と固定電極との間の静電容量の変化を検知する静電容量型圧力センサであって、前記固定電極が、閉じた領域内に空隙部を有する形状であり、中心から周縁部に向かって中心部からの距離の増加に対する面積増加率が大きくなる形状とされていることを特徴とする。
また、上記の静電容量型圧力センサにおいては、前記固定電極の形状が、第1軸と、前記第1軸に中心で直交する第2軸と、前記第1軸に中心で45度の角度で交差する第3軸と、前記第3軸に中心で直交する第4軸とに対してそれぞれ対称な形状であるものとすることができる。
また、上記の静電容量型圧力センサにおいては、前記固定電極が、中心から周縁部に向かって形成され前記固定電極の面積を画定する曲線縁部を備え、前記曲線縁部が、y=(2/a2)xn(ただし、xは前記第1軸上における中心からの位置を示し、yは前記第2軸上における中心からの位置を示し、aは中心から前記ダイヤフラムの周縁部と平面的に重なり合う部分までの最短距離を示す。)で示される曲線を形成しているものとすることができる。
また、上記の静電容量型圧力センサにおいては、前記nが4または5であるものとすることができる。
また、上記の静電容量型圧力センサにおいては、前記nが4または5であるものとすることができる。
また、上記の静電容量型圧力センサにおいては、前記ダイヤフラムが、円形であるものとすることができる。
本発明の静電容量型圧力センサの製造方法は、ダイヤフラムからなる可動電極が形成された一方の基板と、固定電極が形成された他方の基板とが、前記可動電極と前記固定電極との間に設けられたギャップを介して対向配置された構造体を備え、圧力によって前記ダイヤフラムが変形することによる前記可動電極と固定電極との間の静電容量の変化を検知する静電容量型圧力センサの製造方法であって、前記他方の基板上に、閉じた領域内に空隙部を有し、中心から周縁部に向かって中心部からの距離の増加に対する面積増加率が大きくなる形状を有する固定電極を形成する工程を備えることを特徴とする。
本発明の静電容量型アクチュエータは、ダイヤフラムからなる可動電極が形成された一方の基板と、固定電極が形成された他方の基板とが、前記可動電極と前記固定電極との間に設けられたギャップを介して対向配置された構造体を備え、前記可動電極と固定電極との間に発生する静電力によって前記ダイヤフラムが変形して作動する静電容量型アクチュエータであって、前記固定電極は、閉じた領域内に空隙部を有する形状であり、中心部から周縁部に向かって中心部からの距離の増加に対する面積増加率が大きくなる形状とされていることを特徴とする。
上記の静電容量型アクチュエータにおいては、前記固定電極の形状は、第1軸と、前記第1軸に中心で直交する第2軸と、前記第1軸に中心で45度の角度で交差する第3軸と、前記第3軸に中心で直交する第4軸とに対してそれぞれ対称な形状であることを特徴とするものとすることができる。
上記の静電容量型アクチュエータにおいては、前記固定電極が、中心から周縁部に向かって形成され前記固定電極の面積を画定する曲線縁部を備え、前記曲線縁部が、y=(2/a2)xn(ただし、xは前記第1軸上における中心からの位置を示し、yは前記第2軸上における中心からの位置を示し、aは中心から前記ダイヤフラムの周縁部と平面的に重なり合う部分までの最短距離を示す。)で示される曲線を形成していることを特徴とするものとすることができる。
上記の静電容量型アクチュエータにおいては、前記nが4または5であるものとすることができる。
上記の静電容量型アクチュエータにおいては、前記nが4または5であるものとすることができる。
上記の静電容量型アクチュエータにおいては、前記ダイヤフラムが、円形であるものとすることができる。
本発明の静電容量型アクチュエータの製造方法は、ダイヤフラムからなる可動電極が形成された一方の基板と、固定電極が形成された他方の基板とが、前記可動電極と前記固定電極との間に設けられたギャップを介して対向配置された構造体を備え、前記可動電極と固定電極との間に発生する静電力によって前記ダイヤフラムが変形して作動する静電容量型アクチュエータの製造方法であって、前記他方の基板上に、閉じた領域内に空隙部を有し、中心から周縁部に向かって中心部からの距離の増加に対する面積増加率が大きくなる形状を有する固定電極を形成する工程を備えることを特徴とする。
本発明によれば、固定電極が、閉じた領域内に空隙部を有する形状であり、中心から周縁部に向かって中心部からの距離の増加に対する面積増加率が大きくなる形状とされているので、圧力の変化量に対する静電容量変化量の線形性を改善することができ、静電容量の変化を高精度および高感度で検知できる静電容量型圧力センサを提供することができる。
また、本発明によれば、固定電極が、閉じた領域内に空隙部を有する形状であり、中心から周縁部に向かって中心部からの距離の増加に対する面積増加率が大きくなる形状とされているので、静電力の変化量に対するダイヤフラムの変形量の線形性を改善することができ、静電力によって精度よく作動する静電容量型アクチュエータを提供することができる。
また、本発明の静電容量型圧力センサの製造方法または静電容量型アクチュエータの製造方法によれば、ダイヤフラムに特別な加工を施すことなく線形性を改善することができるので、容易に精度良く製造でき、ダイヤフラムの加工精度に起因するバラツキを防ぐことができる。
また、本発明によれば、固定電極が、閉じた領域内に空隙部を有する形状であり、中心から周縁部に向かって中心部からの距離の増加に対する面積増加率が大きくなる形状とされているので、静電力の変化量に対するダイヤフラムの変形量の線形性を改善することができ、静電力によって精度よく作動する静電容量型アクチュエータを提供することができる。
また、本発明の静電容量型圧力センサの製造方法または静電容量型アクチュエータの製造方法によれば、ダイヤフラムに特別な加工を施すことなく線形性を改善することができるので、容易に精度良く製造でき、ダイヤフラムの加工精度に起因するバラツキを防ぐことができる。
以下、図面を用いて本発明の実施の形態を詳細に説明する。
なお、本発明は以下に説明する実施の形態に限定されるものではない。また、以下の図面においては、各構成部分の縮尺について図面に表記することが容易となるように構成部分毎に縮尺を変えて記載している。
なお、本発明は以下に説明する実施の形態に限定されるものではない。また、以下の図面においては、各構成部分の縮尺について図面に表記することが容易となるように構成部分毎に縮尺を変えて記載している。
「実施例1」
図1は、本発明の第1実施形態の静電容量型圧力センサを示した平面図であり、図2は、図1における線分A−Aにおける線視断面図である。図3は、図1に示す静電容量型圧力センサの固定電極の形状を説明するための平面図である。
図1および図2に示すように、本実施形態の静電容量型圧力センサ1は、シリコン基板(一方の基板)2の一部を薄くして形成された可動電極としての円形のダイヤフラム3と、固定電極4が形成された支持基板(他方の基板)5とが、ダイヤフラム3と固定電極4との間に設けられたギャップ6を介して対向配置された構造体10を備えたものである。
図1は、本発明の第1実施形態の静電容量型圧力センサを示した平面図であり、図2は、図1における線分A−Aにおける線視断面図である。図3は、図1に示す静電容量型圧力センサの固定電極の形状を説明するための平面図である。
図1および図2に示すように、本実施形態の静電容量型圧力センサ1は、シリコン基板(一方の基板)2の一部を薄くして形成された可動電極としての円形のダイヤフラム3と、固定電極4が形成された支持基板(他方の基板)5とが、ダイヤフラム3と固定電極4との間に設けられたギャップ6を介して対向配置された構造体10を備えたものである。
図1および図2に示すように、シリコン基板2の上面で、ダイヤフラム3が形成されていない部分には、ダイヤフラム3に電気的に接続された電極パッド7が形成されている。電極パッド7にはワイヤ22(図1では図示略)が接続されている。
支持基板5は、耐熱ガラスから構成されている。耐熱ガラスとしては、400℃の熱膨張係数がシリコンとほぼ等しく、後述する陽極接合後における内部応力を小さくできるパイレックス(登録商標)を用いることが望ましい。
支持基板5に形成された固定電極4は、図2に示すように、支持基板5を貫通する取出電極8を介して支持基板5の下面に形成された電極パッド9に電気的に接続されている。電極パッド9にはワイヤ23(図1では図示略)が接続されている。ワイヤ22、ワイヤ23には、静電容量の変化を検知する検知手段20(図1では図示略)に電気的に接続されている。
支持基板5は、耐熱ガラスから構成されている。耐熱ガラスとしては、400℃の熱膨張係数がシリコンとほぼ等しく、後述する陽極接合後における内部応力を小さくできるパイレックス(登録商標)を用いることが望ましい。
支持基板5に形成された固定電極4は、図2に示すように、支持基板5を貫通する取出電極8を介して支持基板5の下面に形成された電極パッド9に電気的に接続されている。電極パッド9にはワイヤ23(図1では図示略)が接続されている。ワイヤ22、ワイヤ23には、静電容量の変化を検知する検知手段20(図1では図示略)に電気的に接続されている。
そして、本実施形態の静電容量型圧力センサ1では、圧力変化に対応してダイヤフラム3が弾性変形して撓むことによるギャップ6の幅dの変動を、ダイヤフラム3と固定電極4との間の静電容量の変化として電気的に測定することにより、圧力を検知するようになっている。
本実施形態においては、固定電極4は、厚さ0.1〜0.2μm程度のTi、Cr、Pt、W、Al合金などの導電性金属で形成され、図3に示すように、閉じた領域内に空隙部4fを有する形状であり、中心4aから周縁部4bに向かって中心部からの距離の増加に対する面積増加率が大きくなる形状とされている。また、図3に示す固定電極4は、ダイヤフラム3の中心と平面的に重なり合う中心4aから周縁部4bに向かって形成された曲線縁部4cを備えている。曲線縁部4cは、y=(2/a2)x3(ただし、xは第1軸11上における中心4aからの位置を示し、yは第2軸12上における中心4aからの位置を示し、aは中心4aからダイヤフラム3の周縁部3bと平面的に重なり合う部分までの最短距離(本実施形態におけるダイヤフラム3の半径)を示す。)で示される曲線を形成している。
また、固定電極4は、図3に示すように、中心4aを中心にして曲線縁部4cを90度または180度回転させた曲線を形成する曲線縁部4d、4d、4dと、曲線縁部4cおよび曲線縁部4dを第1軸11または第2軸12に対して対称移動させた曲線を形成する曲線縁部4e、4e、4e、4eとを備え、第1軸11と、第1軸11に中心4aで直交する第2軸12と、第1軸11に中心4aで45度の角度で交差する第3軸13と、第3軸13に中心4aで直交する第4軸14とに対してそれぞれ対称な形状とされている。
ここで、曲線縁部4cが、y=(2/a2)x3で示される曲線を形成し、固定電極4が、第1軸11と第2軸12と第3軸13と第4軸14とに対してそれぞれ対称な形状であることにより、圧力の変化量に対する静電容量変化量の線形性を改善することができる原理について図面を用いて説明する。
図4は、圧力の変化量に対する静電容量変化量の線形性を改善することができる原理を説明するため、本実施形態の静電容量型圧力センサを構成するダイヤフラム、固定電極、シリコン基板のみを示した図である。図4(a)は、ダイヤフラムに圧力が作用していない状態を説明するための図であり、図4(b)は、ダイヤフラムに圧力が作用している状態を説明するための図である。
図4において、「d」はギャップ6の幅、「r」は中心4aからの距離、「a」はダイヤフラム3の半径を示す。本実施形態の静電容量型圧力センサ1において、圧力Pが円板様に作用した場合の中心4aから距離rの位置における変化量ω(r)は、下記の数式で示される。
図4は、圧力の変化量に対する静電容量変化量の線形性を改善することができる原理を説明するため、本実施形態の静電容量型圧力センサを構成するダイヤフラム、固定電極、シリコン基板のみを示した図である。図4(a)は、ダイヤフラムに圧力が作用していない状態を説明するための図であり、図4(b)は、ダイヤフラムに圧力が作用している状態を説明するための図である。
図4において、「d」はギャップ6の幅、「r」は中心4aからの距離、「a」はダイヤフラム3の半径を示す。本実施形態の静電容量型圧力センサ1において、圧力Pが円板様に作用した場合の中心4aから距離rの位置における変化量ω(r)は、下記の数式で示される。
上記の数式〔数2〕において、「S(r)」は静電容量を形成する面積、「ε0」は真空の誘電率、「εr」は比誘電率、「a」はダイヤフラム3の半径を示す。
上記の数式〔数2〕において、圧力Pによって変化するギャップ6の幅dーω(r)と圧力Pによって静電容量を形成する面積S(r)とが、中心4aからの距離rに対して同じ変化率で変化するとき、中心4aからの距離rに基づく全容量Cの差が生じないことがわかる。また、静電容量を形成する面積S(r)は、固定電極4とダイヤフラム3とが圧力Pによって実効的に容量結合する面積である。したがって、圧力Pによって変化するギャップ6の幅dーω(r)の距離rに対する変化と同じ変化率で、静電容量を形成する面積S(r)が距離rに対して変化するような固定電極4の形状とすることで、圧力Pの変化量に対する静電容量の変化量を線形に近づけることができる。
上記の数式〔数2〕において、圧力Pによって変化するギャップ6の幅dーω(r)と圧力Pによって静電容量を形成する面積S(r)とが、中心4aからの距離rに対して同じ変化率で変化するとき、中心4aからの距離rに基づく全容量Cの差が生じないことがわかる。また、静電容量を形成する面積S(r)は、固定電極4とダイヤフラム3とが圧力Pによって実効的に容量結合する面積である。したがって、圧力Pによって変化するギャップ6の幅dーω(r)の距離rに対する変化と同じ変化率で、静電容量を形成する面積S(r)が距離rに対して変化するような固定電極4の形状とすることで、圧力Pの変化量に対する静電容量の変化量を線形に近づけることができる。
上記の数式〔数1〕に示されるように、ギャップ6の幅dの変化量ωは、距離rが大きくなればなるほど大きくなる。
例えば、従来の静電容量型圧力センサのように固定電極がダイヤフラムと同じ形状とされている場合、静電容量を形成する面積S(r)は距離rにかかわらず一定であるので、上記の数式〔数2〕からわかるように、距離rが大きいとギャップ6の幅dの変化量ωが大きくなり、全容量Cが小さくなってしまうし、距離rが小さいとギャップ6の幅dの変化量ωが小さくなり、全容量Cが大きくなってしまう。
例えば、従来の静電容量型圧力センサのように固定電極がダイヤフラムと同じ形状とされている場合、静電容量を形成する面積S(r)は距離rにかかわらず一定であるので、上記の数式〔数2〕からわかるように、距離rが大きいとギャップ6の幅dの変化量ωが大きくなり、全容量Cが小さくなってしまうし、距離rが小さいとギャップ6の幅dの変化量ωが小さくなり、全容量Cが大きくなってしまう。
これに対し、固定電極4を中心4aから周縁部4bに向かって同心円状に面積が増加する形状とした場合、静電容量を形成する面積S(r)が距離r大きくなればなるほど増加するものとなり、静電容量を形成する面積S(r)の距離rに対する変化率が、圧力Pによって変化するギャップ6の幅dーω(r)の変化率に近くなる。よって、距離rに基づく全容量Cの差を少なくすることができ、圧力Pの変化量に対する静電容量の変化量を線形に近づけることができ、静電容量の変化を高精度かつ高感度で検知することができる。
さらに、固定電極4の形状を、第1軸11と第2軸12と第3軸13と第4軸14とに対してそれぞれ対称な形状とすることで、固定電極4の面積が中心4aから周縁部4bに向かって同心円状にバランスよく増加する形状となり、単一円周上における位置の違いによる圧力Pの変化量に対する静電容量の変化量のバラツキが少なく、静電容量の変化を高精度で検知できる静電容量型圧力センサとすることができる。
また、曲線縁部4cが、xのn次関数で表される場合の一例として、y=(2/a2)x3で示される曲線を形成している場合の静電容量を形成する面積Sを以下に示すように求めた。
まず、y=(2/a2)x3で示される曲線縁部4cと第1軸11とダイヤフラム3の周縁部3bとに囲まれた領域の近似値として、下記の数式で示されるように、曲線縁部4cと距離rとの間の領域の面積S1を求めた。
まず、y=(2/a2)x3で示される曲線縁部4cと第1軸11とダイヤフラム3の周縁部3bとに囲まれた領域の近似値として、下記の数式で示されるように、曲線縁部4cと距離rとの間の領域の面積S1を求めた。
上記の数式〔数1〕〔数4〕より、ギャップ6の幅dの変化量ωおよび静電容量を形成する面積S2ともに、距離rの4乗に依存した変化をすることがわかる。したがって、本実施形態の静電容量型圧力センサ1では、静電容量を形成する面積S(r)の距離rに対する変化率が、例えば、固定電極をダイヤフラム3と同じ円形とした場合の静電容量を形成する面積(πr2)と比較して、圧力Pによって変化するギャップ6の幅dーω(r)の変化率に非常に近くなる。よって、距離rに基づく全容量Cの差を効果的に少なくすることができ、圧力Pの変化量に対する静電容量の変化量を効果的に線形に近づけることができる。
また、本実施形態の静電容量型圧力センサ1は、ダイヤフラム3が円形であるので、静電容量を形成する面積S(r)および圧力Pによって変化するギャップ6の幅dーω(r)の、単一円周上における位置の違いによるバラツキが少なく、静電容量の変化をより一層高精度で検知できる静電容量型圧力センサとすることができる。
次に、図5〜図7を参照して本実施形態の静電容量型圧力センサ1の製造方法について説明する。
本実施形態の静電容量型圧力センサ1の製造方法は、シリコン基板形成工程と、支持基板形成工程と、両基板接合工程とを具備して構成されている。
本実施形態の静電容量型圧力センサ1の製造方法は、シリコン基板形成工程と、支持基板形成工程と、両基板接合工程とを具備して構成されている。
(シリコン基板形成工程)
まず、図5(a)に示すように、シリコン基板2の下面側にギャップ6を形成するための凹部21をエッチングにより形成する。その後、シリコン基板2の両面にSiO2膜又はSi3N4膜からなるマスク材(図示略)を形成し、シリコン基板2の上側(ギャップ6が形成される側と反対側)のSiO2膜又はSi3N4膜にダイヤフラム3を形成するための開口部(図示略)を形成する。次いで、開口部内のシリコン基板2を上記SiO2膜又はSi3N4膜をマスク材として用いる異方性エッチングにより所定の深さまでエッチングして厚みを薄くし、図5(b)に示すように、ダイヤフラム3を形成する。
まず、図5(a)に示すように、シリコン基板2の下面側にギャップ6を形成するための凹部21をエッチングにより形成する。その後、シリコン基板2の両面にSiO2膜又はSi3N4膜からなるマスク材(図示略)を形成し、シリコン基板2の上側(ギャップ6が形成される側と反対側)のSiO2膜又はSi3N4膜にダイヤフラム3を形成するための開口部(図示略)を形成する。次いで、開口部内のシリコン基板2を上記SiO2膜又はSi3N4膜をマスク材として用いる異方性エッチングにより所定の深さまでエッチングして厚みを薄くし、図5(b)に示すように、ダイヤフラム3を形成する。
(支持基板形成工程)
まず、図6(a)に示すように、取出電極8を形成するためのシリコン基板81の一部をエッチング等により加工して突起部81aを形成する。次に、シリコン基板81の突起部81a上に、支持基板5を重ね、軟化温度まで加熱した支持基板5をシリコン基板81の突起部81aの頂部に押し付けて熱プレスを行うことにより、図6(b)に示すように、支持基板5内にシリコン基板81の突起部81aを挿入する。その後、突起部81aが挿入された支持基板5を冷却して、必要があればシリコン基板81と支持基板5とを陽極接合する。次に、シリコン基板81と一体化された支持基板5を両面から研磨することにより、図7に示すように、支持基板5を貫通する取出電極8を有する支持基板5が得られる。
まず、図6(a)に示すように、取出電極8を形成するためのシリコン基板81の一部をエッチング等により加工して突起部81aを形成する。次に、シリコン基板81の突起部81a上に、支持基板5を重ね、軟化温度まで加熱した支持基板5をシリコン基板81の突起部81aの頂部に押し付けて熱プレスを行うことにより、図6(b)に示すように、支持基板5内にシリコン基板81の突起部81aを挿入する。その後、突起部81aが挿入された支持基板5を冷却して、必要があればシリコン基板81と支持基板5とを陽極接合する。次に、シリコン基板81と一体化された支持基板5を両面から研磨することにより、図7に示すように、支持基板5を貫通する取出電極8を有する支持基板5が得られる。
続いて、図7に示す支持基板5の表面に固定電極4となる導電性金属膜を形成し、フォトリソグラフィ手法を用いて、図3に示す形状を有する固定電極4を形成する。
(両基板接合工程)
このようにして得られたシリコン基板2と支持基板5とをダイヤフラム3がギャップ6を介して固定電極4と対向するように重ねて陽極接合することにより、構造体10とする。その後、構造体10の両面にフォトリソグラフィ手法を用いて電極パッド7、9を設け、電極パッド7、9をワイヤ22、23によって検知手段20に接続することにより、図1および図2に示す静電容量型圧力センサ1が得られる。
このようにして得られたシリコン基板2と支持基板5とをダイヤフラム3がギャップ6を介して固定電極4と対向するように重ねて陽極接合することにより、構造体10とする。その後、構造体10の両面にフォトリソグラフィ手法を用いて電極パッド7、9を設け、電極パッド7、9をワイヤ22、23によって検知手段20に接続することにより、図1および図2に示す静電容量型圧力センサ1が得られる。
本実施形態の静電容量型圧力センサ1の製造方法は、支持基板5上に、中心4aから周縁部4bに向かって同心円状に面積が増加する形状とされている固定電極4を形成する工程を備えているので、ダイヤフラムに特別な加工を施すことなく、静電容量の変化を高精度かつ高感度で検知することができるものを製造することができる。また、本実施形態の静電容量型圧力センサ1の製造方法によれば、容易に精度良く製造でき、ダイヤフラムの加工精度に起因するバラツキを防ぐことができる。
なお、上記した実施形態において説明したように、本発明の静電容量型圧力センサでは、固定電極4を図3に示す形状とすることができるが、本発明の静電容量型圧力センサは、上述した例に限定されるものではなく、固定電極4の形状は中心から周縁部に向かって同心円状に面積が増加する形状とされていればよく、例えば、図8に示す形状や図9に示す形状とされていてもよい。なお、図8および図9において、図3と同一の部分については同一の符号を付して説明を省略し、異なる部分のみ説明する。
図8に示す固定電極24が、図3に示す固定電極4と異なるところは、曲線縁部24cが、y=fx4(ただし、xは前記第1軸上における中心からの位置を示し、yは前記第2軸上における中心からの位置を示し、fは正の数を示す。)で示される曲線を形成しているところである。fは、容量値のシュミレーション結果から、より直線性を増すように適宜設定される。
図8に示す固定電極24を備えた静電容量型圧力センサにおいても、図3に示す固定電極4を備えた静電容量型圧力センサ1と同様に、距離rに基づく全容量Cの差を少なくすることができ、圧力Pの変化量に対する静電容量の変化量を線形に近づけることができ、静電容量の変化を高精度かつ高感度で検知することができる。
また、曲線縁部24cがy=fx4で示される曲線を形成しているので、n=3の場合よりも半径方向に対して増加する面積の割合が大きくなるため、圧力Pの変化量に対する静電容量の変化量を、n=3の場合よりも一層線形に近づけることができる。
また、曲線縁部24cがy=fx4で示される曲線を形成しているので、n=3の場合よりも半径方向に対して増加する面積の割合が大きくなるため、圧力Pの変化量に対する静電容量の変化量を、n=3の場合よりも一層線形に近づけることができる。
図9に示す固定電極34が、図3に示す固定電極4と異なるところは、曲線縁部34cが、y=fx5(ただし、xは前記第1軸上における中心からの位置を示し、yは前記第2軸上における中心からの位置を示し、fは正の数を示す。)で示される曲線を形成しているところである。fは、容量値のシュミレーション結果から、より直線性を増すように適宜設定される。
図9に示す固定電極34を備えた静電容量型圧力センサにおいても、図3に示す固定電極4を備えた静電容量型圧力センサ1と同様に、距離rに基づく全容量Cの差を少なくすることができ、圧力Pの変化量に対する静電容量の変化量を線形に近づけることができ、静電容量の変化を高精度かつ高感度で検知することができる。
また、曲線縁部34cがy=fx5で示される曲線を形成しているので、n=3の場合よりも半径方向に対して増加する面積の割合が大きくなるため、圧力Pの変化量に対する静電容量の変化量を、n=3の場合よりも一層線形に近づけることができる。
ここで、例えば、n=6とすると、固定電極の面積が減少することによる感度の低下の影響が現れるため好ましくない。
また、曲線縁部34cがy=fx5で示される曲線を形成しているので、n=3の場合よりも半径方向に対して増加する面積の割合が大きくなるため、圧力Pの変化量に対する静電容量の変化量を、n=3の場合よりも一層線形に近づけることができる。
ここで、例えば、n=6とすると、固定電極の面積が減少することによる感度の低下の影響が現れるため好ましくない。
また、上記した実施形態において説明したように、本発明の静電容量型圧力センサでは、ダイヤフラムを円形とすることができるが、本発明の静電容量型圧力センサは、上述した例に限定されるものではなく、ダイヤフラムの形状は矩形とされていてもよい。
「実施例2」
次に、本発明の第2実施形態の静電容量型アクチュエータについて説明する。図10は、本発明の第2実施形態の静電容量型アクチュエータを示した平面図である。
図10に示す本実施形態の静電容量型アクチュエータ35は、図2に示す静電容量型圧力センサ1と同様の構造体10を備えたものである。なお、図10において、図2と同一の部分については同一の符号を付して説明を省略し、異なる部分のみ説明する。
次に、本発明の第2実施形態の静電容量型アクチュエータについて説明する。図10は、本発明の第2実施形態の静電容量型アクチュエータを示した平面図である。
図10に示す本実施形態の静電容量型アクチュエータ35は、図2に示す静電容量型圧力センサ1と同様の構造体10を備えたものである。なお、図10において、図2と同一の部分については同一の符号を付して説明を省略し、異なる部分のみ説明する。
図10に示す本実施形態の静電容量型アクチュエータ35が、図2に示す静電容量型圧力センサ1と同様の構造体10と異なるところは、電極パッド7に接続されたワイヤ31と、電極パッド9に接続されたワイヤ33とが、構造体10のダイヤフラム3と固定電極4との間に電圧を印可する印可手段30に電気的に接続されているところである。
そして、本実施形態の静電容量型アクチュエータ35では、ダイヤフラム3と固定電極4との間に電圧を印可すると、ダイヤフラム3と固定電極4との間に発生する静電力によって、印可された電圧に応じてダイヤフラム3が変形し、作動するようになっている。このため、本実施形態の静電容量型アクチュエータ35では、ダイヤフラム3と固定電極4との間に発生する静電力によって変化するギャップ6の幅dの変化率が、第1実施形態において説明した「圧力Pによって変化するギャップ6の幅dーω(r)の変化率」に相当するものとなる。
図10に示す本実施形態の静電容量型アクチュエータ35は、図3に示す固定電極4を備えたものであるので、静電容量を形成する面積S(r)の距離rに対する変化率が、第1実施形態と同様にギャップ6の幅dの変化率に近くなる。よって、距離rに基づく全容量Cの差を少なくすることができ、静電力の変化量に対するダイヤフラムの変形量の線形性を改善することができ、静電力によって精度よく作動する静電容量型アクチュエータとすることができる。
次に、本実施形態の静電容量型アクチュエータ35の製造方法について説明する。
本実施形態の静電容量型アクチュエータ35の製造方法は、シリコン基板形成工程と、支持基板形成工程と、両基板接合工程とを具備して構成されている。
本実施形態の静電容量型アクチュエータ35は、上述したように、図2に示す静電容量型圧力センサ1と同様の構造体10を備えたものであるため、構造体10の製造方法についての説明を省略し、異なる部分のみ説明する。
本実施形態の静電容量型アクチュエータ35の製造方法は、シリコン基板形成工程と、支持基板形成工程と、両基板接合工程とを具備して構成されている。
本実施形態の静電容量型アクチュエータ35は、上述したように、図2に示す静電容量型圧力センサ1と同様の構造体10を備えたものであるため、構造体10の製造方法についての説明を省略し、異なる部分のみ説明する。
すなわち、本実施形態の静電容量型アクチュエータ35を製造するには、上述した図2に示す静電容量型圧力センサ1を製造する場合と同様にして構造体10を形成し、その後、構造体10の両面にフォトリソグラフィ手法を用いて電極パッド7、9を設け、電極パッド7、9をワイヤ31、33によって印可手段30に接続することにより、静電容量型アクチュエータ35が得られる。
本実施形態の静電容量型アクチュエータ35の製造方法は、支持基板5上に、中心4aから周縁部4bに向かって同心円状に面積が増加する形状とされている固定電極4を形成する工程を備えているので、ダイヤフラムに特別な加工を施すことなく、静電力の変化量に対するダイヤフラムの変形量の線形性を改善することができ、静電力によって精度よく作動するものを製造することができる。また、本実施形態の静電容量型アクチュエータ35の製造方法によれば、容易に精度良く製造でき、ダイヤフラムの加工精度に起因するバラツキを防ぐことができる。
(実施例1)
図5(a)に示すように、厚さ300μm、直径100mmの低抵抗(0.003〜0.03Ω・cm)p型シリコン基板2に、ギャップ6を形成するための直径1500μm、厚さ1μmの凹部21をエッチングにより形成し、図5(b)に示すように、直径1200μm、厚さ50μmのダイヤフラム3をエッチングにより形成した。
次に、図6(a)に示すように、厚さ300μm、直径100mmの低抵抗(0.003〜0.03Ω・cm)p型シリコン基板81の一部をエッチングにより加工して突起部81aを形成し、シリコン基板81の突起部81a上に、パイレックス(登録商標)からなる厚さ300μm、直径100mmの支持基板5を重ね、熱プレス機を用いて、温度690℃、速度0.02mm/mimの条件で熱プレスを行うことにより、図6(b)に示すように、支持基板5内にシリコン基板81の突起部81aを挿入した。その後、突起部81aが挿入された支持基板5を冷却して、シリコン基板81と支持基板5とを陽極接合し、シリコン基板81と一体化された支持基板5を両面から研磨することにより、図7に示す支持基板5を貫通する取出電極8を有する支持基板5を形成した。続いて、図7に示す支持基板5の表面に固定電極4となる厚さ0.1μmの導電性金属膜を形成し、フォトリソグラフィ手法を用いて、中心4aから周縁部4bまでの距離が1200μmの図3に示す形状を有する固定電極4を形成した。
図5(a)に示すように、厚さ300μm、直径100mmの低抵抗(0.003〜0.03Ω・cm)p型シリコン基板2に、ギャップ6を形成するための直径1500μm、厚さ1μmの凹部21をエッチングにより形成し、図5(b)に示すように、直径1200μm、厚さ50μmのダイヤフラム3をエッチングにより形成した。
次に、図6(a)に示すように、厚さ300μm、直径100mmの低抵抗(0.003〜0.03Ω・cm)p型シリコン基板81の一部をエッチングにより加工して突起部81aを形成し、シリコン基板81の突起部81a上に、パイレックス(登録商標)からなる厚さ300μm、直径100mmの支持基板5を重ね、熱プレス機を用いて、温度690℃、速度0.02mm/mimの条件で熱プレスを行うことにより、図6(b)に示すように、支持基板5内にシリコン基板81の突起部81aを挿入した。その後、突起部81aが挿入された支持基板5を冷却して、シリコン基板81と支持基板5とを陽極接合し、シリコン基板81と一体化された支持基板5を両面から研磨することにより、図7に示す支持基板5を貫通する取出電極8を有する支持基板5を形成した。続いて、図7に示す支持基板5の表面に固定電極4となる厚さ0.1μmの導電性金属膜を形成し、フォトリソグラフィ手法を用いて、中心4aから周縁部4bまでの距離が1200μmの図3に示す形状を有する固定電極4を形成した。
続いて、シリコン基板2と支持基板5とをダイヤフラム3がギャップ6を介して固定電極4と対向するように重ねて陽極接合し、フォトリソグラフィ手法を用いて両面に電極パッド7、9を設け、電極パッド7、9をワイヤ22、23によって検知手段20に接続することにより、図1および図2に示す静電容量型圧力センサ1を作製した。
(実施例2)
固定電極を図8に示す形状としたこと以外は、実施例1と同様の静電容量型圧力センサを作製した。
(実施例3)
固定電極を図9に示す形状としたこと以外は、実施例1と同様の静電容量型圧力センサを作製した。
(従来例1)
固定電極を直径1200μmの円形としたこと以外は、実施例1と同様の静電容量型圧力センサを作製した。
固定電極を図8に示す形状としたこと以外は、実施例1と同様の静電容量型圧力センサを作製した。
(実施例3)
固定電極を図9に示す形状としたこと以外は、実施例1と同様の静電容量型圧力センサを作製した。
(従来例1)
固定電極を直径1200μmの円形としたこと以外は、実施例1と同様の静電容量型圧力センサを作製した。
実施例1〜実施例3および従来例1の静電容量型圧力センサにそれぞれ0kPa〜600kPaの圧力をかけたときの圧力(kPa)と容量(pF)の関係を図11に示す。
図11に示す結果から実施例1〜実施例3の静電容量型圧力センサは、従来例1の静電容量型圧力センサと比較して線形性が改善されていることがわかる。
図11に示す結果から実施例1〜実施例3の静電容量型圧力センサは、従来例1の静電容量型圧力センサと比較して線形性が改善されていることがわかる。
1・・・静電容量型圧力センサ、2・・・シリコン基板(一方の基板)、3・・・ダイヤフラム、3b・・・周縁部、4、24、34・・・固定電極、4a・・・中心、4b・・・周縁部、4c、4d、4e、24c、34c・・・曲線縁部、4・・・固定電極、5・・・支持基板(他方の基板)、6・・・ギャップ、7、9・・・電極パッド、8・・・取出電極、10・・・構造体、11・・・第1軸、12・・・第2軸、13・・・第3軸、14・・・第4軸、20・・・検知手段、21・・・凹部、30・・・印可手段、22、23、31、33・・・ワイヤ、35・・・静電容量型アクチュエータ、81・・・シリコン基板、81a・・・突起部
Claims (12)
- ダイヤフラムからなる可動電極が形成された一方の基板と、固定電極が形成された他方の基板とが、前記可動電極と前記固定電極との間に設けられたギャップを介して対向配置された構造体を備え、圧力によって前記ダイヤフラムが変形することによる前記可動電極と固定電極との間の静電容量の変化を検知する静電容量型圧力センサであって、
前記固定電極が、閉じた領域内に空隙部を有する形状であり、中心から周縁部に向かって中心部からの距離の増加に対する面積増加率が大きくなる形状とされていることを特徴とする静電容量型圧力センサ。 - 前記固定電極の形状は、第1軸と、前記第1軸に中心で直交する第2軸と、前記第1軸に中心で45度の角度で交差する第3軸と、前記第3軸に中心で直交する第4軸とに対してそれぞれ対称な形状であることを特徴とする請求項1記載の静電容量型圧力センサ。
- 前記固定電極が、中心から周縁部に向かって形成され前記固定電極の面積を画定する曲線縁部を備え、
前記曲線縁部が、y=(2/a2)xn(ただし、xは前記第1軸上における中心からの位置を示し、yは前記第2軸上における中心からの位置を示し、aは中心から前記ダイヤフラムの周縁部と平面的に重なり合う部分までの最短距離をを示す。)で示される曲線を形成していることを特徴とする請求項2記載の静電容量型圧力センサ。 - 前記nが4または5であることを特徴とする請求項3記載の静電容量型圧力センサ。
- 前記ダイヤフラムが、円形であることを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれかに記載の静電容量型圧力センサ。
- ダイヤフラムからなる可動電極が形成された一方の基板と、固定電極が形成された他方の基板とが、前記可動電極と前記固定電極との間に設けられたギャップを介して対向配置された構造体を備え、圧力によって前記ダイヤフラムが変形することによる前記可動電極と固定電極との間の静電容量の変化を検知する静電容量型圧力センサの製造方法であって、
前記他方の基板上に、閉じた領域内に空隙部を有し、中心から周縁部に向かって中心部からの距離の増加に対する面積増加率が大きくなる形状を有する固定電極を形成する工程を備えることを特徴とする静電容量型圧力センサの製造方法。 - ダイヤフラムからなる可動電極が形成された一方の基板と、固定電極が形成された他方の基板とが、前記可動電極と前記固定電極との間に設けられたギャップを介して対向配置された構造体を備え、前記可動電極と固定電極との間に発生する静電力によって前記ダイヤフラムが変形して作動する静電容量型アクチュエータであって、
前記固定電極は、閉じた領域内に空隙部を有する形状であり、中心部から周縁部に向かって中心部からの距離の増加に対する面積増加率が大きくなる形状とされていることを特徴とする静電容量型アクチュエータ。 - 前記固定電極の形状は、第1軸と、前記第1軸に中心で直交する第2軸と、前記第1軸に中心で45度の角度で交差する第3軸と、前記第3軸に中心で直交する第4軸とに対してそれぞれ対称な形状であることを特徴とする請求項7記載の静電容量型アクチュエータ。
- 前記固定電極が、中心から周縁部に向かって形成され前記固定電極の面積を画定する曲線縁部を備え、
前記曲線縁部が、y=(2/a2)xn(ただし、xは前記第1軸上における中心からの位置を示し、yは前記第2軸上における中心からの位置を示し、aは中心から前記ダイヤフラムの周縁部と平面的に重なり合う部分までの最短距離を
を示す。)で示される曲線を形成していることを特徴とする請求項8記載の静電容量型アクチュエータ。 - 前記nが4または5であることを特徴とする請求項9記載の静電容量型アクチュエータ。
- 前記ダイヤフラムが、円形であることを特徴とする請求項7〜請求項10のいずれかに記載の静電容量型アクチュエータ。
- ダイヤフラムからなる可動電極が形成された一方の基板と、固定電極が形成された他方の基板とが、前記可動電極と前記固定電極との間に設けられたギャップを介して対向配置された構造体を備え、前記可動電極と固定電極との間に発生する静電力によって前記ダイヤフラムが変形して作動する静電容量型アクチュエータの製造方法であって、
前記他方の基板上に、閉じた領域内に空隙部を有し、中心から周縁部に向かって中心部からの距離の増加に対する面積増加率が大きくなる形状を有する固定電極を形成する工程を備えることを特徴とする静電容量型アクチュエータの製造方法。
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-
2005
- 2005-01-19 JP JP2005011534A patent/JP2006200980A/ja not_active Withdrawn
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