JP4771591B2 - 化学気相成長による物体のエピタキシアル成長方法及び装置 - Google Patents
化学気相成長による物体のエピタキシアル成長方法及び装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4771591B2 JP4771591B2 JP2000542507A JP2000542507A JP4771591B2 JP 4771591 B2 JP4771591 B2 JP 4771591B2 JP 2000542507 A JP2000542507 A JP 2000542507A JP 2000542507 A JP2000542507 A JP 2000542507A JP 4771591 B2 JP4771591 B2 JP 4771591B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- susceptor
- substrate
- mixed gas
- distance
- wall
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Description
【発明の属する技術分野及び従来技術】
本発明は、基板上の化学気相成長による物体のエピタキシアル成長のための装置であって、該基板を受け取るためのサセプタと、基板の周辺のサセプタの壁を加熱し、それによって成長用に基板上に送り込まれる混合ガスも加熱する装置、及び添付の独立方法請求項の序文による方法に関するものである。
【0002】
物体はどのような物質からなるものであるかに依存しないが、本発明は主に、SiC及び第III族元素の窒化物等の半導体物質の結晶の成長に関するものであるが、それらに限定されない。その理由は、化学気相成長(CVD)用の装置の大きな課題の一つは、商業的に有用な物体が得られる程度の高い成長率を得ることであり、上記の物質ではこの課題が顕著となり、成長のために非常に高い温度を必要とし、より高い成長率を得るために温度を一層高くする必要があるからである。
【0003】
SiCは半導体装置への利用に向いているため、説明のためにSiCの結晶の成長について述べるが、決して本発明がそれに限定される訳ではない。得られた物体の結晶度が高いことも重要であるが、本発明は主に商業的に適用可能な成長率を得ることを目的とする。但し、結晶度を低下させないものである。
【0004】
SiCの単結晶は、例えばダイオード、トランジスタ及びサイリスタ等において、特にSiと比較して優れた特性を有するSiCの利点、即ちSiCの極端な状況下でも正常に働く能力を活かすことができるような、様々な種類の半導体装置に適用される。例えば、SiCの価電子帯と伝導帯との間の禁止帯が広いため、この材質からなる装置は1000K迄の高温でも作動する。
【0005】
上述のように、充分に高い成長率を得るため、サセプタと、それによって基板に供給される混合ガスを2000℃以上に迄温度を上げようとする試みもされている。これはある程度は成功しているものの、高温の影響で、装置の各部分の材質の耐熱性や不純物の浸入等、様々な問題が生じる。
【0006】
そのため、品質を低下せずに成長率を上げる方法、特に成長率を一層高くするための高温の使用等、成長率を高めるための他の方法との組み合わせは非常に有望視されている。従って、これを実現できる装置及び方法は商業的な利用価値が高い。
【0007】
【発明の概要】
本発明の目的は、品質を低下させることなく、CVDによって物体を成長させる際の成長率を上げることを可能とする前述のような方法及び装置を提供することである。
【0008】
この目的は、サセプタ内の混合ガスの経路上に、内壁からある距離を置いて基板を支持するための手段を有する装置と、サセプタ内の混合ガスの経路上に、内壁からある距離を置いて基板を支持する方法とを提供することで実現する。
【0009】
発明者らは、成長率が依存する1つの重要なパラメータが境界層の厚さであることを見出した。この境界層は、前記混合ガスの流量がサセプタの中央部より低い層である。サセプタの上流側の先端によってこのような境界層が生じ、図1において従来の装置におけるこの境界層1の様子を示した。境界層の自由ストリームからの種の拡散は成長にとって重要である。この拡散は、一般的に拡散距離2の二乗に依存する。また、混合ガスが基板に到達する前に所望の温度まで加熱する必要があり、混合ガスは、ここでは電磁コイルからなるサセプタを包囲する加熱手段6によって加熱されるサセプタの壁からの熱放射によって加熱されるため、基板3を直接サセプタ5の先端4に配置することは不可能である。従って、基板を前記先端4より実質的に下流に配置する必要があり、よって従来の装置では拡散距離2が非常に大きくなってしまっていた。
【0010】
従って、本発明では基板をサセプタの内壁から離し、サセプタの先端4によって発生する境界層1の影響を軽減するか、その距離が充分に大きい場合、完全になくすことができる。そうすると、混合ガスから基板の表面への種の拡散距離は実質的に縮み、成長率を大きく向上させることができる。
【0011】
本発明の好ましい実施態様によれば、前記の手段は基板をサセプタの内壁面から少なくとも、サセプタ内部の基板の上流側の端部によって作り出される流速が遅い混合ガスの層の厚さに相当する距離だけ離して支持される。サセプタの先端部によって発生する境界層は、基板に対して混合ガスの自由な流れからの拡散距離を生じず、基板に隣接する境界層は前記の支持手段と基盤の先端部からの距離のみに依存し、この距離は必要に応じて小さくすることができるので、基板をサセプタの内壁面から上記の距離だけはなすことが好ましい。
【0012】
発明の別の実施例によれば、前記の手段はサセプタ内の混合ガスの流れの下流方向から、その全長にわたってサセプタの内壁に全く接触せずに、ガス流の流れとは逆の方向に延びるものである。このことは、サセプタの壁面と指示手段との間の温度勾配に起因するサセプタの内表面からの物質の移動が生じないことを意味する。サセプタの内壁面がSiCのような保護材料によって被覆されている場合、このような構成でなければ物質は支持手段に移動し、被覆の下にある通常グラファイトである下層が露出してサセプタ内の炭化水素の圧力を増大させることになる。したがって、サセプタの寿命が短くなり、サセプタに起因する不純物が制御されていない成長パラメータの一つになる。しかし、この問題は上記の実施例の構成によって解決することができる。
【0013】
本発明の他の好ましい実施例によれば、前記支持手段は、内壁によって定義され成長が行われるサセプタ室の外で支持されており、このサセプタ室の壁面と接触することなく室内に達する。前記支持手段は、室外においてサセプタに固定された部材を有し、この部材は、部屋を分割するようにサセプタの対向する壁面に取り付けられた2つのフォークを有するフォーク状である。この構成は、前述の材料移動の問題を解決するのに好ましい。
【0014】
本発明の別の実施例によれば、前記支持手段は板を有し、この板上には少なくとも2つの基板が混合ガスの流れの方向に並べて、サセプタの壁面から前述の距離を開けて設置される。このような混合ガスの流れの方向に基板を並べることによって、複数の対象物に対して成長を行わせることができるので成長率を向上させることができる。このことは、基板がサセプタの内壁面から距離を開けて支持され基盤がサセプタの壁面と接触せずに輻射によってのみ過熱され、混合ガスの流れの方向に沿った温度の勾配が顕著に低減されることによって可能になるものである。すなわち、このことはサセプタ内の非常に長い範囲にわたって実質的に均一な温度が実現され、このように成長が行われる2つの物体は実質的に同一の成長条件の本で実質的に同一の品質を得ることができることを意味している。
【0015】
発明の他の実施例によれば、サセプタはその内部にほぼ水平方向に流路を形成するように構成されており、装置は2つの支持手段を有し、一方はサセプタの天井部分に上述の距離を開けて接続され、他方はサセプタの底部に上述の距離を開けて接続されている。このことによって、従来知られている装置にように低部に1つの基板を支持する構成に比較して生産効率を2倍にすることができる。
【0016】
本発明の他の実施例によれば、前記支持手段は基盤を、サセプタ内を流れる混合ガスの流路に対して傾斜するように、基板面に対する垂線がガス流の流れ方向と逆向きの成分を有するように保持する。基板を傾斜させることによって成長条件を最適化できると共に成長率を増大させることが可能である。
【0017】
発明の他の実施例によれば、サセプタの下流側の端部には加熱手段の長さ以上に延長された排気口が形成されている。このことにより、サセプタ内部の流れ方向の温度勾配が低減され、複数の基板をガス流の方向に並べても同一の成長を確保できることを意味している。誘導加熱の場合には、さらに、端部の影響と渦流を、サセプタの後部から排気口の後部に異動させ、より好ましい温度分布を実現できることを意味する。
【0018】
発明のさらに他の実施例によれば、サセプタの下流側の排気口の下流に少なくとも1つの熱シールドが設けられて、熱エネルギーをサセプタの方に反射する。この構成はサセプタ内部の温度勾配を低減することが可能で、特にサセプタの中央部から末端部へかけて温度が実質的に全く低下しないようにすることができるので、サセプタ内に複数の対象物を並べて同じ成長条件で成長を行わせることができる。
【0019】
本発明のさらに別の実施例によれば、装置にはサセプタの上流側に、壁面が絞られてガスをサセプタ内に導く吸気孔が設けられており、サセプタ内部の流路パターンを改善することができる。
【0020】
本発明の方法の各実施形態の利点は、上記の本発明による装置の各実施形態の説明から明らかである。
【0021】
本発明の更なる利点や特徴は、以下に述べる説明や他の従属請求項において明確となるであろう。
【0022】
【発明の好適な実施形態の詳細な説明】
図2には、本発明の好適な実施形態による方法で、下記の説明において一例としてSiCとする物体のエピタキシアル成長のための本発明の好適な実施形態による装置の一部を示した概略図である。この装置はポンプ等の他の手段をも有することは自明であるが、本発明には直接関係ない従来部分は、発明の特徴をより明確にするために省略してある。この装置と図1に示す従来の装置との唯一の差は、本発明において基板3が、サセプタ内の配置が図1のものとは違うことである。より正確に云えば、サセプタの内壁9、この場合は底面からある間隔を置いて混合ガスのサセプタ内における経路8上に基板を支持する手段7が設けてある。ここで、この支持手段は、基板3が載置される好ましくはSiCからなるプレート10の各角に設けてある4つの黒鉛製のねじである。ねじの代わりに流れ方向に延びる2本の黒鉛製のリブによってプレートを支持することもできる。これによってSiCプレート10は基板の裏側のエッチングを防止する。
【0023】
支持手段は、サセプタの前端4によって形成される境界層1の厚さを超える間隔で内壁9から距離を置いて設けてある。よって、基板上の境界層の厚さ11はプレート10の前端12と基板3との間の距離に依存することとなる。既に述べてあるように、この距離は任意に短くすることができ、サセプタを通過する種の自由流れによる拡散距離をかなり小さくし、成長率を上げることができる。
【0024】
SiCの結晶を成長させる場合、前記混合ガスはシラン及びプロパンと共にAr、H2又はHe等のキャリアガスからなるものであることが好ましい。エピタキシアル成長させるSiC結晶の表面にSi及びCを付着させるよう、加熱手段6はサセプタの壁を通して加熱したシラン及びプロパンを分解させ得る程の高い温度にサセプタを加熱する。これは代表的には1400℃以上、好ましくは1600℃以上の温度である。
【0025】
基板3は、前記経路に対してサセプタの中央領域13に設けてあり、基板3まで到達するまで前駆体を充分に加熱する必要があるため、サセプタの更に上流に配置することは困難である。
【0026】
基板3をサセプタの内壁から離し、その壁とは実質的に(支持手段7以外に)接触しないことによる他の利点は、プレートの表と裏とで然程大きな温度差がないため、SiCプレート10の裏側の逆成長を減らすことができる。
【0027】
図3に、本発明の第二の実施形態による装置を示す。この実施形態は2つの支持手段7を有し、一方は基板3を前記間隔を置いて支持するためにサセプタの上面に取り付けてあり、他方は他の基板を前記間隔を置いて支持するためにサセプタの下面15に取り付けてある。この場合、2枚の基板が混合ガスの流れ経路に沿って直列に配置され、これは実質的に熱エネルギーがプレート及び基板に伝達されるのは放射によってのみであるため、流れ方向における温度勾配が実質的に低下することによって可能である。従って、プレート上に直列に配置された基板はほぼ等しい温度となり、基板は実質的に同一の条件で成長させることができる。この実施形態によると、拡散距離が短くなり、より多くの基板を同時にサセプタ内に収納できる結果、SiCの層を形成する効率を従来より高くすることができる。より具体的に、短い拡散距離による成長率をかなり高くすることができることが判った。また、上面プレートにも下面プレートにも2×2枚の基板を設けることも考えられ、その場合には製造率を更に大きくすることができる。
【0028】
図4に、本発明の第三の実施形態による装置を示す。これは、支持手段が基板3を前記混合ガスのサセプタ内の流れ経路に対して傾かせ、基板の表面に直交する線が流れとは逆の方向への成分を有するように支持する構造となっていることが図2に示すものと違う。基板3の表面と流れ方向との間の角度は小さく、好ましくは1乃至15°である。その結果、成長に最適な条件が得られる。
【0029】
図5に、本発明の第四実施形態による装置の概略を示す。ここで、高密度黒鉛からなるサセプタ5の壁が発泡体からなる断熱層16によって囲まれていることが判る。矢印18で示すように、サセプタに熱エネルギーを反射するため、サセプタのガス流用の排気口の下流に熱シールド17が設けてある。従来のサセプタの最も熱い個所はサセプタの中央付近にある。この個所から離れるに従って温度は低下する。温度の低下は熱伝導によって起きる。図5に示す装置では、排気口/端部の壁は放射によって周囲とエネルギーを交換する。放射エネルギーは温度の4乗に比例するため、周囲の影響はほとんどない。熱シールドは排気口/端部の壁により近い温度を見出し、シールドからサセプタへのエネルギーは無視できなくなり、エネルギーはシールド内に閉じ込められる。よって、サセプタの端部においても中央付近と実質的に同じ温度条件で物体を成長させることができ、成長可能領域をより広くし、同時により多くの物体を成長させ、装置の製造率を上げることが可能である。
【0030】
図6に、本発明の第五実施形態による装置を示す。既に示したものとの相違点は、サセプタ5がその下流側で排気口19によって加熱手段6の端部より長く延長されていることである。よって、排気口がサセプタを冷却流及び熱放射損失から保護するため、そして排気口19がコイルによって加熱されるため、サセプタからの熱損失が抑えられる。更に、端効果とその渦等がサセプタの後部から排気口の後部に移る。最後に、排気口はサセプタから排出される熱流の流れ条件をより良くする拡散器の機能をも果す。従って、サセプタの配置を変更せずにサセプタ内で成長させることができる物体の数を増やすことができる。
【0031】
図7に、発明の第六実施形態による装置を示す。これは、内壁5が傾いていることで図5に示すものとは異なり、図4に示す実施形態と同様の効果が得られる。更に、サセプタの方向にすぼまり、混合ガスをサセプタ内に導く漏斗型給気口20が設けてある。給気口20は、サセプタを囲む外部石英筒から延びる石英からなる第一部21及びサセプタと接続する黒鉛からなる第二部23を含む。漏斗は一端が直径が石英筒22と等しい円形状であり、他端がサセプタの給気口の寸法と等しい四角形状である。この漏斗は混合ガスのフローパターンを改善し、サセプタを冷却ガスから保護し、サセプタに導入される前のガスをより効率的に予備加熱し、サセプタの放射損失を抑え、剛性黒鉛断熱体16からガス流を遮蔽し、そこで発生する不純物の量を低減する。給気口は、全体を黒鉛を加工して形成することが非常に困難(又は不可能)であるので2つの異なる材料からものである。
【0032】
図8及び9に、発明の第七実施形態による装置を示す。上述の他の形態との相違点は、基板3の支持手段7がサセプタ内の混合ガスの流れ方向に対するサセプタの後部24より流れの逆の方向に延び、同時に前記後部からの延長部においてサセプタの内壁から離れており、接触しない。より具体的に、支持手段はサセプタの対向する側壁27、28に固定されながら、それによって成長を行う処理室29から離れている2本の外側フォーク26を含むフォーク形状を有する部材25を具備する。これは、フォーク26を受けるための縦長溝を壁に設けることで実施する。部材25は更に流れとは逆の方向に処理室29内に延びる2本の内側フォークからなる部分30も有する。これらは、処理室内に延び、基板3、この場合は2枚の基板が載置される好ましくはSiCからなるプレート10を支持するような構造を有する。
【0033】
支持手段がプレート10を、そしてそれによって基板3を、サセプタ室のいずれの内壁も、即ち下面、上面又は側面の壁と接触せずに支持することができるので、温度勾配による壁から支持手段への物質移転の問題が効率的に回避され、支持手段が内壁に固定される他の実施形態よりサセプタの寿命を延ばすことができる。この場合、サセプタの壁と支持手段との間の温度勾配によって、壁のSiCコーティングが支持手段(ロッド)に移ってしまう。それによって、特定の時間が経つとサセプタの黒鉛が露出し、反応器内の総圧力が高くなる。これは、ローディングプレートが直接サセプタの底面に置かれる場合にも重要な課題となる。これにより、サセプタの寿命が減るが、それより致命的なのは、サセプタを早いうちにサセプタから取り出さなければ、さらにサセプタからの炭素プラス不純物等の成長パラメータが乱れてしまう。この基板の支持方法の他の非常に大きな利点は、異なるバッチの物体の成長条件がほぼ同一となり、物体の再現性が優れていることである。これは、好ましくは嵌ることで各基板の位置を決定するローディングプレートには示さない小さなマークを設けたことと、フォーク26を溝の中に非常に正確に位置付けできることによってことなるバッチの基板が常に同じ位置となるからである。ガス流に対する基板の角度は常に一定である。
【0034】
本発明が上述の装置及び方法の好ましい実施形態に限られないことは云うまでもなく、当業者であれば、本発明の基本的概念から逸脱することなく数々の変更が明らかとなるであろう。
【0035】
請求項における「物体」とは、異なる厚さの層や熱いボウル等、あらゆる種類の結晶のエピタキシアル成長をも含むと云う意味で使用する。
【0036】
材質等に関する定義は勿論必然的に存在する不純物や意図的なドーピング等も含む。支持手段は、上述するものとは外観や材質が異なる場合も考えられる。
【0037】
サセプタの対向する壁の間の距離や基板とサセプタの壁との間の距離等の相対的寸法は図面に示すものとはまったく異なることも考えられる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 従来技術による装置を示した縦断面図である。
【図2】 本発明の第一実施形態による装置の一部を示した図1と同じ視点から見た図である。
【図3】 本発明の第二実施形態による装置を図2と同じ視点から見た図である。
【図4】 本発明の第三実施形態による装置を図2と同じ視点から見た図である。
【図5】 本発明の第四実施形態による装置を図2と同じ視点から見た図である。
【図6】 本発明の第五実施形態による装置を図2と同じ視点から見た図である。
【図7】 本発明の第六実施形態による装置を図2と同じ視点から見た図である。
【図8】 本発明の第七実施形態による装置を図2と同じ視点から見た概略図である。
【図9】 図8に示した装置を、図8の視線と実質的に直角方向の、即ち上方の視点から見た断面図である。
Claims (23)
- サセプタ(5)内に配置した基板(3)上に化学気相成長によって物体をエピタキシアル成長させる方法であって、前記成長用の成分を含む混合ガスをサセプタ内の基板に供給し、サセプタを加熱することで基板及びそれに供給される混合ガスを加熱し、基板が前記混合ガスがサセプタを通過する経路上に、サセプタ(5)の内壁(14、15)からある距離(a)を離して支持され、前記ある距離(a)が、サセプタの先端によってサセプタ内のガス流の上流側に発生する、低速混合ガスの境界層(1)の層厚以上であることを特徴とする方法。
- サセプタの内壁から前記距離を置いて混合ガスの流れ経路に沿って直列に2枚以上の基板(3)が支持されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- サセプタが、前記経路が実質的に水平になるように配置され、1枚以上の基板(3)が上面(14)から前記距離を離して支持され、1枚以上の基板が底面(15)から前記距離を離して支持されることを特徴とする請求項1または2に記載の方法。
- 基板(3)上に化学気相成長によって物体をエピタキシアル成長させる装置であって、前記基板を受け取るためのサセプタと、基板の周辺のサセプタ(5)の壁を加熱し、よって基板及び成長のために基板に供給される混合ガスを加熱する手段とを有し、更に基板を前記混合ガスがサセプタを通過する経路上に、サセプタ(5)の内壁(14、15)からある距離(a)を離して支持する手段(7、10)を有し、前記ある距離(a)が、サセプタの先端によってサセプタ内のガスの流れの上流側に発生する、低速混合ガスの境界層(1)の層厚以上であることを特徴とする装置。
- 前記手段(7)が、サセプタの、混合ガスがサセプタ内を流れる方向に対する後部(24)から、前記流れとは逆の方向に延び、その全長に亘ってサセプタの前記内壁から離れており、接触しないことを特徴とする請求項4に記載の装置。
- 前記支持手段(7)が、前記流れ方向に対して前記後部(24)から距離を置いて基板(3)を支持することを特徴とする請求項5に記載の装置。
- 前記支持手段(7)が、前記内壁(9)によって画定され、前記成長を行うためのサセプタの処理室(29)の外部に固定され、その内部の壁に一切接触せずに該処理室内に延びることを特徴とする請求項5又は6に記載の装置。
- 前記支持手段が、前記処理室(29)の外部でサセプタに固定される部材(25)を有し、該部材が2本以上のフォーク(26)を有するフォーク構造を有し、該フォークはサセプタの対向する側壁に固定されながら、該側壁によって処理室(29)から離れていることを特徴とする請求項7に記載の装置。
- 前記部材(25)が、前記流れとは逆方向に前記処理室内に延びる部分(30)を有することを特徴とする請求項8に記載の装置。
- 前記支持手段が、ザセプタの前記処理室(29)の外部に固定され、該処理室内に延び、基板(3)が載置されるプレート(10)を支持する部材(25)を有することを特徴とする請求項7乃至9のいずれかに記載の装置。
- 前記部材(25)の前記部分(30)が前記プレート(10)を支持することを特徴とする請求項10に記載の装置。
- 前記支持手段が、基盤が載置されるSiCからなるプレート(10)を有することを特徴とする請求項4乃至11のいずれかに記載の装置。
- 前記支持手段が、サセプタの内壁(14,15)から前記距離(a)を置いて混合ガスの流れ経路(8)に沿って直列に2枚以上の基板(3)が載置されるプレート(10)を有することを特徴とする請求項4乃至12のいずれかに記載の装置。
- サセプタが、前記経路(8)が実質的に水平に通過するように配置され、一方は1枚以上の基板(3)を上面(14)から前記距離を置いて支持し、他方は1枚以上の基板が底面(15)から前記距離を置いて支持する2つの支持手段(7、10)を有することを特徴とする請求項4、12,13のいずれかに記載の装置。
- 前記手段(7,10)が、前記混合ガスのための給気口と排気口との間の、前期経路に対するサセプタの中央付近(13)に基盤(3)を指示することを特徴とする請求項4乃至14のいずれかに記載の装置。
- 前記手段(7、10)が、基板(3)を混合ガスのサセプタ内の流れの経路に対して傾けて支持し、基盤の表面と直交する線が該流れとは逆の方向の成分を有することを特徴とする請求項4乃至15のいずれかに記載の装置。
- サセプタが、下流側において、加熱手段(6)の端部より実質的に延びる排気口(19)によって延長されていることを特徴とする請求項4乃至16のいずれかに記載の装置。
- 前記ガスの流れのためのサセプタの排気口の下流にサセプタに熱エネルギーを撥ね返すための1つ以上の熱シールド(17)が設けてあることを特徴とする請求項4乃至17のいずれかに記載の装置。
- サセプタの上流側に取り付けられ、混合ガスをサセプタ内に導く収束する壁からなる給気口(20)を有することを特徴とする請求項4乃至18のいずれかに記載の装置。
- サセプタ(5)の壁が高密度黒鉛からなることを特徴とする請求項4乃至19のいずれかに記載の装置。
- 加熱手段(6)が、電磁界を発生することを特徴とする請求項4乃至20のいずれかに記載の装置。
- SiC、グループIII窒化物又はSiC及び1つ以上のグループIII窒化物又は2つ以上のグループIII窒化物の合金からなる物体の成長に使用されることを特徴とする請求項4乃至21のいずれかに記載の装置。
- 前記加熱手段(6)が、前記サセプタと、それによって前記基板(3)及び混合ガスを1400℃以上の温度まで加熱することを特徴とする請求項4乃至22のいずれかに記載の装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SE9801190-1 | 1998-04-06 | ||
SE9801190A SE9801190D0 (sv) | 1998-04-06 | 1998-04-06 | A method and a device for epitaxial growth of objects by Chemical Vapour Deposition |
PCT/SE1999/000532 WO1999051797A1 (en) | 1998-04-06 | 1999-03-31 | A method and a device for epitaxial growth of objects by chemical vapour deposition |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002510598A JP2002510598A (ja) | 2002-04-09 |
JP4771591B2 true JP4771591B2 (ja) | 2011-09-14 |
Family
ID=20410862
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000542507A Expired - Lifetime JP4771591B2 (ja) | 1998-04-06 | 1999-03-31 | 化学気相成長による物体のエピタキシアル成長方法及び装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP1070161B1 (ja) |
JP (1) | JP4771591B2 (ja) |
DE (1) | DE69937878T2 (ja) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS50348B1 (ja) * | 1970-11-14 | 1975-01-08 | ||
JPH0574757A (ja) * | 1991-09-13 | 1993-03-26 | Nec Yamagata Ltd | 半導体装置用高圧酸化炉 |
JPH05343326A (ja) * | 1992-06-11 | 1993-12-24 | Kokusai Electric Co Ltd | 半導体基板反応炉 |
JPH0689866A (ja) * | 1992-08-31 | 1994-03-29 | Kyushu Electron Metal Co Ltd | 半導体ウェーハの製造方法 |
JPH07297201A (ja) * | 1994-04-20 | 1995-11-10 | Sony Corp | 半導体基板の熱処理方法及び熱処理装置 |
WO1996023913A1 (en) * | 1995-01-31 | 1996-08-08 | Abb Research Limited | Method and device for protecting the susceptor during epitaxial growth by cvd |
JPH08264472A (ja) * | 1995-03-24 | 1996-10-11 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
-
1999
- 1999-03-31 JP JP2000542507A patent/JP4771591B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1999-03-31 DE DE69937878T patent/DE69937878T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-03-31 EP EP99921328A patent/EP1070161B1/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS50348B1 (ja) * | 1970-11-14 | 1975-01-08 | ||
JPH0574757A (ja) * | 1991-09-13 | 1993-03-26 | Nec Yamagata Ltd | 半導体装置用高圧酸化炉 |
JPH05343326A (ja) * | 1992-06-11 | 1993-12-24 | Kokusai Electric Co Ltd | 半導体基板反応炉 |
JPH0689866A (ja) * | 1992-08-31 | 1994-03-29 | Kyushu Electron Metal Co Ltd | 半導体ウェーハの製造方法 |
JPH07297201A (ja) * | 1994-04-20 | 1995-11-10 | Sony Corp | 半導体基板の熱処理方法及び熱処理装置 |
WO1996023913A1 (en) * | 1995-01-31 | 1996-08-08 | Abb Research Limited | Method and device for protecting the susceptor during epitaxial growth by cvd |
JPH08264472A (ja) * | 1995-03-24 | 1996-10-11 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1070161B1 (en) | 2008-01-02 |
DE69937878T2 (de) | 2009-01-02 |
EP1070161A1 (en) | 2001-01-24 |
JP2002510598A (ja) | 2002-04-09 |
DE69937878D1 (de) | 2008-02-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6093253A (en) | Method and a device for epitaxial growth of objects by chemical vapor deposition | |
JP4121555B2 (ja) | Cvdによって目的物をエピタキシアル成長させる装置と方法 | |
US5879462A (en) | Device for heat treatment of objects and a method for producing a susceptor | |
US6902622B2 (en) | Systems and methods for epitaxially depositing films on a semiconductor substrate | |
JP4945185B2 (ja) | 結晶成長方法 | |
TW200845145A (en) | Microbatch deposition chamber with radiant heating | |
JP2018030773A (ja) | 単結晶成長に用いる装置 | |
KR20120067944A (ko) | 탄화규소 단결정 제조 장치 | |
US5674320A (en) | Susceptor for a device for epitaxially growing objects and such a device | |
CN113151897B (zh) | 一种坩埚结构 | |
JP6376700B2 (ja) | SiC化学気相成長装置 | |
JP7217627B2 (ja) | SiC単結晶の製造装置及びSiC単結晶製造用の構造体 | |
WO1990010092A1 (en) | A modified stagnation flow apparatus for chemical vapor deposition providing excellent control of the deposition | |
US6030661A (en) | Device and a method for epitaxially growing objects by CVD | |
US6099650A (en) | Structure and method for reducing slip in semiconductor wafers | |
JP2013138164A (ja) | 半導体製造装置 | |
CN113122924B (zh) | 晶体生长组件、晶体生长装置和方法 | |
KR100632454B1 (ko) | 기상 성장 장치 및 기상 성장 방법 | |
US5743956A (en) | Method of producing single crystal thin film | |
JP4771591B2 (ja) | 化学気相成長による物体のエピタキシアル成長方法及び装置 | |
JP2020093975A (ja) | 結晶成長装置及び坩堝 | |
CN113122915B (zh) | 镀层方格、坩埚装置和晶体生长方法 | |
JPH09245957A (ja) | 高周波誘導加熱炉 | |
JP7537079B2 (ja) | 結晶成長装置及び坩堝 | |
JP2008124127A (ja) | 気相成長装置及び支持台 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060222 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090203 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090501 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100316 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100614 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101005 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110105 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110322 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110329 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110524 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110621 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140701 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |