JP4770202B2 - 含フッ素ハロゲン化物の製造方法 - Google Patents
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スルフィン化反応
Rf1CF2SO2F + K2SO3 → Rf1CF2SO2K (溶媒:ジオキサン/H2O、75〜80℃)
収率:80%
脱スルフィン化ハロゲン化反応
Rf1CF2SO2K + I2(又はBr2 )→ Rf1CF2I(又はBr) + SO2+KI(又はBr)
(HOAc溶媒、100〜110℃)
収率:40〜50%
しかしながら、この方法では、原料からの目的物収率が32%〜40%と低く、しかも、目的物を得るためには溶媒を変更する必要があり、スルフィン化反応後にRf1CF2SO2Kを単離しなければならないので、操作が煩雑になる。また、100〜110℃と高温下で反応を行うことが必要である。
スルフィン化反応
Rf1CF2SO2F + K2SO3 → Rf1CF2SO2K (ジオキサン/H2O、75〜80℃)
収率:80%
脱スルフィン化ハロゲン化反応
Rf1CF2SO2K + HI(又はHBr)→ Rf1CF2I又は(Br) + Rf1CO2H+S (HOAc溶媒、reflux)
収率:40〜50%
しかしながら、この反応工程によっても、原料からの目的物収率が32%〜40%と低く、しかも目的物を得るためには溶媒を変更する必要があり、Rf1CF2SO2Kを単離しなければならないので、操作が煩雑になる。また、副生物としてRFCO2Hが生成するため、目的物の収率低下の原因となる。
Wei-Yuan Huang , Bing-NAN Huang , Chang-Ming Hu , Journal of Fluorine Chemistry,23(1983)193-204)
1.
(i)一般式(1):
(ii)上記一般式(2)で表される含フッ素チオスルホン酸化合物をBr2又はI2と反応させて、一般式(3):
を含むことを特徴とする含フッ素ハロゲン化物の製造方法。
2. 一般式(1)で表される含フッ素スルホニルハライドが、一般式(1’):
R4CF2SO2Z (1’)
(式中、R4はハロゲン原子、水素原子又は一価の炭化水素基(フッ素原子、酸素、窒素及び硫黄原子のいずれか一種又は二種以上が、一個又は二個以上含まれていても良い) であり、ZはCl又はFである。)で表される化合物である、上記項1に記載の含フッ素ハロゲン化物の製造方法。
3. 一般式(1)で表される含フッ素スルホニルハライドが、下記一般式(4)〜(6)のいずれかで表される化合物である上記項1に記載の含フッ素ハロゲン化物の製造方法:
(i)一般式:CF2XCFX(CF2)lA{CF2CF(CF3)O}m(CF2)nSO2Z (4)
(式中、XはF、Cl又はBrであり、AはO、S又はNHであり、ZはF又はClである。lは0〜4の整数、mは0〜3の整数、nは1〜8の整数である)
(ii)一般式:Y(CF2)lA{CF2CF(CF3)O}m(CF2)nSO2Z (5)
(式中、Yは、H、ハロゲン原子、CCl3、-CO2M2(但し、M2はMa又は(Mb)1/2であって、Maはアルカリ金属、Mbはアルカリ土類金属である。)又は芳香環(芳香環には、更に、置換基が1個又は2個以上存在しても良い)であり、AはO、S又はNHであり、ZはF又はClである。lは1〜8の整数、mは0〜3の整数、nは1〜8の整数である。)
(iii)一般式:Y(CF2CF2O)l(CF2)mSO2Z (6)
(式中、Yは、H、ハロゲン原子、-CO2M2(但し、M2はMa又は(Mb)1/2であって、Maはアルカリ金属、Mbはアルカリ土類金属である。) 又は芳香環(芳香環には、更に、置換基が1個又は2個以上存在しても良い)であり、ZはF又はClである。lは0〜50の整数、mは1〜20の整数である。)。
4. 一般式(7):
(ii)上記一般式(8)で表される含フッ素ジチオスルホン酸化合物をBr2又はI2と反応させて、一般式(9):
を含むことを特徴とする含フッ素ジハロゲン化物の製造方法。
5. 一般式(7)で表される含フッ素スルホニルハライドが、一般式(7’):
ZSO2−F2C−(T5)p−CF2―SO2Z (7’)
(式中、T5は二価の炭化水素基(フッ素原子、酸素原子、窒素原子及び硫黄原子のいずれか一種又は二種以上が、一個又は二個以上含まれていても良い)であり、ZはCl又はFである。pは0又は1である。)で表される化合物である上記項4に記載の含フッ素ハロゲン化物の製造方法。
6. 一般式(7)で表される含フッ素ジスルホニルハライドが、下記一般式(10)〜(12)のいずれかで表される化合物である上記項4に記載の含フッ素ジハロゲン化物の製造方法:
(i)一般式:ZO2S(CF2)nSO2Z (10)
(式中、nは2〜20の整数であり、ZはF又はClである。)
(ii)一般式:ZO2S(CF2CF2A)l(CF2)mSO2Z (11)
(式中、AはO、S又はNHであり、ZはF又はClである。lは1〜50の整数であり、mは1〜20の整数である。)。
(iii)一般式:ZO2S(CF2CF2A)l(CF2)m-φ-(CF2)m(ACF2CF2)lSO2Z (12)
(式中、式中、φは芳香環であり、ZO2S(CF2CF2A)l(CF2)m-基が結合していない部位には、置換基が一個又は二個以上存在してもよい。zはF又はClである。lは0〜10の整数、mは1〜8の整数である。)。
7. 一般式(13):
(ii)上記一般式(14)で表される含フッ素トリチオスルホン酸化合物をBr2又はI2と反応させて、一般式(15):
を含むことを特徴とする含フッ素トリハロゲン化物の製造方法。
8. 一般式(13)で表される含フッ素トリスルホニルハライドが、下記一般式(16):
9. 第一反応工程と第二反応工程を同一溶媒中で行う上記項1〜8のいずれかに記載の方法。
10. 一般式(2):
11. 一般式(8)
12. 一般式(14):
13. 極性溶媒中で反応を行う上記項1〜12のいずれかに記載の方法。
本発明方法では、出発原料としては、一般式(1):
R4CF2SO2Z (1’)
(式中、R4はハロゲン原子、水素原子又は一価の炭化水素基(フッ素原子、酸素原子、窒素原子及び硫黄原子のいずれか一種又は二種以上が、一個又は二個以上含まれていても良い) であり、ZはCl又はFである。)で表される化合物を挙げることができる。この化合物を原料とする場合には、比較的低い反応温度で収率良く目的物を得ることができる。
(i)一般式:CF2XCFX(CF2)lA{CF2CF(CF3)O}m(CF2)nSO2Z (4)
(式中、XはF、Cl又はBrであり、AはO、S又はNHであり、ZはF又はClである。lは0〜4の整数、mは0〜3の整数、nは1〜8の整数である)、
(ii)一般式:Y(CF2)lA{CF2CF(CF3)O}m(CF2)nSO2Z (5)
(式中、Yは、H、ハロゲン原子、CCl3、-CO2M2(但し、M2はMa又は(Mb)1/2であって、Maはアルカリ金属、Mbはアルカリ土類金属である。)又は芳香環(芳香環には、更に、置換基が一個又は二個以上存在してもよい。)であり、AはO、S又はNHであり、ZはF又はClである。lは1〜8の整数、mは0〜3の整数、nは1〜8の整数である。)、
(iii)一般式:Y(CF2CF2O)l(CF2)mSO2Z (6)
(式中、Yは、H、ハロゲン原子、-CO2M2(但し、M2はMa又は(Mb)1/2であって、Maはアルカリ金属、Mbはアルカリ土類金属である。) 又は芳香環(芳香環には、更に、置換基が一個又は二個以上存在してもよい。)であり、ZはF又はClである。lは0〜50の整数、mは1〜20の整数である。)
上記一般式(5)で表される化合物及び一般式(6)で表される化合物において、芳香環としては、フェニル、ナフチル、アントラキル等を例示できる。芳香環の置換基としては、-NO2、-CN、-NH2、-CH3、-CH2OH、-Br、-I、-Cl、-CO2H、-SO3H、-CO2Na、-CONH2、-CO2N(Et)2等を例示できる。
・一般式(4)の化合物:
CF2ClCFClOCF2CF2SO2F、CF2ClCFClOCF2CF2SO2Cl
CF2ClCFClOCF2CF2CF2SO2F、CF2ClCFClO CF2CF2CF2SO2Cl
CF2ClCFClOCF2CF2CF2CF2SO2F、CF2ClCFClO CF2CF2CF2CF2SO2Cl
CF2ClCFClOCF2CF(CF3)OCF2CF2SO2F、CF2ClCFClOCF2CF(CF3)OCF2CF2SO2Cl
CF2ClCFClO{CF2CF(CF3)O}2CF2CF2SO2F、CF2ClCFCl{CF2CF(CF3)O}2OCF2CF2SO2Cl
CF2ClCFClOCF2CF(CF3)OCF2CF2 CF2 SO2F、
CF2ClCFClOCF2CF(CF3)OCF2CF2 CF2SO2Cl
CF2ClCFClOCF2CF(CF3)OCF2CF2 CF2 CF2 SO2F、
CF2ClCFClOCF2CF(CF3)OCF2CF2 CF2 CF2SO2Cl
・一般式(5)の化合物:
Y(CF2)2O(CF2)2SO2F、Y(CF2)2O(CF2)2SO2Cl、Y(CF2)2O(CF2)3SO2F
Y(CF2)2O(CF2)3SO2Cl、Y(CF2)2O(CF2)4SO2F、Y(CF2)2O(CF2)4SO2Cl
Y(CF2)4O(CF2)2SO2F、Y(CF2)4O(CF2)2SO2Cl、
Y(CF2)6O(CF2)2SO2F、Y(CF2)6O(CF2)2SO2Cl、Y(CF2)2O(CF2)4SO2F、
Y(CF2)2O(CF2)4SO2Cl、
(上記各式において、YはH、F、Cl、Br又はIである)、
NaO2C(CF2)mO(CF2)nSO2F、NaO2C(CF2)mO(CF2)nSO2Z
(式中、nは1〜8の整数、mは1〜8の整数、ZはF又はClである)
CCl3(CF2)mO(CF2)nSO2F、Cl3C(CF2)mO(CF2)nSO2Z
(式中、nは1〜8の整数、mは1〜8の整数、ZはF又はClである)
φ-(CF2)mO(CF2)nSO2Z
(式中、φは、Ph(フェニル)、Ph-NO2、Ph-CN、Ph-NH2、Ph-CH3、Ph-(CH3)2、Ph-CH2OH、Ph-Br、ph-Br2、Ph-I、Ph-I2、Ph-Cl、Ph-Cl2、Ph-CO2H、pH-(CO2H)2、Ph-SO3H、Ph-CO2Na、Ph-(CO2Na)2、Ph-CONH2、Ph-CO2N(Et)2、ナフチル、アントラキル等の芳香族基である。nは1〜8の整数、mは1〜8の整数、ZはF又はClである)
・一般式(6)の化合物:
ICF2CF2OCF2CF2OCF2CF2SO2Z、ICF2CF2OCF2CF2OCF2CF2CF2SO2Z、
ICF2CF2OCF2CF2OCF2CF2CF2CF2SO2Z、ICF2SO2Z、ICF2CF2CF2SO2Z、
ICF2CF2CF2CF2SO2Z、CF3SO2Z、CF3CF2SO2F、CF3(CF2)6SO2Z
(上記各式中、zはF又はClである)
ZO2SCF2-φ、ZO2SCF2CF2-φ、ZO2SCF2CF2OCF2CF2-φ
(式中、φは、Ph(フェニル)、Ph-NO2、Ph-CN、Ph-NH2、Ph-CH3、Ph-(CH3)2、Ph-CH2OH、Ph-Br、ph-Br2、Ph-I、Ph-I2、Ph-Cl、Ph-Cl2、Ph-CO2H、pH-(CO2H)2、Ph-SO3H、Ph-CO2Na、Ph-(CO2Na)2、Ph-CONH2、Ph-CO2N(Et)2、ナフチル、アントラキル等の芳香族基である)。
ZSO2−F2C−(T5)p−CF2―SO2Z (7’)
(式中、T5は二価の炭化水素基(フッ素原子、酸素原子、窒素原子及び硫黄原子のいずれか一種又は二種以上が、一個又は二個以上含まれていても良い)であり、ZはCl又はFである。pは0又は1である。)で表される化合物を挙げることができる。この化合物を原料とする場合には、比較的低い反応温度で収率良く目的物を得ることができる。
(i)一般式:ZO2S(CF2)nSO2Z (10)
(式中、nは2〜20の整数であり、ZはF又はClである。)
(ii)一般式:ZO2S(CF2CF2A)l(CF2)mSO2Z (11)
(式中、AはO、S又はNHであり、ZはF又はClである。lは1〜50の整数であり、mは1〜20の整数である。)。
(iii)一般式:ZO2S(CF2CF2A)l(CF2)m-φ-(CF2)m(ACF2CF2)lSO2Z (12)
(式中、式中、φは芳香環であり、ZO2S(CF2CF2A)l(CF2)m-基が結合していない部位には、置換基が一個又は二個以上存在してもよい。zはF又はClである。lは0〜10の整数、mは1〜8の整数である。)
上記一般式(12)で表される化合物及において、芳香環としては、フェニル、ナフチル、アントラキル等を例示でき、芳香環の置換基としては、-NO2、-CN、-NH2、-CH3、-CH2OH、-Br、-I、-Cl、-CO2H、-SO3H、-CO2Na、-CONH2、-CO2N(Et)2等を例示できる。
・一般式(10)の化合物:
ZO2SCF2SO2Z、ZO2SCF2CF2SO2Z、ZO2SCF2CF2CF2SO2Z、ZO2SCF2CF2CF2CF2CF2SO2Z
・一般式(11)の化合物:
ZO2SCF2CF2OCF2CF2SO2Z、ZO2SCF2CF2SCF2CF2SO2Z、ZO2SCF2CF2OCF2CF2CF2SO2Z
・一般式(12)の化合物:
ZO2SCF2-φ-CF2SO2Z、ZO2SCF2CF2-φ-CF2CF2SO2Z、
ZO2SCF2CF2CF2−φ−CF2CF2CF2SO2Z、ZO2SCF2CF2CF2CF2−φ- CF2CF2CF2CF2SO2Z
ZO2SCF2CF2OCF2CF2-φ- CF2CF2OCF2CF2SO2Z、
ZO2SCF2CF2SCF2CF2-φ- CF2CF2SCF2CF2SO2Z、
ZO2SCF2CF2OCF2CF2CF2-φ- CF2CF2OCF2CF2CF2SO2Z
(式中、φは、Ph(フェニル)、Ph-NO2、Ph-CN、Ph-NH2、Ph-CH3、Ph-CH2OH、Ph-Br、Ph-I、Ph-Cl、Ph-CO2H、Ph-SO3H、Ph-CO2Na、Ph-CONH2、Ph-CO2N(Et)2、ナフチル、アントラキル等の芳香族基である)。
本発明方法では、まず、第一反応工程として、上記した一般式(1)で表される含フッ素スルホニルハライド、一般式(7)で表される含フッ素ジスルホニルハライド又は一般式(13)で表される含フッ素トリスルホニルハライドを原料(以下、原料を、単に「含フッ素スルホニルハライド」ということがある)とし、これを金属硫化物及び炭化水素基含有硫化物塩からなる群から選ばれた少なくとも一種の硫化物と反応させる。
次いで、第二反応工程として、一般式(2) で表される含フッ素チオスルホン酸化合物、一般式(8)で表される含フッ素ジチオスルホン酸化合物、又は一般式(14)で表される含フッ素トリチオスルホン酸化合物と、Br2又はI2とを反応させる。
50mLの3つ口フラスコにDMSO:20mLとNa2S:2.0g(25.6mmol)を仕込んだ。その後、滴下ロートでICF2CF2OCF2CF2SO2F(>99mass%):5.0g(11.7mmol)を50℃を超えないように仕込んだ。仕込み終了後、約1時間常温で反応させた。
実施例1と同様の方法で得た73.3mass%C8F17SO2SNa:1.0g(1.36mmol)と、DMSO:20mLを100mLの3つ口フラスコに仕込んだ。
CF3CF(CO2Na)OCF2CF2SO2FとNa2Sとの反応により、収率92.4%で得られた80.4mass%のCF3CF(CO2Na)OCF2CF2SO2SNa:5.0g(10.0mmol)とDMSO:20mLをジムロートを取り付けた100mLの3つ口フラスコに仕込んだ。その後、室温で発熱を確認しながら、I2を2g〜4gの間で合計:12.6g(49.6mmol)になるまで仕込んだ。仕込み終了後、50℃〜55℃の間で加熱し、5時間反応させた。
実施例1と同様の方法で得られた73.3mass%C8F17SO2SNa:0.6g(0.82mmol)と、DMF:5mLを50mLの3つ口フラスコに仕込んだ。
実施例1と同様の方法で得られた81.3mass%のCF2ClCFClOCF2CF2SO2SNa:1.14g(2.3mmol)と、H2O:10mLを50mLの3つ口フラスコに仕込んだ。
ジムロート付きの100mLの3つ口フラスコに、DMSO:20mLとNa2S:1.76g(22.6mmol)を仕込んだ。その後、71mass%のClSO2(CF2CF2)2SO2Cl(固体):2.24g(3.98mmol)を発熱を確認しながら加えた。ClSO2(CF2CF2)2SO2Clを全て加えた後、約1時間攪拌して反応させた。
Claims (13)
- (i)一般式(1):
(ii)上記一般式(2)で表される含フッ素チオスルホン酸化合物をBr2又はI2と反応させて、一般式(3):
を含むことを特徴とする含フッ素ハロゲン化物の製造方法。 - 一般式(1)で表される含フッ素スルホニルハライドが、一般式(1’):
R4CF2SO2Z (1’)
(式中、R4はハロゲン原子、水素原子又は一価の炭化水素基(フッ素原子、酸素原子、窒素原子及び硫黄原子のいずれか一種又は二種以上が、一個又は二個以上含まれていても良い)であり、ZはCl又はFである。)で表される化合物である、請求項1に記載の含フッ素ハロゲン化物の製造方法。 - 一般式(1)で表される含フッ素スルホニルハライドが、下記一般式(4)〜(6)のいずれかで表される化合物である請求項1に記載の含フッ素ハロゲン化物の製造方法:
(i)一般式:CF2XCFX(CF2)lA{CF2CF(CF3)O}m(CF2)nSO2Z (4)
(式中、XはF、Cl又はBrであり、AはO、S又はNHであり、ZはF又はClである。lは0〜4の整数、mは0〜3の整数、nは1〜8の整数である)、
(ii)一般式:Y(CF2)lA{CF2CF(CF3)O}m(CF2)nSO2Z (5)
(式中、Yは、H、ハロゲン原子、CCl3、-CO2M2(但し、M2はMa又は(Mb)1/2であって、Maはアルカリ金属、Mbはアルカリ土類金属である。)又は芳香環(芳香環には、更に、置換基が1個又は2個以上存在しても良い)であり、AはO、S又はNHであり、ZはF又はClである。lは1〜8の整数、mは0〜3の整数、nは1〜8の整数である。)、
(iii)一般式:Y(CF2CF2O)l(CF2)mSO2Z (6)
(式中、Yは、H、ハロゲン原子、-CO2M2(但し、M2はMa又は(Mb)1/2であって、Maはアルカリ金属、Mbはアルカリ土類金属である。) 又は芳香環(芳香環には、更に、置換基が1個又は2個以上存在しても良い)であり、ZはF又はClである。lは0〜50の整数、mは1〜20の整数である。)。 - 一般式(7):
(ii)上記一般式(8)で表される含フッ素ジチオスルホン酸化合物をBr2又はI2と反応させて、一般式(9):
を含むことを特徴とする含フッ素ジハロゲン化物の製造方法。 - 一般式(7)で表される含フッ素ジスルホニルハライドが、一般式(7’):
ZSO2−F2C−(T5)p−CF2―SO2Z (7’)
(式中、T5は二価の炭化水素基(フッ素原子、酸素原子、窒素原子及び硫黄原子のいずれか一種又は二種以上が、一個又は二個以上含まれていても良い)であり、ZはCl又はFである。pは0又は1である。)で表される化合物である請求項4に記載の含フッ素ハロゲン化物の製造方法。 - 一般式(7)で表される含フッ素ジスルホニルハライドが、下記一般式(10)〜(12)のいずれかで表される化合物である請求項4に記載の含フッ素ジハロゲン化物の製造方法:
(i)一般式:ZO2S(CF2)nSO2Z (10)
(式中、nは2〜20の整数であり、ZはF又はClである。)
(ii)一般式:ZO2S(CF2CF2A)l(CF2)mSO2Z (11)
(式中、AはO、S又はNHであり、ZはF又はClである。lは1〜50の整数であり、mは1〜20の整数である。)。
(iii)一般式:ZO2S(CF2CF2A)l(CF2)m-φ-(CF2)m(ACF2CF2)lSO2Z (12)
(式中、式中、φは芳香環であり、ZO2S(CF2CF2A)l(CF2)m-基が結合していない部位には、置換基が一個又は二個以上存在してもよい。zはF又はClである。lは0〜10の整数、mは1〜8の整数である。)。 - 一般式(13):
(ii)上記一般式(14)で表される含フッ素トリチオスルホン酸化合物をBr2又はI2と反応させて、一般式(15):
を含むことを特徴とする含フッ素トリハロゲン化物の製造方法。 - 第一反応工程と第二反応工程を同一溶媒中で行う請求項1〜8のいずれかに記載の方法。
- 一般式(2):
- 一般式(8):
- 一般式(14):
- 極性溶媒中で反応を行う請求項1〜12のいずれかに記載の方法。
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