JP4767981B2 - リソグラフィ装置および液体除去方法 - Google Patents
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- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims description 107
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 157
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 61
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 40
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims description 23
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 4
- 238000000671 immersion lithography Methods 0.000 claims description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 23
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 16
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 3
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Classifications
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
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Description
Claims (12)
- 自身内に基板を配置するための窪み(100)を含む基板テーブルと、
低圧源に接続可能な出口を含む液体除去デバイスであって、前記出口が所定の幾何形状の細長い抽出部(210)を形成する、液体除去デバイス(200)と、
前記抽出部(210)が全ての前記窪み(100)を通り越すように、且つ、前記窪み(100)の縁部の局所的部分の接線(101)が、前記縁部の前記局所的部分の上方に位置する前記抽出部(210)の局所的部分の接線(211)に対して、常に約20°と約90°の間の角度をなすように、前記基板テーブルおよび前記液体除去デバイス(200)を相対的に動かすコントローラと、を備え、
平面にて、前記抽出部(210)の最大寸法が、前記窪み(100)の最大寸法より大きく、
前記抽出部(210)の第一部分(212)が、この第一部分(212)から前記窪み(100)の最大寸法だけ離間された前記抽出部(210)の第二部分(212)と実質的に同一直線上にあり、
前記第一および第二部分(212)の間に位置する前記抽出部(210)の部分(214、216)が前記第一および第二部分(212)と同一直線上にない波形であるか、又は、前記第一および第二部分(212)の間に位置する前記抽出部(210)が三角波形を有する、
液浸リソグラフィ装置。 - 前記基板テーブルと前記液体除去デバイスとが、1方向にのみ相対的に移動する、
請求項1に記載の液浸リソグラフィ装置。 - 前記第一および第二部分(212)から等距離の位置で、前記抽出部(210)が、前記第一および第二部分(212)と同一直線上にある線から最大距離にある、
請求項1又は2に記載の液浸リソグラフィ装置。 - 前記液体除去デバイスが、前記抽出部のそれぞれの横側で、前記抽出部から所定の距離で延在する実質的に平行な表面を備える、
請求項1から3の何れか一項に記載の液浸リソグラフィ装置。 - 使用時に、前記平行な表面が、前記基板テーブルの上面と実質的に同一平面上にある、
請求項4に記載の液浸リソグラフィ装置。 - 使用時に、前記出口に対して前記平行な表面の外側にある前記液体抽出部の部分が、前記平行な表面より前記基板テーブルからさらに遠い、
請求項5に記載の液浸リソグラフィ装置。 - 前記平行な表面が実質的に同一平面上にある、
請求項4に記載の液浸リソグラフィ装置。 - 前記角度が約35°と90°の間である、
請求項1から7の何れか一項に記載の液浸リソグラフィ装置。 - 前記角度が約50°と90°の間である、
請求項8に記載の液浸リソグラフィ装置。 - 前記角度が約70°と90°の間である、
請求項9に記載の液浸リソグラフィ装置。 - 基板テーブル上に支持された基板から、および前記基板と前記基板テーブルの間に規定されたギャップ(100)から、液体を除去する方法であって、
低圧源に接続された出口を持つ液体除去デバイスであって、前記出口が所定の幾何形状の細長い抽出部(210)を形成する、液体除去デバイス(200)を提供し、
前記抽出部(210)が前記基板および前記ギャップ(100)の全てを通り越すように、且つ、前記ギャップ(100)の非乾燥部分の縁部の接線(101)が、前記縁部の上方に位置する前記抽出部(210)の接線(211)に対して、常に約20°と約90°の間の角度をなすように、前記基板テーブルと前記液体除去デバイス(200)を相対的に動かすこと、を含み、
平面にて、前記抽出部(210)の最大寸法が、前記窪み(100)の最大寸法より大きく、
前記抽出部(210)の第一部分(212)が、この第一部分(212)から前記ギャップ(100)の最大寸法だけ離間された前記抽出部(210)の第二部分(212)と実質的に同一直線上にあり、
前記第一および第二部分(212)の間に位置する前記抽出部(210)の部分(214、216)が前記第一および第二部分(212)と同一直線上にない波形であるか、又は、前記第一および第二部分(212)の間に位置する前記抽出部(210)が三角波形を有する、
方法。 - 基板を保持する基板テーブルであって、前記基板と自身がその間にギャップ(100)を規定する、基板テーブルと、
前記パターン付き放射ビームを前記基板に投影する投影システムと、
前記投影システムの最終要素と前記基板の間の空間に流体を提供する流体供給システムと、
低圧源に接続可能な出口を含む液体除去デバイスであって、前記出口が細長い抽出部(210)を形成し、前記液体除去デバイスと前記基板テーブルが、前記抽出部(210)が前記基板テーブルと前記基板の間に規定された前記ギャップ(100)のいずれかの部分上に位置する場合に、前記ギャップ(100)の前記部分の接線(101)が前記細長い抽出部(210)の接線(211)に対して約20°と90°の間の角度を規定するように、相互に対して動作可能である、液体除去デバイス(200)と、を含み、
平面にて、前記抽出部(210)の最大寸法が、前記ギャップ(100)の最大寸法より大きく、
前記抽出部(210)の第一部分(212)が、この第一部分(212)から前記ギャップ(100)の最大寸法だけ離間された前記抽出部(210)の第二部分(212)と実質的に同一直線上にあり、
前記第一および第二部分(212)の間に位置する前記抽出部(210)の部分(214、216)が前記第一および第二部分(212)と同一直線上にない波形であるか、又は、前記第一および第二部分(212)の間に位置する前記抽出部(210)が三角波形を有する、
リソグラフィ装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/708,686 US7692765B2 (en) | 2007-02-21 | 2007-02-21 | Lithographic apparatus and method of removing liquid |
US11/708,686 | 2007-02-21 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011132836A Division JP5118235B2 (ja) | 2007-02-21 | 2011-06-15 | リソグラフィ装置および液体除去方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008205465A JP2008205465A (ja) | 2008-09-04 |
JP4767981B2 true JP4767981B2 (ja) | 2011-09-07 |
Family
ID=39706350
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008032818A Expired - Fee Related JP4767981B2 (ja) | 2007-02-21 | 2008-02-14 | リソグラフィ装置および液体除去方法 |
JP2011132836A Expired - Fee Related JP5118235B2 (ja) | 2007-02-21 | 2011-06-15 | リソグラフィ装置および液体除去方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011132836A Expired - Fee Related JP5118235B2 (ja) | 2007-02-21 | 2011-06-15 | リソグラフィ装置および液体除去方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7692765B2 (ja) |
JP (2) | JP4767981B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8144305B2 (en) * | 2006-05-18 | 2012-03-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7692765B2 (en) | 2007-02-21 | 2010-04-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method of removing liquid |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4509852A (en) * | 1980-10-06 | 1985-04-09 | Werner Tabarelli | Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements |
AU2747999A (en) | 1998-03-26 | 1999-10-18 | Nikon Corporation | Projection exposure method and system |
EP1420300B1 (en) | 2002-11-12 | 2015-07-29 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1429188B1 (en) | 2002-11-12 | 2013-06-19 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus |
JP3953460B2 (ja) * | 2002-11-12 | 2007-08-08 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ投影装置 |
EP1420298B1 (en) | 2002-11-12 | 2013-02-20 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
KR101288632B1 (ko) * | 2003-08-21 | 2013-07-22 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
US7394521B2 (en) | 2003-12-23 | 2008-07-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2006120889A (ja) * | 2004-10-22 | 2006-05-11 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法及びその方法に用いられる半導体ウェハホルダ |
US7446850B2 (en) * | 2004-12-03 | 2008-11-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7468779B2 (en) * | 2005-06-28 | 2008-12-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8144305B2 (en) * | 2006-05-18 | 2012-03-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7826030B2 (en) * | 2006-09-07 | 2010-11-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR100806795B1 (ko) * | 2006-09-12 | 2008-02-27 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 오토 포커스 시스템 |
US9632425B2 (en) * | 2006-12-07 | 2017-04-25 | Asml Holding N.V. | Lithographic apparatus, a dryer and a method of removing liquid from a surface |
US7692765B2 (en) | 2007-02-21 | 2010-04-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method of removing liquid |
-
2007
- 2007-02-21 US US11/708,686 patent/US7692765B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-02-14 JP JP2008032818A patent/JP4767981B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-02-19 US US12/709,278 patent/US8675172B2/en active Active
-
2011
- 2011-06-15 JP JP2011132836A patent/JP5118235B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7692765B2 (en) | 2010-04-06 |
US20100208224A1 (en) | 2010-08-19 |
JP2008205465A (ja) | 2008-09-04 |
JP5118235B2 (ja) | 2013-01-16 |
JP2011249815A (ja) | 2011-12-08 |
US20080198344A1 (en) | 2008-08-21 |
US8675172B2 (en) | 2014-03-18 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100930 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101004 |
|
A601 | Written request for extension of time |
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|
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |