JP4763011B2 - 窒化ガリウム単結晶の製造方法 - Google Patents
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Description
光源29は、図示しない電源装置を介して受給した駆動電源に基づき光発振し、例えば、Nd:YAG等の固体レーザ、GaAs等の半導体レーザ、ArF等のガスレーザ等の各種レーザ、さらには、LEDもしくはキセノンランプ等の光を出射する光源である。また、この光源29は、波長を制御可能とされていてもよい。この光源29から出射される光の波長の詳細については後述する。
次に、供給管23からチャンバ11内へIII族原料ガスを供給し、さらに供給管24からチャンバ11内へV族原料ガスを供給する。これら各原料ガスを供給する際のチャンバ11内の温度は、0℃以上とされている。このIII族原料ガスは、Ga元素が含まれていれば、いかなるガスを用いてもよいが、以下の説明においては、III族原料ガスとして、トリメチルガリウム((CH3)3Ga)ガスを適用する場合を例にとり説明をする。このV族原料ガスは、N元素が含まれていれば、いかなるガスを用いてもよいが、以下の説明においては、III族原料ガスとしてアンモニア(NH3)ガスを用いる場合を例にとり説明をする。即ち、このトリメチルガリウムガスは、窒化ガリウムにおけるGa元素を構成するものであり、またアンモニアガスにおけるN元素を構成するものである。
11 チャンバ
13 基板
14 ステージ
16 ポンプ
17 圧力センサ
18 バタフライバルブ
23、24 供給管
28 窓
29 光源
31 窒化ガリウム単結晶
Claims (2)
- 所定圧力に調整されたチャンバ内に設置された基板に対して、0℃以上で少なくともIII族原料ガスとV族原料ガスを1:8000以上の流量比率で同時に供給し続け、更に上記基板に対して220nm以下の光を照射することにより六方晶のみからなる窒化ガリウム単結晶を上記基板上に成長させること
を特徴とする窒化ガリウム単結晶の製造方法。 - 上記III族原料ガスは、トリメチルガリウム((CH3)3Ga)ガスやトリエチルガリウム((C2H6)3Ga)ガス等のGa元素を含む有機金属ガスであり、
上記V族原料ガスは、アンモニア(NH3)ガス等のN元素を含むガスであること
を特徴とする請求項1記載の窒化ガリウム単結晶の製造方法。
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