JP4760822B2 - エピタキシャルウェーハの製造方法 - Google Patents
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Description
上述した図2のシリコン単結晶育成装置を使用し、直径8インチ、p型(100)、酸素濃度が13×1017atoms/cm3、0.015Ω・cm〜0.012Ω・cmの単結晶を、引き上げ速度1.2mm/minにて育成した。育成されたシリコン単結晶からウェーハを切り出し、鏡面研磨を施したウェーハ(実施No.1)と、切り出し後、鏡面研磨工程前に850℃で1時間保持する熱処理を施したウェーハ(実施No.2)とを準備した。
図2に示すシリコン単結晶育成装置において、熱シールド材7を図3に示すごとく、その内側に冷却筒8を組み込み、冷却液を循環させることで引き上げる単結晶の1100℃〜900℃の温度域の冷却速度を増速可能な構成となして、比較例1と同様に直径8インチ、p型(100)、酸素濃度が13×1017atoms/cm3、0.015Ωcm〜0.012Ωcmのシリコン単結晶を種々の引き上げ速度で育成した。
さらに、実施No.1〜8で作製したシリコンウェーハと同じサンプルウェーハを準備し、エピタキシャル成長処理前の各サンプルウェーハについて、高温酸化処理した場合に酸化誘起積層欠陥がどの程度発生するのかを調査した。
1a 石英製容器
1b 黒鉛製容器
2 加熱ヒータ
3 融液
4 引き上げ軸
5 種結晶
6 単結晶
7 熱シールド材
8 冷却筒
Claims (1)
- ボロンが添加されて抵抗率が0.008〜0.025Ω・cmで酸素濃度が11×1017atoms/cm3(ASTM F−121,1979)以上であるシリコン単結晶をチョクラルスキー法によって引上げ育成する工程で、引上げ後の1100℃から900℃の温度範囲を3.0℃/min以上の冷却速度で冷却して、高温酸化処理時に発生する酸化誘起積層欠陥が1×102/cm2以下の性状を有するシリコン単結晶を得る工程、
該単結晶よりウェーハを切り出し研磨する工程、
ウェーハ主面にエピタキシャル層を成長する工程を有し、
単結晶よりウェーハを切り出した後、鏡面研磨する前に、700℃以上、900℃未満の温度で30分から4時間までの熱処理を施すことを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。
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