JP4759228B2 - 反射率測定によるエッジビード除去の検査 - Google Patents
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Description
tanΘBrewster=n
にしたがって決定される。シリコン以外の材料の反射率曲線は、図2の曲線と質的に似ているが、それぞれにブリュースター角の値が異なる。したがって、s偏光とp偏光との間の反射率の比率も角度ごとに異なる。反射率の差は、屈折率の大きく異なる材料同士間で最大になる。
4…ウエハ
6…レジスト
8…スタックの上部
10…スタックの端部
12…剥き出しのシリコンの環
16…階段状の断面
18…複数の環
22…スタック
23…シリコンウエハ
24…レジスト層
26…スタックの上面
28…スタックの側面
30…EBRの環
32…ウエハの端部
33…プリアライナ
34…照明源
36…レーザ
38…ビーム拡大器
40…偏光器
42…反射光
44…画像検出システム
46…画像処理プロセッサ
Claims (14)
- シリコンが剥き出しの第1の部分と、レジストで覆われた第2の部分とをともなった表面を有するシリコンウエハの上面から、レジストのエッジビード除去を検査するための半導体製造方法であって、
(a)視準照射光を前記ウエハ表面に向けて照射角で照射する工程であって、前記照射角は前記ウエハ表面の法線からの角度Θで表され、前記角度Θは照射角に等しい場合にs偏光とp偏光との間の反射率の比率が前記レジストと前記シリコンとで大きく異なるように選択される、工程と、
(b)前記視準照射光のp偏光成分を前記ウエハ表面に照射するために前記視準照射光を偏光させる工程と、
(c)前記ウエハ表面で反射された前記視準照射光の前記p偏光成分に基づく反射光の画像を検出する工程と、
(f)前記シリコンが剥き出しの第1の部分と前記レジストで覆われた第2の部分との間の前記画像コントラストを強調するために、前記視準照射光の前記p偏光成分に基づく前記反射光の画像を処理する工程と
を備える方法。 - 請求項1に記載の方法であって、さらに、前記工程(b)および(c)の前または後に、
(d)前記視準照射光のs偏光成分を前記ウエハ表面に照射するために前記視準照射光を偏光させる工程と、
(e)前記ウエハ表面で反射された前記視準照射光の前記s偏光成分に基づく反射光の画像を検出する工程とを備え、
前記シリコンが剥き出しの第1の部分と前記レジストで覆われた第2の部分との間の前記画像コントラストを強調するために前記視準照射光の前記p偏光成分からの前記反射光の画像を処理する工程(f)は、さらに、前記視準照射光の前記s偏光成分に基づく前記反射光の画像を処理することを含む、方法。 - 請求項2に記載の方法であって、
前記角度Θはシリコンのブリュースター角である、方法。 - 請求項2に記載の方法であって、
前記角度Θは前記レジストのブリュースター角である、方法。 - 請求項2に記載の方法であって、
前記視準照射光は広範囲の二次元光である、方法。 - 請求項5に記載の方法であって、
前記視準照射光は拡大レーザ光である、方法。 - 請求項5に記載の方法であって、
前記視準照射光は視準白熱光である、方法。 - 請求項2に記載の方法であって、
(1)前記視準照射光のs偏光成分を前記ウエハ表面に照射するための前記視準照射光を偏光させる前記工程と、(2)前記視準照射光のp偏光成分を前記ウエハ表面に照射するために前記視準照射光を偏光させる前記工程とは、前記視準照射光をフィルタホイールに通すことを含む、方法。 - 請求項2に記載の方法であって、
(1)前記視準照射光のs偏光成分を前記ウエハ表面に照射するために前記視準照射光を偏光させる前記工程と、(2)前記視準照射光のp偏光成分を前記ウエハ表面に照射するために前記視準照射光を偏光させる前記工程とは、前記視準照射光を4分の1波長板に通すことを含む、方法。 - 請求項2に記載の方法であって、
(1)前記ウェハ表面で反射された前記視準照射光の前記s偏光成分に基づく反射光の画像を検出する前記工程と、(2)前記ウェハ表面で反射された前記視準照射光の前記p偏光成分に基づく反射光の画像を検出する前記工程とは、前記視準照射光の前記s偏光成分に基づく前記反射光と、前記視準照射光の前記p偏光成分に基づく前記反射光とを、撮像レンズおよびカメラで捉えることを含む、方法。 - 請求項2に記載の方法であって、
前記シリコンが剥き出しの第1の部分と前記レジストで覆われた第2の部分との間の前記画像コントラストを強調するために前記視準照射光の前記s偏光成分に基づく前記反射光の画像と、前記視準照射光の前記p偏光成分に基づく前記反射光の画像とを処理する前記工程は、前記ウエハ表面で反射された前記視準照射光の前記s偏光成分に基づく前記反射光の画像と、前記ウエハ表面で反射された前記視準照射光の前記p偏光成分に基づく前記反射光の画像との画像差を形成することを含む、方法。 - シリコンが剥き出しの第1の部分と、レジストで覆われた第2の部分とをともなった表面を有しするシリコンウエハの上面から、レジストのエッジビード除去を検査するための半導体製造装置であって、
(a)前記二次元の視準照射光を前記照射光の経路上に保持された前記ウエハ表面に、前記ウエハ表面の法線からの角度Θで表される照射角で当てるための照射源と、
(b)前記照射源と前記ウエハ表面との間であって且つ前記照射光の経路上に配置されると共に、s偏光の透過とp偏光の透過との間で選択可能である偏光器と、
(c)前記ウエハ表面で反射された前記視準照射光に基づく反射光の画像を検出するための画像検出システムと、
(d)前記画像検出システムに結合されると共に、前記シリコンが剥き出しの第1の部分と前記レジストで覆われた第2の部分との間の前記画像コントラストを強調するために前記視準照射光に基づく反射光の前記画像を処理する画像処理プロセッサと
を備える装置。 - 請求項12に記載の装置であって、
前記画像処理プロセッサは、前記ウエハ表面で反射された前記視準照射光の前記s偏光成分に基づく反射光の画像と、前記ウエハ表面で反射された前記視準照射光の前記p偏光成分に基づく反射光の画像との画像差を形成するように構成される、装置。 - 請求項12に記載の装置を含むウエハ検査システム。
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