JP4755423B2

JP4755423B2 - 像形成装置における過剰信号補正方法及び装置

Info

Publication number: JP4755423B2
Application number: JP2004545463A
Authority: JP
Inventors: ラリーディーパーテイン; アイヴァンピーモーロフ; カルロトニーナ; リチャードイーコルベス
Original assignee: ヴァリアンメディカルシステムズインコーポレイテッド
Priority date: 2002-10-16
Filing date: 2003-10-16
Publication date: 2011-08-24
Anticipated expiration: 2023-10-16
Also published as: AU2003277432A8; EP1573896A4; EP1573896A2; US7423253B2; JP2006516179A; US20040119855A1; US20110311025A1; US20080315105A1; WO2004036738A3; WO2004036738A2; US7638752B2; AU2003277432A1; US8658960B2; US20100118166A1; US8049156B2; US20070170351A1; US7208717B2

Description

本発明は、一般に、大面積のフラットパネル像形成装置に係る。より詳細には、本発明は、アモルファスシリコン及び／又は有機半導体薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）又はダイオードスイッチ型アレイの像形成装置に係る。

本出願は、２００２年１０月１６日に出願された米国プロビジョナル特許出願第６０／４１９，１３２号の利益を請求する。

大面積のフラットパネル像形成装置は、シンチレータを伴うｐ−ｉ−ｎホトダイオード（アモルファスシリコン又は有機半導体）のピクセル或いは光導体のピクセルにより形成されたキャパシタに電荷を蓄積することにより機能する。通常は、像形成装置の表面上に多数のピクセルが配列され、各ピクセルにおけるＴＦＴ（又は単一及び／又は二重ダイオード）が、荷電されたキャパシタを、適当な時期に読み出し増幅器へ接続する。ピクセルは、シンチレータ／ホトダイオード／キャパシタ／ＴＦＴ又はスイッチングダイオードの組合せで構成されるか、或いは光導体／キャパシタ／ＴＦＴ又はスイッチングダイオードの組合せで構成される。ホトダイオードは、本来、個別の電荷蓄積キャパシタが必要とされないほど充分なキャパシタンスを有する場合がほとんどである。図１Ａに示すように、放射線（例えば、α線、β線、γ線、Ｘ線、中性子、陽子、重イオン、等）がシンチレータに当たると、シンチレータは、可視光線を発生する。この可視光線がホトダイオードに当たって、電流を発生する。或いは又、図１Ｂに示すように、バイアスされた光導体に放射線が当たって電流を発生するように像形成装置が構成されてもよい。電流は、キャパシタを充電し（図示されたキャパシタは、光導体の自己キャパシタンスを含む）、そしてキャパシタに電荷を残す。キャパシタの積分電荷は、所与の積分時間中に各光導体に当たる光の積分強度に比例する。適当な時期に、スイッチ（例えば、ＴＦＴ又はスイッチングダイオード（１つ又は複数））が動作して、キャパシタから電荷感知増幅器（図示せず）へ電荷を読み出す。

アモルファスシリコン技術の場合に典型的に２０秒以上の長い積分時間にわたり、スイッチ（例えば、ＴＦＴ）、ダイオード又は光検出器からの一定の漏れ（又は暗）電流のために、離散的フレーム時間Ｔの関数として、電荷Ｑ_Liがピクセル「ｉ」のキャパシタ電荷（単位クーロン）まで直線的に増加する。この暗電流Ｉ_Dは、アモルファスシリコンＴＦＴ構造の１００から２００ミクロン巾のピクセルに対して１から２フェムトアンペア（ｆＡ）程度である。Ｑ_Liの式は、暗電流Ｉ_DにＴを乗じたものである。暗電流Ｉ_Dは、過剰電荷Ｑ_Eの貢献が時間に対して直線的又は非直線的であると、各々、一定であるか又は経時変化する。Ｑ_Liに対するこの直線的暗電荷貢献は、ピクセル「ｉ」のキャパシタから読み取られた全電荷Ｑ_Tiから差し引かれて、真の像電荷Ｑ_Siを与える。暗電流電荷貢献（直線的又は非直線的）を、キャパシタから読み取られた全電荷Ｑ_Tiから差し引くことを、バックグランド（又はオフセット）補正と称する。

スイッチ（例えば、ＴＦＴ）からの暗電流電荷貢献に加えて、キャパシタ及びホトダイオードからの漏れ（又は暗）電流電荷貢献もある。真の像電荷Ｑ_Siは、バックグランド（又はオフセット）暗電荷貢献を、ピクセル「ｉ」の測定された電荷Ｑ_Tiから差し引くことにより得られる。最も簡単なバックグランド補正方法は、少なくとも１つの、そして時には、付加的な以前のフレームの間にピクセル「ｉ」に存在した電荷の一定の部分を差し引くことである。

以前のバックグランド補正方法は、オフセット補正を推定するように実施されている。米国特許第５，４５２，３３８号に説明された１つの以前のバックグランド補正方法は、検出器がＸ線に露出されないときに、Ｘ線露出像を取得するのに使用された同じタイミングを使用して、像を取得することにより、オフセット像を分離する。次いで、露出後に取得した像を、将来のフレームから差し引く。オフセット補正の決定に１つの単一フレームを使用することに伴う１つの問題は、オフセット像が付加的なノイズを導入することである。この付加的なノイズを減少するために、多数の非露出像を取得して平均化することもできる。単一像、又は多数の像の平均化を使用することに伴う１つの問題は、単一像又は平均化された像が一定に保たれる間にオフセット信号が時間、温度及び他の付帯的ファクタと共にドリフトし得ることである。

スーザン・ポーヤビット氏等の「Compensation for Image Retention in an Amorphous Silicon Detector」（ＳＰＩＥコンファレンス・オン・フィジックス・オブ・メディアル・イメージング、１９９９年２月）と題する論文及び米国特許第５，４５２，３３８号に説明された別の従来のバックグランド補正方法は、オフセット信号におけるドリフトを補償するようにオフセット像を連続的に更新する。これら参照文献に説明された方法は、直線的システム理論（最小自乗方法）を使用して直線的時間不変システム（ＬＴＩ）としてダイオードの漏れ電流（又は暗像）からバックグランド貢献の時間応答をモデリングする。次いで、この応答モデルから導出したＬＴＩシステムを使用して、像の補正に必要なオフセットを予想する。しかしながら、例えば、近代的な医療用像形成装置では、リアルタイムの３０フレーム／秒の像の需要があり、この場合に、３３ミリ秒の積分時間で走査が行なわれる。コンピュータ断層写真のような更に進歩した像形成の分野では、８、３及び１ミリ秒の各積分時間に各々対応する１２０、３６０又は９００フレーム／秒の非常に高いフレームレートを使用することができる。このような状況において離散的フレーム時間の最小自乗予想を使用するバックグランド補正は、あまり有効ではない。例えば、３フレーム／秒（ＦＰＳ）以上のほぼリアルタイムの像形成では、最小自乗予想を伴うバックグランド補正は、著しい像エラー及び欠陥を導入し得る。短積分時間の像形成の用途では、バックグランド（又はオフセット）補正のための更に効率的な方法が要望される。

本発明は、フラットパネル像形成センサにおける過剰電荷の補正方法及び装置に関する。

本発明の更に別の特徴及び効果は、添付図面及びそれを参照した以下の詳細な説明から明らかとなろう。
以下、添付図面を参照して本発明を一例として説明するが、本発明は、これに限定されるものではない。

以下の説明においては、本発明の完全な理解を与えるために、特定の材料、処理パラメータ、処理ステップ等の多数の特定の細部について述べる。当業者であれば、本発明を実施するためにこれらの細部に固執する必要はないことが明らかであろう。他の例では、本発明を不明瞭にしないために、良く知られた処理ステップ、材料等は記述しない。

以下の説明のある部分は、メモリ内に記憶されてプロセッサにより操作されるデータビットに対する操作のアルゴリズム及び記号表示に関して表現される。これらのアルゴリズム記述及び表示は、当業者が彼等の仕事を効果的に伝えるために使用する手段である。アルゴリズムは、一般に、希望の結果を導く理路整然とした一連の行動であると考えられる。これらの行動は、量の操作を必要とする。必ずしもそうではないが、通常、これらの量は、記憶、転送、合成、比較及びその他操作することのできる電気又は磁気信号の形態をとる。時には、主として、共通使用の理由で、これらの信号をビット、値、エレメント、記号、キャラクタ、項、数字、パラメータ等として参照するのが便利であると分かった。ここで使用する「結合」という語は、直接的な結合、又は１つ以上の介在する要素を経ての間接的な結合を意味する。電荷を参照するときには、時間にわたって積分される電流に関して表現されてもよい。電流は、単位時間当たりに特定回路ポイントを越えて流れる電荷の量である。

本発明は、過剰電荷による像形成センサにおける像欠陥を補正するための方法及び装置を提供する。過剰電荷のソースは、例えば、漏れ電流、オフセット（時間従属暗電流による）、及び遅れ電流（像の持続による一定、直線的及び非直線的な項を含む）の貢献を受ける。暗電流電荷の貢献は、スイッチ（例えば、ＴＦＴ）から導入されることがある。漏れ（又は暗）電荷の貢献は、キャパシタ及びホトダイオードから導入されることがある。又、高線量の放射線露出を受けた以前のフレームの所与のフレームにおいて、光導体／ホトダイオードか、或いはキャパシタから読み出された不完全な電荷から、持続又は「遅れ」電荷貢献（及びピクセルキャパシタ電荷貢献）が生じることがある。この「遅れ」電荷貢献は、離散的フレーム時間Ｔにおいて直線的又は非直線的である。この遅れ電荷貢献は、１つのフレームが明るくそして次のフレームが暗いときに特に優勢となる。

以下、説明上、信号という語は、例えば、図２Ａを参照して以下に述べるＡ／Ｄコンバータ１７の出力に発生される像形成装置のデジタル出力を指す。デジタル信号（例えば、Ｓ_E２３５）は、一般に、良く知られたように、像形成センサアレイ１６の出力において測定された電荷（例えば、Ｑ_E３５）に比例する。

一実施形態において、この方法は、像のフレームレートに基づいて積分時間を決定し、そして非直線性バックグランド信号Ｓ_NLi及び／又は以前のフレームに従属する遅れ信号Ｓ_LAGi／ピクセル「ｉ」を計算することを含む。この遅れ信号Ｓ_LAGiは、ピクセル「ｉ」の真の像信号Ｓ_Siの一定の部分でもよいし、或いは適当な重みファクタを伴う１又はそれ以上の以前のフレームからのピクセル「ｉ」の測定信号Ｓ_Tiの一定の部分でもよい。像を補正するために、この方法は、遅れ信号Ｓ_LAGi及び非直線的バックグランド信号Ｓ_NLiを、像フレームごとに各ピクセル「ｉ」のキャパシタの電荷を表わす測定信号Ｓ_Tiから差し引くことを含んでもよい。

０．１フレーム／秒より速い場合に、ピクセル「ｉ」の真の像信号Ｓ_Siを発生する１つの方法は、モデリングされた（又は理論的な或いはシミュレーションされた）、時間に依存する、過剰な（例えば、漏れ、暗及び遅れ）電荷を、ゼロから積分時間までの時間の関数として推定することである。真の像信号Ｓ_Siを発生する別の方法は、時間に依存する過剰電荷の実験データの滑らかな曲線適合を、時間の関数として積分することである。積分時間の１つの値は、フレームレートの逆数である。推定される過剰電流は、非直線的バックグランド信号Ｓ_NLi及び／又は計算された遅れ信号Ｓ_LAGiで構成され、これは、ピクセル「ｉ」の測定信号Ｓ_Tiから差し引かれ、通常０．１フレーム／秒より速いフレームレートをもつピクセル「ｉ」の真の像信号Ｓ_Siを発生する。

一実施形態では、この方法は、高線量の放射線写真像の露出時間終了が分かっているときには１つの基準像フレームを使用することにより過剰信号Ｓ_E（過剰電荷Ｑ_Eを表わす）を推定することを含む。この方法は、上記基準像フレームのフレーム時間と、高線量放射線写真像の露出時間終了との間の差を決定する。この実施形態では、過剰信号は、パワーファンクション(power function)を使用して推定することができる。このパワーファンクションは、上記基準像フレームの測定信号Ｓ_T（測定された電荷を表わす）と、上記基準像フレームのフレーム時間と露出時間終了との間の時間差とを使用して、係数を決定する。次いで、この係数に経時変化代数減衰を乗算して、過剰信号Ｓ_Eを推定する。この過剰信号Ｓ_Eは、フレーム時間にわたる過剰信号の積分である。別の実施形態では、過剰信号は、ルックアップテーブルを使用して推定されてもよい。ルックアップテーブルを使用する１つの例は、露出後のフレーム数と、上記基準像フレームの測定信号Ｓ_Tとを使用して、過剰信号Ｓ_E（過剰電荷Ｑ_Eを表わす）を推定するように、予め計算された過剰信号Ｓ_PREをインデックスすることを含む。次いで、時間差が、フレームレートに基づいてフレーム番号に変換される。パワーファンクション及びルックアップテーブルの少なくとも一方を使用して過剰信号Ｓ_Eが推定されると、この方法は、推定された過剰信号Ｓ_Eを、１つの像フレームに対する測定信号Ｓ_Tから差し引くことを含んでもよい。上記像フレームの推定された過剰信号Ｓ_Eを差し引くことで、１又はそれ以上の以前のフレーム中に放射線の入射から「ゴースト」像として現在フレームに現われることのある著しい像エラー及び欠陥を除去することができる。

別の実施形態では、この方法は、２つの異なるフレーム時間に２つの基準像フレームを使用することにより過剰信号Ｓ_Eを推定することを含む。２つの基準像フレームは、高線量の放射線写真像の露出時間終了が未知であるときに選択されてもよい。２つの基準像フレームの２つのフレーム時間は、フレームレートに基づいてもよく、そして選択された基準像フレームのフレーム番号として表わされてもよい。この方法は、２つのフレーム時間の時間差と、補償のために選択される像のフレーム時間とを決定する。一実施形態では、過剰信号Ｓ_Eの推定は、パワーファンクションを使用して行なわれてもよい。このパワーファンクションは、２つの基準像フレームの少なくとも１つの全測定信号Ｓ_Tと、２つの基準像フレーム間の時間差とを使用して、係数を決定する。次いで、この係数に経時変化代数減衰を乗算して、過剰信号Ｓ_Eが推定される。別の実施形態では、過剰信号Ｓ_Eは、ルックアップテーブルを使用して推定されてもよい。ルックアップテーブルを使用する１つの例は、２つの基準像フレームのうちの少なくとも１つのフレームのフレーム番号及び測定信号Ｓ_Tを使用して、過剰信号Ｓ_Eを推定するように、予め計算された過剰信号Ｓ_PREをインデックスすることを含む。この実施形態では、フレーム番号は、２つの基準像フレームのフレーム時間の時間差を使用して決定されることに注意されたい。次いで、この時間差は、フレームレートに基づいてフレーム番号に変換される。別の実施形態では、過剰信号Ｓ_Eは、反復ファンクションを使用して推定されてもよい。この反復ファンクションを使用して過剰信号Ｓ_Eを推定する一例は、選択された２つの基準像フレームのうちの少なくとも１つのフレームの測定信号Ｓ_Tと、それら２つの基準像フレームの２つのフレーム時間の時間差とを使用して、以前のフレーム係数を決定することを含む。次いで、この以前のフレーム係数を使用して、次のフレーム係数を決定する。次いで、この次のフレーム係数に基準像フレームの測定信号Ｓ_Tを乗算し、次のフレームの過剰信号Ｓ_Eを推定する。パワーファンクション、及び／又はルックアップテーブル、及び／又は反復ファンクションのいずれかを使用して、過剰信号Ｓ_Eの推定が決定されると、この方法は、その推定された過剰信号Ｓ_Eを１つの像フレームの測定信号Ｓ_Tから差し引くことを含んでもよい。１つの像フレームの全過剰信号Ｓ_Eを差し引くことで、高線量の放射線写真露出のフレームのような１又はそれ以上の以前のフレーム中に放射線の入射から「ゴースト像」として現在フレームに現われることのある著しい像エラー及び欠陥を除去することができる。

図２Ａは、像形成システムの一実施形態を示す。像形成システム２は、像形成センサアレイ１６に結合された計算装置４を備えている。像形成センサアレイ１６は、例えば、アモルファスシリコン有機半導体ＴＦＴ又はダイオードスイッチ型アレイ像形成装置でよい。図１Ａ及び１Ｂを参照して上述したように、像形成センサアレイ１６は、シンチレータを伴うｐ−ｉ−ｎホトダイオード（アモルファスシリコン又は有機半導体）のピクセル或いはバイアスされた光導体のピクセルにより形成されたキャパシタに電荷を蓄積することにより機能する。通常は、像形成センサアレイ１６の表面上に多数のピクセルが配列され、例えば、各ピクセルにおけるＴＦＴ（又は単一及び／又は二重ダイオード）が、荷電されたキャパシタを、適当な時期に電荷感知増幅器１９へ接続する。この電荷感知増幅器１９は、アナログ／デジタル（Ａ／Ｄ）コンバータ１７を駆動し、該コンバータは、次いで、増幅器１９から受信したアナログ信号を、計算装置４で処理するためにデジタル信号（例えば、Ｓ_T、Ｓ_E）へ変換する。Ａ／Ｄコンバータ１７は、例えば、Ｉ／Ｏ装置１０又は相互接続部１４を使用して計算装置４に結合することができる。Ａ／Ｄコンバータ１７及び電荷感知増幅器１９は、計算装置４又は像形成センサアレイ１６内にあってもよいし、或いは各装置の外部にあってもよい。

計算装置４は、ここに述べる過剰電荷Ｑ_Eを表わす過剰信号Ｓ_Eにより像形成センサを補正する方法を実施する。計算装置４により実行できる方法は、それ以降の図に示された方法の例においてステップとして示すコンピュータ実行可能な命令で作り上げられるコンピュータプログラムを構成する。一実施形態において、計算装置４は、プロセッサ６と、記憶装置８と、入力／出力（ＩＯ）装置１０と、メモリ１２とを備え、これらは、全て、バス又は他のデータ経路のような相互接続部１４により一緒に結合される。別の実施形態では、計算装置は、プログラマブルロジックデバイス（ＰＬＤ）又はフィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）を使用して実施されてもよく、この場合に、数学演算は、加算器、乗算器等の物理的装置により実行される。別の実施形態では、計算装置は、データ処理のための特殊な集積回路、例えば、加算器、乗算器、バススイッチ、レジスタ、ＲＡＭ、ＲＯＭ論理ゲート等を使用して実施することができる。

プロセッサ６は、任意の形式のアーキテクチャー（例えば、インテルアーキテクチャー又はサン・マイクロシステムズアーキテクチャー）、或いはハイブリッドアーキテクチャーの中央処理ユニットを表わす。更に、プロセッサ６は、１つ以上の半導体チップで実施することもできる。記憶装置８は、データ及び／又は命令、例えば、本発明の方法ステップ、を記憶するための１つ以上のメカニズムを表わす。記憶装置８は、リードオンリメモリ（ＲＯＭ）、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、磁気ディスク記憶媒体、光学記憶媒体、フラッシュメモリデバイス、及び／又は他のマシン読み取り可能な媒体を表わす。相互接続部１４は、１つ以上のバス（例えば、加速グラフィックポートバス、周辺コンポーネント相互接続バス、工業規格アーキテクチャーバス、Ｘバス、ビデオ電子規格アソシエーション関連バス、等）と、ブリッジ（バスコントローラとも称される）とを表わす。Ｉ／Ｏ装置１０は、例えば、キーボード、マウス、トラックボール又は他のポインティング装置、シリアル又はパラレル入力装置、ディスプレイモニタ、プラズマスクリーン、又は同様の従来のコンピュータＩ／Ｏ装置を含む１組の従来のコンピュータ入力及び／又は出力装置のいずれかを表わす。メモリ１２は、本発明の方法ステップに基づくプロセッサ６のプロセッサ命令及びデータを保持するための高速メモリ装置を表わす。メモリ１２は、記憶装置８について上述したメモリ装置のいずれを使用して実施されてもよい。更に、メモリ１２は、プロセッサ６に対するデータキャッシュとして使用することもできる。この実施形態は、単一プロセッサコンピュータシステムに関連して説明するが、別の実施形態では、本発明は、マルチプロセッサコンピュータシステムで実施されてもよい。

図２Ｂは、像形成装置のセンサアレイ要素の一実施形態を示す。像形成センサアレイ１６は、バイアス電圧２７と、光導体２６と、キャパシタ２８と、スイッチ３２とを含む。放射線２４（Ｘ線、α線、β線及びγ線粒子、中性子等）は、像形成センサアレイ１６の特定の実施形態に基づいて種々のエネルギーを有する。別の実施形態では、図２Ｃに示す像形成センサアレイ１６は、ホトダイオード２６ａを備え、これは、シンチレータ２６ｂからの可視光線２５を受光する。このシンチレータ２６ｂは、放射線２４（例えば、α線、β線、γ線、Ｘ線、中性子、陽子等）を受け取り、そして可視光線２５を発生する。可視光線２５は、ホトダイオード２６ａに当たり、電流Ｉ２９を発生する。

別の実施形態では、像形成センサアレイ１６は、他の構成を有してもよい。例えば、図２Ｂの光導体２６は、放射線２４を直接受け取るホトトランジスタでもよい。このような実施形態では、バイアスされたホトトランジスタに当たる放射線２４が電流Ｉ２９を発生する。

電流Ｉ２９は、キャパシタ２８を充電して、キャパシタ２８に電荷値を残し、キャパシタ２８の積分された電荷は、所与の積分時間中に光導体２６に当たる光の積分強度に比例する。キャパシタ２８は、スイッチ３２（例えば、ＴＦＴ又はスイッチングダイオード）に結合される。適当な時期に、制御入力３０（例えば、ＴＦＴのゲート）がスイッチ３２を作動して、キャパシタ２８の電荷をノード３４に読み出す。ノード３４における測定電荷Ｑ_T３６は、過剰電荷Ｑ_E３５を含むことができる。

過剰電荷Ｑ_E３５の１つのソースは、スイッチ３２である。スイッチ３２の動作は、単に説明を容易にする目的でＴＦＴに関連して以下に述べる。別の実施形態では、例えば、スイッチングダイオードのような他の形式のスイッチング装置を使用してもよく、これも、過剰電荷Ｑ_E３５のソースになり得る。キャパシタ２８の電荷値がノード３４において読み出されるときには、ゲート３０から漏れ電流が生じて、ノード３４における検出された測定電荷Ｑ_T３６に貢献する。過剰電荷Ｑ_E３５の他のソースは、キャパシタ２８及び光導体２６である。光導体２６（又はホトダイオード２６ａ）からの遅れが、１つ以上の以前のフレームの間に入射した放射線により発生される現在フレームに残された電荷から生じ、これら早期フレームの「ゴースト像」を生じさせる。更に、キャパシタ２８を完全に放電するのに読み出し中のＲＣ時定数が小さ過ぎる等の不充分さのためにキャパシタ２８の不完全な放電からも遅れが生じる。遅れソースが光導体２６からの永続的光電流である場合には、現在ピクセルにおける遅れ電荷を補償するための１つの方法は、１つ以上の以前のフレームの真の像信号Ｓ_iの一部分を、現在ピクセルの真の像信号Ｓ_iから差し引くことである。遅れソースがキャパシタ２８の不完全な読み出し放電の結果である場合には、過剰電荷Ｑ_E３５を補償するための１つの方法は、測定信号Ｓ_Tiの一部分を１つ以上の以前のフレームから差し引くことである。非直線性バックグランド信号Ｓ_NLi及び／又は遅れ信号Ｓ_LAGiで構成された過剰信号Ｓ_E（過剰電荷Ｑ_E３５を表わす）の像補正は、像形成レートが約０．１フレーム／秒では益々有用となる。過剰信号Ｓ_Eは、キャパシタ２８に結合できる他の要素から生じることもある。過剰信号Ｓ_E２３５を測定電荷Ｓ_Ti２３６から差し引くと、図２Ａの像の真の像信号Ｓ_Si２３９を与える。

図３は、アモルファスシリコンセンサからのグラフの一例で、時間と共に直線的に変化する一定電流成分をもつ推定過剰電流と、時間と共に非直線的に変化する推定経時変化電流とからの、測定キャパシタ電荷（単位フェムトクーロン即ちｆＣ）を示している。グラフ３００の横軸は、時間（単位秒）を示し、一方、縦軸は、キャパシタ電荷（単位ｆＣ）を示している。測定電荷は、通常、３０ミリ秒から１０００ミリ秒の積分時間（フレーム時間）中にキャパシタに蓄積される電荷である。

図１のＴＦＴによる測定電荷３１０は、一例では、短い時間中（例えば、５から２００マイクロ秒間）ＴＦＴをイネーブルし（これを低インピーダンス状態に入れ）、そしてセンサキャパシタに蓄積された電荷を電荷積分増幅器へ転送することにより測定される。一定電流３２０により生じる時間に伴う推定一定測定電荷は、グラフ３００に示すように、像取得時間が２０秒より長い状態で正確な推定を与える。像取得時間が２０秒より短いと、非直線性電流により生じる非直線性貢献Ｑ_NLiは、ピクセル「ｉ」電荷補正に大きな影響を及ぼす。

非直線的電荷補正Ｑ_NLi３３０に対する１つのモデリングされた式が図４に示されている。Ｉ_E（ｔ）は、時間と共に逆に変化する電流に対する１つの式で、Ｋは定数、そしてｔは時間（単位秒）である。積分時間Ｔ_iは、図６に示すように、１をフレームレートで除算することにより決定される。Ｋに対する１つの値を、図５を参照して以下に説明する。Ｑ_NLiは、ノード３４におけるピクセル「ｉ」に対する測定電荷Ｑ_Ti３６の過剰（オフセット、バックグランド又は暗）電荷Ｑ_E３５の１つの式であり、フレーム周期（積分時間）にわたり過剰電流Ｉ_E（ｔ）を積分することにより計算される。当業者であれば、Ｉ_E（ｔ）モデリングは、経時変化電流を調整するための１つの方法に過ぎないことが明らかであろう。別の実施形態では、Ｉ_E（ｔ）は、例えば、連続的な滑らかな曲線適合(smooth curve fit)のような他の方法を使用することにより推定されてもよい。更に別の実施形態では、例えば、Ｉ_E（ｔ）は、理論的なモデル式により推定される。

図５は、並列に接続された多数のＴＦＴに対して、縦軸に電流を示しそして横軸に時間を示すグラフ５００の一例である。一実施形態では、Ｋは、１０００個のＴＦＴを並列に配置して、０．０００１から１０秒まで変化する時間で電流を測定することにより決定されてもよい。グラフ５００では、時間に対して対数スケールを使用し、〜Ｔ^-1の負の傾斜をもつ直線として結果が推定される。１０００個のＴＦＴで除算すると、１０^-15Ａ（アンペア）が生じ、これは、定数Ｋの１つの値である。当業者であれば、Ｋの値を決定するための他の方法も使用できることが明らかであろう。一実施形態では、例えば、ＴＦＴの理論値からＫが導出される。別の実施形態では、本発明を実施すべきシステムから過剰電流を測定することによりＫが導出されてもよい。

経時変化する過剰電流をモデリングする付加的な方法は、次のものを含む。

式（１）において、ｎは、０より大きくても小さくてもよいが、０又は１に等しくはない。定数Ａは、理論的に決定されてもよいし、或いは測定データとの比較により決定されてもよい。ある典型的なｎ個の値は、例えば、−０．３、−０．５、−１．０及び−１．３である。

式（２）において、Ｂ_i及びＤ_iは定数であり、そしてｍ及びｎは整数である。Ｂ_i、Ｄ_i、ｍ及びｎは、理論的に決定されてもよいし、或いは測定データとの比較により決定されてもよい。

式（３）において、Ｆ_iは定数であり、そしてｍ及びｎは整数である。Ｆ_i、ｍ及びｎは、理論的に決定されてもよいし、或いは測定データとの比較により決定されてもよい。

式（４）において、Ｇ_nは、１／２Ｔと、ｘに対するＩ_E（ｘ）ｅ^-inπx/Tの整数（−Ｔ_iから＋Ｔ_iまでの）との積に等しく、Ｔ_iは、当該積分時間インターバルであり、そしてｎは、計算されたＩ_E（Ｔ_i）値が、観察された値を希望の精度で近似するに充分なほど大きな整数である。

図６は、フレームレートを積分時間に相関させるテーブルである。積分時間（Ｔ_i）は、１をフレームレートで除算したものである。例えば、０．１フレーム／秒（ＦＰＳ）のフレームレートは、１０秒の積分時間を生じ、１ＦＰＳのフレームレートは、１秒の積分時間を生じ、３０ＦＰＳのフレームレートは、０．０３３秒の積分時間を生じ、そして１００ＦＰＳのフレームレートは、０．００１秒の積分時間を生じる。

図７は、Ａ／Ｄコンバータ１９から出力された過剰信号Ｓ_E（像形成センサアレイ１６により捕獲されたフレームのピクセルにおけるＱ_E３５を表わす）を推定し、そしてその捕獲されたフレームのピクセルにおける過剰信号Ｓ_Eを補償する方法の一実施形態を示すフローチャートである。ここに述べる方法は、過剰信号Ｓ_E２３５を発生するように計算装置４により実施できることに注意されたい。積分時間は、ステップ７００において、フレームレートに基づいて決定される。図６に示されたように、積分時間は、フレームレートの逆数である。当業者であれば、積分時間は、積分以外の方法にも使用されることが明らかであろう。

この方法は、ステップ７１０において、例えば、図５を参照して上述したようにＫの値を決定する。ステップ７２０において、直線的及び非直線的バックグランド信号Ｓ_NL、及び／又は非直線的遅れ信号Ｓ_LAGで構成される過剰信号Ｓ_E２３５の推定値が、定数（Ｋ）値及びフレームレートに基づいて、計算される。一実施形態では、過剰信号Ｓ_E２３５は、例えば、図４を参照して上述したように、決定されたＫの値で、積分時間（Ｔ）（フレームレートの逆数）にわたり、Ｉ_E（ｔ）を積分することにより計算することができる。別の実施形態では、過剰信号Ｓ_E２３５は、一連のステップにわたりＩ_E（ｔ）を加算することにより計算することができる。ステップ７３０では、過剰信号Ｓ_E２３５の推定値が測定信号Ｓ_T２３６から差し引かされる。測定信号Ｓ_T２３６は、例えば、適当な時期に図２Ｂのノード３４から読み出された測定電荷Ｑ_T３６を表わすもので、図２Ｂのキャパシタ２８に蓄積された電荷からの貢献と、フレームレートが２０秒／フレームより低い場合のＴＦＴ３２からの非直線的電荷貢献（過剰電流３５）とを含む（図１を参照）。ステップ７３０の結果は、遅れ貢献を構成する１つ以上の以前のフレームからの、ホトダイオード２６ａに入射する放射線により生じる過剰信号Ｓ_E２３５の推定を含む。別の実施形態では、プロセッサ６は、過剰信号Ｓ_E２３５の推定をフレームレートに基づく積分時間値に対して記憶しているルックアップテーブルを使用してもよい。

図８は、１つの基準像フレームを使用して像形成センサアレイ１６により捕獲された１つのフレームのピクセルから過剰信号Ｓ_E２３５を推定し、そしてその捕獲されたフレームのピクセルからの過剰信号Ｓ_E２３５を補償する方法の一実施形態を示すフローチャートである。上記基準像フレームの各ピクセルは、測定信号Ｓ_T２３６を有する。過剰信号Ｓ_E２３５は、上記基準像フレームの各ピクセルからの測定信号Ｓ_T２３６と、高線量の放射線写真像の露出終了と補正像フレームのフレーム時間との時間差とを使用して推定することができる。推定された過剰信号Ｓ_E２３５は、次いで、補正像フレームの測定信号Ｓ_Tから差し引かれ、真の像信号Ｓ_S２３９を発生する。

一実施形態では、過剰信号Ｓ_E２３５は、パワーファンクション（以下に述べる）を使用して推定されてもよい。別の実施形態では、過剰信号Ｓ_E２３５は、ルックアップテーブル（以下に述べる）を使用して推定されてもよい。先ず、この方法は、ステップ８００において、フレームレートを選択する。ステップ８１０では、測定信号Ｓ_T２３６の１つの不飽和、非露出の像フレームが、１つの基準像フレームとして選択される。ステップ８２０において、この方法は、上記選択された基準像フレームのフレーム時間と、高線量放射線写真像の露出時間終了との間の時間差を決定する。この時間差は、フレームレートを使用して決定されてもよい。別の実施形態では、時間がフレーム番号として表わされてもよい。ステップ８３０では、１つの像フレームの過剰信号Ｓ_E２３５は、上記基準像フレームの測定信号Ｓ_T２３６と、露出時間終了と補正像フレームのフレーム時間との間の時間差とを使用して推定される。この方法は、ステップ８４０において、像フレームの推定された過剰信号Ｓ_E２３５を、補正像フレームの測定信号Ｓ_T２３６から差し引いて、真の像信号Ｓ_S２３９を発生する。この方法は、像フレームの全ピクセルに対して繰り返されることに注意されたい。フレームの各ピクセルの真の像信号Ｓ_S２３９は、１又はそれ以上の以前のフレームの間に入射する放射線から「ゴースト」像として像フレームに現われることのある著しい像エラー及び欠陥を伴わずに補正像フレームを与える。

図９は、２つの基準像フレームを使用して像形成センサアレイ１６により発生されたフレームのピクセルにおける過剰信号Ｓ_E２３５を推定し、そして捕獲されたフレームのピクセルにおける過剰信号Ｓ_E２３５を補償する方法の一実施形態を示すフローチャートである。第１及び第２の基準像フレームの各ピクセルは、それに対応する測定信号Ｓ_T２３６を有する。過剰信号Ｓ_E２３５は、第１基準像フレームの各ピクセルの測定信号Ｓ_T２３６と、第２基準像フレームの各ピクセルの測定信号Ｓ_T２３６と、第１基準像フレームの第１フレーム時間と第２基準像フレームの第２フレーム時間との間の時間差と、第１又は第２の基準像フレームのフレーム時間と補正されるべき捕獲された像フレームのフレーム時間との間の時間差とを使用して、推定されてもよい。推定された過剰信号Ｓ_E２３５は、次いで、補正像フレームの測定信号Ｓ_T２３６から差し引かれて、真の像信号Ｓ_S２３９を発生する。過剰信号Ｓ_E２３５のソースは、例えば、像形成センサアレイ１６のキャパシタ２８及び／又は光導体２６からの漏れ電流、暗／オフセット電流及び遅れ電流からの貢献である。放射線写真像から残留する過剰電荷Ｑ_E３５は、その後の透視像に「ゴースト」像を形成し得ることに注意されたい。過剰電荷Ｑ_E３５を表わす信号Ｓ_E２３５を推定して補償することで、以前のフレームにより表わされる残留「ゴースト」像を減少する。

一実施形態において、過剰信号Ｓ_E２３５は、パワーファンクション（以下に述べる）を使用して推定されてもよい。一実施形態において、過剰信号Ｓ_E２３５は、ルックアップテーブル（以下に述べる）を使用して推定されてもよい。先ず、この方法は、ステップ９００において、フレームレートを選択する。ステップ９１０では、２つの不飽和、非露出の像フレームが、第１及び第２の基準像フレームとして選択される。ステップ９２０において、この方法は、第１の基準像フレームの第１フレーム時間と、第２の基準像フレームの第２フレーム時間との間の時間差を決定する。この時間差は、フレームレートを使用して決定されてもよい。別の実施形態では、時間は、フレーム番号として表わされてもよい。ステップ９３０において、像フレームの過剰信号Ｓ_E２３５は、第１及び第２の基準像フレームの測定信号Ｓ_T２３６と、第１及び／又は第２フレーム時間と補償のために選択されたフレームとの間の時間差と、の少なくとも１つを使用して推定される。この方法は、ステップ９４０において、像フレームの推定された過剰信号Ｓ_E２３５を、像フレームの測定信号Ｓ_T２３６から差し引いて、真の像信号Ｓ_S２３９を発生する。この方法は、像フレームの全てのピクセルに対して繰り返されることに注意されたい。フレームの各ピクセルの真の像信号Ｓ_S２３９は、１つ以上の以前のフレームの間に入射する放射線から「ゴースト」像として像フレームに現われることのある著しい像エラー及び欠陥を伴わずに補正像フレームを与える。

図１０Ａ及び１０Ｂは、透視像フレームの一例で、像Ｆ１０００における過剰信号Ｓ_E２３５を補償して、真の像Ｆ１０１０を発生するところを示す。図１０Ａ及び１０Ｂは、放射線写真の露出の直後に取得された同じ透視フレーム、即ち補償されない像フレームＦ１０００及び補償された像フレームＦ１０１０を含む。放射線写真の露出に対し、２０ｃｍのアクリルが像形成センサアレイ１６上にある角度で配置された。放射線写真露出の約３秒後に、アクリルブロックを移動し、像形成センサアレイ１６の水平の向きに整列させて、透視像の取得を開始した。補償されないフレームＦ１０００は、放射線写真露出の約１３秒後に取得された。図１０Ａの左上隅及び右下隅の明るい三角形領域１０２０は、放射線写真「ゴースト」の信号貢献によるものである。図１０Ｂの補償されたフレームＦ１０１０は、図１０Ａで使用されたものと同じウインドウ及びレベルを使用する。図１０Ｂの三角形領域１０３０は、図１０Ａの三角形領域１０２０に比してほとんど見えない。

図１１Ａ及び１１Ｂは、透視像フレームの一例で、像Ｇ１１００における信号Ｓ_E２３５を補償して、骨盤模型の真の像Ｇ１１１０を形成するところを示す。図１１Ａ及び１１Ｂは、放射線写真の露出の直後に取得された同じ透視フレーム、即ち補償されない像フレームＧ１１００及び補償された像フレームＧ１１１０を含む。図１１Ａに示された補償されないフレームＧ１１００は、放射線写真の「ゴースト」からの信号貢献が目に見える像欠陥１１４０を導入する領域１１３０を示している。図１１Ｂは、補償されない像フレームＧ１１００における信号Ｓ_E２３５を推定して補償した後の補償された像フレームＧ１１１０を示している。信号Ｓ_E２３５の補償は、図１１Ａの領域１１３０の欠陥１１４０を減少する。

図１２は、測定信号レベルを像形成システム２の時間の関数として示すグラフ１２００の一例である。測定信号レベルは、時間的に、２つの段階を有する。第１段階は、像形成システム２の不飽和露出像１２１１の露出時間Ｔ_exp１２２０中の測定信号である。測定信号レベルの第２段階は、露出時間Ｔ_exp１２２０の終了後の不飽和の過剰信号１２１２を示す。測定信号Ｓ_T２３６は、図２Ａ−２Ｃを参照して既に述べたように、ノード３４における測定電荷のＡ／Ｄ変換により得られる。

図１２の高線量の不飽和露出像１２１１の測定信号Ｓ_T２３６は、荷電レベルＬ_ref１２５１において一定ラインであるとして表わされている。別の実施形態では、測定された高線量の不飽和露出像１２１１は、経時変化関数として示すこともできる。高線量の不飽和露出像１２１１の測定電荷は、信号飽和レベルＬ_SAT１２３１より低い電荷レベルＬ_ref１２５１において測定される。不飽和過剰信号１２１２は、露出時間Ｔ_exp１２２０の終了後の過剰信号の量である。過剰信号１２１２のソースは、例えば、像形成センサアレイ１６のキャパシタ２８及び／又は光導体２６及び／又はスイッチ３２からの漏れ電流、暗／オフセット電流、及び遅れ貢献電流である。過剰信号１２１２による貢献は、もし除去されないと、その後の像に「ゴースト」を導入する。

グラフ１２００は、高線量の不飽和露出像１２１１の露出時間Ｔ_exp１２２０の終了後に非直線的減衰応答を有する不飽和過剰信号１２１２を示す。例示的な不飽和過剰信号１２１２は、自動的に減衰を開始する。というのは、測定された高線量の不飽和露出像１２１１は、不飽和信号レベルＬ_ref１２５１にあるからである（Ｌ_ref１２５１は、現在飽和レベルＬ_SAT１２３１より低い）。図８を参照して述べた方法は、不飽和過剰信号１２１２を使用して、その後のフレームの過剰信号Ｓ_E２３５を推定するものである。図８で述べたように、ステップ８１０において、不飽和基準像フレームが選択される。基準像フレームＦ_ref1１２４０が図１２に示されている。この方法は、ステップ８２０で決定された、測定された不飽和電荷レベルＬ_D1１２４１及び時間差ｔ_D1１２６０を使用して、ステップ８３０において、過剰信号を推定する。この方法は、ステップ８４０において、推定された過剰信号Ｓ_E２３５を差し引いて、測定信号Ｓ_T２３６を補償し、像形成システム２から出力される真の像Ｓ_S２３９を発生する。時間差ｔ_D1１２６０は、ステップ８２０において、測定された不飽和過剰信号１２１２の基準像フレームＦ_ref1１２４０のフレーム時間Ｔ_ref1１２３０を、露出時間Ｔ_exp１２２０の終了から差し引くことにより決定される。一実施形態では、過剰信号Ｓ_E２３５は、図７を参照して既に述べたように、積分時間の関数において時間差ｔ_D1１２６０及び基準像フレームＦ_ref1１２４０の測定されたＬ_D1１２４１を使用して推定することができる。別の実施形態では、過剰信号Ｓ_E２３５は、パワーファンクションにおいて時間差ｔ_D1１２６０及び基準像フレームＦ_ref1１２４０の測定されたＬ_D1１２４１を使用して推定することができる。更に別の実施形態では、過剰信号Ｓ_E２３５は、ルックアップテーブルにおいて時間差ｔ_D1１２６０及び基準像フレームＦ_ref1１２４０の測定されたＬ_D1１２４１を使用して推定することができる。別の実施形態では、過剰信号Ｓ_E２３５は、パワーファンクション及びルックアップテーブルを使用して決定することができる。別の実施形態では、時間差ｔ_D1１２６０、露出時間Ｔ_exp１２２０の終了、及び基準像フレームＦ_ref1１２４０のフレーム時間Ｔ_ref1１２３０は、フレーム番号に関するものでよい。フレーム番号は、当業者に良く知られたように、フレームレートを使用して計算されてもよい。

図１３は、像形成システム２の時間の関数として測定信号レベルを示すグラフ１３００の一例である。測定信号Ｓ_T２３６は、時間的に、３つの段階を有する。第１段階は、高線量の飽和露出像１３１１の露出時間Ｔ_exp１３２０の終了までの測定信号である。測定信号Ｓ_T２３６の第２段階は、露出時間Ｔ_exp１３２０の終了後の飽和過剰信号１３１２を示している。測定信号Ｓ_T２３６第３段階は、飽和時間Ｔ_SAT１３２１の終了後の不飽和過剰信号１３１３を示す。測定信号Ｓ_T２３６は、図１２を参照して述べたのと同様に得られる。

図１３の高線量の飽和露出像１３１１の測定信号Ｓ_T２３６は、それが信号飽和レベルＬ_SAT１３３１で飽和されるので、一定のラインとして表わされる。又、測定された飽和過剰信号１３１２も、信号飽和レベルＬ_SAT１３３１で飽和され、飽和時間Ｔ_SAT１３２１の終りまで一定ラインとして表わされる。

グラフ１３００は、高線量の不飽和露出像１３１１の露出時間Ｔ_exp１３２０の終了後に非直線的減衰応答を有する不飽和過剰信号１３１３を示している。図８を参照して述べた方法は、測定された不飽和過剰信号Ｓ_Tを使用して、その後のフレームの過剰信号Ｓ_E２３５を推定する。図８で述べたように、ステップ８１０において不飽和基準像フレームが選択される。基準像フレーム信号Ｆ_ref1１３４０が図１３に示されている。この方法は、ステップ８２０で決定された、測定された不飽和信号レベルＬ_D1１３６１、時間差ｔ_D1１３６０、及び露出時間Ｔ_expの終了と補正（補償）されているフレームの時間との間の時間差を使用して、ステップ８３０において過剰信号Ｓ_E２３５を推定する。この方法は、ステップ８４０において、推定された過剰信号Ｓ_E２３５を差し引いて、測定された不飽和信号１３１３を補償し、像形成システム２から出力される真の像Ｓ_S２３９を発生する。時間差ｔ_D1１３６０は、ステップ８２０において、測定された不飽和過剰信号１３１３の基準像フレーム信号Ｆ_ref1１３４０のフレーム時間Ｔ_ref1１３３０を、露出時間Ｔ_exp１３２０の終了から差し引くことにより決定される。一実施形態では、過剰信号Ｓ_E２３５は、図７を参照して既に述べたように、積分時間の関数において時間差ｔ_D1１３６０及び基準像フレーム信号Ｆ_ref1１３４０の測定された信号レベルＬ_D1１３６１を使用して推定することができる。別の実施形態では、過剰信号Ｓ_E２３５は、パワーファンクションにおいて時間差ｔ_D3１３６０及び基準像フレーム信号Ｆ_ref1１３４０の測定された信号レベルＬ_D1１３６１を使用して推定することができる。更に別の実施形態では、過剰信号Ｓ_E２３５は、ルックアップテーブルにおいて時間差ｔ_D3１３６０及び基準像フレームＦ_ref1１３４０の測定された信号レベルＬ_D1１３６１を使用して推定することができる。別の実施形態では、過剰信号Ｓ_E２３５は、パワーファンクション及びルックアップテーブルを使用して決定することができる。別の実施形態では、時間差ｔ_D3１３６０、露出時間Ｔ_exp１３２０の終了、飽和時間Ｔ_SAT１３２１の終了、及び基準像フレームＦ_ref1１３４０のフレーム時間Ｔ_ref1１３３０、並びに露出時間Ｔ_exp１３２０の終了と補正されるべき像フレームの時間との間の時間差は、フレーム番号に関するものでよい。フレーム番号は、当業者に良く知られたように、フレームレートを使用して計算されてもよい。

図１４は、測定信号レベルを時間の関数として示すグラフ１４００の一例である。測定信号Ｓ_T２３６は、時間的に、３つの段階を有する。第１段階は、高線量の飽和露出像１４１０の露出時間Ｔ_exp１４２０の終了までの測定信号Ｓ_T２３６である。測定信号Ｓ_T２３６の第２段階は、露出時間Ｔ_exp１４２０の終了後の飽和過剰信号Ｓ_E１４１２を示している。測定信号Ｓ_T２３６第３段階は、飽和時間Ｔ_SAT１４２１の終了後の不飽和過剰信号Ｓ_E１４１３を示す。測定信号Ｓ_T２３６は、図１２を参照して述べたのと同様に得られる。図１４の高線量の飽和露出像１４１０の測定電荷は、信号飽和レベルＬ_SAT１４３１において信号が飽和するので、一定のラインとして表わされる。又、測定された飽和過剰信号１４１２も、信号飽和レベルＬ_SAT１４３１で飽和し、飽和時間Ｔ_SAT１４２１の終了まで一定ラインとして表わされる。

グラフ１４００は、高線量の不飽和露出像１４１１の飽和時間Ｔ_SAT１４２１の終了後に非直線的減衰応答を有する測定された不飽和過剰信号１４１３を示している。図９を参照して述べた方法は、この測定された不飽和過剰信号１４１３を使用して、その後のフレームの過剰信号Ｓ_E２３５を推定する。図９で述べたように、ステップ９１０において、２つの不飽和基準像フレームが選択される。第１の基準像フレームＦ_ref1１４４０及び第２の基準像フレームＦ_ref2１４４１が図１４に示されている。この方法は、ステップ９２０で決定された、測定された不飽和信号レベルＬ_D1１４８１及びＬ_D2１４９１、時間差ｔ_D3１４６０、及び第１又は第２の基準フレームの時間と補正されるべき像フレームの時間との間の時間差を使用して、ステップ９３０において、過剰信号Ｓ_E２３５を推定する。この方法は、推定された信号Ｓ_E２３５をステップ９４０において差し引いて、測定された過剰信号１４１３を補償し、真の像電荷Ｓ_S２３９を発生する。時間差ｔ_D3１４６０は、ステップ９２０において、基準像フレームＦ_ref1１４４０の第１フレーム時間Ｔ_ref1１４３０を、測定された不飽和過剰信号１４１３の基準像フレームＦ_ref2１４４１の第２フレーム時間Ｔ_ref2１４３１から差し引くことにより決定される。一実施形態では、過剰信号Ｓ_E２３５は、図７を参照して既に述べたように、積分時間の関数において、時間差ｔ_D3１４６０、基準像フレームＦ_ref1１４４０及びＦ_ref2１４４１の測定された信号レベルＬ_D1１４８１及びＬ_D2１４９１、並びに第１又は第２の基準フレームの時間と補正されるべき像フレームの時間との間の時間差を使用して推定することができる。別の実施形態では、過剰信号Ｓ_E２３５は、パワーファンクションにおいて、時間差ｔ_D3１４６０、基準像フレームＦ_ref1１４４０及びＦ_ref2１４４１の測定信号レベルＬ_D1１４８１及びＬ_D2１４９１、並びに第１又は第２の基準フレームの時間と補正されるべき像フレームの時間との間の時間差を使用して推定することができる。更に別の実施形態では、過剰信号Ｓ_E２３５は、ルックアップテーブルにおいて、時間差ｔ_D3１４６０、基準像フレームＦ_ref1１４４０及びＦ_ref2１４４１の測定信号レベルＬ_D1１４８１及びＬ_D2１４９１、並びに第１又は第２の基準フレームの時間と補正されるべき像フレームの時間との間の時間差を使用して推定することができる。更に別の実施形態では、過剰信号Ｓ_E２３５は、反復ファンクションにおいて、時間差ｔ_D3１４６０、基準像フレームＦ_ref1１４４０及びＦ_ref2１４４１の測定信号レベルＬ_D1１４８１及びＬ_D2１４９１、並びに第１又は第２の基準フレームの時間と補正されるべき像フレームの時間との間の時間差を使用して推定することができる。

別の実施形態では、時間差ｔ_D3１４６０、露出時間Ｔ_exp１４２０の終了、時間差ｔ_D1１４５１、時間差ｔ_D2１４５２、飽和時間Ｔ_SAT１４２１の終了、第１基準像フレームＦ_ref1１４４０の第１フレーム時間Ｔ_ref1１４３０、第２基準像フレームＦ_ref2１４４１の第２フレーム時間Ｔ_ref2１４３１、及び第１又は第２の基準フレームの時間と補正されるべき像フレームの時間との間の時間差は、フレーム番号に関するものでもよい。フレーム番号は、当業者に知られたように、フレームレートを使用して計算できる。

一実施形態では、図８、９、１２、１３及び１４を参照して述べたように、過剰信号Ｓ_E２３５を推定するのにパワーファンクションが使用されてもよい。パワーファンクションを使用して過剰信号Ｓ_E２３５を推定する１つの方法として次の説明及び式が使用される。パワーファンクションは、測定信号Ｓ２３６の過剰信号Ｓ_E２３５を推定する。パワーファンクションを使用して、測定信号Ｓ_T２３６の過剰信号Ｓ_E２３５を補償した後に、過剰信号Ｓ_E２３５が測定信号Ｓ_T２３６から差し引かれて、以前の放射線写真像フレームからの「ゴースト」像を伴わずに、補正された真の像信号Ｓ_S２３９が発生される。過剰信号Ｓ_E２３５のパワーファンクション推定は、フレームのピクセルごとに行なわれてもよいことに注意されたい。又、過剰信号Ｓ_E２３５の補償も、フレームのピクセルごとに行なわれて、真の像信号Ｓ_S２３９を形成することができる。

パワーファンクション近似の一例を以下の式で示す。

式（５）は、図１２、１３及び１４に各々示された過剰信号Ｓ_E１２１２、１３１３及び１４１３を近似する。Ｓ_E（ｔ）は、推定された過剰信号１２１２、１３１３及び１４１３を表わす。指数αは、広範囲な放射線写真露出に対して一定であると仮定できる。連続時間変数ｔは、露出時間Ｔ_exp１２２０、１３２０及び１４２０の終了後の時間である。Ｓ_E（ｔ₀）は、過剰信号１２１２、１３１３又は１４１３の遅れ基準定数を表わす。定数Ｓ_E（ｔ₀）は、各々の放射線写真露出にとって独特である。別の実施形態では、式（５）の連続時間変数ｔは、式（６）のように離散的フレーム時間ｎＴと置き換えられてもよい。Ｔは、式（７）のように像形成センサアレイ１６のフレームレートの逆数である。変数ｎは、離散的フレーム時間ｎＴが露出時間Ｔ_exp１２２０、１３２０及び１４２０の終了より長いように正の整数である。式（６）は、この置き換えを示すと共に、像形成センサアレイ１６の個別の特性を示す。

式（８）は、像Ｆの過剰信号Ｓ_EをフレームＦの測定信号Ｓ_T３６からいかに差し引いて、補償された信号Ｓ_S（ｔ）を得るか示している。Ｓ_S（ｔ）は、補償後のフレームＦの電荷を時間の関数として示す。Ｓ_T（ｔ）は、補償前のフレームＦの測定電荷をＴ_exp１２２０、１３２０及び１４２０後の特定時点において表わしている。Ｓ_E（ｔ）は、式（５）について述べたように、そして図１２、１３及び１４に各々示すように、時間の関数としての過剰信号１２１２、１３１３及び１４１３の近似を表わす。２つの式（５）及び（８）を結合すると、式（９）になる。

式（１０）は、像Ｆの過剰信号Ｓ_EをフレームＦの測定信号Ｓ_T２６からいかに差し引いて、その過剰信号Ｓ_E２３５をフレーム番号の関数として補償するかを示す。Ｓ_S（ｎＴ）は、フレーム番号の関数として補償した後のフレームＦの電荷を示す。Ｓ_T（ｎＴ）は、特定フレームに対する補償後のフレームＦの測定信号Ｓ_T２３６を示す。Ｓ_E（ｎＴ）は、式（６）について述べたように、フレーム番号の関数としての過剰信号１２１２、１３１３及び１４１３の近似を表わす。式（６）と（１０）を結合すると、式（１１）となる。

式（１２）は、時間基準ｔ_D1が既知である場合に遅れ基準定数Ｓ_E（ｔ₀）をいかに導出するかを示す。時間基準ｔ_D1は、式（１３）に示すように、露出時間Ｔ_expの終了と、取得した第１基準像フレームＴ_ref1の基準時間との時間差を表わす。ｔ_D1は、例えば、図１２及び１３に、時間基準ｔ_D1１２６０及び時間基準ｔ_D1１３６０として各々示されている。図１２及び１３の信号レベルＬ_D1１２４１及び信号レベルＬ_D1１３６１は、取得した基準像フレームＦ_ref1１２４０及びＦ_ref1１３４０の測定信号を各々表わす。式（９）と（１２）を結合すると、式（１４）となる。式（１２）、（１３）及び（１４）の変数ｔは、離散的フレーム時間ｎＴにおいて特定フレーム番号に関するものでもよいことに注意されたい。離散的フレーム時間ｎＴにおける特定フレーム番号は、正の整数のフレーム番号ｎと、フレームレートの逆数Ｔとで決定される（式（７）を参照）。

式（１５）は、図１４の放射線写真露出時間Ｔ_exp１４２０の終了と、時間基準Ｔ_ref1１４３０及びＴ_ref2１４３１との間に経過する時間が未知である場合に、式（１２）に使用される時間ｔ_D1をいかに近似して遅れ基準定数Ｓ_E（ｔ₀）を計算するかを示す。時間差ｔ_D3１４６０は、第１基準像フレーム１４４０の第１フレーム時間Ｔ_ref1１４３０と、第２基準像フレーム１４４１の第２フレーム時間Ｔ_ref2１４３１との間の時間差である（式（１５））。信号レベルＬ_D1は、第１基準像フレームＦ_ref1１４４０の測定電荷を表わす。信号レベルＬ_D2は、第２基準像フレームＦ_ref2１４９０の測定電荷を表わす。時間差ｔ_D3１４６０は、フレームレートの逆数（式（７））である式（１５）の時間Ｔに等しくセットされ、次いで、式（１２）と（１４）を結合して、式（１７）とする。式（１７）の変数ｋは、１でスタートする正の整数を表わす。式（１７）の信号レベルＬ_D(k+1)は、次のフレームに対する推定過剰信号Ｓ_E２３５を表わす。式（１７）の定数αの測定値は、像形成センサアレイ１６において１．０５から１．０８の範囲である。一実施形態では、ハードウェア実施を簡単にするために、定数αを１．０に等しくセットしてもよい。定数αを数字１．０に置き換えた簡単な式（１７）が、式（１８）で示されている。

図１５は、所与の時間に測定信号を使用して予め計算された推定過剰信号をインデックスするのに使用されるルックアップテーブルの一例を示す。選択された過剰信号は、次いで、測定信号において補償されて、真の像信号が発生される。ルックアップテーブルは、一実施形態では、時間の関数として過剰信号Ｓ_Eを推定するために、予め計算された過剰信号をインデックスするのに使用される。別の実施形態では、ルックアップテーブルは、フレーム番号の関数として過剰信号Ｓ_Eを推定するために、予め計算された過剰信号をインデックスするのに使用される。基準像フレームのフレーム番号及び測定電荷は、それに対応する予め計算された過剰電荷をインデックスするのに使用される。インデックスされた予め計算された過剰信号は、像の測定信号から差し引かれて、真の像信号Ｓ_Sを発生する。予め計算された過剰信号は、ピクセルごとにインデックスできることに注意されたい。各ピクセルの真の像信号Ｓ_Sは、真の像フレーム信号を形成する。

一実施形態では、ルックアップテーブル１５００は、フレーム番号１５１０及び測定された基準像フレーム信号１５２０を使用して、予め計算された過剰信号Ｓ_PRE１５３０をインデックスすることができる。フレーム番号１５１０は、図１２、１３及び１４のフレーム時間Ｔ_ref1１２３０、Ｔ_ref1１３３０、Ｔ_ref1１４３０、及びＴ_ref1１４３１に対応する。測定された基準像フレーム信号１５２０は、選択された基準像フレーム１２４０、１３４０、１４４０及び１４４１の測定信号レベルＬ_D1１２４１、Ｌ_D1１３６１、Ｌ_D1１４８１及びＬ_D2１４９１に対応する。予め計算された過剰信号Ｓ_PRE１５３０は、一実施形態では、図４の積分関数を使用した過剰信号Ｓ_E２３５の予め計算された推定値である。別の実施形態では、予め計算された過剰信号Ｓ_PRE１５３０は、パワーファンクションを使用して予め計算されてもよい。別の実施形態では、予め計算された過剰信号Ｓ_PRE１５３０は、非直線的動作範囲を経てセンサアレイの振舞いをテストすることにより予め計算されてもよい。更に別の実施形態では、予め計算された過剰信号Ｓ_PRE１５３０は、非直線的動作範囲を経てセンサアレイの振舞いをシミュレーションすることにより決定されてもよい。更に別の実施形態では、予め計算された過剰信号Ｓ_PRE１５３０は、非直線的動作範囲を経てセンサアレイの振舞いを理論付けることにより決定されてもよい。次いで、予め計算された過剰信号Ｓ_PRE１５３０を像フレームの測定信号Ｓ_T２３６から差し引いて、測定信号Ｓ_T２３６に存在する過剰信号Ｓ_E２３５を補償することができる。

別の実施形態では、過剰信号Ｓ_E２３５の推定に反復ファンクションを使用することもできる。以下の説明及び式は、反復ファンクションを使用して過剰信号Ｓ_E２３５を推定する１つの方法として使用される。反復ファンクションは、以前のフレーム（Ｎ−１）の計算された過剰信号Ｓ_E２３５と、補正されるべき各連続フレームに対して再計算された係数αとを使用して、補正されるべきフレーム（Ｎ）の過剰信号Ｓ_E２３５を推定する。補正されるべき第１フレームに対する係数αは、２つの以前の連続基準フレームの測定信号Ｓ_T２３６を使用して決定される。反復ファンクションを使用して過剰信号Ｓ_E２３５を推定した後に、過剰信号Ｓ_E２３５をフレームの測定信号Ｓ_T２３６から差し引いて、以前の放射線写真像フレームにより導入されることのある「ゴースト」像を伴わずに、補正された真の像信号を発生することができる。

反復ファンクション近似の一例がしき（１９）及び（２０）で示されている。式（１９）の反復ファンクションは、以前の遅れフレームＮ−１の過剰信号Ｓ_EN-1に係数α_Nを乗算することにより遅れフレームＮの過剰信号Ｓ_ENを計算する。係数α_Nは、式（２０）において、定数Ｋｐ及び以前のフレームα_N-1の係数を使用して計算される。定数Ｋｐは、像形成センサアレイ１６の属性に依存し、一実施形態では、０．５から１．１の範囲でよい。係数α_Nは、新たなフレームごとに計算される。

図１６Ａは、フレーム番号の関数として３つの異なる推定ファンクションを使用して補償した後の像の残留過剰信号Ｓ_E２３５を示すグラフの一例である。図１６Ａ及び１６Ｂに示された推定方法１６４０、１６５０及び１６６０から得られるエラー信号カウント１６１０は、各々、図７、８及び９に示す方法のステップ７２０、８３０及び９３０で行なわれる推定の例である。グラフ１６００ａは、過剰信号Ｓ_E２３５が補償されない像１６３０の実際の測定信号Ｓ_T２３６のエラー信号カウント１６１０を含む。又、グラフ１６００ａは、フレーム番号１６２０の関数として３つの異なる推定方法を使用して補償された後の残留過剰信号Ｓ_E２３５のエラー信号カウント１６１０も含む。３つの推定方法は、一定減衰ファンクション１６４０、パワーファンクション１６５０及び反復ファンクション１６６０である。

図１６Ｂは、図１６Ａより小さなスケールでフレーム番号の関数として２つの推定方法に対する同じ残留過剰信号Ｓ_E２３５を示す。グラフ１６００ｂは、パワーファンクション１６５０及び反復ファンクション１６６０のエラー信号カウント１６１０を示す。実際の過剰信号Ｓ_Eで、補償が行なわれないもの１６３０、及び一定減衰ファンクションによるもの１６４０は、グラフのスケールの外側であるので、グラフ１６００ｂには示されない。放射線写真／透視の混合用途では、高線量の放射線写真露出の直後に低線量の透視像が取得される。放射線写真露出からの残留過剰信号は、透視像において「ゴースト」像として現われることがある。補償後に残留過剰信号Ｓ_E２３５のエラーカウントを下げられる場合には、像に現われる「ゴースト」を補正することができる。図１６Ｂに示されたエラーカウントは、約０．５μＲ／フレームのＸ線線量に対応し、これは、像形成センサアレイ１６の透視モードに推奨される最小線量の約半分である。エラー信号カウント１６１０を、補償後に４００エラーカウント未満にすることのできる過剰信号推定方法は、以前の放射線写真露出から導入されるその後の透視像に生じることのある「ゴースト」像を減少又は補正することができる。図１６Ａの一定減衰の推定方法１６４０を使用する補償は、エラー信号カウント１６１０のレベルが４００エラーカウントより高い最大絶対大きさを有するので、過剰信号を充分に補償しないことがある。パワーファンクション１６５０及び反復ファンクション１６６０を使用した補償後の残留過剰信号は、最大絶対大きさが１０カウント未満である。エラー信号カウントが１０未満であるパワーファンクション１６５０及び反復ファンクション１６６０は、過剰信号Ｓ_E２３５により生じることのある「ゴースト」像を充分に減少又は補正することができる。

本発明の特定の方法は、一連のフローチャートを参照してコンピュータソフトウェアに関して説明した。計算装置４により実行されるべき方法は、ブロック（行動）として示されたコンピュータ実行可能な命令で作られたコンピュータプログラムを構成する。フローチャートを参照してこれらの方法を説明することで、当業者であれば、適当に構成されたコンピュータ（コンピュータ読み取り可能な媒体からの命令を実行するコンピュータの処理ユニット）でこれら方法を実行する命令を含むプログラムを開発することができよう。コンピュータ読み取り可能な命令は、コンピュータプログラミング言語で書かれてもよいし、又はプログラム可能な又は個別ロジックで実施されてもよい。確認された規格に適合するプログラミング言語で書かれる場合には、このような命令は、種々のハードウェアプラットホームで実行できると共に、種々のオペレーティングシステムへインターフェイスすることができる。更に、本発明は、特定のプログラミング言語を参照して説明していない。ここに示す本発明の教示を実施するために種々のプログラミング言語を使用できることが明らかである。更に、一般にこの分野では、ある形態又は別の形態（例えば、プログラム、手順、プロセス、アプリケーション、モジュール、ロジック・・・）で行動をとらせ又は結果を生じさせるものをソフトウェアという。このような表現は、コンピュータによるソフトウェアの実行がコンピュータのプロセッサをして行動をとらせ又は結果を生じさせることの単なる略式表現である。又、本発明の範囲から逸脱せずに、上述した方法に、より多くの又はより少数のプロセスを組み込むことができ、且つ図示して説明したブロックの配列が特定の順序を意味するものでないことが明らかであろう。

以上、特定の実施形態を参照して本発明を説明した。しかしながら、特許請求の範囲に規定された本発明の広い精神及び範囲から逸脱せずに種々の変更や修正がなされ得ることが明らかとなろう。従って、添付図面を参照した以上の説明は、本発明を単に例示するものに過ぎず、これに限定するものではない。

像形成センサアレイの従来の要素を示す図である。像形成センサアレイの別の構成を示す図である。像形成システムの一実施形態を示す図である。像形成センサアレイの一実施形態を示す図である。像形成センサアレイの他の一実施形態を示す図である。一定及び経時変化の両過剰電流成分により発生された過剰電流のグラフの一例である。経時変化過剰電流Ｉ_Eと、時間的に非直線的な過剰電荷Ｑ_Eを決定するためのその時間積分とに対する１つの表現である。並列に接続された多数のＴＦＴに対する経時変化過剰又は漏れ電流を示すグラフの一例である。フレームレートと積分時間を相関させるテーブルである。像形成システムにおいて過剰電荷を推定しそして過剰信号を補償する方法の一実施形態を示すフローチャートである。像形成システムにおいて１つの基準像フレームを使用して過剰電荷を推定しそして過剰信号を補償する方法の一実施形態を示すフローチャートである。像形成システムにおいて２つの基準像フレームを使用して過剰電荷を推定しそして過剰信号を補償する方法の一実施形態を示すフローチャートである。過剰信号を補償しない状態の放射線写真露出後の透視像フレームの一例である。過剰信号を補償した状態の放射線写真露出後の透視像フレームの一例である。過剰信号を補償しない状態の放射線写真露出後の骨盤模型の透視像フレームの一例である。過剰信号を補償した状態の放射線写真露出後の骨盤模型の透視像フレームの一例である。像形成システムにおける測定信号レベルを時間の関数として示すグラフの一例である。像形成システムにおける測定信号レベルを時間の関数として示すグラフの別の例である。像形成システムにおける測定信号レベルを時間の関数として示すグラフの別の例である。ルックアップテーブルの一例である。異なる推定方法を使用して補償した後の残留過剰信号を示すグラフの一例である。２つの推定方法の補償後の残留過剰信号を図１６Ａより小さいスケールで示すグラフの一例である。

Claims

像フレームの測定信号の少なくとも非直線的時間変化減衰応答モデルに基づいて過剰信号を推定するステップと、
前記モデルを用いて像形成システムの将来の像フレームにおける前記過剰信号を補償するステップであって、前記モデルが前記測定信号の時間変化を補償する像フレームの測定信号の表示を含むステップと、
フレームレートを選択するステップと、
を含み、
前記像形成システムにおける前記過剰信号を補償するステップが前記フレームレートに基づいて行われ、
前記像フレームにおける前記過剰信号を補償するステップが、像形成システムの非直線的な運転範囲において過剰信号の推定を決定することを含む、
ことを特徴とする方法。
前記過剰信号の推定を、前記将来の像フレームの前記測定信号から差し引くステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
前記過剰信号の推定は、第１の基準像フレームを選択することを含む、請求項２に記載の方法。
前記第１の基準像フレームは、露出された像フレームである、請求項３に記載の方法。
前記露出された像フレームは、不飽和の露出された像フレームである、請求項４に記載の方法。
前記第１の基準像フレームは、遅れ像フレームである、請求項３に記載の方法。
前記遅れ像フレームは、不飽和の遅れ像フレームである、請求項６に記載の方法。
前記過剰信号は、前記第１の基準像フレームの測定信号と、前記第１の基準像フレームのフレーム時間と放射線写真像の露出時間終了との間の時間差とを使用して推定され、前記第１の測定信号の値は、前記第１の基準像フレームのフレーム時間における前記測定信号に対応する、請求項３に記載の方法。
前記過剰信号の推定は、更に、積分時間の関数の集積として前記過剰信号を計算することを含む、請求項８に記載の方法。
前記過剰信号の推定は、更に、べき関数を使用して前記過剰信号を計算することを含む、請求項８に記載の方法。
前記べき関数は、
前記第１の基準像フレームの測定信号と、前記第１の基準像フレームのフレーム時間と放射線写真像の露出時間終了との間の時間差とを使用して係数を計算する段階と、
前記係数と不飽和像フレームのフレーム時間とを使用して前記過剰信号を計算する段階と、
を含む請求項１０に記載の方法。
前記過剰信号の推定は、更に、ルックアップテーブルから前記過剰信号を選択することを含む、請求項８に記載の方法。
前記ルックアップテーブルは、
複数のフレーム時間と、
前記複数のフレーム時間に対応する複数の測定信号と、
前記複数のフレーム時間及び前記複数の測定信号に対応する複数の予め計算された過剰信号と、
を含む請求項１２に記載の方法。
像フレームの測定信号の少なくとも非直線的時間変化減衰応答モデルに基づいて過剰信号を推定するステップと、
前記モデルを用いて像形成システムの将来の像フレームにおける前記過剰信号を補償するステップであって、前記モデルが前記測定信号の時間変化を補償する像フレームの測定信号の表示を含むステップと、
フレームレートを選択するステップと、
前記過剰信号の推定を前記将来の像フレームの前記測定信号から差し引くステップと、を含み、
前記像形成システムにおける前記過剰信号を補償するステップが前記フレームレートに基づいて行われ、
前記過剰信号を推定するステップが、更に、第１の基準像フレームを選択することを含み、
前記過剰信号が、前記第１の基準像フレームの測定信号と、該第１の基準像フレームのフレーム時間と放射線写真像の露出時間終了との間における時間差とを用いて推定され、第１の測定信号の値が、前記第１の基準像フレームのフレーム時間における前記測定信号に対応し、
前記過剰信号を推定するステップが、更に、ルックアップテーブルから前記過剰信号を選択することを含み、
前記ルックアップテーブルが、
複数のフレーム時間と、
該複数のフレーム時間に対応する複数の測定信号と、
前記複数のフレーム時間及び前記複数の測定信号に対応する複数の予め計算された過剰信号と、を含み、
前記ルックアップテーブルから前記過剰信号を選択することが、更に、前記第１の基準像フレームの前記フレーム時間及び前記測定信号を使用して前記ルックアップテーブルから第１の予め計算された過剰信号を選択することを含む、
ことを特徴とする方法。
前記複数のフレーム時間は、前記フレームレートに基づくフレーム番号である、請求項１４に記載の方法。
前記過剰信号の推定は、更に、第２の基準像フレームを選択することを含む、請求項３に記載の方法。
前記第２の基準像フレームは、露出された像フレームである、請求項１６に記載の方法。
前記露出された像フレームは、不飽和の露出された像フレームである、請求項１７に記載の方法。
前記第２の基準像フレームは、遅れ像フレームである、請求項１６に記載の方法。
前記遅れ像フレームは、不飽和の遅れ像フレームである、請求項１９に記載の方法。
前記過剰信号は、前記第１の基準像フレームの測定信号と、前記第１の基準像フレームのフレーム時間と前記第２の基準像フレームのフレーム時間との間の時間差とを使用して推定される、請求項１６に記載の方法。
前記過剰信号の推定は、更に、積分時間の関数として前記過剰信号を計算することを含む、請求項２１に記載の方法。
前記過剰信号の推定は、更に、べき関数を使用して前記過剰信号を計算することを含む、請求項２１に記載の方法。
前記べき関数は、
前記第１の基準像フレームの測定信号及び前記第２の基準像フレームの測定信号の少なくとも１つと、前記第１の基準像フレームのフレーム時間及び前記第２の基準像フレームのフレーム時間の少なくとも１つとを使用して係数を計算する段階と、
前記係数と、前記第１の基準像フレームのフレーム時間と前記第２の基準像フレームのフレーム時間との間の時間差とを使用して前記過剰信号を計算する段階と、
を含む請求項２３に記載の方法。
前記過剰信号の推定は、更に、ルックアップテーブルから前記過剰信号を選択することを含む、請求項１６に記載の方法。
前記ルックアップテーブルは、
複数のフレーム時間と、
前記複数のフレーム時間に対応する複数の測定信号と、
前記複数のフレーム時間及び前記複数の測定信号に対応する複数の予め計算された過剰信号と、
を含む請求項２５に記載の方法。
前記ルックアップテーブルからの前記過剰信号の選択は、更に、前記第１の基準像フレームの前記フレーム時間と、前記第１の基準像フレームの前記測定信号とを使用して前記ルックアップテーブルから予め計算された過剰信号を選択することを含む、請求項２６に記載の方法。
像フレームの測定信号の少なくとも非直線的時間変化減衰応答モデルに基づいて過剰信号を推定するステップと、
前記モデルを用いて像形成システムの将来の像フレームにおける前記過剰信号を補償するステップであって、前記モデルが前記測定信号の時間変化を補償する像フレームの測定信号の表示を含むステップと、
フレームレートを選択するステップと、
前記過剰信号の推定を前記将来の像フレームの前記測定信号から差し引くステップと、を含み、
前記像形成システムにおける前記過剰信号を補償するステップが前記フレームレートに基づいて行われ、
前記過剰信号を推定するステップが、更に、第１の基準像フレームを選択することを含み、
前記過剰信号を推定するステップが、更に、第２の基準像フレームを選択することを含み、
前記過剰信号を推定するステップが、更に、ルックアップテーブルから前記過剰信号を選択することを含み、
前記ルックアップテーブルが、複数のフレーム時間と、該複数のフレーム時間に対応する複数の測定信号と、前記複数のフレーム時間及び前記複数の測定信号に対応する複数の予め計算された過剰信号と、を含み、
前記ルックアップテーブルから前記過剰信号を選択することが、更に、前記第２の基準像フレームの前記フレーム時間と、前記第２の基準像フレームの前記測定信号とを使用して前記ルックアップテーブルから予め計算された過剰信号を選択することを含む、
ことを特徴とする方法。
前記複数のフレーム時間は、フレームレートに基づくフレーム番号である、請求項２６に記載の方法。
前記過剰信号の推定は、更に、反復関数を使用して次のフレームの過剰信号を計算することを含む、請求項１６に記載の方法。
前記反復関数は、
前記第１の基準像フレームの前記測定信号及び前記第２の基準像の前記測定信号を使用して第１係数を計算する段階と、
前記第１係数を使用して第２係数を計算する段階と、
前記第２係数と、前記第１の基準像信号の測定信号又は前記第２の基準像信号の測定信号の少なくとも１つとを使用して次のフレームの過剰信号を計算する段階と、
を含む請求項３０に記載の方法。
前記過剰信号の推定を前記測定信号から差し引くステップは、所与の積分時間中に光導体に当たる光の積分強度に比例する推定信号を発生する、請求項２に記載の方法。
前記過剰信号の推定は、実験で導出された過剰信号データの滑らかな曲線適合を時間の関数として積分することにより導出される、請求項２に記載の方法。
前記過剰信号の推定は、理論的モデル式を使用することにより導出される、請求項２４に記載の方法。
前記過剰信号の推定を前記測定信号から差し引くステップは、多数のフレームのピクセルに対して像形成システムのキャパシタにおける測定信号から前記過剰信号の推定を差し引くことを含む、請求項２に記載の方法。
前記過剰信号は、毎秒１／１０フレームより速いフレームレートで補償される、請求項１に記載の方法。
前記過剰信号のソースは薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）である、請求項１に記載の方法。
前記過剰信号のソースはキャパシタである、請求項１に記載の方法。
前記過剰信号のソースはホトダイオードである、請求項１に記載の方法。
前記過剰信号のソースは光導体である、請求項１に記載の方法。
前記過剰信号は漏れ電流からの貢献を含む、請求項１に記載の方法。
前記過剰信号は暗電流からの貢献を含む、請求項１に記載の方法。
前記過剰信号は遅れ電流からの貢献を含む、請求項１に記載の方法。
前記過剰信号の推定は、更に、前記過剰信号を積分時間の関数として計算しそしてルックアップテーブルを使用することを含む、請求項２に記載の方法。
前記過剰信号の推定は、更に、前記過剰信号をべき関数及びルックアップテーブルから計算することを含む、請求項２に記載の方法。
前記過剰信号の推定は、更に、前記過剰信号を積分時間の関数として計算することを含む、請求項２に記載の方法。
前記積分時間はフレームレートに基づく、請求項４６に記載の方法。
前記積分時間はフレームレートの逆数である、請求項４７に記載の方法。
一定値及びフレームレートに基づいて前記過剰信号の推定を計算するステップを更に含む、請求項４８に記載の方法。
前記一定値を決定するステップを更に含む、請求項４９に記載の方法。
前記一定値の決定は、非直線的な動作範囲を経てセンサアレイをテストすることを含む、請求項５０に記載の方法。
前記一定値の決定は、非直線的な動作範囲を経てセンサアレイの振舞いをシミュレーションすることを含む、請求項５０に記載の方法。
前記一定値の決定は、非直線的な動作範囲を経てセンサアレイの振舞いを理論付けることを含む、請求項５０に記載の方法。
前記過剰信号の推定は、更に、べき関数を使用して前記過剰信号を計算することを含む、請求項２に記載の方法。
前記べき関数は、
基準像フレーム及びフレームレートを使用して係数を計算する段階と、
前記係数及びフレームレートを使用して過剰信号を計算する段階と、
を含む請求項５４に記載の方法。
前記過剰信号の推定は、更に、ルックアップテーブルから過剰信号を選択することを含む、請求項２に記載の方法。
像フレームの測定信号の少なくとも非直線的時間変化減衰応答モデルに基づいて過剰信号を推定するステップと、
前記モデルを用いて像形成システムの将来の像フレームにおける前記過剰信号を補償するステップであって、前記モデルが前記測定信号の時間変化を補償する像フレームの測定信号の表示を含むステップと、
フレームレートを選択するステップと、
前記過剰信号の推定を前記将来の像フレームの前記測定信号から差し引くステップと、を含み、
前記像形成システムにおける前記過剰信号を補償するステップが前記フレームレートに基づいて行われ、
前記過剰信号を推定するステップが、更に、ルックアップテーブルから前記過剰信号を選択することを含み、
前記ルックアップテーブルから前記過剰信号を選択することが、更に、前記像フレームの測定信号及び前記像フレームのフレーム番号を使用して前記ルックアップテーブルから予め計算された過剰信号を選択することを含み、前記フレーム番号は、前記像フレームのフレーム時間及びフレームレートを使用して計算される、
ことを特徴とする方法。
前記過剰信号の推定は、更に、反復関数を使用して過剰信号を計算すること
を含む、請求項２に記載の方法。
前記反復関数は、第１の以前のフレーム及び第２の以前のフレームを使用して次のフレームの過剰信号を決定することを含む、請求項５８に記載の方法。
前記次のフレームの過剰信号の決定は、更に、
測定信号と、前記第１の以前のフレームのフレーム時間と前記第２の以前のフレームのフレーム時間との間の時間差とを使用して第１係数を計算する段階であって、前記測定信号は、前記第１の以前のフレームの測定信号及び前記第２の以前のフレームの測定信号の少なくとも一方に対応するものである段階と、
前記第１の係数を使用して第２の係数を計算する段階と、
前記第２係数及び測定信号を使用して次のフレームの過剰信号を計算する段階と、
を含む請求項５９に記載の方法。
像形成装置と、
該像形成装置に結合され、フレームレートに基づいて前記像形成装置における過剰信号を補償し、少なくとも非直線的時間変化減衰応答モデルに基づいて前記像形成装置の過剰信号を推定するように構成されたプロセッサとを備え、
前記モデルが前記測定信号の時間変化を補償する像フレームの測定信号の表示を含んでおり、
前記プロセッサが、前記モデルを用いて像形成システムの過剰信号を補償し、
前記プロセッサが、前記フレームレートに基づいて前記過剰信号の推定を差し引くことにより前記補償を行うように構成され、
前記過剰信号が非直線的信号である、
ことを特徴とする装置。
前記像形成装置は、
光導体と、
前記光導体に結合されたキャパシタと、
前記キャパシタに結合されたスイッチと、
を備えた請求項６１に記載の装置。
前記過剰信号は、前記スイッチに流れる電流からの電荷貢献を表わす、請求項６２に記載の装置。
前記スイッチが前記過剰信号を発生する、請求項６２に記載の装置。
前記光導体が前記過剰信号を発生する、請求項６２に記載の装置。
前記キャパシタが前記過剰信号を発生する、請求項６２に記載の装置。
前記プロセッサは、積分時間にわたって前記過剰信号を推定するように構成された、請求項６１に記載の装置。
前記プロセッサは、パワーファンクションを使用して前記過剰信号を推定するように構成された、請求項６１に記載の装置。
前記プロセッサは、ルックアップテーブルを使用して前記過剰信号を推定するように構成された、請求項６１に記載の装置。
前記プロセッサは、反復ファンクションを使用して前記過剰信号を推定するように構成された、請求項６１に記載の装置。
前記積分時間はフレームレートの逆数である、請求項６１に記載の装置。
前記フレームレートは少なくとも０．１フレーム／秒（ＦＰＳ）である、請求項６１に記載の装置。
前記像形成装置はフラットパネル像形成装置である、請求項６１に記載の装置。
前記像形成装置はアモルファスシリコンホトダイオードである、請求項７３に記載の装置。
少なくとも非直線的時間変化減衰応答モデルに基づいて像形成システムの過剰信号を推定する手段であって、前記モデルが前記測定信号の時間変化を補償する像フレームの測定信号の表示を含む手段と、
前記モデルに基づいて前記像形成システムの前記過剰信号を補償する手段と、
を備え、
前記モデルが１つの像フレームの測定信号の表示を含む、
ことを特徴とする装置。
光を受光する手段と、
前記受光した光に比例する電流を前記像形成装置に発生する手段と、
を更に備え、前記電流は過剰電流を含み、そしてこの過剰電流は、積分時間にわたる過剰電流の積分である、請求項７５に記載の装置。
前記像フレームの前記測定信号が少なくとも１つの像フレームの少なくとも１つの測定信号であり、
前記モデルが前記将来の像フレームの前記過剰信号を推定することを特徴とする請求項１に記載の方法。
前記像フレームの前記測定信号が少なくとも１つの像フレームの少なくとも１つの測定信号であり、
前記モデルが前記将来像のフレームの前記過剰信号を推定することを特徴とする請求項６１に記載の装置。
前記像フレームの前記測定信号が少なくとも１つの像フレームの少なくとも１つの測定信号であり、
前記モデルが前記将来像のフレームの前記過剰信号を推定することを特徴とする請求項７５に記載の装置。
前記モデルが１つの像フレームの測定信号の表示を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
前記モデルが１つの像フレームの測定信号の表示を含むことを特徴とする請求項６１に記載の装置。