JP4751753B2 - レンズアレイの製造方法、レンズアレイ、及び固体撮像素子 - Google Patents

レンズアレイの製造方法、レンズアレイ、及び固体撮像素子 Download PDF

Info

Publication number
JP4751753B2
JP4751753B2 JP2006105396A JP2006105396A JP4751753B2 JP 4751753 B2 JP4751753 B2 JP 4751753B2 JP 2006105396 A JP2006105396 A JP 2006105396A JP 2006105396 A JP2006105396 A JP 2006105396A JP 4751753 B2 JP4751753 B2 JP 4751753B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lens
lens array
lens material
pattern
gas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2006105396A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2007279380A (ja
Inventor
秀安 花岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Corp
Original Assignee
Fujifilm Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujifilm Corp filed Critical Fujifilm Corp
Priority to JP2006105396A priority Critical patent/JP4751753B2/ja
Publication of JP2007279380A publication Critical patent/JP2007279380A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4751753B2 publication Critical patent/JP4751753B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Description

本発明は、多数の集光レンズを配列したレンズアレイの製造方法に関する。
近年、固体撮像素子においては、ギガピクセル以上まで撮像画素数の増加が進んでおり、素子の微細化も高まる一方である。このような状況の中で、感度の向上が求められており、カラーフィルタ上に形成される最上層のオンチップレンズのみでは感度向上が図れず、オンチップレンズとセンサ部との間にさらにレンズ(層内レンズ)を形成して集光機能を高める技術が提案されている。この層内レンズの一例として、転送電極等による段差を埋めて平坦化した面上に、光入射側が凸面とされたレンズを形成する、層内上凸レンズがある。
この層内上凸レンズの製造方法の一例として、層内上凸レンズのレンズ材の膜とレジストとの積層膜をドライエッチングする方法がある。これは、レンズ材の膜を堆積し、その上にレジストをレンズの形状にパターニングし、その後ドライエッチングによりレジストによるレンズ形状をレンズ材の膜に転写する方法である。
また、レンズの焦点距離を所望の距離に広範囲で調節することによって高感度化をはかる方法も提案されている(特許文献1参照)。この方法では、層内上凸レンズ材料の層上にレンズ形状のレジストマスクを形成し、エッチバック法によりこのレジストマスクのレンズ形状を層内上凸レンズ材料の層に転写して層内上凸レンズを形成し、エッチバック量で焦点距離を調整するものである。
このように、マイクロレンズによるオンチップレンズの下に層内上凸レンズを設けることにより、入射光を2段階で集光して、より多くの光を受光部に入射させることができ、オンチップレンズのみを形成した場合と比較して、固体撮像素子の感度を向上させることができる。
特開2000−164837号公報
本発明は、層内凸レンズに代表される集光レンズを多数配列したレンズアレイを容易に製造することが可能なレンズアレイの製造方法を提供することを目的とする。
本発明のレンズアレイの製造方法は、平坦面上に多数の集光レンズを配列したレンズアレイの製造方法であって、前記平坦面上に無機のレンズ材料膜のパターンを形成するレンズパターン形成工程と、不活性ガスにCxHyFz系の反応性ガス(x>0,y≧0,z>0)を添加したガスを用いたスパッタエッチングにより、前記無機のレンズ材料膜のパターンを変形させると共に、前記反応性ガスと前記無機のレンズ材料との反応生成物を前記パターン間に堆積させて前記多数の集光レンズを形成するレンズ形成工程とを含み、前記無機のレンズ材料が酸化シリコン又は窒化シリコンであり、前記不活性ガスがアルゴンガスであり、前記反応性ガスが、CF とCHF である。
本発明のレンズアレイは、前記製造方法によって製造されたものである。
本発明の固体撮像素子は、前記レンズアレイを備える。
本発明によれば、層内凸レンズに代表される集光レンズを多数配列したレンズアレイを容易に製造することが可能なレンズアレイの製造方法を提供することができる。
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
図1は、本発明の実施形態であるCCD型固体撮像素子の層内レンズである上凸レンズの形成方法を説明するための固体撮像素子の部分断面模式図である。
上凸レンズは、例えば、シリコン基板上に形成した電荷転送電極や遮光膜による段差を絶縁膜によって埋めて平坦化した後、この平坦化された絶縁膜上に形成される。図1の符号15で示される膜が、上凸レンズの形成面を構成する平坦化された絶縁膜(以下、平坦化膜15という)である。
まず、平坦化膜15上に、酸化シリコンや窒化シリコン等の上凸レンズの材料となる無機のレンズ材料膜16を形成し、これをフォトリソ及びエッチングによってパターニングして、レンズ材料膜16のパターンを形成する(図1(a))。図1(a)において、レンズ材料膜16を、平坦化膜15の表面と、レンズ材料膜16の平坦化膜15の表面から最も遠い面との間の距離を厚みとする平坦な膜として見ると、レンズ材料膜16は、パターン間に孔部kを有する構成となっている。レンズ材料膜16のパターンは、その下方のフォトダイオードに対応したパターンとなっている。
次に、アルゴン等の不活性ガスにCxHyFz系の反応性ガス(x>0,y≧0,z>0)を添加したガスを用いたスパッタエッチングにより、レンズ材料膜16のパターンを変形させると共に、添加した反応性ガスとレンズ材料膜16との反応生成物を、レンズ材料膜16のパターン間に堆積させる(図1(b))。例えば、レンズ材料膜16が窒化シリコン膜である場合、アルゴンガスにCHFをトータル流量の5%以上添加したガスを用いると共に、RF周波数を低周波(1MHz以下)に設定してスパッタエッチングを行うことで、レンズ材料膜16のパターンの変形と、反応生成物の堆積との両方を実現することができる。これは、スパッタ装置においてRF周波数を低周波にすると、不活性ガスに添加するCxHyFz系の反応性ガスの種類によっては、スパッタエッチング時に、その反応性ガスとレンズ材料膜16との反応生成物を孔部kに堆積させることが可能となるためである。
スパッタエッチングが終わると、絶縁膜17を形成して、上凸レンズを保護する(図1(c))。このような方法により、エッチングされたレンズ材料膜16のパターンが、光入射側に向かって凸となった上凸レンズとなる。この上凸レンズは、光をその下方のフォトダイオードに集光する機能を有する集光レンズとなる。
図1(a)の状態から、反応性ガスを添加しない条件でスパッタエッチングを行うと、レンズ材料膜16のパターンの上端部同士が堆積物によって接触してしまい、上凸レンズ間にVoidが発生して、集光効率が低下し感度低下に繋がってしまう。又、綺麗なレンズ形状を得ることが困難である。これに対し、本実施形態の方法によれば、このVoidの発生を抑制することができるため、集光効率をアップさせることができ、固体撮像素子の感度向上を図ることができる。又、RF周波数を調整して反応生成物を孔部kに堆積させることができるため、上凸レンズの形状制御も容易となる。又、孔部kに反応生成物を堆積させることができるため、完成した多数の上凸レンズをギャップレスにすることができ、集光効率をより高めることができる。
又、本実施形態の方法によれば、レンズ材料膜16のパターンを形成した後、スパッタエッチングを行うだけで上凸レンズを形成することができるため、従来の上凸レンズの形成方法に比べ、工程数を削減することができる。
(実施例1)
図1(a)において、平坦化膜15の材料を窒化シリコンとし、レンズ材料膜16の材料を窒化シリコンとし、レンズ材料膜16の膜厚を0.4μmとし、パターン間の距離を0.3μmとし、次のような条件でスパッタエッチングを行って上凸レンズを作製した。この結果、レンズ材料膜16のパターン間にVoidが発生するのを抑制することができた。又、孔部kの底部に反応性生物を堆積させることができ、ギャップレスの上凸レンズを形成することができた。
<スパッタエッチング条件>
ガス組成:Ar(750sccm)、CF(25sccm)、CHF(50sccm)
圧力:500mTorr
RFパワー:900W
RF周波数:0.38MHz
サセプタ温度:0℃
(実施例2)
図1(a)において、平坦化膜15の材料を酸化シリコンとし、レンズ材料膜16の材料を酸化シリコンとし、レンズ材料膜16の膜厚を0.6μmとし、パターン間の距離を0.3μmとし、次のような条件でスパッタエッチングを行って上凸レンズを作製した。この結果、レンズ材料膜16のパターン間にVoidが発生するのを抑制することができた。又、孔部kの底部に反応性生物を堆積させることができ、ギャップレスの上凸レンズを形成することができた。
<スパッタエッチング条件>
ガス組成:Ar(300sccm)、CHF(40sccm)、CF(20sccm)
圧力:500mTorr
RFパワー:900W
RF周波数:0.38MHz
サセプタ温度:−10℃
本発明の実施形態であるCCD型固体撮像素子の層内レンズである上凸レンズの形成方法を説明するための固体撮像素子の部分断面模式図
符号の説明
15 平坦化膜
16 レンズ材料膜
17 絶縁膜
k 孔部

Claims (3)

  1. 平坦面上に多数の集光レンズを配列したレンズアレイの製造方法であって、
    前記平坦面上に無機のレンズ材料膜のパターンを形成するレンズパターン形成工程と、
    不活性ガスにCxHyFz系の反応性ガス(x>0,y≧0,z>0)を添加したガスを用いたスパッタエッチングにより、前記無機のレンズ材料膜のパターンを変形させると共に、前記反応性ガスと前記無機のレンズ材料との反応生成物を前記パターン間に堆積させて前記多数の集光レンズを形成するレンズ形成工程とを含み、
    前記無機のレンズ材料が酸化シリコン又は窒化シリコンであり、
    前記不活性ガスがアルゴンガスであり、
    前記反応性ガスが、CF とCHF であるレンズアレイの製造方法。
  2. 請求項記載の製造方法によって製造されたレンズアレイ。
  3. 請求項記載のレンズアレイを備える固体撮像素子。
JP2006105396A 2006-04-06 2006-04-06 レンズアレイの製造方法、レンズアレイ、及び固体撮像素子 Expired - Fee Related JP4751753B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006105396A JP4751753B2 (ja) 2006-04-06 2006-04-06 レンズアレイの製造方法、レンズアレイ、及び固体撮像素子

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006105396A JP4751753B2 (ja) 2006-04-06 2006-04-06 レンズアレイの製造方法、レンズアレイ、及び固体撮像素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007279380A JP2007279380A (ja) 2007-10-25
JP4751753B2 true JP4751753B2 (ja) 2011-08-17

Family

ID=38680895

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006105396A Expired - Fee Related JP4751753B2 (ja) 2006-04-06 2006-04-06 レンズアレイの製造方法、レンズアレイ、及び固体撮像素子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4751753B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101909144B1 (ko) 2012-03-06 2018-10-17 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 이의 형성 방법

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4186238B2 (ja) * 1996-08-30 2008-11-26 ソニー株式会社 マイクロレンズアレイの形成方法及び固体撮像素子の製造方法
JP3726790B2 (ja) * 2002-03-18 2005-12-14 ヤマハ株式会社 マイクロレンズアレイの製法
JP4450597B2 (ja) * 2003-09-24 2010-04-14 東京エレクトロン株式会社 マイクロレンズの形成方法
JP4761740B2 (ja) * 2004-08-31 2011-08-31 東京エレクトロン株式会社 マイクロレンズの形成方法
JP4657914B2 (ja) * 2005-01-26 2011-03-23 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2007279380A (ja) 2007-10-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7691696B2 (en) Hemi-spherical structure and method for fabricating the same
JP5806194B2 (ja) イメージセンサの無機物マイクロレンズの形成方法
US7723147B2 (en) Image sensor and method of manufacturing the same
JP4329142B2 (ja) 層内レンズの形成方法
JP3992714B2 (ja) Cmosイメージセンサー及びその製造方法
TWI301300B (en) Semiconductor device with micro-lens and method of making the same
KR100971207B1 (ko) 마이크로렌즈 및 그 제조 방법
JP4751753B2 (ja) レンズアレイの製造方法、レンズアレイ、及び固体撮像素子
US5384231A (en) Fabricating lens array structures for imaging devices
JP2007067337A (ja) マイクロレンズアレイの製造方法、及び固体撮像素子の製造方法
JP4909538B2 (ja) マイクロレンズ、その製造方法、マイクロレンズを用いた固体撮像素子およびその製造方法
JP2008227507A (ja) イメージセンサ及びその製造方法
JP2009168872A (ja) レンズの製造方法および固体撮像装置の製造方法
KR100672661B1 (ko) 시모스 이미지 센서의 제조방법
KR20050072350A (ko) 무기물 마이크로 렌즈 제조방법
JP6254829B2 (ja) 固体撮像素子及びその製造方法
JP4909530B2 (ja) 固体撮像素子の製造方法および固体撮像素子
KR100820505B1 (ko) 집적 회로 및 그 제조 방법
JP2006066931A (ja) 固体撮像素子及びその製造方法
JP4810284B2 (ja) 固体撮像素子のインナーレンズの製造方法
JP4406558B2 (ja) 固体撮像素子
JP6161295B2 (ja) 固体撮像装置及びその製造方法
JP2006286873A (ja) 固体撮像素子およびその製造方法
JP2006286872A (ja) 固体撮像素子の製造方法および固体撮像素子
JP2005150697A (ja) 固体撮像装置

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20071109

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20071116

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20071126

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090206

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110124

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110208

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110404

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110426

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110523

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140527

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees