JP4749849B2 - ウェーハの分割方法 - Google Patents
ウェーハの分割方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4749849B2 JP4749849B2 JP2005342065A JP2005342065A JP4749849B2 JP 4749849 B2 JP4749849 B2 JP 4749849B2 JP 2005342065 A JP2005342065 A JP 2005342065A JP 2005342065 A JP2005342065 A JP 2005342065A JP 4749849 B2 JP4749849 B2 JP 4749849B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- metal film
- street
- grinding
- back surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 34
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 47
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 47
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims description 26
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 24
- 239000007888 film coating Substances 0.000 claims description 10
- 238000009501 film coating Methods 0.000 claims description 10
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 argon ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000003331 infrared imaging Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Dicing (AREA)
Description
垂直方向の軸心を有する回転軸22と、回転軸22の下端に装着されたホイール23と、ホイール23の下面に固着された砥石部24とから構成される。ウェーハWは、保護部材1側がチャックテーブル20によって保持され、裏面Wbが露出した状態となる。そして、チャックテーブル20が回転すると共に、ホイール23が回転しながら研削部21が下降することにより、回転する砥石部24がウェーハWの裏面Wbに接触して研削が行われる。このとき砥石部24は、ウェーハWの表面Waに形成されたデバイス領域W1(図1参照)の裏側に接触させ、その外周側は研削しないようにする。そして、デバイス領域W1の裏側が所望量研削されると、研削を終了する。こうして、裏面Wbのうちデバイス領域W1の裏側のみを研削することにより、図4及び図5にも示すように、裏面Wbに凹部W3が形成され、その外周側には外周余剰領域W2を含み研削前と同様の厚さを有するリング状補強部W4が残存する(凹状加工工程)。例えば、リング状補強部W4の幅は2〜3mm程度あればよい。また、リング状補強部W4の厚さは数百μmあることが望ましい。一方、デバイス領域W1の厚さは30μm程度にまで薄くすることができる。
Wa:表面
S:ストリート D:デバイス W1:デバイス領域 W2:外周余剰領域
Wb:裏面
W3:凹部
W4:リング状補強部
T:テープ F:フレーム
1:保護部材
2:研削装置
20:チャックテーブル 21:研削部 22:回転軸 23:ホイール
24:砥石部
3:減圧成膜装置
31:チャンバー 32:保持部 33:励磁部材 34:スパッタ源
35:高周波電源 36:導入口 37:減圧口
4:切削装置
40:チャックテーブル
400:駆動源 401:移動基台
41:切削手段
410:ハウジング 411:スピンドル 412:切削ブレード
413:支持部
42:切削送り手段
420:ボールネジ 421:パルスモータ 422:ガイドレール
43:アライメント手段
430:赤外線カメラ
44:切り込み送り手段
440:壁部 441:ボールネジ 442:パルスモータ
443:ガイドレール
45:割り出し送り手段
450:ボールネジ 451:移動基台 452:パルスモータ
453:ガイドレール
50:保持テーブル 51:プローブ
6:金属膜
7:研削装置
70:保持テーブル 71:回転軸 72:砥石
Claims (3)
- ストリートによって区画されて複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に備えたウェーハを個々のデバイスに分割するウェーハの分割方法であって、
該デバイス領域の裏面側を研削して凹部を形成し、該凹部の外周側に該外周余剰領域を含むリング状補強部を形成する凹状加工工程と、
該ウェーハの裏面に金属膜を被覆する金属膜被覆工程と、
該リング状補強部の裏面を研削して該リング状補強部に被覆された金属膜を除去する金属膜除去工程と、
表面に形成されたデバイスのうち最も外周側に位置し外周余剰領域にはみ出ているものがある場合は該デバイスを裏面から赤外線撮像し、該デバイス内のターゲットパターンとアライメント手段に予め記憶させておいたターゲットパターンの画像とのパターンマッチングを行い、ストリートの最外側の外周余剰領域にアライメントマークが形成されている場合は該アライメントマークを裏面からパターンマッチングによって検出し、表面に形成されたストリートの位置を検出するストリート位置認識工程と、
該ストリート位置認識工程によって認識したストリートを裏面側から切削して個々のデバイスに分割する分割工程と
から構成されるウェーハの分割方法。 - 前記凹状加工工程と前記金属膜被覆工程との間に、該凹状加工工程によって研削面に形成された研削歪を除去する歪除去工程が遂行される
請求項1に記載のウェーハの分割方法。 - 前記金属膜被覆工程と前記金属膜除去工程との間に、デバイスのテストを行うテスト工程が遂行される
請求項1または2に記載のウェーハの分割方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005342065A JP4749849B2 (ja) | 2005-11-28 | 2005-11-28 | ウェーハの分割方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005342065A JP4749849B2 (ja) | 2005-11-28 | 2005-11-28 | ウェーハの分割方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007149945A JP2007149945A (ja) | 2007-06-14 |
JP4749849B2 true JP4749849B2 (ja) | 2011-08-17 |
Family
ID=38210987
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005342065A Active JP4749849B2 (ja) | 2005-11-28 | 2005-11-28 | ウェーハの分割方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4749849B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8945988B2 (en) | 2012-09-10 | 2015-02-03 | Lapis Semiconductor Co., Ltd. | Method for thinning, metalizing, and dicing a semiconductor wafer and, semiconductor device made using the method |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5141070B2 (ja) * | 2007-03-29 | 2013-02-13 | 富士電機株式会社 | ウェーハのダイシング方法 |
JP2011035111A (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-17 | Disco Abrasive Syst Ltd | 金属層付きチップの製造方法 |
JP5886538B2 (ja) * | 2011-04-18 | 2016-03-16 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP6283531B2 (ja) * | 2014-02-25 | 2018-02-21 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP6822802B2 (ja) * | 2016-09-05 | 2021-01-27 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP2020136348A (ja) * | 2019-02-14 | 2020-08-31 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法およびウエーハの加工装置 |
JP2020136445A (ja) * | 2019-02-19 | 2020-08-31 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10284449A (ja) * | 1997-04-11 | 1998-10-23 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの裏面研磨・ダイシング方法及びシステム |
JP4185704B2 (ja) * | 2002-05-15 | 2008-11-26 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置の製造方法 |
JP4523252B2 (ja) * | 2003-09-08 | 2010-08-11 | 株式会社ディスコ | 半導体ウエーハの加工方法および加工装置 |
JP4462997B2 (ja) * | 2003-09-26 | 2010-05-12 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP4447280B2 (ja) * | 2003-10-16 | 2010-04-07 | リンテック株式会社 | 表面保護用シートおよび半導体ウエハの研削方法 |
JP2005109433A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-04-21 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウエーハの切削方法および研削用のバンプ保護部材 |
-
2005
- 2005-11-28 JP JP2005342065A patent/JP4749849B2/ja active Active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8945988B2 (en) | 2012-09-10 | 2015-02-03 | Lapis Semiconductor Co., Ltd. | Method for thinning, metalizing, and dicing a semiconductor wafer and, semiconductor device made using the method |
US9564401B2 (en) | 2012-09-10 | 2017-02-07 | Lapis Semiconductor Co., Ltd. | Method for thinning, metalizing, and dicing a semiconductor wafer, and semiconductor device made using the method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007149945A (ja) | 2007-06-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4749851B2 (ja) | ウェーハの分割方法 | |
JP5613794B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP5390740B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP4749849B2 (ja) | ウェーハの分割方法 | |
US7498239B2 (en) | Wafer processing method | |
JP4462997B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
KR101602967B1 (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 | |
JP4791772B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP5048379B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP4913517B2 (ja) | ウエーハの研削加工方法 | |
JP4800715B2 (ja) | ウェーハの分割方法 | |
JP5886538B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP2017092135A (ja) | デバイスの製造方法 | |
JP4637692B2 (ja) | 粘着フィルム貼着装置 | |
JP5357669B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2005150434A (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
JP6692578B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP5619382B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2009010179A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP2006108429A (ja) | ウェーハの加工方法及びデバイス |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081024 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110203 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110208 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110408 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110426 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110518 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4749849 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140527 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140527 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |