JP4749332B2 - 拡大された焦点深度を有するリソグラフィックシステムおよび方法 - Google Patents
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Description
選択することによって)選択する。
)および照明システム102を選択する。
クトマスク修正関数は、点、線、縁、などの基本的像が、与えられた特定のシステ
ム応答によって空中像122に形成されるように選ばれる。
されたオブジェクトマスクを決定する。このステップ5は使用される照明に依存す
る。
定する。
グパターンを決定する。(例えば、エッチングパターンを露光し形成するために立
体像114がフォトレジスト材料124に写される。このステージでは空中像11
4およびエッチングパターンはフォトレジスト材料124の露光における非線形効
果のために同一ではない。)
8)ステップ7のエッチングパターンを所望のパターンと比較する。例えば誤差マトリ
ックス(例えば、最少自乗法による決定)を使用することによって、エッチングパ
ターンを所望の最終パターンと比較する。
復により)し、誤差マトリックスが許容限度以内になるまで(例えば、エッチング
パターンと所望のパターンとが十分に接近するまで)ステップ3〜ステップ8を実
行する。
を選択することによって)選択する。
照明システム(例えば、システム102)を選択する。
オブジェクトマスクを決定する。このステップ5は使用される照明の形状に依存す
る。
クを離散した位相および/または振幅ステップに限定する)を適用するために、ス
テップ5のオブジェクトマスクを量子化(quantize)する。
グパターンを決定する。
トリックス(例えば、最少自乗法による決定)を使用することによって、エッチン
グパターンを所望のパターンと比較する。
誤差マトリックスが許容限度以内になるまで(例えば、エッチングパターンと所望
のパターンとが十分に接近するまで)および/またはオブジェクトマスクが実用的
な限度内で構成され得るまで、ステップ3〜ステップ9を実行する。
孔=
0 0 0 1 0 0 0
0 1 1 1 1 1 0
0 1 1 1 1 1 0
1 1 1 1 1 1 1
0 1 1 1 1 1 0
0 1 1 1 1 1 0
0 0 0 1 0 0 0
円環状の、他の正規の、指定されたまたは変則な形状などの、代替の照明装置の設計がまた使用され得る。ここに含まれるシミュレーションは、オプティカルリサーチアソシエイツ(Optical Research Associates)の規約(Code)Vを使用して行われた。照明は部分的コヒーレンス(PAR)モデルと共に規約Vの干渉図形ファイル入力を使用してモデル化された。ファイルはシーケンスコマンド「SRC<filename>2.0」によって使用され、ここに2.0は照明装置の相対的な大きさ(「相対的」の定義は規約Vを参照)を表す。偏光、位相および振幅の制御を含む様々な角度配列および窓の形状を有する、その他の照明装置設計は、同等に使用され得る。
P(r)=−0.0784r3−0.1094r2−0.8245r+0.8220、
ただしr=0から+1まで
そして曲線322に対する多項式は:
P(y)=2.8776y2+0.7908、
ただしy=−1から+1まで
P(r)が上記で定義されるrに関する1形状であり、P(y)に関しては二次の多項式を隣接した対角線の間で当てはめるように尺度修正することによって形成される第2の形状とし、これらの2つの形状のアダマール(Hadamard)積算(要素−と−要素ごと)によって表面300が得られる。線304はP(y)によって生成された多項式の形状を指示し、それは対角線の間で当てはまるように尺度修正されており、線302はP(r)によって生成された多項式の形状を指示する。表面300を、1.0<sqrt(x2+y2)の外側では零値をとる別の表面S(x,y)=0.8034(x2+y2)に加えることにより、図32に示される最終的な瞳面位相関数330が得られる。瞳面位相関数330に対する対応するMTF340が図33に示される。
Claims (61)
- ウェーハ上のフォトレジストコーティングを露光するための光リソグラフィシステムであって、該光リソグラフィシステムは、
照明サブシステムと、
レチクルと、
該レチクルの空中像を形成するように、入射光が所定の瞳面関数に従って修正されるように構成されている結像レンズであって、該所定の瞳面関数は、該光リソグラフィシステムによって結像される波面を修正する位相関数であり、該レチクルの空中像は、該フォトレジスト上に集束し、拡大された焦点深度を有する、結像レンズと
を含み、
該光リソグラフィシステムの光学的伝達関数が、所望の像において再生されるいかなる空間周波数バンドに対しても零値をとらないように、該所定の瞳面関数が予め決定されている、光リソグラフィシステム。 - 前記レチクルは、前記フォトレジストによって前記空中像から所望のパターンが記録されるように構成されている、請求項1に記載の光リソグラフィシステム。
- 前記所定の瞳面関数は、前記焦点深度を増加させるように、該所定の瞳面関数に従って、前記レチクルからの波面を修正するように動作する、請求項1に記載の光リソグラフィシステム。
- 前記焦点深度は、少なくともK*λ*f♯/2であり、Kは1.5以上の定数であり、f♯は前記結像レンズのfナンバーであり、λは前記照明サブシステムによって生成される光放射の波長である、請求項3に記載の光リソグラフィシステム。
- 前記定数Kは、2、3、4、5、6、7または8の一つよりも大きい、請求項4に記載の光リソグラフィシステム。
- 前記所定の瞳面関数は、コサイン形式ファミリーまたは一定値プロファイルパスのファミリーからの位相関数である、請求項1に記載の光リソグラフィシステム。
- 前記空中像は、焦点深度の範囲にわたって実質的に変化しない、請求項1に記載の光リソグラフィシステム。
- 前記照明サブシステムは、インコヒーレント、円環形、四重形、分離形、四極形、CQUEST、QUASASおよび二極形の群から選択される照明源を含む、請求項1に記載の光リソグラフィシステム。
- 前記レチクルは、照明の種類に依存する、請求項8に記載の光リソグラフィシステム。
- 光リソグラフィックシステムのためのレチクルを構成するための方法であって、
該光リソグラフィックシステムによってウェーハ上に結像される波面を修正する位相関数を選択することであって、該光リソグラフィックシステムの光学的伝達関数が、所望の像において再生されるいかなる空間周波数バンドに対しても零値をとらないように、該位相関数が選択される、ことと、
該光リソグラフィックシステムの点オブジェクトの像を決定することと、
該点オブジェクトの該像からマスク修正関数を生成することであって、該マスク修正関数は、該光リソグラフィックシステムによって所望の空中像が形成可能となるように、オブジェクトマスクに適用されるものである、ことと、
該オブジェクトマスクの振幅および位相成分の一つまたは両方を決定するために、該マスク修正関数を該所望の空中像に適用することと、
該光リソグラフィックシステムによって、該オブジェクトマスクの結像に基づいて予告される空中像を決定することと、
エッチングパターンを決定するために、該予告される空中像をフォトレジストモデルに適用することと、
該エッチングパターンと該ウェーハに対する所望のエッチングパターンとの間の差異を数量化することと、
該差異が設計目標内にない場合には、
(a)該位相関数
(b)該光リソグラフィックシステムの光学処方
のうちの一方または両方を修正し、該差異が該設計目標内になるまで、決定するステップ、生成するステップ、適用するステップ、数量化するステップを繰り返すことと、
該差異が該設計目標内にある場合には、該光リソグラフィックシステムに使用する該レチクルを構成するために、該オブジェクトマスクを使用することと
を含む、方法。 - 前記レチクルの製造可能性に従って、前記マスク修正関数を適用する前記ステップの後に、離散的な位相ステップおよび/または離散的な振幅ステップに前記オブジェクトマスクを制限することによって、該オブジェクトマスクを量子化することをさらに含む、請求項10に記載の方法。
- 前記予告される空中像を決定するステップは、前記光リソグラフィックシステムによる結像と関連してコヒーレンス度を使用することを含む、請求項10に記載の方法。
- 前記差異を数量化するステップは、前記光リソグラフィックシステムの解像度を決定することを含む、請求項10に記載の方法。
- 前記差異を数量化するステップは、前記光リソグラフィックシステムの焦点深度を決定することを含む、請求項10に記載の方法。
- 前記設計目標は、前記焦点深度をK*λ*f♯/2として定義し、Kは1.5以上の定数であり、f♯は前記光リソグラフィックシステムのfナンバーであり、λは前記ウェーハを照明する波長である、請求項14に記載の方法。
- 前記位相関数を選択するステップは、該位相関数として、位相関数のファミリーから位相関数を選択することを含む、請求項10に記載の方法。
- 前記位相関数のファミリーは、前記コサイン形式ファミリーおよび前記一定値プロファイルパスファミリーの一つ以上を含む、請求項16に記載の方法。
- 前記差異を数量化するステップは、前記レチクルの製造可能性を評価することを含む、請求項10に記載の方法。
- 前記設計目標は、有限な数の振幅ステップによって前記レチクルを定義する、請求項18に記載の方法。
- 前記設計目標は、有限な数の位相ステップによって前記レチクルを定義する、請求項19に記載の方法。
- 前記マスク修正関数は、空間フィルタである、請求項10に記載の方法。
- 前記設計目標は、最大化された解像度を含む、請求項10に記載の方法。
- 前記位相関数を選択するステップは、P(r)=Σairiの形式を有する位相関数を選択することを含み、iは2より大きい数である、請求項10に記載の方法。
- i=3、4、5、6、7であり、|r|≦1であり、a i =[11.3908,−4.0017,−6.1467,7.6237,−3.9481]である、請求項23に記載の方法。
- i=3、4、5、6、7であり、|r|≦1であり、a i =[4.6967,−2.7162,1.7921,−0.7771,−0.5688,−1.3528,0.8717,0.2985,0.0236]である、請求項23に記載の方法。
- 前記設計目標は、視界を増加させることを含む、請求項10に記載の方法。
- 前記設計目標は、処理量を増加させることを含む、請求項10に記載の方法.
- 前記設計目標は、ビアの深さおよび幅を含む、請求項10に記載の方法。
- 前記レチクルは、ビアのための孔を定義する厚さを有する、請求項10に記載の方法。
- 光リソグラフィック結像システムのためのレチクルであって、
該光リソグラフィック結像システムによってウェーハ上に結像される波面を修正する位相関数を選択することであって、該光リソグラフィックシステムの光学的伝達関数が、所望の像において再生されるいかなる空間周波数バンドに対しても零値をとらないように、該位相関数が選択される、ことと、
該光リソグラフィック結像システムにより点オブジェクトの像を決定することと、
該点オブジェクトの該像からマスク修正関数を生成することであって、該マスク修正関数は、該光リソグラフィック結像システムによって所望の空中像が形成可能となるように、オブジェクトマスクに適用されるものである、ことと、
該オブジェクトマスクの振幅および位相成分の一つまたは両方を決定するために、該マスク修正関数を該所望の空中像を形成することに使用することと、
該光リソグラフィック結像システムによって、該修正されたオブジェクトマスクの結像に基づいて予告される空中像を決定することと、
エッチングパターンを決定するために、該予告される空中像をフォトレジストモデルに適用することと、
該エッチングパターンと該ウェーハに対する所望のエッチングパターンとの間の差異を数量化することと、
該差異が設計目標内にない場合には、
(a)該位相関数
(b)該光リソグラフィック結像システムの光学処方
のうちの一方または両方を修正し、該差異が該設計目標内になるまで、決定するステップ、生成するステップ、適用するステップ、数量化するステップを繰り返すことと、
該差異が該設計目標内にある場合には、該レチクルを構築するために、該オブジェクトマスクを使用することと
によって形成される、レチクル。 - 前記設計目標は、ビアの深さおよび幅を含む、請求項30に記載の方法。
- 前記レチクルは、ビアに対する少なくとも一つの孔を定義する厚さを有する、請求項30に記載の方法。
- コンピュータによる読出し可能な媒体上に格納される命令を含むソフトウェア製品であって、該命令は、コンピュータによって実行されるときに、光リソグラフィックシステムのためのレチクルを構成するためのステップを遂行し、該命令は、
該光リソグラフィックシステムによってウェーハ上に結像される波面を修正する位相関数を選択するための命令であって、該光リソグラフィックシステムの光学的伝達関数が、所望の像において再生されるいかなる空間周波数バンドに対しても零値をとらないように、該位相関数が選択される、命令と、
該光リソグラフィックシステムの点像強度分布関数を決定するための命令と、
該点像強度分布関数からマスク修正関数を生成するための命令であって、該マスク修正関数は、該光リソグラフィックシステムによって所望の空中像が形成可能となるように、オブジェクトマスクに適用されるものである、命令と、
該オブジェクトマスクの振幅および位相成分の一つまたは両方を決定するために、該所望の空中像に対して該マスク修正関数を適用するための命令と、
該光リソグラフィックシステムによる該オブジェクトマスクの結像に基づいて予告される空中像を決定するための命令と、
エッチングパターンを決定するために、フォトレジストモデルに対して該予告される空中像を適用するための命令と、
該エッチングパターンと該ウェーハに対する所望のエッチングパターンとの間の差異を数量化するための命令と、
該差異が設計目標の中にない場合には、
(a)該位相関数
(b)該光リソグラフィックシステムの光学処方
のうちの一方または両方を修正するための命令と、
決定するステップ、生成するステップ、適用するステップ、数量化するステップを、該差異が該設計目標の中に入るまで繰り返すための命令と、
該差異が設計目標の中にある場合には、該光リソグラフィックシステムにおける使用のための該レチクルを構成するために、該オブジェクトマスクを使用するための命令と
を含む、ソフトウェア製品。 - 前記レチクルの製造可能性に従って、離散的な位相ステップおよび/または離散的な振幅ステップに前記オブジェクトマスクを制限することによって、該オブジェクトマスクを量子化するための命令をさらに含む、請求項33に記載のソフトウェア製品。
- 前記予告される空中像を決定するための命令は、前記光リソグラフィックシステムによる結像に関連してコヒーレンス度を使用するための命令を含む、請求項33に記載のソフトウェア製品。
- 前記差異を数量化するための命令は、前記光リソグラフィックシステムの解像度を決定するための命令を含む、請求項33に記載のソフトウェア製品。
- 前記差異を数量化するための命令は、前記光リソグラフィックシステムに対する焦点深度を決定するための命令を含む、請求項33に記載のソフトウェア製品。
- 前記設計目標は、前記焦点深度をK*λ*f♯/2として定義し、Kは1.5以上の定数であり、f♯は前記光リソグラフィックシステムのfナンバーであり、λは前記ウェーハを照明する波長である、請求項33に記載のソフトウェア製品。
- 前記位相関数を選択するための命令は、該位相関数として、位相関数のファミリーから位相関数を選択するための命令を含む、請求項33に記載のソフトウェア製品。
- 前記位相関数のファミリーは、前記コサイン形式ファミリーおよび前記一定値プロファイルパスファミリーの一つ以上を含む、請求項39に記載のソフトウェア製品。
- 前記差異を数量化するための命令は、前記レチクルの製造可能性を評価するための命令を含む、請求項40に記載のソフトウェア製品。
- 前記設計目標は、有限な数の振幅ステップによって前記レチクルを定義する、請求項33に記載のソフトウェア製品。
- 前記設計目標は、有限な数の位相ステップによって前記レチクルを定義する、請求項33に記載のソフトウェア製品。
- 前記マスク修正関数は、空間フィルタである、請求項33に記載のソフトウェア製品。
- 前記設計目標は、最大化された解像度を含む、請求項33に記載のソフトウェア製品。
- 前記位相関数を選択するための命令は、P(r)=Σairiの形式を有する位相関数を選択するための命令を含み、iは2より大きい数である、請求項33に記載のソフトウェア製品。
- i=3、4、5、6、7であり、|r|≦1であり、ai=[11.3908,−4.0017,−6.1467,7.6237,−3.9481]である、請求項46に記載のソフトウェア製品。
- i=3、4、5、6、7であり、|r|≦1であり、ai=[4.6967,−2.7162,1.7921,−0.7771,−0.5688,−1.3528,0.8717,0.2985,0.0236]である、請求項46に記載のソフトウェア製品。
- 前記設計目標は、増加された視界を含む、請求項33に記載のソフトウェア製品。
- 前記設計目標は、増加された処理量を含む、請求項33に記載のソフトウェア製品。
- 前記設計目標は、ビアの深さおよび幅を含む、請求項33に記載のソフトウェア製品。
- 前記レチクルのための命令は、ビアのための孔を定義する厚さを含む、請求項33に記載のソフトウェア製品。
- リソグラフィックシステムにおける焦点深度を増加するための装置であって、該装置は、
露光の閾値を有するリソグラフィック記録媒体の上に、レチクルまたはフォトマスクを結像するための光学素子を含み、
該光学素子は、該リソグラフィックシステムの空中像を形成するように、入射光が所定の瞳面関数によって修正されるように構成されており、該所定の瞳面関数は、該リソグラフィックシステムによって結像される波面を修正する位相関数であり、該空中像の一部は、拡大された焦点深度にわたって、該リソグラフィック記録媒体の記録閾値よりも上であり、該所定の瞳面関数は、該光学素子によって結像される波面の位相に影響を与えることによって、システム応答関数および該空中像を変更し、
該リソグラフィックシステムのシステム応答関数が、所望の像において再生されるいかなる空間周波数バンドに対しても零値をとらないように、該所定の瞳面関数が予め決定されている、装置。 - 前記瞳面関数および前記レチクルまたはフォトマスクは、前記システム応答関数を変更する、請求項53に記載の装置。
- インコヒーレント光源、円環形光源、四重形光源、分離形光源、四極形光源、CQUEST光源、QUASAS光源、二極形光源の群から選択される照明源をさらに含む、請求項53に記載の装置。
- 前記照明源は、コヒーレントな照明または部分的にコヒーレントな照明を生成する、請求項55に記載の装置。
- 光リソグラフィックシステムにおけるリソグラフィのためのプロセスウインドウを増大する方法であって、
レチクルを照明することと、
入射光が所定の瞳面関数に従って修正されるように構成されている結像レンズを用いて、該波面の位相を変更することによって、該レチクルの波面を空中像に結像することであって、該所定の瞳面関数は、該光リソグラフィックシステムによって結像される波面を修正する位相関数であり、該空中像は、該波面の位相が変更されずに形成された空中像と比較して、拡大された焦点深度および増大したプロセスウインドウを有する、ことと
を含み、
該光リソグラフィックシステムの光学的伝達関数が、所望の像において再生されるいかなる空間周波数バンドに対しても零値をとらないように、該レチクルの波面を結像するステップによって、該波面の位相が変更される、方法。 - 前記結像するステップは、前記拡大された焦点深度の範囲にわたって、点オブジェクトの本質的にインフォーカスな空中像が保持されるように実装される、請求項57に記載の方法。
- 前記結像するステップは、前記空中像が前記焦点深度の範囲にわたって、リソグラフィック記録媒体に実質的に一定値の閾値を提供するように実装される、請求項57に記載の方法。
- 前記結像するステップは、点オブジェクトの前記空中像が、レチクル全体に対して実質的に変化しないように実装される、請求項59に記載の方法。
- 光リソグラフィックシステムにおいてビアを形成するための方法であって、該方法は、
厚さを有し該ビアのための孔を定義するレチクルを照明することと、
入射光が所定の瞳面関数に従って修正されるように構成されている結像レンズを用いて、該波面の位相を変更することによって、該レチクルの波面をウェーハの像に結像することであって、該所定の瞳面関数は、該光リソグラフィックシステムによって結像される波面を修正する位相関数であり、該像は、該厚さの範囲にわたる拡大された被写界深度を有する、ことと
を含み、
その後のフォトレジストのエッチングが該ウェーハの中に実質的に均一の幅の該孔を形成し、
該光リソグラフィックシステムの光学的伝達関数が、所望の像において再生されるいかなる空間周波数バンドに対しても零値をとらないように、該レチクルの波面を結像するステップによって、該波面の位相が変更される、方法。
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Families Citing this family (51)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20020195548A1 (en) | 2001-06-06 | 2002-12-26 | Dowski Edward Raymond | Wavefront coding interference contrast imaging systems |
US7218448B1 (en) | 1997-03-17 | 2007-05-15 | The Regents Of The University Of Colorado | Extended depth of field optical systems |
US7180673B2 (en) * | 2003-03-28 | 2007-02-20 | Cdm Optics, Inc. | Mechanically-adjustable optical phase filters for modifying depth of field, aberration-tolerance, anti-aliasing in optical systems |
JP2007513427A (ja) * | 2003-12-01 | 2007-05-24 | シーディーエム オプティックス, インコーポレイテッド | 光学システムおよびデジタルシステムの設計を最適化するシステムおよび方法 |
US7944467B2 (en) * | 2003-12-01 | 2011-05-17 | Omnivision Technologies, Inc. | Task-based imaging systems |
US7336430B2 (en) * | 2004-09-03 | 2008-02-26 | Micron Technology, Inc. | Extended depth of field using a multi-focal length lens with a controlled range of spherical aberration and a centrally obscured aperture |
US20060204861A1 (en) * | 2005-03-14 | 2006-09-14 | Eyal Ben-Eliezer | Optical mask for all-optical extended depth-of-field for imaging systems under incoherent illumination |
US7519940B2 (en) * | 2005-05-02 | 2009-04-14 | Cadence Design Systems, Inc. | Apparatus and method for compensating a lithography projection tool |
WO2006121966A2 (en) * | 2005-05-06 | 2006-11-16 | Cdm Optics, Inc. | Light focusing systems with extended depth of focus |
US7616841B2 (en) | 2005-06-17 | 2009-11-10 | Ricoh Co., Ltd. | End-to-end design of electro-optic imaging systems |
EP1899211B1 (en) * | 2005-07-07 | 2011-03-30 | Umagination Labs, L.P. | Electronic devices for luggage |
CA2618149A1 (en) * | 2005-08-11 | 2007-02-15 | Global Bionic Optics Pty Ltd | Optical lens systems |
WO2008008084A2 (en) * | 2005-09-19 | 2008-01-17 | Cdm Optics, Inc. | Task-based imaging systems |
US20070081224A1 (en) * | 2005-10-07 | 2007-04-12 | Robinson M D | Joint optics and image processing adjustment of electro-optic imaging systems |
US7889264B2 (en) * | 2006-05-12 | 2011-02-15 | Ricoh Co., Ltd. | End-to-end design of superresolution electro-optic imaging systems |
US7692709B2 (en) * | 2006-05-12 | 2010-04-06 | Ricoh Co., Ltd. | End-to-end design of electro-optic imaging systems with adjustable optical cutoff frequency |
US7924341B2 (en) * | 2006-06-05 | 2011-04-12 | Ricoh Co., Ltd. | Optical subsystem with descriptors of its image quality |
US7738692B2 (en) | 2006-07-20 | 2010-06-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Methods of determining quality of a light source |
JP4484909B2 (ja) * | 2007-07-24 | 2010-06-16 | キヤノン株式会社 | 原版データ作成方法、原版作成方法、露光方法および原版データ作成プログラム |
JP2009071125A (ja) * | 2007-09-14 | 2009-04-02 | Canon Inc | 露光条件を決定する方法及びプログラム |
US8077401B2 (en) * | 2007-10-03 | 2011-12-13 | Ricoh Co., Ltd. | Catadioptric imaging system |
TWI383273B (zh) | 2007-11-20 | 2013-01-21 | Asml Netherlands Bv | 微影投射裝置之焦點測量方法及微影投射裝置之校準方法 |
US7856613B1 (en) | 2008-01-30 | 2010-12-21 | Cadence Design Systems, Inc. | Method for self-aligned doubled patterning lithography |
US8897595B2 (en) | 2008-03-26 | 2014-11-25 | Ricoh Co., Ltd. | Adaptive image acquisition for multiframe reconstruction |
US9865043B2 (en) | 2008-03-26 | 2018-01-09 | Ricoh Company, Ltd. | Adaptive image acquisition and display using multi-focal display |
US9866826B2 (en) | 2014-11-25 | 2018-01-09 | Ricoh Company, Ltd. | Content-adaptive multi-focal display |
US7948550B2 (en) * | 2008-06-27 | 2011-05-24 | Ricoh Co., Ltd. | Electro-optic imaging system with aberrated triplet lens compensated by digital image processing |
JP5159501B2 (ja) * | 2008-08-06 | 2013-03-06 | キヤノン株式会社 | 原版データ作成プログラム、原版データ作成方法、原版作成方法、露光方法及びデバイス製造方法 |
US8248684B2 (en) * | 2008-08-26 | 2012-08-21 | Ricoh Co., Ltd. | Control of adaptive optics based on post-processing metrics |
NL2003716A (en) | 2008-11-24 | 2010-05-26 | Brion Tech Inc | Harmonic resist model for use in a lithographic apparatus and a device manufacturing method. |
US8121439B2 (en) * | 2009-05-22 | 2012-02-21 | Ricoh Co., Ltd. | End-to-end design of electro-optic imaging systems using the nonequidistant discrete Fourier transform |
TWI424190B (zh) * | 2009-07-17 | 2014-01-21 | Largan Precision Co Ltd | 取像透鏡系統 |
TWI421618B (zh) | 2010-04-09 | 2014-01-01 | Ind Tech Res Inst | 景深擴展之投影系統及影像處理方法 |
FR2964756B1 (fr) | 2010-09-10 | 2013-03-22 | Thales Sa | Systeme de visualisation a filtre de correction |
US8949078B2 (en) | 2011-03-04 | 2015-02-03 | Ricoh Co., Ltd. | Filter modules for aperture-coded, multiplexed imaging systems |
FR2977962B1 (fr) | 2011-07-13 | 2013-07-26 | Thales Sa | Systeme optique a codage de pupille asservi |
US20130122247A1 (en) | 2011-11-10 | 2013-05-16 | Omnivision Technologies, Inc. | Spacer Wafer For Wafer-Level Camera And Method For Manufacturing Same |
US8826511B2 (en) | 2011-11-15 | 2014-09-09 | Omnivision Technologies, Inc. | Spacer wafer for wafer-level camera and method of manufacturing same |
TWI588560B (zh) | 2012-04-05 | 2017-06-21 | 布萊恩荷登視覺協會 | 用於屈光不正之鏡片、裝置、方法及系統 |
US9201250B2 (en) | 2012-10-17 | 2015-12-01 | Brien Holden Vision Institute | Lenses, devices, methods and systems for refractive error |
JP2015533430A (ja) | 2012-10-17 | 2015-11-24 | ブリエン ホールデン ビジョン インスティテュートBrien Holden Vision Institute | 屈折異常用のレンズ、デバイス、方法、及びシステム |
FR2999300B1 (fr) | 2012-12-07 | 2022-06-03 | Thales Sa | Systeme optique comportant un filtre optique a masque de phase et/ou d'amplitude a motif periodique |
US9219866B2 (en) | 2013-01-07 | 2015-12-22 | Ricoh Co., Ltd. | Dynamic adjustment of multimode lightfield imaging system using exposure condition and filter position |
JP6396638B2 (ja) | 2013-03-29 | 2018-09-26 | マクセル株式会社 | 位相フィルタ、撮像光学系、及び撮像システム |
US9030580B2 (en) | 2013-09-28 | 2015-05-12 | Ricoh Company, Ltd. | Color filter modules for plenoptic XYZ imaging systems |
US9864205B2 (en) | 2014-11-25 | 2018-01-09 | Ricoh Company, Ltd. | Multifocal display |
DE102016225899A1 (de) * | 2016-12-21 | 2018-06-21 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Modifizieren von Abbildungseigenschaften eines optischen Systems für die Mikrolithographie |
EP3364247A1 (en) * | 2017-02-17 | 2018-08-22 | ASML Netherlands B.V. | Methods & apparatus for monitoring a lithographic manufacturing process |
US10677964B2 (en) | 2017-10-23 | 2020-06-09 | Omnivision Technologies, Inc. | Lens wafer assembly and associated method for manufacturing a stepped spacer wafer |
CN112889004B (zh) * | 2018-10-19 | 2024-06-28 | Asml荷兰有限公司 | 通过源和掩模优化创建理想源光谱的方法 |
CN109977933B (zh) * | 2019-05-27 | 2019-09-03 | 墨研计算科学(南京)有限公司 | 计算光刻***模型中混叠现象的处理方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0684746A (ja) * | 1992-03-09 | 1994-03-25 | Hitachi Ltd | 投影露光装置及びパタン形成方法 |
JPH06124870A (ja) * | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法 |
JPH08148411A (ja) * | 1994-11-24 | 1996-06-07 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
US5650632A (en) * | 1994-12-28 | 1997-07-22 | International Business Machines Corporation | Focal plane phase-shifting lithography |
JP2001185476A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-07-06 | Mitsubishi Electric Corp | 投影露光装置 |
US6261727B1 (en) * | 1999-12-28 | 2001-07-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | DOF for both dense and isolated contact holes |
Family Cites Families (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US145808A (en) * | 1873-12-23 | Improvement in pie-markers | ||
US118457A (en) * | 1871-08-29 | Improvement in steam-boilers | ||
US190762A (en) * | 1877-05-15 | Improvement in processes of treating sludge and sludge-oil | ||
US228005A (en) * | 1880-05-25 | Insulating compound for telegraph-wires | ||
US2959105A (en) * | 1958-07-24 | 1960-11-08 | Canon Camera Co | Phase noise filter and its application to photography and photolithography |
US5161059A (en) * | 1987-09-21 | 1992-11-03 | Massachusetts Institute Of Technology | High-efficiency, multilevel, diffractive optical elements |
JP2800364B2 (ja) * | 1990-04-27 | 1998-09-21 | 松下電器産業株式会社 | 光学的ローパスフィルタ |
US5142413A (en) * | 1991-01-28 | 1992-08-25 | Kelly Shawn L | Optical phase-only spatial filter |
JP2861525B2 (ja) | 1991-09-10 | 1999-02-24 | 松下電器産業株式会社 | 波長選択性位相格子光学的ローパスフィルタ |
US5348837A (en) | 1991-09-24 | 1994-09-20 | Hitachi, Ltd. | Projection exposure apparatus and pattern forming method for use therewith |
JP2857273B2 (ja) * | 1991-12-24 | 1999-02-17 | 科学技術振興事業団 | 収差補正法及び収差補正装置 |
US5756981A (en) * | 1992-02-27 | 1998-05-26 | Symbol Technologies, Inc. | Optical scanner for reading and decoding one- and-two-dimensional symbologies at variable depths of field including memory efficient high speed image processing means and high accuracy image analysis means |
US5307175A (en) * | 1992-03-27 | 1994-04-26 | Xerox Corporation | Optical image defocus correction |
US5337181A (en) * | 1992-08-27 | 1994-08-09 | Kelly Shawn L | Optical spatial filter |
US6404482B1 (en) | 1992-10-01 | 2002-06-11 | Nikon Corporation | Projection exposure method and apparatus |
US5438366A (en) * | 1993-03-31 | 1995-08-01 | Eastman Kodak Company | Aspherical blur filter for reducing artifacts in imaging apparatus |
JPH06317764A (ja) * | 1993-04-27 | 1994-11-15 | Olympus Optical Co Ltd | 光学的ローパスフィルター |
JP3463335B2 (ja) * | 1994-02-17 | 2003-11-05 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
US5526074A (en) * | 1994-10-31 | 1996-06-11 | Volk; Donald A. | Full field reinverting indirect contact ophthalmoscope |
JP3275010B2 (ja) | 1995-02-03 | 2002-04-15 | ザ・リジェンツ・オブ・ザ・ユニバーシティ・オブ・コロラド | 拡大された被写界深度を有する光学システム |
US7218448B1 (en) | 1997-03-17 | 2007-05-15 | The Regents Of The University Of Colorado | Extended depth of field optical systems |
US20020118457A1 (en) | 2000-12-22 | 2002-08-29 | Dowski Edward Raymond | Wavefront coded imaging systems |
US5680588A (en) * | 1995-06-06 | 1997-10-21 | International Business Machines Corporation | Method and system for optimizing illumination in an optical photolithography projection imaging system |
US6144493A (en) * | 1996-02-23 | 2000-11-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical low-pass filter and optical apparatus having the same |
JP3708246B2 (ja) * | 1996-09-19 | 2005-10-19 | オリンパス株式会社 | 光制御部材を有する光学顕微鏡 |
US6091548A (en) * | 1997-10-01 | 2000-07-18 | Raytheon Company | Optical system with two-stage aberration correction |
US6016185A (en) * | 1997-10-23 | 2000-01-18 | Hugle Lithography | Lens array photolithography |
US6021005A (en) * | 1998-01-09 | 2000-02-01 | University Technology Corporation | Anti-aliasing apparatus and methods for optical imaging |
US6069738A (en) * | 1998-05-27 | 2000-05-30 | University Technology Corporation | Apparatus and methods for extending depth of field in image projection systems |
US6097856A (en) * | 1998-07-10 | 2000-08-01 | Welch Allyn, Inc. | Apparatus and method for reducing imaging errors in imaging systems having an extended depth of field |
CN1350193A (zh) | 2000-10-20 | 2002-05-22 | 中国科学院光电技术研究所 | 投影光刻成像相移滤波装置 |
US6873733B2 (en) | 2001-01-19 | 2005-03-29 | The Regents Of The University Of Colorado | Combined wavefront coding and amplitude contrast imaging systems |
US6842297B2 (en) | 2001-08-31 | 2005-01-11 | Cdm Optics, Inc. | Wavefront coding optics |
US7026081B2 (en) | 2001-09-28 | 2006-04-11 | Asml Masktools B.V. | Optical proximity correction method utilizing phase-edges as sub-resolution assist features |
EP1478966B1 (en) | 2002-02-27 | 2007-11-14 | CDM Optics, Incorporated | Optimized image processing for wavefront coded imaging systems |
US7180673B2 (en) | 2003-03-28 | 2007-02-20 | Cdm Optics, Inc. | Mechanically-adjustable optical phase filters for modifying depth of field, aberration-tolerance, anti-aliasing in optical systems |
US7260251B2 (en) | 2003-03-31 | 2007-08-21 | Cdm Optics, Inc. | Systems and methods for minimizing aberrating effects in imaging systems |
JP2007513427A (ja) | 2003-12-01 | 2007-05-24 | シーディーエム オプティックス, インコーポレイテッド | 光学システムおよびデジタルシステムの設計を最適化するシステムおよび方法 |
-
2004
- 2004-06-01 EP EP04754175A patent/EP1687829B1/en not_active Expired - Lifetime
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2006
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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