JP4743507B2 - 固体電解コンデンサ用多孔質陽極体、その製造方法、及び固体電解コンデンサ - Google Patents
固体電解コンデンサ用多孔質陽極体、その製造方法、及び固体電解コンデンサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP4743507B2 JP4743507B2 JP2005342100A JP2005342100A JP4743507B2 JP 4743507 B2 JP4743507 B2 JP 4743507B2 JP 2005342100 A JP2005342100 A JP 2005342100A JP 2005342100 A JP2005342100 A JP 2005342100A JP 4743507 B2 JP4743507 B2 JP 4743507B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- niobium
- tantalum
- pore
- capacitor
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 182
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 112
- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims description 40
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 222
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 202
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 195
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 132
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 124
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 114
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 114
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 112
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 94
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 92
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 claims description 83
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 claims description 69
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 69
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 64
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 54
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 49
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 49
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 30
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 30
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 29
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 26
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 25
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 claims description 25
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 22
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 20
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 19
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 150000003482 tantalum compounds Chemical class 0.000 claims description 17
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 16
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 16
- 229910001257 Nb alloy Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 15
- 229910001362 Ta alloys Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 14
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 14
- 150000002822 niobium compounds Chemical class 0.000 claims description 14
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 claims description 10
- BFRGSJVXBIWTCF-UHFFFAOYSA-N niobium monoxide Chemical compound [Nb]=O BFRGSJVXBIWTCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 10
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 9
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims description 9
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 9
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 8
- OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N lutetium atom Chemical compound [Lu] OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 8
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 7
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 7
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N holmium atom Chemical compound [Ho] KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 6
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- HFLAMWCKUFHSAZ-UHFFFAOYSA-N niobium dioxide Chemical compound O=[Nb]=O HFLAMWCKUFHSAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 6
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Inorganic materials O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 5
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;1-ethenyl-2-ethylbenzene;styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.CCC1=CC=CC=C1C=C.C=CC1=CC=CC=C1C=C NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims description 4
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical group [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011591 potassium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 4
- 229910001122 Mischmetal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims description 3
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 claims description 3
- 239000003456 ion exchange resin Substances 0.000 claims description 3
- 229920003303 ion-exchange polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 3
- 229920000137 polyphosphoric acid Polymers 0.000 claims description 3
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000003983 crown ethers Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000006356 dehydrogenation reaction Methods 0.000 claims description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 2
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 58
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 56
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 51
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 47
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 45
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 36
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 34
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 34
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 28
- DSSYKIVIOFKYAU-XCBNKYQSSA-N (R)-camphor Chemical compound C1C[C@@]2(C)C(=O)C[C@@H]1C2(C)C DSSYKIVIOFKYAU-XCBNKYQSSA-N 0.000 description 27
- 241000723346 Cinnamomum camphora Species 0.000 description 27
- 229960000846 camphor Drugs 0.000 description 27
- 229930008380 camphor Natural products 0.000 description 26
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 25
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 25
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 23
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- -1 halide salt Chemical class 0.000 description 21
- 239000000047 product Substances 0.000 description 21
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 19
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 18
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 18
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 17
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 17
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 17
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 16
- 230000009471 action Effects 0.000 description 15
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 15
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 14
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 14
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 14
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 13
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 13
- 150000002821 niobium Chemical class 0.000 description 13
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 13
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 12
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 11
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 11
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 11
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 10
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 9
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 9
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 8
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 8
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 7
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 7
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 7
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 235000014676 Phragmites communis Nutrition 0.000 description 6
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PYLYNBWPKVWXJC-UHFFFAOYSA-N [Nb].[Pb] Chemical compound [Nb].[Pb] PYLYNBWPKVWXJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 6
- 239000002585 base Substances 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- YADSGOSSYOOKMP-UHFFFAOYSA-N dioxolead Chemical compound O=[Pb]=O YADSGOSSYOOKMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 6
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Natural products CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 5
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 description 5
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 5
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 5
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 description 5
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 5
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 5
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 5
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 5
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 5
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 5
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 5
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 244000273256 Phragmites communis Species 0.000 description 4
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 4
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 4
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 4
- 159000000003 magnesium salts Chemical class 0.000 description 4
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 4
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 description 4
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052774 Proactinium Inorganic materials 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ROSDCCJGGBNDNL-UHFFFAOYSA-N [Ta].[Pb] Chemical compound [Ta].[Pb] ROSDCCJGGBNDNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 3
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 3
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 3
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 3
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 3
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 3
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N ferric oxide Chemical compound O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007602 hot air drying Methods 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 3
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 3
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229960003975 potassium Drugs 0.000 description 3
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 3
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 3
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 description 3
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 3
- 238000005486 sulfidation Methods 0.000 description 3
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 3
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YMMGRPLNZPTZBS-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[2,3-b][1,4]dioxine Chemical compound O1CCOC2=C1C=CS2 YMMGRPLNZPTZBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[3,4-b][1,4]dioxine Chemical compound O1CCOC2=CSC=C21 GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JAJIPIAHCFBEPI-UHFFFAOYSA-N 9,10-dioxoanthracene-1-sulfonic acid Chemical compound O=C1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=CC=C2S(=O)(=O)O JAJIPIAHCFBEPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L Magnesium chloride Chemical compound [Mg+2].[Cl-].[Cl-] TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002845 Poly(methacrylic acid) Polymers 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M Sodium bicarbonate Chemical compound [Na+].OC([O-])=O UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 2
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 2
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010908 decantation Methods 0.000 description 2
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N iron oxide Inorganic materials [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HJOVHMDZYOCNQW-UHFFFAOYSA-N isophorone Chemical compound CC1=CC(=O)CC(C)(C)C1 HJOVHMDZYOCNQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 2
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 2
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 229940043265 methyl isobutyl ketone Drugs 0.000 description 2
- PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N neodymium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Nd+3].[Nd+3] PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 2
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 2
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 2
- 238000010079 rubber tapping Methods 0.000 description 2
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 150000003481 tantalum Chemical class 0.000 description 2
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 2
- SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dichloroethane Chemical compound CC(Cl)Cl SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MFEVGQHCNVXMER-UHFFFAOYSA-L 1,3,2$l^{2}-dioxaplumbetan-4-one Chemical compound [Pb+2].[O-]C([O-])=O MFEVGQHCNVXMER-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- ZYVYEJXMYBUCMN-UHFFFAOYSA-N 1-methoxy-2-methylpropane Chemical compound COCC(C)C ZYVYEJXMYBUCMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 2-(3-bromo-2-fluorophenyl)acetic acid Chemical compound OC(=O)CC1=CC=CC(Br)=C1F PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YMUICPQENGUHJM-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropyl(tripropyl)azanium Chemical compound CCC[N+](CCC)(CCC)CC(C)C YMUICPQENGUHJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BMYNFMYTOJXKLE-UHFFFAOYSA-N 3-azaniumyl-2-hydroxypropanoate Chemical compound NCC(O)C(O)=O BMYNFMYTOJXKLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CSDQQAQKBAQLLE-UHFFFAOYSA-N 4-(4-chlorophenyl)-4,5,6,7-tetrahydrothieno[3,2-c]pyridine Chemical compound C1=CC(Cl)=CC=C1C1C(C=CS2)=C2CCN1 CSDQQAQKBAQLLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RCYIWFITYHZCIW-UHFFFAOYSA-N 4-methoxybut-1-yne Chemical compound COCCC#C RCYIWFITYHZCIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L Calcium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ca+2] UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- LSPHULWDVZXLIL-UHFFFAOYSA-N Camphoric acid Natural products CC1(C)C(C(O)=O)CCC1(C)C(O)=O LSPHULWDVZXLIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 description 1
- SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N Indole Chemical compound C1=CC=C2NC=CC2=C1 SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017569 La2(CO3)3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000003 Lead carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 1
- QISGROBHHFQWKS-UHFFFAOYSA-N [C].[Nb] Chemical compound [C].[Nb] QISGROBHHFQWKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PRQMJCKNUXGWPX-UHFFFAOYSA-N [O--].[Nb+5].[Nb+5].[Nb+5].[Nb+5].[Nb+5].[Nb+5] Chemical compound [O--].[Nb+5].[Nb+5].[Nb+5].[Nb+5].[Nb+5].[Nb+5] PRQMJCKNUXGWPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 150000008044 alkali metal hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910001860 alkaline earth metal hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- DVARTQFDIMZBAA-UHFFFAOYSA-O ammonium nitrate Chemical compound [NH4+].[O-][N+]([O-])=O DVARTQFDIMZBAA-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N ammonium sulfate Chemical compound N.N.OS(O)(=O)=O BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052921 ammonium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011130 ammonium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 239000003957 anion exchange resin Substances 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000012752 auxiliary agent Substances 0.000 description 1
- 159000000009 barium salts Chemical class 0.000 description 1
- AYJRCSIUFZENHW-DEQYMQKBSA-L barium(2+);oxomethanediolate Chemical compound [Ba+2].[O-][14C]([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-DEQYMQKBSA-L 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N boron trifluoride Chemical compound FB(F)F WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001110 calcium chloride Substances 0.000 description 1
- 229910001628 calcium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L calcium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ca+2] AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000920 calcium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001861 calcium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 159000000007 calcium salts Chemical class 0.000 description 1
- HHSPVTKDOHQBKF-UHFFFAOYSA-J calcium;magnesium;dicarbonate Chemical compound [Mg+2].[Ca+2].[O-]C([O-])=O.[O-]C([O-])=O HHSPVTKDOHQBKF-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical compound OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003729 cation exchange resin Substances 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- GHLITDDQOMIBFS-UHFFFAOYSA-H cerium(3+);tricarbonate Chemical compound [Ce+3].[Ce+3].[O-]C([O-])=O.[O-]C([O-])=O.[O-]C([O-])=O GHLITDDQOMIBFS-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- UNJPQTDTZAKTFK-UHFFFAOYSA-K cerium(iii) hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Ce+3] UNJPQTDTZAKTFK-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- RAQDACVRFCEPDA-UHFFFAOYSA-L ferrous carbonate Chemical compound [Fe+2].[O-]C([O-])=O RAQDACVRFCEPDA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- XUCNUKMRBVNAPB-UHFFFAOYSA-N fluoroethene Chemical group FC=C XUCNUKMRBVNAPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004108 freeze drying Methods 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008282 halocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940071870 hydroiodic acid Drugs 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003480 inorganic solid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000014413 iron hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 235000013980 iron oxide Nutrition 0.000 description 1
- NCNCGGDMXMBVIA-UHFFFAOYSA-L iron(ii) hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Fe+2] NCNCGGDMXMBVIA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000005001 laminate film Substances 0.000 description 1
- NZPIUJUFIFZSPW-UHFFFAOYSA-H lanthanum carbonate Chemical compound [La+3].[La+3].[O-]C([O-])=O.[O-]C([O-])=O.[O-]C([O-])=O NZPIUJUFIFZSPW-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 229960001633 lanthanum carbonate Drugs 0.000 description 1
- YXEUGTSPQFTXTR-UHFFFAOYSA-K lanthanum(3+);trihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[La+3] YXEUGTSPQFTXTR-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000002386 leaching Methods 0.000 description 1
- 229940046892 lead acetate Drugs 0.000 description 1
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PIJPYDMVFNTHIP-UHFFFAOYSA-L lead sulfate Chemical compound [PbH4+2].[O-]S([O-])(=O)=O PIJPYDMVFNTHIP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L lithium carbonate Chemical compound [Li+].[Li+].[O-]C([O-])=O XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052808 lithium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N lithium oxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- QWDJLDTYWNBUKE-UHFFFAOYSA-L magnesium bicarbonate Chemical compound [Mg+2].OC([O-])=O.OC([O-])=O QWDJLDTYWNBUKE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000002370 magnesium bicarbonate Substances 0.000 description 1
- 229910000022 magnesium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000014824 magnesium bicarbonate Nutrition 0.000 description 1
- 229910001629 magnesium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910012375 magnesium hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- ZTERWYZERRBKHF-UHFFFAOYSA-N magnesium iron(2+) oxygen(2-) Chemical compound [Mg+2].[O-2].[Fe+2].[O-2] ZTERWYZERRBKHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011656 manganese carbonate Substances 0.000 description 1
- 235000006748 manganese carbonate Nutrition 0.000 description 1
- 229940093474 manganese carbonate Drugs 0.000 description 1
- MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N manganese(2+);dinitrate Chemical compound [Mn+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000016 manganese(II) carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- XMWCXZJXESXBBY-UHFFFAOYSA-L manganese(ii) carbonate Chemical compound [Mn+2].[O-]C([O-])=O XMWCXZJXESXBBY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052987 metal hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004681 metal hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000005395 methacrylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 235000010755 mineral Nutrition 0.000 description 1
- 239000006082 mold release agent Substances 0.000 description 1
- UTWHRPIUNFLOBE-UHFFFAOYSA-H neodymium(3+);tricarbonate Chemical compound [Nd+3].[Nd+3].[O-]C([O-])=O.[O-]C([O-])=O.[O-]C([O-])=O UTWHRPIUNFLOBE-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920006284 nylon film Polymers 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012188 paraffin wax Substances 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002401 polyacrylamide Polymers 0.000 description 1
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920006289 polycarbonate film Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920006290 polyethylene naphthalate film Polymers 0.000 description 1
- 229920000414 polyfuran Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 1
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- 239000011736 potassium bicarbonate Substances 0.000 description 1
- 235000015497 potassium bicarbonate Nutrition 0.000 description 1
- 229910000028 potassium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011181 potassium carbonates Nutrition 0.000 description 1
- 239000001103 potassium chloride Substances 0.000 description 1
- 235000011164 potassium chloride Nutrition 0.000 description 1
- TYJJADVDDVDEDZ-UHFFFAOYSA-M potassium hydrogencarbonate Chemical compound [K+].OC([O-])=O TYJJADVDDVDEDZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229940086066 potassium hydrogencarbonate Drugs 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910001954 samarium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940075630 samarium oxide Drugs 0.000 description 1
- QCZFMLDHLOYOQJ-UHFFFAOYSA-H samarium(3+);tricarbonate Chemical compound [Sm+3].[Sm+3].[O-]C([O-])=O.[O-]C([O-])=O.[O-]C([O-])=O QCZFMLDHLOYOQJ-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- BCYBEIXXOVNETJ-UHFFFAOYSA-K samarium(3+);trihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Sm+3] BCYBEIXXOVNETJ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- FKTOIHSPIPYAPE-UHFFFAOYSA-N samarium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Sm+3].[Sm+3] FKTOIHSPIPYAPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229930195734 saturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 1
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 description 1
- 239000000344 soap Substances 0.000 description 1
- 229910000030 sodium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000017557 sodium bicarbonate Nutrition 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000017550 sodium carbonate Nutrition 0.000 description 1
- AKHNMLFCWUSKQB-UHFFFAOYSA-L sodium thiosulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=S AKHNMLFCWUSKQB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 235000019345 sodium thiosulphate Nutrition 0.000 description 1
- 235000019832 sodium triphosphate Nutrition 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000001694 spray drying Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- NYPFJVOIAWPAAV-UHFFFAOYSA-N sulfanylideneniobium Chemical compound [Nb]=S NYPFJVOIAWPAAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N sulfolane Chemical compound O=S1(=O)CCCC1 HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003457 sulfones Chemical class 0.000 description 1
- 150000003462 sulfoxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003866 tertiary ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- UGNWTBMOAKPKBL-UHFFFAOYSA-N tetrachloro-1,4-benzoquinone Chemical compound ClC1=C(Cl)C(=O)C(Cl)=C(Cl)C1=O UGNWTBMOAKPKBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N tetracyanoquinodimethane Chemical compound N#CC(C#N)=C1C=CC(=C(C#N)C#N)C=C1 PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBXCPBUEXACCNR-UHFFFAOYSA-N tetraethylammonium Chemical compound CC[N+](CC)(CC)CC CBXCPBUEXACCNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UEUXEKPTXMALOB-UHFFFAOYSA-J tetrasodium;2-[2-[bis(carboxylatomethyl)amino]ethyl-(carboxylatomethyl)amino]acetate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[O-]C(=O)CN(CC([O-])=O)CCN(CC([O-])=O)CC([O-])=O UEUXEKPTXMALOB-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 150000004764 thiosulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004417 unsaturated alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012178 vegetable wax Substances 0.000 description 1
- 229920006163 vinyl copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- 239000001993 wax Substances 0.000 description 1
- QVOIJBIQBYRBCF-UHFFFAOYSA-H yttrium(3+);tricarbonate Chemical compound [Y+3].[Y+3].[O-]C([O-])=O.[O-]C([O-])=O.[O-]C([O-])=O QVOIJBIQBYRBCF-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- DEXZEPDUSNRVTN-UHFFFAOYSA-K yttrium(3+);trihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Y+3] DEXZEPDUSNRVTN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/042—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/048—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
- H01G9/052—Sintered electrodes
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12014—All metal or with adjacent metals having metal particles
Description
[2]ニオブ材料がニオブ、ニオブ合金及びニオブ化合物から選択される少なくとも1種であり、タンタル材料がタンタル、タンタル合金及びタンタル化合物から選択される少なくとも1種である前記1に記載の製造方法。
[3]酸素を含有するニオブ材料または酸素を含有するタンタル材料が、酸素含有量50質量%以下であり、かつ、ニオブ、一酸化六ニオブ、一酸化ニオブ、二酸化ニオブ、五酸化ニオブ、タンタル、及び五酸化タンタルから選択されるの少なくとも一つの結晶を含む前記1または2に記載の製造方法。
[4]酸素を含有するニオブ材料が、水素、硼素、窒素、アンチモン、タンタル、ジルコニウム、タングステン、珪素、アルミニウムから選択される少なくとも1種の元素を含む前記1〜3のいずれかに記載の製造方法。
[5]酸素を含有するタンタル材料が、水素、硼素、窒素、アンチモン、ニオブ、ジルコニウム、タングステン、珪素、アルミニウムから選択される少なくとも1種の元素を含む前記1〜3のいずれかに記載の製造方法。
[6]成形体が窒化珪素を含む前記1〜5のいずれかに記載の製造方法。
[7]還元剤が、タンタル以上の酸素親和性を持つ金属、合金及びそれらの水素化物から選択される少なくとも1種である前記1〜6のいずれかに記載の製造方法。
[8]還元剤が、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテチウム、ミッシュメタル、イットリウム、アルミニウム、タンタル、ニオブ、炭素、珪素、これらの合金、これらの水素化物、及び水素から選択される少なくとも1種である前記7に記載の製造方法。
[9]成形体の形状が、リード付の成形体または基体と一体化した成形体であり、そのリードまたは基体が、ニオブ、ニオブ合金、ニオブ化合物、タンタル、タンタル合金、及びタンタル化合物から選択される少なくとも1種からなる前記1〜8のいずれかに記載の製造方法。
[10]成形体が厚さ1mm以下に成形される前記9に記載の製造方法。
[11]還元反応工程前に、成形体を焼結させる工程を含み、かつ空孔形成剤が焼結温度で固体である前記1〜10のいずれかに記載の製造方法。
[12]焼結が、500〜2000℃の温度で行われる前記11に記載の製造方法。
[13]還元反応工程前に、成形体または焼結体と還元剤とを混合する工程を含む前記1〜12のいずれかに記載の製造方法。
[14]混合する温度が50℃以下である前記13に記載の製造方法。
[15]還元反応工程において、450〜2000℃の範囲に加熱する前記1〜14のいずれかに記載の製造方法。
[16]12℃/分以下の昇温速度で加熱する前記15に記載の製造方法。
[17]還元反応工程後の空孔形成剤の除去工程前に、不活性ガスにより0.1〜21質量%の酸素含有量に希釈した酸素含有気体を用いて徐酸化する工程を含む前記1〜16のいずれかに記載の製造方法。
[18]徐酸化する温度が60℃以下である前記17に記載の製造方法。
[19]空孔形成剤の除去工程が、水、有機溶媒、酸性溶媒、アルカリ性溶媒、アミン含有溶媒、アミノ酸含有溶媒、ポリリン酸含有溶媒、クラウンエーテル溶媒、キレート剤含有溶媒、アンモニウム塩含有溶媒及びイオン交換樹脂分散溶媒から選択される少なくとも1種の溶媒により除去する工程である前記1〜18のいずれかに記載の製造方法。
[20]空孔形成剤を除去する温度が、50℃以下である前記19に記載の製造方法。
[21]還元反応工程後、空孔形成剤除去工程前に、残存する還元剤を除去する工程を含む前記1〜20のいずれかに記載の製造方法。
[22]残存する還元剤を除去する工程が、高減圧下、450〜2000℃で行われる前記21に記載の製造方法。
[23]還元反応工程前、あるいは還元反応工程後の空孔形成剤除去工程前に、窒素、硼素、リン、硫黄、セレン、テルル、アルミニウム、珪素及びアンチモンからなる群から選ばれる少なくとも1種の元素を成形体または焼結体にドープする工程を含む前記1〜22のいずれかに記載の製造方法。
[24]還元反応工程前、還元反応工程中、還元反応工程後の空孔形成剤除去工程前、または空孔形成剤除去工程後に、脱水素工程を含む前記1〜23のいずれかに記載の製造方法。
[25]前記1〜24のいずれか1項に記載の方法で作成された固体電解コンデンサ用の陽極体。
[26]前記1〜24のいずれか1項に記載の方法で多孔質陽極体を製造し、この陽極体を一方の電極とし、誘電体を介して対電極を構成する固体電解コンデンサの製造方法。
[27]2つ以上の多孔質陽極体が、電気的に並列に接続される前記26に記載のコンデンサの製造方法。
[28]前記26に記載の方法で製造される固体電解コンデンサ。
[29]前記28に記載の固体電解コンデンサを搭載した電子回路。
[30]前記28に記載の固体電解コンデンサを搭載した電子機器。
本発明の製造方法における出発原料である混合物成形体は、酸素を含有するニオブ材料及び酸素を含有するタンタル材料から選択される少なくとも1種の材料の粉末と空孔形成剤とを含む混合物からなる。粉末としては、凝集等の加工がなされていない一次粉末、これを凝集させた二次凝集粉末及びそれらの造粒物である造粒粉末のいずれもが使用可能である。一次粉末としては平均粒径が0.01〜4μmのものが好ましく、二次凝集粉末としては平均粒径が0.1〜20μmのものが好ましく、造粒粉末としては平均粒径が0.2〜200μmのものが好ましい。粉末の形状は、球状、棒状、扁平状、フレーク状など、形状に左右されず好適に使用できる。熱履歴が少なく、比表面積の大きい粉体を用いることが望ましい。
還元反応工程中に固体のまま存在する空孔形成剤を用いることにより、還元反応温度においてニオブ材料及び/またはタンタル材料からなる粉末の必要以上の凝集を防ぎ、ニオブ材料及び/またはタンタル材料同士の接点でのみ融着を起こさせることができる。還元反応温度において液体となる空孔形成剤を用いた場合には、ニオブ材料及び/またはタンタル材料からなる粉末の体積収縮を防止する効果が小さくなり、望む空孔より小さな空孔を形成する場合がある。また、空孔の存在率に偏りが発生する場合がある。還元反応温度において気体となる空孔形成剤を用いた場合には、反応温度において空孔形成剤がニオブ材料及び/またはタンタル材料からなる粉末の隙間から抜け出し、小さな空孔しか形成できなくなる。これらのことは、還元反応工程だけでなく予備凝集工程においても同様である。
混合物の造粒粉は、前述の固形分濃度約10質量%〜約80質量%の混合液をナウターミキサー、ヘンシェルミキサーなどの造粒乾燥機を用いて、1×102〜1×103Pa程度の減圧下、約40〜約60℃で約3〜約100時間加熱することにより製造することができる。得られた混合物の造粒粉の平均粒径は、撹拌機の回転数、撹拌機と容器内壁のクリアランスなどにより異なるが、通常0.1〜10mmとなる。必要に応じて、大きな粒径を持つ粒子をロールグラニュレーターなどの解砕機を用いて解砕し、平均粒径を0.02〜1mm程度に揃えても良い。平均粒径を揃えることにより、粒子の流動性を向上させ成形時の偏析を防止することができる。
リード付成形体は、前述の0.1〜10mm程度の平均粒径をもつ混合物の造粒粉を、高減圧下、約300〜約2000℃で20分〜100時間予備造粒し、必要に応じてロールグラニュレーターなどの解砕機で解砕し、平均粒子径を0.02〜1mm程度に整えた後、リード線を差し込みながら成形する成型機を用いて製造することができる。
必要に応じて、成形前に前述のバインダーを添加してもよい。また、成形時の欠け等の防止のためにフッ素系、シリコン系、BN系、またはステアリン酸系の滑剤などの離型剤を使用してもよい。
リードとしては、ニオブ材料またはタンタル材料(ニオブ、ニオブ合金、ニオブ化合物、タンタル、タンタル合金、タンタル化合物)からなる線、棒などを用いることができる。
また、前述の固形分濃度が約50〜約98質量%の混合液を、例えば、セラミックスからなる通気通液性鋳込型に鋳込み、脱液、乾燥した後、鋳型から成形体を分離してリードを挟み込むように貼り合わせ、高減圧下、約500〜約2000℃で20分〜100時間焼成して製造することもできる。必要に応じて、前述のバインダーや芳香族スルホン酸塩、脂肪族スルホン酸塩などの解膠剤を用いても良い。また、前述の混合液を鋳込型に鋳込んだ後、加圧して、形状を整えてもよい。
複雑な構造の成形体は、前述の固形分濃度が約50〜約98質量%の混合液を、例えば、セラミックスからなる通気通液性鋳込型に鋳込み、脱液、乾燥した後、高減圧下、約500〜約2000℃で20分〜100時間焼成し、鋳型から成形体を分離して製造することができる。必要に応じて、前述のバインダーや芳香族スルホン酸塩、脂肪族スルホン酸塩などの解膠剤を用いても良い。また、前述の混合液を鋳込型に鋳込んだ後、加圧して、形状を整えてもよい。
薄型成形体とは、シート状または板状の形状を有するものであり、最も薄い部分の厚さが1.0mm以下である。薄型成形体は、前述の固形分濃度が約30〜約98質量%の混合液を、適当な剥離性基体上に塗布または印刷して、乾燥の後、成形体を基体から剥離することにより製造できる。このとき、前述のバインダーを用いることが好ましく、剥離性基体に塗布または印刷の後、著しく変形しない程度に加圧しても良い。剥離性基体としては、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリ塩化ビニリデンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリビニルアルコールフィルム、ポリカーボネートフィルム、ナイロンフィルム、ポリスチレンフィルム、エチレン酢酸ビニル共重合体フィルム、エチレンビニル共重合体フィルム等からなるプラスチックフィルム、またはプラスチックシート、もしくは、紙、含浸紙、もしくは、アルミニウムなどの金属箔、金属シートなどが使用できる。必要な強度、剥離性を備えていれば特に制限なく使用できるが、ポリエチレンテレフタレートフィルムまたはシートを用いることが好ましい。塗布の方法は、公知の方法が用いられる。例えば、エアードクターコート、ブレードコート、ロッドコート、押し出しコート、エアーナイフコート、スクイズコート、含浸コート、リバースロールコート、トランスファーロールコート、グラビアコート、キスコート、キャストコート、スプレーコートなどを問題なく用いることができる。印刷の方法としては、スクリーン印刷、孔版印刷、凹版印刷、平板印刷などを用いることができる。混合物成形体の形状を所望の形状、例えばシート状または板状の直方体の形状、コイン状の形状、櫛、歯形状の形状などを形成する時に、その形成のし易さから、特に孔版印刷が好ましい。剥離性基体には予めフッ素系、シリコン系、BN系、またはステアリン酸系の滑剤などの離型剤を塗布することもできる。
基体と一体化した薄型成形体とは、ニオブ、ニオブ化合物、ニオブ合金、タンタル、タンタル化合物、タンタル合金からなる群から選ばれた少なくとも1つのシート、箔、板、櫛、歯形、短冊などの形状をもつ基体上に前記混合物層を形成し、一体化したものである。混合物層は前述の固形分濃度が30〜98質量%の混合液を、前記基体上に塗布または印刷して、乾燥した後に、高減圧下、約500〜約2000℃で20分〜100時間焼成することにより、形成することができる。塗布、印刷する際に、前述のバインダーを用いることが好ましく、焼成前に、高減圧下、約50〜約500℃で脱バインダーすることが好ましい。また前述の基体に塗布または印刷の後、あるいは乾燥の後、著しく変形しない程度に加圧して、形状を整えても良い。塗布または印刷の方法としては前述の方法が問題なく使用できる。混合物層は基体の片面だけに形成してもよいし、表裏両面に形成してもよい。このようにして得られた基体と一体化した薄型成形体は、その成形体の最も薄い部分の厚さが、1.0mm以下、さらに0.6mm以下、特に0.4mm以下にすることもできる。
上記で得られた混合物成形体を還元剤と共に反応させる。この工程により、ニオブ材料及び/またはタンタル材料中の酸素量が減少する。
還元剤としては、ニオブあるいはタンタルと同等の酸素親和性をもつ、または、より高い酸素親和性の金属、合金、及びそれらの水素化物など、公知の物質が使用できる。例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム等のアルカリ金属、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウムなどのアルカリ土類金属、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテチウムなどの希土類金属、ミッシュメタル、イットリウム、アルミニウム、炭素、珪素、あるいはこれらの合金、水素化物、合金水素化物、水素などを例示することができる。これらの中では、還元能、取扱性、入手のし易さ、コスト等の観点から、マグネシウム、カルシウム、バリウム、アルミニウムが好ましい。これらの還元剤は、単独で用いても良いし、2種以上を同時に用いても良い。また、2回以上の反応を、同じ還元剤で行っても良いし、別々の還元剤を用いて行ってもよい。還元剤の形状は、粉状、塊状、削り状、線状、棒状、スポンジ状などいずれも好適に使用できる。還元剤の大きさは、その形状によっても異なるが、10μm〜3cm程度であることが好ましい。
ただし、液体接触または気体接触を行う際に、還元剤が450℃で液体または気体とならない場合には、前記温度範囲の下限値は還元剤が液体または気体となる温度となる。通常、この下限値を700℃とすれば多くの還元剤に適用できる。
酸素含有量が制御された還元反応生成物から、還元反応で生成した還元剤の酸化物と空孔形成剤とを除去することにより、酸素含有量が制御されたコンデンサ陽極用の弁作用金属多孔質陽極体を製造する。多孔質陽極体がリード付の成形体であればそのまま陽極用材料として用いることができる。リードなしの成形体であれば、ニオブ、ニオブ合金、タンタル、タンタル合金などのリード線、リード箔などを溶接することにより陽極用材料として用いることができる。溶接は、スポット溶接が好ましい。
また、塩化アンモニウム、硝酸アンモニウム、硫酸アンモニウムなどのアンモニウム塩の溶液や、陽イオン交換樹脂、陰イオン交換樹脂の分散された溶媒なども好適に使用できる。
硫黄のドープは、ガス硫化、イオン硫化、固相硫化いずれであってもよい。例えば、硫黄ガス雰囲気によるガス硫化の方法は、酸素を含有するニオブ材料及び/またはタンタル材料を硫黄雰囲気中に放置することにより達成される。硫化する雰囲気の温度は、2000℃以下、放置時間は数10時間以内で目的とする硫化量ニオブが得られる。また、より高温で処理することにより処理時間を短縮できる。
珪素をドープする場合、ガス珪化、固相珪化いずれであってもよい。例えば、珪素粉末や、ハロゲン化珪素、アルコキシシラン等の珪素源とともに、減圧下、2000℃以下で数分〜数10時間放置しておけばよい。
その他のドープ元素についても上記いずれかの方法に準じた方法でドープできる。
本発明の製造方法で製造した多孔質陽極体は、空孔及び酸素量を制御したニオブ材料及び/またはタンタル材料からなる多孔質陽極体である。多孔質陽極体中に含まれる、ニオブ、タンタル及び酸素以外の成分としては、例えば、水素、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、スカンジウム、イットリウム、チタニウム、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、クロム、モリブデン、タングステン、マンガン、レニウム、ルテニウム、オスミウム、ロジウム、イリジウム、パラジウム、プラチナ、銀、金、亜鉛、カドミウム、水銀、硼素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウム、炭素、珪素、ゲルマニウム、スズ、鉛、窒素、リン、砒素、アンチモン、ビスマス、硫黄、セレン、テルル、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム及びルテチウムからなる群から選ばれる少なくとも1種の元素が挙げられる。好ましくは、水素、イットリウム、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、モリブデン、タングステン、マンガン、レニウム、亜鉛、硼素、アルミニウム、珪素、窒素、リン、アンチモン、ネオジム、エルビウム、イッテルビウム及びルテチウムからなる群から選ばれる少なくとも1種の元素である。これらの元素は成形体に配合されるようにすればよい。これらの元素を含むニオブ合金、ニオブ化合物、タンタル合金及びタンタル化合物は、無定形、非晶質、ガラス状、コロイド状、結晶などの形態をとっているものであっても良い。さらに、コンデンサの耐熱性をより向上させるためには、硼素、窒素、アンチモン、ジルコニウム、タングステン、珪素及びアルミニウムの少なくとも1種の元素を含むことが好ましい。窒素と珪素を含む場合、窒化珪素として配合してもよい。窒化珪素の具体例としては、SiN、Si2N2、Si2N3、Si3N4などが例示され、その形態としては、無定形、非晶質、ガラス状、コロイド状、結晶などが挙げられる。
具体的には、リード付き陽極体の態様として、図1に示す直方体型多孔質陽極体、図2(A)に示す薄型(シート状あるいは板状)の多孔質陽極体、図6(A)に示す円筒型多孔質陽極体、図7(A)に示す角柱型多孔質陽極体などが挙げられる。リードなしの陽極体としては、図9(A)に示す直方体型多孔質陽極体、図10(A)に示す薄型(シート状あるいは板状)の多孔質陽極体などが挙げられる。リードなしのものは、図9及び図10に示すようにリード線、リード箔などを溶接等により接着し、陽極体として用いる。
また、図4(A)及び図8(A)に示す基体と一体化した薄型陽極体を挙げることができる。図4(A)では、基体の表裏両面に多孔質材料が設けられたものであり、図8(A)では、基体の片側面にのみ多孔質材料が設けられたものである。これらの基体はリードの役割をも果たすことができる。
リード及び基体としては、ニオブ、ニオブ化合物、ニオブ合金、タンタル、タンタル化合物及びタンタル合金からなる群から選ばれた少なくとも1つのシート、箔、板、棒、線、櫛、歯形、短冊などが例示できる。
薄型の陽極体は、厚みを1.0mm以下とすることが好ましい。より好ましくは0.6mm以下であり、さらに好ましくは0.4mm以下である。
[5]コンデンサ素子
本発明の固体電解コンデンサは、上記で得られた多孔質陽極体を一方の電極とし、対電極との間に介在した誘電体とから構成される。具体的には、多孔質陽極体を一方の電極とし、その多孔質陽極体表面(空孔内表面含む)上に誘電体を形成し、前記誘電体上に対電極を設け、コンデンサを構成する。コンデンサの誘電体としては、酸化ニオブ、酸化タンタルを主体とする誘電体が好ましく、特に五酸化ニオブ、五酸化タンタルを主体とする誘電体が好ましい。五酸化ニオブを主体とする誘電体は、例えば、一方の電極であるニオブ材料からなる多孔質陽極体を電解酸化することによって得られる。多孔質陽極体電極を電解液中で電解酸化するには、通常、プロトン酸水溶液、例えば、0.1%リン酸水溶液、硫酸水溶液、ホウ酸水溶液または1%の酢酸水溶液、アジピン酸水溶液等を用いて行われる。このように、多孔質陽極体電極を電解液中で化成して酸化ニオブ誘電体を得る場合、本発明のコンデンサは、電解コンデンサとなり多孔質陽極体電極が陽極となる。
図10に示されるようなリードなし薄型陽極体を製造後、リードを接着したものであっても、図11や図12に示されるように積層し電気的に並列に配置、接続することができる。また、薄型ではない円筒型タイプ(図6(A))や角柱型タイプ(図7(A))のものでも、それぞれ図6(B)及び図7(B)に示すように、電気的に並列に配置、接続することができる。
リードが接続された薄型陽極体あるいは基体と一体化した薄型陽極体を用いて積層する場合には、それぞれの薄型陽極体の厚みは1mm以下が好ましく、より好ましくは0.6mm以下、さらに好ましくは0.4mm以下である。これを2〜1000個電気的に並列に接続することができる。
また、実施例及び比較例の焼結体からのコンデンサの作製は以下の1〜4のいずれかの方法により行った。
20Vの電圧で、0.1%リン酸水溶液を用い、電解酸化して、表面に誘電体酸化皮膜を形成した弁作用金属の多孔質陽極体を用意した。次に、60%硝酸マンガン水溶液に浸漬後220℃で30分加熱する操作を繰り返して、誘電体酸化皮膜上に対電極層として二酸化マンガン層を形成した。引き続き、その上に、カーボン層、銀ペースト層を順次積層した。次にリードフレームを載せた後、全体をエポキシ樹脂で封止して、チップ型コンデンサを作製した。
20Vの電圧で、0.1%リン酸水溶液を用い、電解酸化して、表面に誘電体酸化皮膜を形成した弁作用金属の多孔質陽極体を用意した。次に、35%酢酸鉛水溶液と35%過硫酸アンモニウム水溶液の1:1(容量比)混合液に浸漬後、40℃で1時間反応させる操作を繰り返して、誘電体酸化皮膜上に対電極層として二酸化鉛と硫酸鉛の混合層を形成した。引き続き、その上に、カーボン層、銀ペースト層を順次積層した。次にリードフレームを載せた後、全体をエポキシ樹脂で封止して、チップ型コンデンサを作製した。
20Vの電圧で、0.1%リン酸水溶液を用い、電解酸化して、表面に誘電体酸化皮膜を形成した弁作用金属の多孔質陽極体を用意した。次に、誘電体酸化被膜の上に、過硫酸アンモニウム10%水溶液とアントラキノンスルホン酸0.5%水溶液の等量混合液を接触させた後、ピロール蒸気を触れさせる操作を少なくとも5回行うことによりポリピロールからなる対電極(対極)を形成した。引き続き、その上に、カーボン層、銀ペースト層を順次積層した。次にリードフレームを載せた後、全体をエポキシ樹脂で封止して、チップ型コンデンサを作製した。
20Vの電圧で、0.1%リン酸水溶液を用い、電解酸化して、表面に誘電体酸化皮膜を形成した弁作用金属の多孔質陽極体を用意した。次に、過硫酸アンモニウム25質量%を含む水溶液(溶液1)に浸漬した後引き上げ、80℃で30分乾燥させ、次いで3,4−エチレンジオキシチオフェン18質量%を含むイソプロパノール溶液(溶液2)に浸漬した後引き上げ、60℃の雰囲気に10分放置することにより酸化重合を行った。これを再び溶液1に浸漬し、さらに前記と同様に処理した。溶液1に浸漬してから酸化重合を行うまでの操作を8回繰り返した後、50℃の温水で10分洗浄を行い、100℃で30分乾燥を行うことにより、導電性のポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)からなる対電極(対極)を形成した。引き続き、その上に、カーボン層、銀ペースト層を順次積層した。次にリードフレームを載せた後、全体をエポキシ樹脂で封止して、チップ型コンデンサを作製した。
13Vの電圧で、0.1%リン酸水溶液を用い、電解酸化して、表面に誘電体酸化皮膜を形成した弁作用金属の多孔質陽極体を用意した。次に、誘電体酸化被膜の上に、過硫酸アンモニウム10%水溶液とアントラキノンスルホン酸0.5%水溶液の等量混合液を接触させた後、ピロール蒸気を触れさせる操作を少なくとも5回行うことによりポリピロールからなる対電極(対極)を形成した。引き続き、その上に、カーボン層、銀ペースト層を順次積層した。次にリードフレームを載せた後、全体をエポキシ樹脂で封止して、チップ型コンデンサを作製した。
13Vの電圧で、0.1%リン酸水溶液を用い、電解酸化して、表面に誘電体酸化皮膜を形成した弁作用金属の多孔質陽極体を用意した。次に、過硫酸アンモニウム25質量%を含む水溶液(溶液1)に浸漬した後引き上げ、80℃で30分乾燥させ、次いで3,4−エチレンジオキシチオフェン18質量%を含むイソプロパノール溶液(溶液2)に浸漬した後引き上げ、60℃の雰囲気に10分放置することにより酸化重合を行った。これを再び溶液1に浸漬し、さらに前記と同様に処理した。溶液1に浸漬してから酸化重合を行うまでの操作を8回繰り返した後、50℃の温水で10分洗浄を行い、100℃で30分乾燥を行うことにより、導電性のポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)からなる対電極(対極)を形成した。引き続き、その上に、カーボン層、銀ペースト層を順次積層した。次にリードフレームを載せた後、全体をエポキシ樹脂で封止して、チップ型コンデンサを作製した。
酸素を12質量%含む平均粒子径が0.5μmのニオブ粉80質量部と、平均粒子径が0.9μmの酸化カルシウム10質量部と、平均粒子径が2μmの酸化カルシウム10質量部からなる平均粒子径が120μmの混合粉を用意した。
酸素を15質量%含む平均粒子径が0.5μmのニオブ粉70質量部と、平均粒子径が0.7μmの酸化バリウム15質量部と、平均粒子径が2μmの酸化バリウム15質量部からなる平均粒子径が90μmの混合粉を用意した。
削り状金属マグネシウムをニオブ製のトレーに入れ、この反応器の下部に設置した。この成形体10000個(リード棒抜きで約12.4mg/個→約124g)をニオブ製の金網の上に置き、この金網を反応器の中段に設置した。
酸素を9質量%含む平均粒子径が0.5μmの水素化ニオブ粉90質量部と、平均粒子径が0.7μmの水酸化マグネシウム6質量部と、平均粒子径が2μmの水酸化マグネシウム10質量部からなる混合粉を用意した。
削り状金属マグネシウムをニオブ製のトレーに入れ、この反応器の下部に設置した。この成形体10000個(リード棒抜きで約12.4mg/個、合計約124g)をニオブ製の金網の上に置き、この金網を反応器の中段に設置した。
酸素を8質量%含む平均粒子径が0.5μmのタンタル粉84質量部と、平均粒子径が0.7μmの酸化バリウム8質量部と、平均粒子径が2μmの酸化バリウム8質量部からなる平均粒子径が140μmの混合粉を用意した。
実施例1と同様の方法で酸素を含有するニオブと酸化カルシウム(空孔形成剤)からなる成形体を作製し、還元反応を行った。反応後、室温まで冷却したのち、徐酸化した。このニオブと空孔形成剤とからなる成形体を、窒素雰囲気下、330〜370℃で2時間窒化した。その窒化量は、0.2質量%であった。窒化した前述の成形体を、実施例1と同様の方法で空孔形成剤、未反応の還元剤、還元剤の酸化物を溶解除去及び水洗浄などを順次行い、ニオブリードが植え立てされた多孔質なニオブ成形体を得た。この多孔質なニオブ成形体の酸素含有量は、3.2質量%、体積約22mm3、密度3.3g/mlであり、比表面積は0.024m2/mm3であった。また、空孔率は61%で、0.9μmと2.2μmに細孔直径ピークトップを有し、1μm以上の細孔容積が18体積%であった。
このニオブ成形体を用いて、コンデンサの作製方法3に従い、チップ型のコンデンサを作製した。このコンデンサの容量出現率は、平均99%であり、容量は平均983μF/個であり、ESRは平均18mΩであった。
実施例3と同様の方法で、ニオブ箔上に酸素を9質量%含有するニオブと酸化マグネシウム混合層が形成された成形体を得た後、還元反応、空孔形成剤の除去、洗浄などを順次行いニオブ箔を基体とした多孔質なニオブ成形体を得た。この成形体を窒素雰囲気下、370〜420℃で2時間窒化した。その窒化量は、0.4質量%であった。この多孔質なニオブ成形体の酸素含有量は、0.9質量%、体積約2.8mm3、密度3.4g/mlであり、比表面積0.022m2/mm3であった。また、空孔率は60%で、約0.7μmと約2μmと約10μmに細孔ピークトップを有し、1μm以上の細孔容積が17体積%であった。以下、コンデンサの作製方法4と同様の方法で、実施例3と同様の方法に従いチップ型のコンデンサを作製した。このコンデンサの容量出現率は99%であり、容量は平均735μF/個であり、ESRは平均6mΩであった。
実施例3と同様の方法で、ニオブ箔上に、酸素を26質量%含むニオブ(五酸化ニオブと二酸化ニオブの混合物)と酸化マグネシウム混合層が形成された成形体を得た後、還元反応、空孔形成剤の除去、洗浄などを順次行いニオブ箔を基体とした多孔質なニオブ成形体を得た。この多孔質なニオブ成形体の酸素含有量は、14.6質量%であり、体積約2.8mm3、密度:ニオブ箔を含めた見掛け密度3.4g/ml(ニオブ換算密度:多孔質密度2.5g/ml)であり、比表面積0.025m2/mm3であった。また、空孔率は60%で、約0.7μmと約2μmと約10μmに細孔ピークトップを有し、1μm以上の細孔容積が17体積%であった。以下、コンデンサの作製方法4と同様の方法で、実施例3と同様の方法に従いチップ型のコンデンサを作製した。このコンデンサの容量出現率は99%であり、容量は平均743μF/個であり、ESRは平均7mΩであった。
酸素含有量及び他の含有成分が異なるニオブ粉を用意した。他の含有成分は原料のインゴット作製時に溶融して合金化したものである。またタンタルと窒素を含有する場合は窒化タンタルの形で添加し(実施例21)、ケイ素と窒素を含有する場合は窒化ケイ素の形で添加した(実施例23)。表1に示すような空孔形成剤及び還元剤を用いて、実施例2と同様の方法を用いてニオブリードが植え立てされた多孔質なニオブ成形体を得た。その物性を表3に示す。さらにコンデンサの作製方法1〜4のいずれかの方法を用いて、陰極層、カーボンペースト層、銀ペースト層を順次積層した。実施例2と同様の方法で6連のニオブ陽極体とし、実施例2と同様の方法でチップ型コンデンサを作製した。多孔質なニオブ成形体とコンデンサの物性を表3に併せて示す。
酸素含有量が異なるニオブ粉を用意した。表1〜2に示すような空孔形成剤及び還元剤を用いて、実施例24、26は実施例1と同様の方法で形状及びサイズの異なる多孔質なニオブ成形体を作成し、コンデンサの作製方法4と同様の方法でチップ型のコンデンサを作製した。
実施例25,27は実施例24,26で作成した成形体の陽極リードを3つ連結してコンデンサの作製方法4と同様の方法でチップ型のコンデンサを作製した。その物性を表3〜4に示す。
実施例28は実施例3の方法で片側のみ塗布して、多孔質なニオブ成形体を得た。コンデンサの作製方法4と同様の方法を用いて、陰極剤を含浸後、実施例3と同様の方法で6個積層してチップ型のコンデンサを作製した。その物性を表4に示す。
実施例29〜31は実施例1と同様の方法でニオブリードを付けずに多孔質なニオブ成形体を作成後、ニオブリードを溶接して、コンデンサの作製方法4と同様の方法でチップ型のコンデンサを作製した。その物性を表4に示す。
実施例32〜33は実施例2の方法でニオブリードを付けずに多孔質なニオブ成形体を作成後、形状の違うニオブリードを溶接して、コンデンサの作製方法4と同様の方法を用いて、陰極剤を含浸後、実施例2と同様の方法で6個積層してチップ型のコンデンサを作製した。その物性を表4に示す。
酸素を12質量%含む平均粒子径が0.5μmの水素化ニオブ粉90質量部と、平均粒子径が0.7μmの酸化マグネシウム6質量部と、平均粒子径が2μmの酸化マグネシウム10質量部からなる平均粒子径が120μmの混合粉を用意した。
実施例34と同様の方法で水素化ニオブと酸化マグネシウムと樟脳を含む混合粉を用意した。さらに、0.3mmφのニオブ線と共にこの混合粉を自動成形し、大きさがおよそ5.5mm×3.0mm×7.0mm(約115mm3)となるように成形した。この成形体のニオブ換算密度は2.8g/mlであった。
実施例1〜3と同様の方法で多孔質なニオブ成形体を作成し、コンデンサの作製法5を用いてチップ型コンデンサを作成した。このコンデンサの物性を表4に示す。
酸化カルシウムの代わりに酸化マグネシウムを用いた以外は実施例1と同様な方法で多孔質なニオブ成形体を作成し、次いでコンデンサの作製法2を用いてチップ型コンデンサを作成した。このコンデンサの物性を表4に示す。
酸化カルシウムの代わりに酸化マグネシウムを用いた以外は実施例1と同様な方法で多孔質なニオブ成形体を作成し、次いでコンデンサの作製法5を用いてチップ型コンデンサを作成した。このコンデンサの物性を表4に示す。
酸化カルシウムの代わりに酸化マグネシウムを用いた以外は実施例1と同様な方法で多孔質なニオブ成形体を作成し、次いでコンデンサの作製法6を用いてチップ型コンデンサを作成した。このコンデンサの物性を表4に示す。
酸素を6%含む平均粒子径が0.5μmのニオブ粉を用意した。表1に示す空孔形成剤を使用して、実施例1と同様の方法で混合粉を得た。さらに0.3mmφのニオブ線とともにこの混合粉を自動成形し、大きさが3.3mm×1.8mm×4.3mm(約25mm3)となるように成形した。その後実施例1と同様の方法で樟脳を除去、焼結してニオブと酸化マグネシウムの成形体を得た。
この混合物の成形体1000個を反応器に入れ、反応器を4×10-3Paに減圧後、Arで希釈したH2ガス(30vol%)を反応機内に100ml/minの速度で流通し、常圧になったところで約12℃/分の昇温速度で400℃まで昇温した。約400℃で30分放置した後、約10℃/分の昇温速度で450℃まで昇温し、約450℃で30分放置した。約8℃/分の昇温速度で600℃まで昇温し、約600℃の温度で30分放置した。約8℃/分の昇温速度で700℃まで昇温し、約700℃の温度で30分放置した。さらに6℃/分の昇温速度で750℃まで昇温し、約750℃の温度で3時間放置した後、室温まで冷却した。冷却終了後、還元剤である水素を除去するために、反応器を4×10-3Paまで減圧し、Arにて5×104Pa(約400mmHg)の減圧にした後、実施例1と同様の徐酸化を行った。
得られたニオブ成形体を実施例1と同様の方法で空孔形成剤を除去したのち、コンデンサの作製方法4を用いてチップ型コンデンサを作成した。
このコンデンサの物性を表4に示す。
空孔形成剤に酸化マグネシウムを使用して実施例1と同様の方法でニオブ成形体を作成した後、減圧下(100mmHg以下)、1200℃で3時間加熱して余分の還元剤を除去した後、実施例1と同様の方法で空孔形成剤を除去し、次いでコンデンサの作製方法4を用いてチップ型コンデンサを作成した。
このコンデンサの物性を表4に示す。
空孔形成材が入っていない、酸素を12質量%含む平均粒子径が0.5μmのニオブ粉を用意した。トルエン1リットルに樟脳40gを溶解した溶液に、このニオブ粉を入れ良く混合した。約1×102Paの減圧下、約60℃でトルエンを留去し、ニオブと樟脳を含む混合粉を得た。さらに、0.3mmφのニオブ線と共にこの混合粉を自動成形し、大きさがおよそ3.3mm×1.8mm×4.3mm(約25mm3)となるように成形した。この成形体のニオブ換算密度は2.8g/mlであった。この成形体を、10-2〜102Pa、250〜400℃で加熱して樟脳を除去し、4×10-3Paの減圧下、1150℃で45分間放置して焼結した後、品温が30℃以下になるまで冷却して、ニオブリード線付の酸素を含有するニオブの成形体を得た。この混合物の成形体のニオブ換算密度は、3.3g/mlであった。この混合物の成形体1000個(約90g)と削り状金属マグネシウム15g良く混ぜ合わせ、ニオブのトレーに入れた。さらに、このトレーの上部にニオブ製の板をかぶせ(密閉はしていない)、還元反応器に入れた。反応器を減圧した後、アルゴンを反応器に入れる操作を3回以上繰り返して反応器内の空気をアルゴンに置換した。
空孔形成材が入っていない、酸素を15質量%含む平均粒子径が0.5μmのニオブ粉を用意した。トルエン1リットルに樟脳40gを溶解した溶液に、このニオブ粉入れ良く混合した。約1×102Paの減圧下、約60℃でトルエンを留去し、ニオブと樟脳を含む混合粉を得た。さらに、0.20mmφのニオブ線と共にこの混合粉を自動成形し、大きさがおよそ0.4mm×1.8mm×4.3mm(約3.1mm3)となるように成形した。この成形体のニオブ換算密度は2.8g/mlであった。この成形体を、10-2〜102Pa、250〜400℃で加熱して樟脳を除去し、4×10-3Paの減圧下、1165℃で30分間放置して焼結した後、品温が30℃以下になるまで冷却して、ニオブリード線付の酸素を含有するニオブの成形体を得た。この混合物の成形体のニオブ換算密度は、3.3g/mlであった。
空孔形成材が入っていない、酸素を9質量%含む平均粒子径が0.5μmの水素化ニオブ粉を用意した。トルエン1リットルに樟脳40gを溶解した溶液に、このニオブ粉を入れ、良く混合して、スラリー液を得た。次に、3.3mm×4.3mmの粉末焼結層を形成するための孔を格子状に複数個設けた厚み0.2mmのマスクを厚さ50μmのニオブ箔の上に載せ、ディスペンサーの先端に取り付けられたダイコート金型からこのスラリー液を吐出させながら格子状のマスク表面に塗布して、ニオブ箔上にスラリー層を形成した。このスラリー層を約60℃で熱風乾燥した。ニオブ箔を裏返して、ニオブ箔を対称軸として表裏で対象になるように同じ形状のマスクを載せた。ディスペンサーの先端に取り付けられたダイコート金型からこのスラリー液を吐出させながら格子状のマスク表面に塗布して、ニオブ箔上にスラリー層を形成したのち約60℃の温度で熱風乾燥した。ニオブ箔の表と裏にあるマスクを外した後、10-2〜102Pa、250〜400℃で加熱して樟脳及び水素を除去し、4×10-3Paの減圧下、1170℃で30分間放置して焼結した後、品温が30℃以下になるまで冷却して、ニオブ箔の対応する位置の両面に、酸素含有ニオブ層がそれぞれ形成された積層部を島状に複数有する部分積層体を得た。これらの積層部(酸素含有ニオブ層-ニオブ箔−酸素含有ニオブ層)についてその周囲3辺をそれぞれ打ち抜き、残る1辺はニオブ箔のみからなる引き出しリードとして残し、個々の成形体とした。
空孔形成材が入っていない、酸素を8質量%含む平均粒子径が0.5μmのタンタル粉を用意した。トルエン1リットルに樟脳40gを溶解した溶液に、このタンタル粉を入れ、良く混合した。約1×102Paの減圧下、約60℃でトルエンを留去し、タンタルと酸化バリウムと樟脳を含む混合粉を得た。さらに、0.20mmφのタンタル線と共にこの混合粉を自動成形し、大きさがおよそ0.4mm×1.8mm×4.3mm(約3.10mm3)となるように成形した。この成形体のタンタル換算密度は5.0g/mlであった。この成形体を、10-2〜102Pa、250〜400℃で加熱して樟脳を除去し、4×10-3Paの減圧下、1300℃で30分間放置して焼結した後、品温が30℃以下になるまで冷却して、タンタルリード線付の酸素を含有するタンタルの成形体を得た。この混合物の成形体のタンタル換算密度は、5.7g/mlであった。
2:リード
3:リードフレーム
4:スペーサー
Claims (25)
- 酸素を含有するニオブ材料及び酸素を含有するタンタル材料から選択される少なくとも1種の材料の粉末と還元温度で固体である空孔形成剤とを含む成形体を還元剤を用いて還元反応に付す工程、及び得られた還元反応生成物から空孔形成剤を除去する工程を含み、還元反応工程後の空孔形成剤の除去工程前に、不活性ガスにより0.1〜21質量%の酸素含有量に希釈した酸素含有気体を用いて徐酸化する工程を含むことを特徴とする固体電解コンデンサ用多孔質陽極体の製造方法。
- ニオブ材料がニオブ、ニオブ合金及びニオブ化合物から選択される少なくとも1種であり、タンタル材料がタンタル、タンタル合金及びタンタル化合物から選択される少なくとも1種である請求項1に記載の製造方法。
- 酸素を含有するニオブ材料または酸素を含有するタンタル材料が、酸素含有量50質量%以下であり、かつ、ニオブ、一酸化六ニオブ、一酸化ニオブ、二酸化ニオブ、五酸化ニオブ、タンタル、及び五酸化タンタルから選択される少なくとも一つの結晶を含む請求項1または2に記載の製造方法。
- 酸素を含有するニオブ材料が、水素、硼素、窒素、アンチモン、タンタル、ジルコニウム、タングステン、珪素、アルミニウムから選択される少なくとも1種の元素を含む請求項1〜3のいずれかに記載の製造方法。
- 酸素を含有するタンタル材料が、水素、硼素、窒素、アンチモン、ニオブ、ジルコニウム、タングステン、珪素、アルミニウムから選択される少なくとも1種の元素を含む請求項1〜3のいずれかに記載の製造方法。
- 成形体が窒化珪素を含む請求項1〜5のいずれかに記載の製造方法。
- 還元剤が、タンタル以上の酸素親和性を持つ金属、合金及びそれらの水素化物から選択される少なくとも1種である請求項1〜6のいずれかに記載の製造方法。
- 還元剤が、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテチウム、ミッシュメタル、イットリウム、アルミニウム、タンタル、ニオブ、炭素、珪素、これらの合金、これらの水素化物、及び水素から選択される少なくとも1種である請求項7に記載の製造方法。
- 成形体の形状が、リード付の成形体または基体と一体化した成形体であり、そのリードまたは基体が、ニオブ、ニオブ合金、ニオブ化合物、タンタル、タンタル合金、及びタンタル化合物から選択される少なくとも1種からなる請求項1〜8のいずれかに記載の製造方法。
- 成形体が厚さ1mm以下に成形される請求項9に記載の製造方法。
- 還元反応工程前に、成形体を焼結させる工程を含み、かつ空孔形成剤が焼結温度で固体である請求項1〜10のいずれかに記載の製造方法。
- 焼結が、500〜2000℃の温度で行われる請求項11に記載の製造方法。
- 還元反応工程前に、成形体または焼結体と還元剤とを混合する工程を含む請求項1〜12のいずれかに記載の製造方法。
- 混合する温度が50℃以下である請求項13に記載の製造方法。
- 還元反応工程において、450〜2000℃の範囲に加熱する請求項1〜14のいずれかに記載の製造方法。
- 12℃/分以下の昇温速度で加熱する請求項15に記載の製造方法。
- 徐酸化する温度が60℃以下である請求項1〜16のいずれかに記載の製造方法。
- 空孔形成剤の除去工程が、水、有機溶媒、酸性溶媒、アルカリ性溶媒、アミン含有溶媒、アミノ酸含有溶媒、ポリリン酸含有溶媒、クラウンエーテル溶媒、キレート剤含有溶媒、アンモニウム塩含有溶媒及びイオン交換樹脂分散溶媒から選択される少なくとも1種の溶媒により除去する工程である請求項1〜17のいずれかに記載の製造方法。
- 空孔形成剤を除去する温度が、50℃以下である請求項18に記載の製造方法。
- 還元反応工程後、空孔形成剤除去工程前に、残存する還元剤を除去する工程を含む請求項1〜19のいずれかに記載の製造方法。
- 残存する還元剤を除去する工程が、高減圧下、450〜2000℃で行われる請求項20に記載の製造方法。
- 還元反応工程前、あるいは還元反応工程後の空孔形成剤除去工程前に、窒素、硼素、リン、硫黄、セレン、テルル、アルミニウム、珪素及びアンチモンからなる群から選ばれる少なくとも1種の元素を成形体または焼結体にドープする工程を含む請求項1〜21のいずれかに記載の製造方法。
- 還元反応工程前、還元反応工程中、還元反応工程後の空孔形成剤除去工程前、または空孔形成剤除去工程後に、脱水素工程を含む請求項1〜22のいずれかに記載の製造方法。
- 請求項1〜23のいずれか1項に記載の方法で多孔質陽極体を製造し、この陽極体を一方の電極とし、誘電体を介して対電極を構成する固体電解コンデンサの製造方法。
- 2つ以上の多孔質陽極体が、電気的に並列に接続される請求項24に記載のコンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005342100A JP4743507B2 (ja) | 2004-11-29 | 2005-11-28 | 固体電解コンデンサ用多孔質陽極体、その製造方法、及び固体電解コンデンサ |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004343853 | 2004-11-29 | ||
JP2004343853 | 2004-11-29 | ||
JP2005342100A JP4743507B2 (ja) | 2004-11-29 | 2005-11-28 | 固体電解コンデンサ用多孔質陽極体、その製造方法、及び固体電解コンデンサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006179886A JP2006179886A (ja) | 2006-07-06 |
JP4743507B2 true JP4743507B2 (ja) | 2011-08-10 |
Family
ID=35520806
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005342100A Expired - Fee Related JP4743507B2 (ja) | 2004-11-29 | 2005-11-28 | 固体電解コンデンサ用多孔質陽極体、その製造方法、及び固体電解コンデンサ |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7594937B2 (ja) |
JP (1) | JP4743507B2 (ja) |
TW (1) | TWI445027B (ja) |
WO (1) | WO2006057455A1 (ja) |
Families Citing this family (46)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8300386B2 (en) * | 2005-12-28 | 2012-10-30 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Porous valve metal thin film, method for production thereof and thin film capacitor |
US7468882B2 (en) * | 2006-04-28 | 2008-12-23 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor assembly |
GB0613984D0 (en) * | 2006-07-13 | 2006-08-23 | Metalysis Ltd | Improvements in the production of electrolytic capacitors |
US7832618B2 (en) * | 2007-01-31 | 2010-11-16 | Avx Corporation | Termination bonding |
JP4926006B2 (ja) * | 2007-03-15 | 2012-05-09 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法及び固体電解コンデンサ |
US20080232032A1 (en) * | 2007-03-20 | 2008-09-25 | Avx Corporation | Anode for use in electrolytic capacitors |
JP4931730B2 (ja) * | 2007-08-10 | 2012-05-16 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
US7760487B2 (en) | 2007-10-22 | 2010-07-20 | Avx Corporation | Doped ceramic powder for use in forming capacitor anodes |
DE102008048614A1 (de) * | 2008-09-23 | 2010-04-01 | H.C. Starck Gmbh | Ventilmetall-und Ventilmetalloxid-Agglomeratpulver und Verfahren zu deren Herstellung |
DE102008063853B4 (de) * | 2008-12-19 | 2012-08-30 | H.C. Starck Gmbh | Kondensatoranode |
US8203827B2 (en) * | 2009-02-20 | 2012-06-19 | Avx Corporation | Anode for a solid electrolytic capacitor containing a non-metallic surface treatment |
US8310815B2 (en) * | 2009-04-20 | 2012-11-13 | Kemet Electronics Corporation | High voltage and high efficiency polymer electrolytic capacitors |
US8441777B2 (en) * | 2009-05-29 | 2013-05-14 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor with facedown terminations |
US8279583B2 (en) * | 2009-05-29 | 2012-10-02 | Avx Corporation | Anode for an electrolytic capacitor that contains individual components connected by a refractory metal paste |
US8199461B2 (en) * | 2009-05-29 | 2012-06-12 | Avx Corporation | Refractory metal paste for solid electrolytic capacitors |
US8679303B2 (en) * | 2009-11-14 | 2014-03-25 | Airgenerate, Llc | Refillable anode |
US8561271B2 (en) | 2009-12-16 | 2013-10-22 | Liang Chai | Methods for manufacture a capacitor with three-dimensional high surface area electrodes |
US8125769B2 (en) | 2010-07-22 | 2012-02-28 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor assembly with multiple cathode terminations |
US8259436B2 (en) | 2010-08-03 | 2012-09-04 | Avx Corporation | Mechanically robust solid electrolytic capacitor assembly |
JP2013545291A (ja) | 2010-10-12 | 2013-12-19 | アプリコット マテリアルズ テクノロジーズ,エル.エル.シー. | セラミックコンデンサー及び製造方法 |
US9053860B2 (en) * | 2010-12-24 | 2015-06-09 | Showa Denko K.K. | Tungsten powder, anode body for capacitors, and electrolytic capacitor |
TWI492254B (zh) | 2010-12-28 | 2015-07-11 | Ind Tech Res Inst | 去耦合元件 |
DE102011109756A1 (de) | 2011-08-09 | 2013-02-14 | H.C. Starck Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren aus Ventilmetallpulvern |
EP2770517A4 (en) * | 2011-10-18 | 2015-09-30 | Showa Denko Kk | METHOD FOR MANUFACTURING ANODE OF A CAPACITOR |
DE102011116939A1 (de) * | 2011-10-26 | 2013-05-02 | H.C. Starck Gmbh | Verzugsfreie schablonengedruckte Anoden auf Ta-/Nb-Blech |
TWI511172B (zh) | 2011-11-10 | 2015-12-01 | 財團法人工業技術研究院 | 去耦合元件及其製造方法 |
EP2797094A4 (en) * | 2011-12-19 | 2015-09-16 | Showa Denko Kk | TUNGSTEN CAPACITOR ANODE AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME |
US8947858B2 (en) | 2012-04-24 | 2015-02-03 | Avx Corporation | Crimped leadwire for improved contact with anodes of a solid electrolytic capacitor |
US8760852B2 (en) | 2012-04-24 | 2014-06-24 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor containing multiple sinter bonded anode leadwires |
US8842419B2 (en) | 2012-05-30 | 2014-09-23 | Avx Corporation | Notched lead tape for a solid electrolytic capacitor |
US9776281B2 (en) | 2012-05-30 | 2017-10-03 | Avx Corporation | Notched lead wire for a solid electrolytic capacitor |
JP6258222B2 (ja) * | 2012-12-27 | 2018-01-10 | 昭和電工株式会社 | ニオブコンデンサ陽極用化成体及びその製造方法 |
CN105324824B (zh) * | 2013-06-18 | 2018-05-01 | 昭和电工株式会社 | 电容器阳极体及其制造方法 |
US9269499B2 (en) | 2013-08-22 | 2016-02-23 | Avx Corporation | Thin wire/thick wire lead assembly for electrolytic capacitor |
KR102078008B1 (ko) * | 2014-02-13 | 2020-02-17 | 삼성전기주식회사 | 고체 전해커패시터, 그 제조방법 및 칩형 전자부품 |
JP6476410B2 (ja) * | 2014-04-15 | 2019-03-06 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 電解コンデンサ |
US9916935B2 (en) * | 2014-11-07 | 2018-03-13 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor with increased volumetric efficiency |
KR20160074216A (ko) * | 2014-12-18 | 2016-06-28 | 삼성전기주식회사 | 고체 전해 캐패시터 및 그 제조 방법 |
US9837216B2 (en) | 2014-12-18 | 2017-12-05 | Avx Corporation | Carrier wire for solid electrolytic capacitors |
US9905368B2 (en) | 2015-08-04 | 2018-02-27 | Avx Corporation | Multiple leadwires using carrier wire for low ESR electrolytic capacitors |
US9842704B2 (en) | 2015-08-04 | 2017-12-12 | Avx Corporation | Low ESR anode lead tape for a solid electrolytic capacitor |
JP6705641B2 (ja) | 2015-11-10 | 2020-06-03 | ローム株式会社 | 固体電解コンデンサ |
US11257629B2 (en) * | 2018-02-12 | 2022-02-22 | KYOCERA AVX Components Corporation | Solid electrolytic capacitor for a tantalum embedded microchip |
WO2021161975A1 (ja) * | 2020-02-12 | 2021-08-19 | 株式会社村田製作所 | 電解コンデンサ用陽極、電解コンデンサ、電解コンデンサ用陽極の製造方法、及び、電解コンデンサの製造方法 |
CN111847597A (zh) * | 2020-06-12 | 2020-10-30 | 武汉尚源新能环境有限公司 | 一种三维电极材料的制备方法及应用 |
WO2023235196A1 (en) * | 2022-06-02 | 2023-12-07 | Kemet Electronics Corporation | Method of producing a tantalum capacitor anode |
Family Cites Families (47)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US1728941A (en) | 1927-02-19 | 1929-09-24 | Westinghouse Lamp Co | Production of rare metals |
US2516863A (en) | 1946-07-15 | 1950-08-01 | Gardner Daniel | Process of producing tantalum, columbium, and compounds thereof |
GB870930A (en) | 1958-08-07 | 1961-06-21 | Union Carbide Corp | Improvements in and relating to the production of columbium and tantalum |
CH515996A (de) | 1968-06-06 | 1971-11-30 | Starck Hermann C Fa | Verfahren zur Herstellung von hochreinem Niob und/oder Tantal |
US3697255A (en) | 1970-11-17 | 1972-10-10 | Western Electric Co | Scrap tantalum reclamation process |
US4084965A (en) | 1977-01-05 | 1978-04-18 | Fansteel Inc. | Columbium powder and method of making the same |
DE3309891A1 (de) | 1983-03-18 | 1984-10-31 | Hermann C. Starck Berlin, 1000 Berlin | Verfahren zur herstellung von ventilmetallanoden fuer elektrolytkondensatoren |
US4687632A (en) | 1984-05-11 | 1987-08-18 | Hurd Frank W | Metal or alloy forming reduction process and apparatus |
US4722756A (en) | 1987-02-27 | 1988-02-02 | Cabot Corp | Method for deoxidizing tantalum material |
US5242481A (en) | 1989-06-26 | 1993-09-07 | Cabot Corporation | Method of making powders and products of tantalum and niobium |
US5011742A (en) | 1989-09-26 | 1991-04-30 | Fife James A | Article for controlling the oxygen content in tantalum material |
US4964906A (en) | 1989-09-26 | 1990-10-23 | Fife James A | Method for controlling the oxygen content of tantalum material |
US4960471A (en) | 1989-09-26 | 1990-10-02 | Cabot Corporation | Controlling the oxygen content in tantalum material |
US6165623A (en) | 1996-11-07 | 2000-12-26 | Cabot Corporation | Niobium powders and niobium electrolytic capacitors |
JP3254163B2 (ja) | 1997-02-28 | 2002-02-04 | 昭和電工株式会社 | コンデンサ |
US6024914A (en) * | 1997-09-01 | 2000-02-15 | Nec Corporation | Process for production of anode for solid electrolytic capacitor |
JPH11111575A (ja) | 1997-10-08 | 1999-04-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体電解コンデンサにおける多孔質陽極体の製造方法 |
US6171363B1 (en) * | 1998-05-06 | 2001-01-09 | H. C. Starck, Inc. | Method for producing tantallum/niobium metal powders by the reduction of their oxides with gaseous magnesium |
WO2000067936A1 (en) | 1998-05-06 | 2000-11-16 | H.C. Starck, Inc. | Metal powders produced by the reduction of the oxides with gaseous magnesium |
US6322912B1 (en) * | 1998-09-16 | 2001-11-27 | Cabot Corporation | Electrolytic capacitor anode of valve metal oxide |
US6462934B2 (en) * | 1998-09-16 | 2002-10-08 | Cabot Corporation | Methods to partially reduce a niobium metal oxide and oxygen reduced niobium oxides |
US6391275B1 (en) * | 1998-09-16 | 2002-05-21 | Cabot Corporation | Methods to partially reduce a niobium metal oxide and oxygen reduced niobium oxides |
US6416730B1 (en) | 1998-09-16 | 2002-07-09 | Cabot Corporation | Methods to partially reduce a niobium metal oxide oxygen reduced niobium oxides |
DE19847012A1 (de) | 1998-10-13 | 2000-04-20 | Starck H C Gmbh Co Kg | Niobpulver und Verfahren zu dessen Herstellung |
US6515846B1 (en) * | 1999-02-08 | 2003-02-04 | H.C. Starck, Inc. | Capacitor substrates made of refractory metal nitrides |
US6558447B1 (en) * | 1999-05-05 | 2003-05-06 | H.C. Starck, Inc. | Metal powders produced by the reduction of the oxides with gaseous magnesium |
US6375704B1 (en) | 1999-05-12 | 2002-04-23 | Cabot Corporation | High capacitance niobium powders and electrolytic capacitor anodes |
JP3585791B2 (ja) * | 1999-11-04 | 2004-11-04 | Necトーキン株式会社 | 固体電解コンデンサ用陽極体の製造方法及びその製造方法に用いられる連続焼結装置 |
JP2003522420A (ja) * | 2000-02-03 | 2003-07-22 | ケース ウェスタン リザーブ ユニバーシティ | 金属粉末あるいは金属スポンジ粒子の薄層からの高電力コンデンサ |
US6576099B2 (en) * | 2000-03-23 | 2003-06-10 | Cabot Corporation | Oxygen reduced niobium oxides |
JP4707164B2 (ja) | 2000-04-28 | 2011-06-22 | 昭和電工株式会社 | コンデンサ用ニオブ粉、それを用いた焼結体及びそれを用いたコンデンサ |
JP3718412B2 (ja) | 2000-06-01 | 2005-11-24 | キャボットスーパーメタル株式会社 | ニオブまたはタンタル粉末およびその製造方法 |
EP1334498B1 (en) * | 2000-11-06 | 2006-09-13 | Cabot Corporation | Modified oxygen reduced valve metal oxides |
US6447570B1 (en) * | 2000-11-30 | 2002-09-10 | Vishay Sprague, Inc. | Sintered Tantalum and Niobium capacitor pellets doped with Nitrogen, and method of making the same |
US7149074B2 (en) * | 2001-04-19 | 2006-12-12 | Cabot Corporation | Methods of making a niobium metal oxide |
AU2002308967B2 (en) * | 2001-05-15 | 2007-12-06 | Showa Denko K.K. | Niobium monoxide powder, niobium monoxide sintered product and capacitor using niobium monoxide sintered product |
JP4010868B2 (ja) * | 2001-05-15 | 2007-11-21 | 昭和電工株式会社 | ニオブ粉、ニオブ焼結体及びニオブ焼結体を用いたコンデンサ |
JP2003013115A (ja) | 2001-06-28 | 2003-01-15 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | ニオブ及び/又はタンタル粉末の製造方法 |
CN1169643C (zh) * | 2001-09-29 | 2004-10-06 | 宁夏东方钽业股份有限公司 | 高比表面积钽粉和/或铌粉的制备方法 |
US20030112577A1 (en) * | 2001-10-02 | 2003-06-19 | Showa Denko K.K. | Niobium particle, niobium sintered body, niobium formed body and niobium capacitor |
US7655214B2 (en) * | 2003-02-26 | 2010-02-02 | Cabot Corporation | Phase formation of oxygen reduced valve metal oxides and granulation methods |
CN1813323B (zh) | 2003-04-28 | 2011-09-14 | 昭和电工株式会社 | 起阀作用的金属的烧结体、其制造方法和固体电解电容器 |
US20060275204A1 (en) * | 2003-05-05 | 2006-12-07 | Companhia Brasileira De Metalurgia E Mineracao | Process for the production of niobium oxide powder for use in capacitors |
JP4307146B2 (ja) * | 2003-05-06 | 2009-08-05 | ニチコン株式会社 | 固体電解コンデンサ陽極体の製造方法 |
US7515397B2 (en) * | 2003-05-19 | 2009-04-07 | Cabot Corporation | Methods of making a niobium metal oxide and oxygen reduced niobium oxides |
WO2005045860A1 (en) * | 2003-11-10 | 2005-05-19 | Showa Denko K.K. | Niobium powder for capacitor, niobium sintered body and capacitor |
US20050225927A1 (en) * | 2004-04-06 | 2005-10-13 | Tagusagawa Solon Y | Processes for the production of niobium oxides with controlled tantalum content and capacitors made therefrom |
-
2005
- 2005-11-28 US US11/791,514 patent/US7594937B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-11-28 WO PCT/JP2005/022227 patent/WO2006057455A1/en active Application Filing
- 2005-11-28 JP JP2005342100A patent/JP4743507B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-11-29 TW TW094141921A patent/TWI445027B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006179886A (ja) | 2006-07-06 |
US20080106852A1 (en) | 2008-05-08 |
US7594937B2 (en) | 2009-09-29 |
TWI445027B (zh) | 2014-07-11 |
WO2006057455A1 (en) | 2006-06-01 |
TW200623175A (en) | 2006-07-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4743507B2 (ja) | 固体電解コンデンサ用多孔質陽極体、その製造方法、及び固体電解コンデンサ | |
JP5014402B2 (ja) | 造粒紛、固体電解コンデンサ陽極用焼結体及び固体電解コンデンサ | |
JP4480943B2 (ja) | 一酸化ニオブ解砕粉、一酸化ニオブ焼結体及び一酸化ニオブ焼結体を用いたコンデンサ | |
JP4712883B2 (ja) | コンデンサ用ニオブ粉、ニオブ焼結体及びコンデンサ | |
US7986508B2 (en) | Niobium monoxide powder, niobium monoxide sintered body and capacitor using the sintered body | |
US20030104923A1 (en) | Niobium oxide powder, niobium oxide sintered body and capacitor using the sintered body | |
JP4010868B2 (ja) | ニオブ粉、ニオブ焼結体及びニオブ焼結体を用いたコンデンサ | |
JP4562986B2 (ja) | ニオブ粉、その焼結体及びそれを用いたコンデンサ | |
JP4727160B2 (ja) | 弁作用金属焼結体、その製造方法及び固体電解コンデンサ | |
JP4683512B2 (ja) | コンデンサ用粉体、それを用いた焼結体及びそれを用いたコンデンサ | |
JP4360680B2 (ja) | コンデンサ用ニオブ粉、ニオブ焼結体及びコンデンサ | |
JP4707164B2 (ja) | コンデンサ用ニオブ粉、それを用いた焼結体及びそれを用いたコンデンサ | |
RU2267182C2 (ru) | Ниобиевый порошок, спеченный ниобиевый материал и конденсатор, выполненный с использованием спеченного материала | |
JP4371323B2 (ja) | ニオブ粉、ニオブ焼結体及びニオブ焼結体を用いたコンデンサ | |
JP2001307963A (ja) | コンデンサ用ニオブ粉、それを用いた焼結体及びそれを用いたコンデンサ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20070705 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080807 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101020 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101022 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101221 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110427 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110427 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140520 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4743507 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |