JP4738218B2 - 積層型電子部品 - Google Patents
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Description
A.第1の実施例に係るダイプレクサ100:
B.第2の実施例に係るローパスフィルタ200:
図1から図3を参照して、第1の実施例に係るダイプレクサ100について説明する。図1は、第1の実施例に係るダイプレクサ100の外観を模式的に示す説明図である。図2は、第1の実施例に係るダイプレクサ100を構成する絶縁基板を展開して示す斜視図である。図3は、第1の実施例に係るダイプレクサ100の等価回路を示す説明図である。
図6から図8を参照して、第2の実施例に係るローパスフィルタ200について説明する。図6は、第2の実施例に係るローパスフィルタ200の外観を模式的に示す説明図である。図7は、第2の実施例に係るローパスフィルタ200を構成する絶縁基板を展開して示す斜視図である。図8は、第2の実施例に係るローパスフィルタ200の等価回路を示す説明図である。
102...ローパスフィルタ(LPF)端子
105...アンテナ(ANT)端子
111...ハイパスフィルタ(HPF)端子
124...ダイプレクサ100の第1の電極パターン
125...ダイプレクサ100の第2の電極パターン
126...ダイプレクサ100の第3の電極パターン
128...ダイプレクサ100の第4の電極パターン
129...ダイプレクサ100の第5の電極パターン
131...ダイプレクサ100の第6の電極パターン
132...電極225と電極229とを繋ぐスルーホール配線
133...電極227と電極231とを繋ぐスルーホール配線
152〜155...引き出し線
200...第2の実施例にかかるローパスフィルタ
200a〜200f...側面電極
203...ローパスフィルタ200の入力端子
204...ローパスフィルタ200の出力端子
216...ローパスフィルタ200の第1の電極パターン
217...ローパスフィルタ200の第2の電極パターン
218...ローパスフィルタ200の第3の電極パターン
220...ローパスフィルタ200の第4の電極パターン
251、253...引き出し線
300...従来のローパスフィルタ
320...ローパスフィルタ300の第4の電極パターン
351〜353...引き出し線
300a〜300c、300e...側面電極
400...従来のダイプレクサ
426...ダイプレクサ400の第3の電極パターン
431...ダイプレクサ400の第6の電極パターン
451〜456...引き出し線
400a、400c、400e...側面電極
D1〜D16...第1の実施例に係るダイプレクサ100の絶縁基板
E1〜E16...従来のダイプレクサ400の絶縁基板
F1〜F7...第2の実施例に係るローパスフィルタ200の絶縁基板
G1〜G7...従来のローパスフィルタ300の絶縁基板
C1〜C10...容量素子
L1、L2、L7、L8...コイル素子
Ls3〜Ls6、Ls9〜Ls14...寄生インダクタ
Claims (5)
- 複数の絶縁基板を積層してなる積層体を有し、ダイプレクサ回路を構成する積層型電子部品であって、
前記ダイプレクサ回路は、容量素子を含み、第1の周波数領域において第1の減衰極を生じさせ、前記第1の周波数領域よりも高周波側である第2の周波数領域において第2の減衰極を生じさせ、
前記積層型電子部品は、
前記積層体の側面に形成された複数のグランド用側面電極と、
前記複数のグランド用側面電極の一部である第1のグランド用側面電極と接続される第1のグランド電極パターンを有する第1の絶縁基板と、
前記複数のグランド用側面電極のうち前記第1の絶縁基板上のグランド電極パターンに接続されるグランド用側面電極とは異なる第2のグランド用側面電極が接続される第2のグランド電極パターンを有する第2の絶縁基板と、
を備え、
前記第1のグランド電極パターンまたは前記第2のグランド電極パターンの少なくとも一方は、前記容量素子を構成する2つの電極パターンのうちの一方の電極パターンであり、
前記第2の周波数領域において、前記第2の減衰極の発生周波数を、前記第1のグランド電極パターンと前記第2のグランド用側面電極の全部が接続されている場合に比べて低周波数側に移動させるように、前記第1のグランド電極パターンと前記第2のグランド用側面電極の少なくとも一部とが接続されていない、積層型電子部品。 - 複数の絶縁基板を積層してなる積層体を有し、フィルタ回路を構成する積層型電子部品であって、
前記フィルタ回路は、容量素子を含み、第1の周波数領域において第1の減衰極を生じさせ、前記第1の周波数領域よりも高周波側である第2の周波数領域において第2の減衰極を生じさせ、
前記積層型電子部品は、
前記積層体の側面に形成された複数のグランド用側面電極と、
前記複数のグランド用側面電極の一部である第1のグランド用側面電極と接続される第1のグランド電極パターンを有する第1の絶縁基板と、
前記複数のグランド用側面電極のうち前記第1の絶縁基板上のグランド電極パターンに接続されるグランド用側面電極とは異なる第2のグランド用側面電極が接続される第2のグランド電極パターンを有する第2の絶縁基板と、
を備え、
前記第1のグランド電極パターンまたは前記第2のグランド電極パターンの少なくとも一方は、前記容量素子を構成する2つの電極パターンのうちの一方の電極パターンであり、
前記第2の周波数領域において、前記第2の減衰極の発生周波数を、前記第1のグランド電極パターンと前記第2のグランド用側面電極の全部が接続されている場合に比べて低周波数側に移動させるように、前記第1のグランド電極パターンと前記第2のグランド用側面電極の少なくとも一部とが接続されていない、積層型電子部品。 - 請求項1または請求項2に記載の積層型電子部品は、さらに、前記第1または第2の電極パターンとともに前記容量素子を形成する他方の電極パターンを有する絶縁基板を備える、積層型電子部品。
- 請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の積層型電子部品において、
前記第1のグランド電極パターン及び前記第2のグランド電極パターンには、同数の前記複数のグランド用側面電極が接続されている、積層型電子部品。 - 請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の積層型電子部品において、
前記第1のグランド電極パターンと前記第2のグランド電極パターンとはスルーホール配線で接続されている、積層型電子部品。
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