JP4737168B2

JP4737168B2 - 液晶表示パネル

Info

Publication number: JP4737168B2
Application number: JP2007248583A
Authority: JP
Inventors: 慎一郎田中; 博教谷口
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2007-09-26
Filing date: 2007-09-26
Publication date: 2011-07-27
Anticipated expiration: 2026-01-31
Also published as: JP2008065339A

Description

本発明は、液晶表示パネル関し、特にディスクリネーションが抑制され、コントラスト
及び表示品質の良好な液晶表示パネルに関する。

近年、情報通信機器のみならず一般の電気機器においても液晶表示装置の適用が急速に
普及している。液晶表示装置は、自ら発光しないために、バックライトを備えた透過型の
液晶表示装置が多く使用されているが、バックライトの消費電力が大きいために、特に携
帯型のものについては消費電力を減少させるためにバックライトを必要としない反射型の
液晶表示装置が用いられている。しかしながら、この反射型液晶表示装置は、外光を光源
として用いるために、暗い室内などでは見え難くなってしまう。そこで、近年に至り特に
透過型と反射型の性質を併せ持つ半透過型の液晶表示装置の開発が進められてきている。

この半透過型の液晶表示装置に使用される液晶表示パネルは、一つの画素領域内に画素
電極を備えた透過部と画素電極及び反射板の両方を備えた反射部を有しており、暗い場所
においてはバックライトを点灯して画素領域の透過部を利用して画像を表示し、明るい場
所においてはバックライトを点灯することなく反射部において外光を利用して画像を表示
しているため、常時バックライトを点灯する必要がなくなるので、消費電力を大幅に低減
させることができるという利点を有している。

ところで、携帯電話等に代表されるモバイル機器における小型の表示部には、その使用
者が限定されていること等から、液晶表示パネルに対する広視野角の要求は従来さほど高
くはなかった。しかしながら、近年のますます高機能化するモバイル機器においても、表
示部における液晶表示パネルの広視野角の要求が急激に高まってきている。このようなモ
バイル機器に対する広視野角化の要求に基づき、従来モバイル機器に多用されていたＴＮ
方式の液晶表示パネルに換えて、ＭＶＡ（Multi-domain vertically aligned）方式の半
透過型液晶表示パネルの開発も最近では進められてきている（下記特許文献１、２参照）
。

ここで、下記特許文献２に開示されているＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルについ
て図４及び図５を用いて説明する。なお、図４（ａ）はＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パ
ネル５０の概略的な構造を示す斜視図であり、図４（ｂ）は液晶層の液晶に電界を印加し
たときの液晶の傾斜状体を示す概略図であり、図５は図４（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である
。

この半透過型液晶表示パネル５０においては、反射部５１と透過部５２との間には傾斜
面または段差５３が設けられており、反射部５１と透過部５２とは段差５３を介して連続
している。半透過型液晶表示パネル５０における第１基板５４の画素電極５５には、画素
電極５５が形成されていない領域としての第１開口領域５６が形成されている。この第１
開口領域５６が第１の配向分割手段を構成し、段差５３を挟んで反射部５１及び透過部５
２にまたがって形成されている。この結果、反射部５１における画素電極５５ａと透過部
５２における画素電極５５ｂとは半透過型液晶表示パネル５０の長さ方向に延びる一個の
ライン５７を介して相互に接続されている。

第２基板５８の対向電極５９には、反射部５１における画素電極５５ａ及び透過部５２
における画素電極５５ｂに対向して、それぞれ第２開口領域６０ａ、６０ｂが形成されて
いる。この第２開口領域６０ａ、６０ｂが第２の配向分割手段を構成する。第２開口領域
６０ａ、６０ｂは十字型のスリットとして構成されており、鉛直方向において、第２開口
領域６０ａの中心が画素電極５５ａの中心と一致するように、さらに、第２開口領域６０
ｂの中心が画素電極５５ｂの中心と一致するように配置されている。

この半透過型液晶表示パネル５０は、図４（ｂ）及び図５に示すように、液晶層の液晶
６１に電界を印加したとき、液晶６１は誘電率異方性が負であるため、段差５３における
第１開口領域５６上においては、液晶は対向電極５９側におけるライン５７の方向に傾斜
し、反射部５１及び透過部５２上においては、対向電極５９における反射部５１に対応す
る領域の中心又は透過部５２に対応する領域の中心に傾斜する。このように、半透過型液
晶表示パネル５０においては、液晶分子の配向方向が定まるので、視覚特性の悪化や応答
速度の劣化を低減することができるというものである。

上述のＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル５０は、第１基板５４側の反射部５１と透
過部５２との間に段差５３を設けて、周知のように反射部５１におけるセルギャップｄ１
と透過部におけるセルギャップｄ２との関係がｄ１＝（ｄ２）／２となるようにして、反
射部５１における表示画質と透過部における表示画質が同じになるように調整されている
が、このようなセルギャップ調整のための構成を第２基板側に設けたＭＶＡ方式の半透過
型液晶表示パネルも知られている。

このセルギャップ調整のための構成であるトップコート層を第２基板側に設けた従来例
に係るＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル７０の一例を図６及び図７を用いて説明する
。なお、図６はセルギャップ調整のためのトップコート層を第２基板側に設けた従来の半
透過型液晶表示パネルの第２基板を透視して表した１画素分の平面図であり、また、図７
は図６のＣ−Ｃ断面図である。

この半透過型液晶表示パネル７０においては、第１基板の透明な絶縁性を有するガラス
基板７１上には複数の走査線７２及び信号線７３がそれぞれ直接ないし無機絶縁膜７４を
介してマトリクス状に形成されている。ここで、走査線７２と信号線７３とで囲まれた領
域が１画素に相当し、スイッチング素子となるＴＦＴ（Thin Film Transistor）（図示せ
ず）がそれぞれの画素毎に形成されており、各画素のＴＦＴ等の表面は保護絶縁膜８３で
被覆されている。

そして、走査線７２、信号線７３、無機絶縁膜７４、保護絶縁膜８３等を覆うようにし
て、反射部７５においては表面に微細な凹凸部が形成され、透過部７６においては表面が
平坦に形成された有機絶縁膜からなる層間膜７７が積層されている。なお、図６及び図７
においては反射部７５の凹凸部は省略してある。そして層間膜７７にはＴＦＴのドレイン
電極Ｄに対応する位置にコンタクトホール８０が設けられ、それぞれの画素において、コ
ンタクトホール８０上及び層間膜７７の表面には、反射部７５に例えばアルミニウム金属
からなる反射板７８が設けられ、この反射板７８の表面及び透過部７６の層間膜７７の表
面には例えばＩＴＯ(Indium Tin Oxide)ないしＩＺＯ（Indium Zinc Oxide)からなる透明
な画素電極７９が形成されている。

そして、反射部７５側においては、層間膜７７の反射板７８が存在する位置の下側に補
助容量線８１が配置され、また、平面視で、反射板７８及び画素電極７９は隣接する画素
の反射板及び画素電極とは接しないで、かつ走査線７２及び信号線７３とは同じく光漏れ
を防止するために若干重なるようにして形成されており、透過部７６側における画素電極
７９は隣接する画素の画素電極及び反射板とは接しないでかつ走査線７２及び信号線７３
と若干重なるように形成されている。

また、この半透過型液晶表示パネル７０においては、画素電極７９の反射部７５と透過
部７６の境界領域で液晶分子の配向を規制するためにスリット９３が設けられて、画素電
極７９は実質的に反射部７５の画素電極７９ａと透過部７６の画素電極７９ｂに分割され
ており、反射部７５の画素電極７９ａと透過部７６の画素電極７９ｂとは幅の狭い部分９
４を介して電気的に接続されている。そして、画素電極７９の表面には全ての画素を覆う
ように垂直配向膜（図示せず）が積層されている。

また、第２基板の透明な絶縁性を有するガラス基板８５の表示領域上に、それぞれの画
素に対応して形成される赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のうち何れか一色からなる
ストライプ状のカラーフィルタ層８６が設けられている。また、反射部７５と透過部７６
とで同じ厚さのカラーフィルタ層８６を使用するため、反射部７５のカラーフィルタ層８
６の一部分に所定の厚さのトップコート層８７が設けられている。このトップコート層８
７は、反射部７５全体にわたって設けられており、その厚さは反射部７５における液晶層
の厚さ、いわゆるセルギャップｄ１が透過部７６のセルギャップｄ２の半分となるように
、すなわちｄ１＝（ｄ２）／２となるようにされている。

加えて、透過部７６に位置するカラーフィルタ層８６の表面の一部及び反射部７５に位
置するトップコート層８７の表面の一部にそれぞれ液晶の配向を規制するための突起９１
及び３２がそれぞれ設けられており、カラーフィルタ層８６、トップコート層８７及び突
起９１、９２の表面には共通電極及び垂直配向膜（いずれも図示せず）が順次積層されて
いる。

そして、前記第１基板及び第２基板を互いに対向させ、両基板の周囲にシール材を設け
ることにより両基板を貼り合せ、両基板間に負の誘電率異方性を有する液晶２９を充填す
ることによりＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル７０となる。なお、第１基板の下方に
は、図示しない周知の光源、導光板、拡散シート等を有するバックライト装置が配置され
ている。

このＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル７０においては、画素電極７９と対向電極間
に電界が印加されない状態においては、液晶層の液晶分子は長軸が画素電極及び対向電極
の表面に対して垂直をなすように配向されているため、光が透過しない状態となり、しか
も、画素電極と対向電極間に電界が印加されたときには光が透過するため、透過部におけ
る光漏れはあまり表示画質に影響しなくなり、更には画素電極７９のスリット９３及び突
起９１，９２の存在により、液晶分子は突起９１ないし９２に向かうように傾斜するため
、視野角が非常に広くなるという特性を備えている。
特開２００３−１６７２５３号公報（特許請求の範囲、段落［００５０］〜［００５７］、図１）特開２００４−０６９７６７号公報（特許請求の範囲、段落［００４４］〜［００５３］、図１）特開２００５−１７３１０５号公報（特許請求の範囲、段落［０００３］〜［０００４］、図３、図４）

半透過型液晶表示パネルないし反射型液晶表示装置においては、反射部に形成されるコ
ンタクトホール８０は、画素電極７９ａとスイッチング素子であるＴＦＴのドレイン電極
Ｄとの電気的導通を確実にとる必要があるため、ある程度の大きさ及び深さを有しており
、このコンタクトホール８０には図７に示されているように傾斜面が形成される。このよ
うなコンタクトホール８０の傾斜は、図８に示すように、液晶分子８９に物理的な力を与
え、液晶分子８９を傾斜させてしまう。なお、図８は図７のコンタクトホール８０部分で
液晶分子８９が傾斜する状態を概念的に示す拡大図である。

特に画素電極７９ａと共通電極との間に電界を生じさせて液晶分子８９を配向させた際
にも、液晶分子８９はこのコンタクトホール８０の物理的な力による影響を強く受け、希
望する方向へ傾斜せず、表示に悪影響を与えるために表示品位が低下する。また、コンタ
クトホール８０は、文字通り孔が形成されているため、図示していない配向膜にムラがで
きたりしている等、コンタクトホール８０の存在に基づく影響で液晶分子８９の配向が不
安定になりやすく、更に、コンタクトホール８０の入口部分では、電界を印加しないとき
でも液晶分子８９が斜めに傾斜するため、この部分での光の遮断が不完全となり、光洩れ
が発生することがある。

さらに、第二基板に形成した突起９１，９２の近傍においては、液晶分子８９は突起９
１、９２の頂面部分に対しては第二基板に対して垂直に配向されているが、突起９１、９
２の側面部分においては側面部分の傾斜角度に影響されて第二基板に対して斜めに傾斜し
て配向されてしまう。そのため、電界無印加時にこの突起の近傍より光洩れが発生し、コ
ントラストが低下するという問題点が存在する。このようなＭＶＡ方式の液晶表示パネル
における突起に起因する問題点は上記特許文献３も開示されており、上記特許文献３に開
示された発明では、突起の存在による配向の乱れに基づく光漏れを防止してコントラスト
を向上させる目的で、突起に対応する位置に遮光膜を設けることが示されているが、コン
タクトホールの存在に起因する光漏れについては何も考慮されていない。

そこで、本発明は、液晶表示パネルにおいて、コンタクトホールに起因した配向不良を
防止して光漏れを減少させ、コントラストを向上させることにより表示画質の品位を向上
させることを可能とした液晶表示パネルを提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、液晶表示パネルの発明は、マトリクス状に配置された各画素に薄膜電界効果トランジスタ（ＴＦＴ）及び画素電極が互いに層間絶縁膜を介して設けられているとともに外光を反射する反射部が設けられ、該反射部における前記層間絶縁膜に形成したコンタクトホールを介して前記画素電極と前記ＴＦＴのドレイン電極とが電気的に接続された第一基板と、前記各画素電極に対応して形成されたカラーフィルタ層及び前記カラーフィルタ層境界に設けられたブラックマトリクスを有する第二基板と、前記第一及び第二基板間に配置された液晶層とを有するＭＶＡ（Multi-domain vertically aligned）方式の液晶表示パネルにおいて、前記コンタクトホールは、前記第二基板に設けられた前記ブラックマトリクスよりも画素の中央よりに配置され、前記第二基板には、前記コンタクトホールと対向する位置に、平面視において前記コンタクトホールと重なり、前記ブラックマトリクスと同じ材料で構成された遮光膜が形成されている。

また、液晶表示パネルの発明では、前記コンタクトホールの下方には、前記第一基板上に形成された補助容量線が位置している。

本発明は、上記のような構成を備えることにより以下に述べるような優れた効果を奏す
る。すなわち、本発明によれば、コンタクトホールと遮光膜とが平面視で重なるように形
成されているため、コンタクトホールからの光洩れを遮断することができる。このため、
良好なコントラストの液晶表示パネルが得られる。

以下、本発明を実施するための最良の形態を実施例及び図面を用いて、より具体的に説
明する。なお、以下に示す実施例は、本発明の技術思想を具体化するための半透過型液晶
表示パネルを示すものであるが、本発明をここに記載したものに限定することを意図する
ものではなく、反射型液晶表示パネル等の反射部を有する液晶表示パネルに対しても同様
に適用し得るものである。

実施例に係る半透過型液晶表示パネルを図１及び図２に示す。なお図１は、半透過型液
晶表示パネルの１画素部分をカラーフィルタを透視して表した概略平面図であり、図２は
図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。

このＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル１０は、第１基板の透明な絶縁性を有するガ
ラス基板１１上に複数の走査線１２及び信号線１３がそれぞれ直接ないし無機絶縁膜１４
を介してマトリクス状に形成されている。ここで、走査線１２と信号線１３とで囲まれた
領域が１画素に相当し、スイッチング素子となるＴＦＴがそれぞれの画素毎に形成されて
おり、各画素のＴＦＴ等の表面は保護絶縁膜２３で被覆されている。

そして、走査線１２、信号線１３、無機絶縁膜１４、保護絶縁膜２３等を覆うようにし
て、反射部１５においては表面に微細な凹凸部が形成され、透過部１６においては表面が
平坦に形成されたフォトレジスト等の有機絶縁膜からなる層間膜１７が積層されている。
なお、図１及び図２においては反射部１５の凹凸部は省略してある。そして層間膜１７に
はＴＦＴのドレイン電極Ｄに対応する位置にコンタクトホール２０が設けられ、それぞれ
の画素において、コンタクトホール２０上及び層間膜１７の表面には、反射部１５に例え
ばアルミニウム金属からなる反射板１８が設けられ、この反射板１８の表面及び透過部１
６の層間膜１７の表面には例えばＩＴＯ(Indium Tin Oxide)ないしＩＺ（Indium Zinc Ox
ide)からなる透明な画素電極１９が形成されている。

また、この半透過型液晶表示パネル１０においては、画素電極１９の反射部１５と透過
部１６の境界領域で液晶分子の配向を規制するためにスリット３３_１が設けられ、画素電
極１９は実質的に反射部１５の画素電極１９ａと透過部１６の画素電極１９ｂに分割され
ており、反射部１５の画素電極１９ａと透過部１６の画素電極１９ｂとは幅の狭い部分３
４_１を介して電気的に接続されている。

そして、反射部１５側においては、層間膜１７の反射板１８が存在する位置の下側に補
助容量線２１が配置され、また、平面視で、反射板１８及び反射部の画素電極１９ａは隣
接する画素の反射板及び画素電極とは接しないように、走査線１２及び信号線１３とは重
複しないように、かつ、反射板１８と反射部１５の画素電極１９ａとは重なるように実質
的に同じ形状に設けられている。更に、透過部１６側における画素電極１９ｂは、隣接す
る画素の画素電極及び反射板とは接しないように、かつ、信号線とは実質的に重複しない
ように信号線１３に沿うように設けられ、また、走査線１２とは若干重なるように形成さ
れている。なお、この実施例では、透過部１６の画素電極１９ｂのうち、走査線に沿って
重複している部分の両方の端部３５は僅かに信号線１３と重複しているが、このようにし
た理由は画素電極１９の形成時にマスクずれ等があっても走査線１２が剥き出しになって
液晶分子の配向に影響を与えることを防止するためである。

更に、この実施例の半透過型液晶表示パネル１０においては、透過部１６の画素電極１
９ｂは、反射部１５の画素電極１９ａよりも面積が大きくされているとともに、中間部に
設けられた別のスリット３３_２によって２つの領域１９ｂ_１及び１９ｂ_２に分割されてお
り、この２つの領域１９ｂ_１及び１９ｂ_２部分は幅の狭い部分３４_２を介して電気的に接
続されている。そして、画素電極１９の表面をも含み、第１基板の表面には全ての表示領
域を覆うようにして垂直配向膜（図示せず）が積層されている。

このように、透過部の画素電極１９ｂの面積を大きくするとともに、２つの領域１９ｂ
_１及び１９ｂ_２に分割した理由は、携帯電話機用の半透過型液晶表示パネルは、高精細で
あってしかも画像表示が多いため、バックライトを常時点灯して実質的に透過型液晶表示
パネルとして使用される機会が多くなっていること、及び、面積が大きい透過部の画素電
極１９ｂの全体にわたって液晶分子の配向規制を行うことができるようにするためである
。

また、第２基板の透明な絶縁性を有するガラス基板２５の表示領域上には、それぞれの
画素に対応して形成される赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のうち何れか一色からな
るストライプ状のカラーフィルタ層２６が設けられている。更に、反射部１５と透過部１
６とで同じ厚さのカラーフィルタ層２６を使用するため、反射部１５のカラーフィルタ層
２６の一部分に所定の厚さのトップコート層２７が設けられている。このトップコート層
２７は、反射部１５全体にわたって設けられており、その厚さは反射部１５における液晶
層２９の厚さ、いわゆるセルギャップｄ１が透過部１６のセルギャップｄ２の半分となる
ように、すなわちｄ１＝（ｄ２）／２となるようにされている。

さらに、透過部１６に位置するカラーフィルタ層２６の表面の一部には、それぞれ透過
部１６の画素電極１９ｂの２つの領域１９ｂ_１及び１９ｂ_２部の中央部に位置するように
、液晶分子の配向を規制するための砲弾状の突起３１_１及び３１_２がそれぞれ設けられて
いるとともに、反射部１５のトップコート２７の表面のコンタクトホール２０に対向する
位置にも砲弾状の突起３１_３が設けられている。そして、これらのカラーフィルタ層２６
、トップコート層２７及び突起３１_１〜３１_３の表面には共通電極及び垂直配向膜（いず
れも図示せず）が順次積層されている。

加えて、それぞれの突起３１_１〜３１_３の底部に対応するカラーフィルタ２６の部分に
は、それぞれ平面視で突起３１_１〜３１_３の底部よりも僅かに大きい遮光膜３６_１〜３６
_３が形成されている。この遮光膜３６_１〜３６_３はストライプ状のカラーフィルタ層２６
の製造時に各色の境界に設けられるブラックマトリクス３７と同じ材料で同時に形成する
ことができる。これにより、遮光膜３６_１〜３６_３形成のための工程数が増えることなく
、遮光膜を簡単に形成することができる。なお、図２には遮光膜３６_１〜３６_３の大きさ
が突起３１_１〜３１_３の底部の大きさよりも僅かに大きくしたものが示されているが、突
起３１_１〜３１_３の底部の大きさと実質的に同じ大きさであってもよい。

また、反射部の突起部３１_３の底部の大きさはコンタクトホール２０の大きさよりも大
きい方が好ましく、例えば、約７×７μｍの大きさのコンタクトホール２０に対し、突起
３１_３の底部の幅を約８μｍとすることが好ましい。この実施例における突起３１_３側の
遮光膜３６_３においては、突起３１_３が第一基板１１のコンタクトホール３１と平面視で
重なるように設けられているところから、遮光膜３６_３はコンタクトホール２０とも平面
視で重なるように配置される。従って、遮光膜３６_３はコンタクトホール２０からの光洩
れがあっても、それが外部に漏出しないように作用するため、遮光膜３６_３はコンタクト
ホール２０からの光洩れ及び突起３６_３近傍での液晶分子の配向不良に起因した光洩れの
双方を遮断することができる。

加えて、透過部の突起３１_１及び３１_２の底部には遮光膜３６_１及び３６_２が平面視に
おいて突起３１_１及び３１_２の底部の大きさと同じか僅かに大きく形成されているから、
突起３１_１〜３１_２の近傍で電界無印加時に液晶分子の配向の乱れが生じて光がもれるこ
とがあっても、この漏れた光は遮光膜３６_１及び３６_２によって遮光されるために外部に
出てくることが少なくなる。したがって、透過部においても電界無印加時の光漏れによる
コントラストの低下を大きく減少させることが可能となる。

そして、前記第１基板及び第２基板を互いに対向させ、両基板の周囲にシール材を設け
ることにより両基板を貼り合せ、両基板間に負の誘電異方性を有する液晶２９を充填する
ことによりＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル１０となる。なお、第１基板の下方には
、図示しない周知の光源、導光板、拡散シート等を有するバックライト装置が配置されて
液晶表示装置が完成される。

なお、この実施例の半透過型液晶表示パネル１０では、第２基板に設ける配向規制部材
として砲弾状の突起３１_１〜３１_３を設けた例を示したが、これに限らず透過部の配向規
制部材３１_１〜３１_２としては、図３に示したような平面視で底部が十字状のものであっ
てもよい。更には、底部の形状が、バー状、Ｙ字状又はＹ字と逆Ｙ字を重ね合わせた形状
とすることも可能である。なお、図３は、実施例における透過部の突起の形状を平面視で
底部が十字状となるようにした変形例であり、図１及び図２と同一構成部分には同一の参
照符号を付与してその詳細な説明は省略する。

また、上記実施例では透過部１６の画素電極１９ｂをスリット３３_２により２つに分割
した例を示したが、スリット３３_２を設けなくてもよい。いずれの場合においては、透過
部の突起の底部には平面視で突起の底部の大きさと同じか僅かに大きい遮光膜を備えてい
ればよい。

なお、ＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルにおいては、本来液晶分子に電界が印加さ
れていない状態で垂直に配向されている限りは液晶層を光が透過することはない。従って
、画素電極１９に設けられたスリット３３_１及び３３_２の部分にも垂直配向膜が設けられ
ているので、このスリットの部分は光が透過することがないため、この実施例のＭＶＡ方
式の半透過型液晶表示パネル１０としては、補助容量が大きくなるようにするために、補
助容量線２１を反射板１８の下部から更に透過部１６側のスリット３３_１側にまで延長し
てある。

また、この実施例のＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル１０においては、透過部１６
側における画素電極１９ｂを信号線１３とは実質的に重複しないように信号線１３に沿う
ように設けた例を示したが、透過部１６側における画素電極１９ｂを正確に信号線１３に
沿って設けることは技術的に困難であるため、透過部側の画素電極１９ｂと走査線１３と
の間に僅かな隙間が生じるようにしてもよく、逆にわずかに過部側の画素電極１９ｂと走
査線１３とが重なるようにしてもよい。透過部側の画素電極１９ｂと走査線１３との間に
僅かな隙間が生じても、この隙間の部分には垂直配向膜が設けられているため、この隙間
の部分から光漏れすることはない。

実施例による半透過型液晶表示パネルの一画素部分をカラーフィルタを透視して表した概略平面図である。図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。実施例の変形例の図１に対応する概略平面図である。従来例のＭＶＡ方式の液晶表示パネルの一画素分の平面図である。図４のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。別の従来例のＭＶＡ方式の液晶表示パネルの一画素分の平面図である。図６のＣ−Ｃ線に沿った断面図である。図７のコンタクトホール部分で液晶分子が傾斜する状態を概念的に示す拡大図である。

符号の説明

１０、５０、７０ＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル
１１、２５ガラス基板
１２走査線
１３信号線
１４無機絶縁膜
１５反射部
１６透過部
１７層間膜
１８反射板
１９、１９ａ、１９ｂ、１９ｂ_１、１９ｂ_２画素電極
２０コンタクトホール
２１補助容量線
２６カラーフィルタ層
２７トップコート層
２９液晶
３１_１〜３１_３突起
３３_１、３３_２スリット
３４_１、３４_２画素電極の幅の狭い部分
３６_１〜３６_３遮光部材
３７ブラックマトリクス

Claims

マトリクス状に配置された各画素に薄膜電界効果トランジスタ（ＴＦＴ）及び画素電極が互いに層間絶縁膜を介して設けられているとともに外光を反射する反射部が設けられ、該反射部における前記層間絶縁膜に形成したコンタクトホールを介して前記画素電極と前記ＴＦＴのドレイン電極とが電気的に接続された第一基板と、
前記各画素電極に対応して形成されたカラーフィルタ層及び前記カラーフィルタ層境界に設けられたブラックマトリクスを有する第二基板と、
前記第一及び第二基板間に配置された液晶層とを有するＭＶＡ（Multi-domain vertically aligned）方式の液晶表示パネルにおいて、
前記コンタクトホールは、前記第二基板に設けられた前記ブラックマトリクスよりも画素の中央よりに配置され、
前記第二基板には、前記コンタクトホールと対向する位置に、平面視において前記コンタクトホールと重なり、前記ブラックマトリクスと同じ材料で構成された遮光膜が形成されている
液晶表示パネル。
前記コンタクトホールの下方には、前記第一基板上に形成された補助容量線が位置している
請求項１に記載の液晶表示パネル。