JP2007086576A - 半透過型液晶表示パネル - Google Patents

Abstract

【課題】 反射部のセルギャップ調整用トップコート層の傾斜面からの光漏れを防止し、コントラストが改善された表示画質の良好なＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルを提供すること。
【解決手段】 本発明のＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル１０は、透過部１６と反射部１５との間にスリット３３を有する画素電極１９と、反射板１８と、前記反射板の下方に設けられた補助容量線２１と、を備えた第１基板と、
前記トップコート層２７と、配向規制手段３１、３２を備えるとともに、表面に共通電極が形成された第２基板と、
前記第１基板及び第２基板上に積層された垂直配向膜と、
前記両基板間に配置された誘電率異方性が負の液晶層と、
を有し、前記補助容量線２１は、前記反射部に対応する位置から、前記トップコート層に対応する位置を超えて、前記スリットにまで延在していることを特徴とする。
【選択図】 図１

Description

本発明は、半透過型液晶表示パネル関し、特にコントラストが良好で、表示品質の良好なＭＶＡ(Multi-domain Vertically Aligned)方式の半透過型液晶表示パネルに関する。

近年、情報通信機器のみならず一般の電気機器においても液晶表示装置の適用が急速に普及している。液晶表示装置は、自ら発光しないために、バックライトを備えた透過型の液晶表示装置が多く使用されている。しかしながら、バックライトの消費電力が大きいために、特に携帯型のものについては消費電力を減少させるためにバックライトを必要としない反射型の液晶表示装置が用いられているが、この反射型液晶表示装置は、外光を光源として用いるために、暗い室内などでは見え難くなってしまう。そこで、近年に至り特に透過型と反射型の性質を併せ持つ半透過型の液晶表示装置の開発が進められてきている。

この半透過型の液晶表示装置に使用される液晶表示パネルは、一つの画素領域内に画素電極を備えた透過部と画素電極及び反射板の両方を備えた反射部を有しており、暗い場所においてはバックライトを点灯して画素領域の透過部を利用して画像を表示し、明るい場所においてはバックライトを点灯することなく反射部において外光を利用して画像を表示しているため、常時バックライトを点灯する必要がなくなるので、消費電力を大幅に低減させることができるという利点を有している。

ところで、携帯電話等に代表されるモバイル機器における小型の表示部には、その使用者が限定されていること等から、液晶表示パネルに対する広視野角の要求は従来さほど高くはなかったが、最近ますます高機能化するモバイル機器において、表示部における液晶表示パネルの広視野角の要求が急激に高まってきている。このようなモバイル機器に対する広視野角化の要求に基づき、従来モバイル機器に多用されていたＴＮ方式の液晶表示パネルに換えて、ＭＶＡ（Multi-domain vertically aligned）方式の半透過型液晶表示パネルの開発も最近では進められてきている（下記特許文献１、２参照）。

ここで、下記特許文献２に開示されているＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルについて図３及び図４を用いて説明する。なお、図３（ａ）はＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル５０の概略的な構造を示す斜視図であり、図３（ｂ）は液晶層の液晶に電界を印加したときの液晶の傾斜状態を示す概略図であり、図４は図３（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。
この半透過型液晶表示パネル５０においては、反射部５１と透過部５２との間には傾斜面または段差５３が設けられており、反射部５１と透過部５２とは段差５３を介して連続している。半透過型液晶表示パネル５０における第１基板５４の画素電極５５には、画素電極５５が形成されていない領域としての第１開口領域５６が形成されている。この第１開口領域５６が第１の配向分割手段を構成し、段差５３を挟んで反射部５１及び透過部５２にまたがって形成されている。

この結果、反射部５１における画素電極５５ａと透過部５２における画素電極５５ｂとは半透過型液晶表示パネル５０の長さ方向に延びる一個のライン５７を介して相互に接続されている。

第２基板５８の対向電極５９には、反射部５１における画素電極５５ａ及び透過部５２における画素電極５５ｂに対向して、それぞれ第２開口領域６０ａ、６０ｂが形成されている。この第２開口領域６０ａ、６０ｂが第２の配向分割手段を構成する。第２開口領域６０ａ、６０ｂは十字型のスリットとして構成されており、鉛直方向において、第２開口領域６０ａの中心が画素電極５５ａの中心と一致するように、さらに、第２開口領域６０ｂの中心が画素電極５５ｂの中心と一致するように配置されている。
この半透過型液晶表示パネル５０によれば、図３（ｂ）及び図４に示すように、液晶層の液晶６１に電界を印加したとき、段差５３における第１開口領域５６上においては、液晶は対向電極５９側におけるライン５７の方向に傾斜し、反射部５１及び透過部５２上においては、対向電極５９における反射部５１に対応する領域の中心又は透過部５２に対応する領域の中心に傾斜する。このように、半透過型液晶表示パネル５０においては、液晶分子の配向方向が定まるので、視覚特性の悪化や応答速度の劣化を低減することができるというものである。

上述のＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル５０は、第１基板５４側の反射部５１と透過部５２との間に段差５３を設けて、周知のように反射部５１におけるセルギャップｄ１と透過部におけるセルギャップｄ２との関係がｄ１＝（ｄ２）／２となるようにして、反射部５１における表示画質と透過部における表示画質が同じになるように調整されているが、このようなセルギャップ調整のための構成を第２基板側に設けたＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルも知られている。

このセルギャップ調整のための構成であるトップコート層を第２基板側に設けた従来例に係るＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルの一例を図５〜図６を用いて説明する。なお、図５はセルギャップ調整のためのトップコート層を第２基板側に設けた従来の半透過型液晶表示パネルの第２基板を透視して表した１画素分の平面図であり、図６は図５のＣ−Ｃ断面図である。ただし、図５においては、補助容量線及びトップコート層を強調するために、階層を無視して、補助容量線の境界を太い実線で、トップコート層の境界を太い破線で表してある。

この半透過型液晶表示パネル７０においては、第１基板の透明な絶縁性を有するガラス基板１１上には複数の走査線１２及び信号線１３がそれぞれ直接ないし無機絶縁膜１４を介してマトリクス状に形成されている。ここで、走査線１２と信号線１３とで囲まれた領域が１画素に相当し、スイッチング素子となるＴＦＴ（Thin Film Transistor）（図示せず）がそれぞれの画素毎に形成されており、各画素のＴＦＴ等の表面は保護絶縁膜２３で被覆されている。

そして、走査線１２、信号線１３、無機絶縁膜１４、保護絶縁膜２３等を覆うようにして、反射部１５においては表面に微細な凹凸部が形成され、透過部１６においては表面が平坦に形成された有機絶縁膜からなる層間膜１７が積層されている。なお、図５及び図６においては反射部１５の凹凸部は省略してある。そして層間膜１７にはＴＦＴのドレイン電極Ｄに対応する位置にコンタクトホール２０が設けられ、それぞれの画素において、コンタクトホール２０上及び層間膜１７の表面には、反射部１５に例えばアルミニウム金属からなる反射板１８が設けられ、この反射板１８の表面及び透過部１６の層間膜１７の表面には例えばＩＴＯ(Indium Tin Oxide)ないしＩＺＯ（Indium Zinc Oxide)からなる透明な画素電極１９が形成されている。

そして、反射部１５側においては、層間膜１７の反射板１８が存在する位置の下側に補助容量線２１が配置され、また、平面視で、反射板１８及び画素電極１９は隣接する画素の反射板及び画素電極とは接しないで、かつ走査線１２及び信号線１３とは同じく光漏れを防止するために若干重なるようにして形成されており、透過部１６側における画素電極１９は隣接する画素の画素電極及び反射板とは接しないでかつ走査線１２及び信号線１３と若干重なるように形成されている。

また、この半透過型液晶表示パネル７０においては、画素電極１９の反射部１５と透過部１６の境界領域で液晶分子の配向を規制するためにスリット３３が設けられて、画素電極１９は実質的に反射部１５の画素電極１９ａと透過部１６の画素電極１９ｂに分割されており、反射部１５の画素電極１９ａと透過部１６の画素電極１９ｂとは細いライン３４の部分を介して電気的に接続されている。そして、画素電極１９の表面には総ての画素を覆うように垂直配向膜（図示せず）が積層されている。

また、第２基板の透明な絶縁性を有するガラス基板２５の表示領域上に、それぞれの画素に対応して形成される赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のうち何れか一色からなるストライプ状のカラーフィルタ層２６が設けられている。また、反射部１５と透過部１６とで同じ厚さのカラーフィルタ層２６を使用するため、反射部１５のカラーフィルタ層２６の一部分に所定の厚さのトップコート層２７が設けられている。このトップコート層２７は、反射部１５全体にわたって設けられており、その厚さは反射部１５における液晶層の厚さ、いわゆるセルギャップｄ１が透過部１６のセルギャップｄ２の半分となるように、すなわちｄ１＝（ｄ２）／２となるようにされている。

なお、図５における太い破線で表されているトップコート層２７は、実質的に平坦となっている部分の境界を表しており、トップコート層２７の傾斜面２７ａはこの太い破線で表されている境界よりも僅かではあるが周囲に広がって伸びている。

加えて、透過部１６に位置するカラーフィルタ層２６の表面の一部及び反射部１５に位置するトップコート層２７の表面の一部にそれぞれ液晶の配向を規制するための突起３１及び３２がそれぞれ設けられており、カラーフィルタ層２６、トップコート層２７及び突起３１、３２の表面には共通電極及び垂直配向膜（いずれも図示せず）が順次積層されている。

そして、前記第１基板及び第２基板を互いに対向させ、両基板の周囲にシール材を設けることにより両基板を貼り合せ、両基板間に負の誘電異方性を有する液晶２９を充填することによりＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル７０となる。なお、第１基板の下方には、図示しない周知の光源、導光板、拡散シート等を有するバックライト装置が配置されている。

このＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル７０においては、画素電極１９と対向電極間に電界が印加されない状態においては、液晶層の液晶分子は長軸が画素電極及び対向電極の表面に対して垂直をなすように配向されているため、光が透過しない状態となり、しかも、画素電極と対向電極間に電界が印加されたときには光が透過するため、透過部における光漏れはあまり表示画質に影響しなくなり、更には画素電極１９のスリット３３及び突起３１，３２の存在により、液晶分子は突起３１ないし３２に向かうように傾斜するため、視野角が非常に広くなるという特性を備えている。
特開２００３−１６７２５３号公報（特許請求の範囲、段落［００５０］〜［００５７］、図１） 特開２００４−０６９７６７号公報（特許請求の範囲、段落［００４４］〜［００５３］、図１）

このように従来のＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルとしては、反射部のセルギャップと透過部のセルギャップを調整するための構成を第１基板側に設けたものと第２基板側に設けたものとが存在するが、後者のＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル７０においては前者のものには生じない独自の問題点が存在していることが判明した。

すなわち、反射部のセルギャップと透過部のセルギャップを調整するためのトップコート層２７を第２基板側に設けたＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル７０においては、補助容量線２１の表面に遮光の意味も兼ねて反射板１８が設けられている。この反射板１８は、アルミニウムや銀等の金属からなり、層間膜１７上に物理的方法によって積層した後に、エッチングすることにより製造されているが、このエッチング条件のバラツキのために、反射板１８が設計値よりも溶けてしまうことがある。

このような状態となると、反射部１５の表面には反射光を拡散反射させるために図示しない微細な凹凸が設けられており、これらの凹凸の表面近傍での液晶分子は第１基板に対して垂直方向から傾いた状態となっているため、第１基板の背面に設けられたバックライトからの光が透過してしまい、表示画質のコントラストの低下として現れてくる。

本発明は、このような従来のＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルの問題点を解決すべくなされたものであり、その目的は、反射部のセルギャップと透過部のセルギャップを調整するためのトップコート層２７を第２基板側に設けたＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルにおいて、このトップコート層の傾斜面からの光漏れを防止し、コントラストが改善された表示画質の良好なＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルを提供することにある。

本発明の上記目的は以下の構成により達成し得る。すなわち、請求項１に係る半透過型液晶表示パネルの発明は、マトリクス状に配置された信号線及び走査線により区画されるそれぞれの位置に設けられた透過部と反射部との間にスリットを有する画素電極と、前記反射部に設けられた反射板と、前記反射板の下方に設けられた補助容量線と、を備えた第１基板と、
前記反射部に対応する位置に設けられたトップコート層と、少なくとも前記透過部に対応する位置に設けられた配向規制手段を備えるとともに、表面に共通電極が形成された第２基板と、
前記第１基板及び第２基板上に積層された垂直配向膜と、
前記両基板間に配置された誘電率異方性が負の液晶層と、
を有する半透過型液晶表示パネルにおいて、
前記補助容量線は、前記反射部に対応する位置から、前記トップコート層に対応する位置を超えて、前記スリットにまで延在していることを特徴とする。

また、請求項２に係る発明は、請求項１に記載の半透過型液晶表示パネルにおいて、前記画素電極及び反射板は、前記第１基板の表示領域全体にわたって設けられた層間膜上に設けられ、前記補助容量線は前記層間膜の下部に設けられていることを特徴とする。

また、請求項３に係る発明は、請求項２に記載の半透過型液晶表示パネルにおいて、前記反射板は、前記画素電極の下面に設けられていることを特徴とする。

また、請求項４に係る発明は、請求項１〜３の何れかに記載の半透過型液晶表示パネにおいて、前記配向規制手段は、前記垂直配向膜の下部に設けられた突起からなることを特徴とする。

また、請求項５に係る発明は、請求項１〜３の何れかに記載の半透過型液晶表示パネにおいて、前記配向規制手段は、前記共通電極に設けられたスリットからなることを特徴とする。

また、請求項６に係る発明は、請求項４又は５に記載の半透過型液晶表示パネルにおいて、前記透過部の画素電極はスリットにより複数個に区画されていることを特徴とする。

更に、請求項７に係る発明は、請求項１〜６のいずれかに記載の半透過型液晶表示パネルにおいて、前記透過部の画素電極は、平面視において前記信号線とは重複しておらず、前記走査線に沿って重複していることを特徴とする。

本発明は上記のような構成を備えることにより以下に述べるような優れた効果を奏する。すなわち、請求項１に係る発明によれば、補助容量線は、前記反射部に対応する位置から、前記トップコート層に対応する位置を超えて、前記スリットにまで延在しているため、たとえ反射板の製造の際にエッチング条件のバラツキ等のために反射板が設計値よりも溶けてしまうようなことがあっても、第１基板の背面に設けられたバックライトからの光は補助容量線によって遮光されるために反射部から漏れることがなくなり、コントラスト低下せず、表示画質の良好なＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルが得られる。

また、請求項２に係る発明によれば、第１基板に設けられた層間膜の表面は平坦化されているので、その表面に設けられた画素電極及び反射板の表面も平坦化できるため、液晶分子の配向の乱れが少なくなり、光漏れが少なく、コントラストが高い表示画質の良好なＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルが得られる。

また、請求項３に係る発明によれば、反射板はアルミニウム又は銀等の金属からなるが、この反射板が直接液晶層と接触していないため、液晶層の劣化が少なくなり、請求項２に係る発明の効果を奏しながらも、長寿命なＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルが得られる。

また、請求項４及び請求項５に係る発明によれば、簡単な構成の配向規制手段により視野角が広く、応答速度が速いＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルが得られる。

また、請求項６に係る発明によれば、透過部の画素電極の面積が大きくても、所望の面積となるように複数に分割してそれぞれの分割された画素電極毎に配向規制手段を設けたため、透過部全体にわたり液晶分子の配向の乱れを少なくすることができるので、広視野角かつ高コントラストで表示画質に優れたＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルが得られる。

また、本発明のようなＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルでは、透過部において走査線及び信号線と画素電極とは、平面視において重複していなくても、電界無印加時に光漏れの虞はない。しかしながら、走査線に印加される電圧は大きく変化するので、液晶分子に対して影響を与えるため、透過部の走査線近傍では液晶分子の配向に乱れが生じて光漏れすることがあるが、請求項７に係る発明によれば、走査線による電界は画素電極によって遮られるため、液晶分子に影響を与えることがなくなり、透過部での光漏れの少ない高コントラストで表示画質に優れたＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルが得られる。

以下、実施例及び図面を参照して本発明を実施するための最良の形態を説明するが、以下に示す実施例は、本発明をここに記載したものに限定することを意図するものではなく、本発明は特許請求の範囲に示した技術思想を逸脱することなく種々の変更を行ったものにも均しく適用し得るものである。

実施例の半透過型液晶表示パネル１０を図１及び図２を用いて説明する。なお、図１はＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルの第２基板を透視して表した１画素分の平面図であり、図２は図１のＡ−Ａ断面図である。ただし、図１においては、補助容量線及びトップコート層を強調するために、階層を無視して、補助容量線の境界を太い実線で、トップコート層の境界を太い破線で表してあり、また図５及び図６に記載された従来例のＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル７０と同一の構成部分には同一の参照符号を付与して、その詳細な説明は省略する。

このＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル１０が図５及び図６に記載した従来のＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル７０と構成が相違している点は、補助容量線２１が反射板１８の下部から更に延長されて、トップコート層２７の傾斜面２７ａに対応する位置を超え、画素電極１９に設けられたスリット３３の下部に対応する位置まで延在されている点である。

すなわち、従来のＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル７０においては、補助容量線２１は、図６に破線で示したように、層間膜１７の下側で反射板１８に対応する位置からスリット３３側にはみ出ることがないように、かつ、第２基板のトップコート層２７に対応する位置から透過部１６側にはみ出ることがないように設けられている。これに対し、実施例のＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル１０においては、補助容量線２１は、図２に破線で示したように、層間膜１７の下側で反射板１８に対応する位置から透過部１６側にはみ出るように、かつ、第２基板のトップコート層２７に対応する位置からも透過部１６側にはみ出るように設けられている。この実施例のＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル１０における補助容量線２１の透過部１６側の境界は、図１に示したように、画素電極１９に設けられたスリット３３に対応する位置にまで伸びている。

このような構成とすることにより、反射板１８が製造時にエッチング条件により設計値よりも過剰にエッチングされるようなことがあっても、層間膜１７の下側で反射板１８に対応する位置から透過部１６側にはみ出るように、かつ、第２基板のトップコート層２７に対応する位置からも透過部１６側にはみ出るように設けられているために、図示しないバックライトからの光は、本来は反射板１８で遮光するようにしていたものが補助容量線２１により遮光されるため、光漏れすることがなくなる。

したがって、実施例のＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル１０によれば、従来例のＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルのようなトップコート層２７の傾斜面２７ａからの光漏れを起こすことがなく、コントラストが改善された表示画質の良好なＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルが得られる。

なお、実施例のＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル１０としては、反射部１５における反射板１８及び画素電極１９は隣接する画素の反射板及び画素電極とは接しないで、かつ走査線１２及び信号線１３とは同じく光漏れを防止するために若干重なるようにして形成されており、透過部１６側における画素電極１９は隣接する画素の画素電極及び反射板とは接しないでかつ走査線１２及び信号線１３と若干重なるように形成したが、本来ＭＶＡ方式の液晶表示パネルにおいては、液晶分子に電界が印加されていない状態で垂直に配向されている限りは液晶層を光が透過することはない。

したがって、実施例のＭＶＡ方式の液晶表示パネル１０においては、画素電極１９に設けられたスリット３３及び透過部１６の画素電極１９ｂと走査線及び信号線とが平面視において重複していなくても、この部分には垂直配向膜が設けられているから、本来は光を透過することがない。そのため、少なくとも透過部１６の画素電極１９ｂと走査線及び信号線とを平面視において重複させなくてもよい。このような構成を採用すると、透過部の開口率が向上するため、明るいＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルが得られる。

ただし、走査線１２に印加される電圧は振幅が大きいため、この走査線１２に印加される電圧によって液晶分子の配向状態が影響を受けることがあるため、少なくとも透過部１６の画素電極１９ｂが走査線１２に沿っている部分は、走査線と平面視において重複するようにした方がよい。また、透過部１６の画素電極１９ｂとして長方形状のものを使用した例を示したが、液晶分子の配向状態の乱れをより少なくするため、長方形の角を切り落とした形状としたり円形状とすることもできるが、この場合も少なくとも走査線１２と沿っている部分は部分的に走査線と平面視において重複するようにした方がよい。

なお、実施例に係るＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル１０は、画素電極１９をスリット３３により反射部１５の画素電極１９ａと透過部１６の画素電極１９ｂとに区画した例を示したが、半透過型液晶表示パネルを実際に使用する際にはバックライトを点灯して透過部１６を使用する機会の方が多い。そのため、透過部１６の画素電極１９ｂの面積を反射部１５の画素電極１９ａの面積よりも大きくする場合もある。このような場合には、透過部１６全体にわたり液晶分子の配向に乱れが生じないようにするため、透過部の画素電極１９ｂをスリットにより複数個に区画し、それぞれの区画ごとに配向規制手段を設けることもできる。

また、実施例に係るＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル１０は、配向規制手段として透過部においては十字状の突起、反射部においては逆Ｙ字状の突起を設けた例を示したが、これに限らず、突起をバー状ないし砲弾状としたり、或いは、上記特許文献２に開示されているもののように、共通電極に配向規制手段としてのスリットを設けても良い。

実施例のＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルの第２基板を透視して表した１画素分の平面図である。 図１のＡ−Ａ断面図である。 図３（ａ）は従来のＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルの概略的な構造を示す斜視図であり、図３（ｂ）は液晶層の液晶に電界を印加したときの液晶の傾斜状態を示す概略図である。 図３（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。 セルギャップ調整のためのトップコート層を第２基板側に設けた従来の半透過型液晶表示パネルの第２基板を透視して表した１画素分の平面図である。 図５のＣ−Ｃ断面図である。

符号の説明

１０、５０、７０ ＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル
１１、２５ ガラス基板
１２ 走査線
１３ 信号線
１４ 無機絶縁膜
１５ 反射部
１６ 透過部
１７ 層間膜
１８ 反射板
１９、１９ａ、１９ｂ 画素電極
２０ コンタクトホール
２１ 補助容量線
２６ カラーフィルタ層
２７ トップコート層
２７ａ トップコート層の傾斜面
２９ 液晶
３１、３２ 突起
３３ スリット
３４ ライン

Claims (7)

1. マトリクス状に配置された信号線及び走査線により区画されるそれぞれの位置に設けられた透過部と反射部との間にスリットを有する画素電極と、前記反射部に設けられた反射板と、前記反射板の下方に設けられた補助容量線と、を備えた第１基板と、
   前記反射部に対応する位置に設けられたトップコート層と、少なくとも前記透過部に対応する位置に設けられた配向規制手段を備えるとともに、表面に共通電極が形成された第２基板と、
   前記第１基板及び第２基板上に積層された垂直配向膜と、
   前記両基板間に配置された誘電率異方性が負の液晶層と、
   を有する半透過型液晶表示パネルにおいて、
   前記補助容量線は、前記反射部に対応する位置から、前記トップコート層に対応する位置を超えて、前記スリットにまで延在していることを特徴とする半透過型液晶表示パネル。
2. 前記画素電極及び反射板は、前記第１基板の表示領域全体にわたって設けられた層間膜上に設けられ、前記補助容量線は前記層間膜の下部に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半透過型液晶表示パネル。
3. 前記反射板は、前記画素電極の下面に設けられていることを特徴とする請求項２に記載の半透過型液晶表示パネル。
4. 前記配向規制手段は、前記垂直配向膜の下部に設けられた突起からなることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の半透過型液晶表示パネル。
5. 前記配向規制手段は、前記共通電極に設けられたスリットからなることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の半透過型液晶表示パネル。
6. 前記透過部の画素電極はスリットにより複数個に区画されていることを特徴とする請求項４又は５に記載の半透過型液晶表示パネル。
7. 前記透過部の画素電極は、平面視において前記信号線とは重複しておらず、前記走査線に沿って重複していることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の半透過型液晶表示パネル。

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