JP4735464B2 - 回路基板およびその製造方法 - Google Patents
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Description
不飽和炭素結合、カルボニル基、アルコキシ基のうち少なくとも1種類を含む組成からなる樹脂フィラーを、該樹脂フィラーとは異なる組成からなるベース樹脂中に分散させて絶縁樹脂層を形成する絶縁樹脂形成工程と、
前記絶縁樹脂層の表面に前記樹脂フィラーを露出させ、かつ、露出した前記樹脂フィラーの表面に、ヒドロキシル基、カルボニル基、カルボキシル基のうち少なくとも1種類の官能基を生成する絶縁樹脂表面処理工程と、
前記官能基にシランカップリング剤を吸着ないし反応させるシランカップリング剤処理工程と、
次いで、金属触媒を用いた無電解金属めっき膜を形成し、さらに該無電解金属めっき膜上に電気金属めっき膜を形成する金属膜形成工程と、
を、有することを特徴とする。
前記絶縁樹脂表面処理工程は、前記絶縁樹脂層の表面に、酸素プラズマ照射方法、またはUVオゾン照射方法を用いて実施することを特徴とする。
前記金属触媒は、パラジウム触媒であることを特徴とする。
不飽和炭素結合、カルボニル基、アルコキシ基のうち少なくとも1種類を含む組成からなる樹脂フィラーを、該樹脂フィラーとは異なる組成からなるベース樹脂中に分散させて形成され、表面に前記樹脂フィラーが露出された絶縁樹脂層上に、シランカップリング剤、その上に第1の金属膜、さらにその上に該第1の金属膜以外の第2の金属膜が形成されていることを特徴とする。
図1〜3は、本発明の回路基板の製造方法を説明するための、各製造工程の基板断面を示す模式図である。
以下の4サンプルを作成し、それぞれの密着強度を比較した。
・サンプル1:(本発明によるサンプル)
ベース樹脂;エポキシ樹脂(弾性率;2GPa)
樹脂フィラー;アクリルゴム混入
(平均粒径;1μm、弾性率;0.3GPa、樹脂フィラー混合率;20wt%)
酸素プラズマ処理;実施
(酸素プラズマ照射装置を用いて、200W、3分間照射)
<以後の工程は以下のサンプル2〜4とも同様>
シランカップリング剤処理;実施(γ―メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン)
パラジウム触媒無電解銅めっき;実施(〜0.5μm厚)
電気銅めっき;実施(〜30μm厚)
密着強度試験;ビアホール以外の部分の銅めっき膜を1cm幅に切り込み、ピール強
度測定を実施
・サンプル2:
ベース樹脂;エポキシ樹脂(弾性率;2GPa)
樹脂フィラー;アクリルゴム混入
(平均粒径;1μm、弾性率;0.3GPa、樹脂フィラー混合率;20wt%)
酸素プラズマ処理;なし
・サンプル3:
ベース樹脂;エポキシ樹脂(弾性率;2GPa)
樹脂フィラー;なし
酸素プラズマ処理;実施
(酸素プラズマ照射装置を用いて、200W、3分間照射)
・サンプル4:
ベース樹脂;エポキシ樹脂(弾性率;2GPa)
樹脂フィラー;なし
酸素プラズマ処理;なし
これらのサンプルのピール強度結果を図6に示す。これから明らかのように、最もピール強度が高いサンプルは、本発明の方法による、フィラーを含有しかつ酸素プラズマ処理を行った(酸素プラズマ有)のサンプル1(図6中では、右上の黒丸、ピール強度;約0.9kgf/cm)であり、他のサンプルと比べ格段に高い密着性を示している。
・サンプル5:
ベース樹脂;エポキシ樹脂(弾性率;2GPa)
樹脂フィラー;アクリルゴム混入
(平均粒径;1μm、弾性率;0.3GPa、樹脂フィラー混合率;20wt%)
UVオゾン処理;実施
(UVオゾン照射装置を用いて、40W、5分間照射)
シランカップリング剤処理;実施(γ―メルカプトプロピルトリメトキシシラン)
パラジウム触媒無電解銅めっき;実施(〜0.5μm厚)
電気銅めっき;実施(〜30μm厚)
密着強度試験;ビアホール以外の部分の銅めっき膜を1cm幅に切り込み、ピール強
度測定を実施 ⇒ 測定値 0.8kgf/cm
・サンプル6:
ベース樹脂;エポキシ樹脂(弾性率;2GPa)
樹脂フィラー;アクリルゴム混入
(平均粒径;1μm、弾性率;0.3GPa、樹脂フィラー混合率;30wt%)
酸素プラズマ処理;実施
(酸素プラズマ照射装置を用いて、200W、3分間照射)
シランカップリング剤処理;実施(イミダゾールシランの酢酸塩)
パラジウム触媒無電解銅めっき;実施(〜0.5μm厚)
電気銅めっき;実施(〜30μm厚)
密着強度試験;ビアホール以外の部分の銅めっき膜を1cm幅に切り込み、ピール強
度測定を実施 ⇒ 測定値 0.8kgf/cm
上記のように、本発明の方法を適用したいずれのサンプルにおいても、ピール強度は、0.8kgf/cmないしそれ以上の強い密着強度が得られている。
不飽和炭素結合、カルボニル基、アルコキシ基のうち少なくとも1種類を含む組成からなる樹脂フィラーを、該樹脂フィラーとは異なる組成からなるベース樹脂中に分散させて絶縁樹脂層を形成する絶縁樹脂形成工程と、
前記絶縁樹脂層の表面に前記樹脂フィラーを露出させ、かつ、露出した前記樹脂フィラーの表面に、ヒドロキシル基、カルボニル基、カルボキシル基のうち少なくとも1種類の官能基を生成する絶縁樹脂表面処理工程と、
前記官能基にシランカップリング剤を吸着ないし反応させるシランカップリング剤処理工程と、
次いで、金属触媒を用いた無電解金属めっき膜を形成し、さらに該無電解金属めっき膜上に電気金属めっき膜を形成する金属膜形成工程と、
を、有することを特徴とする回路基板の製造方法。
前記絶縁樹脂表面処理工程は、前記絶縁樹脂層の表面に、酸素プラズマ照射方法、またはUVオゾン照射方法を用いて実施することを特徴とする付記1記載の回路基板の製造方法。
前記樹脂フィラーの弾性率は、前記ベース樹脂の弾性率より小さいことを特徴とする付記1または2記載の回路基板。
前記シランカップリング剤は、金属捕捉能を持つ官能基を有することを特徴とする付記1または2記載の回路基板の製造方法。
前記金属捕捉能を持つ官能基は、アゾール基、またはメルカプト基、またはトリアジンチオール基であることを特徴とする付記4記載の回路基板の製造方法。
前記無電解金属めっき膜および前記電気金属めっき膜は、銅、ニッケル、コバルトのうち少なくとも1種類の金属膜であることを特徴とする付記1または2記載の回路基板の製造方法。
前記金属触媒は、パラジウム触媒であることを特徴とする付記1または2記載の回路基板の製造方法。
不飽和炭素結合、カルボニル基、アルコキシ基のうち少なくとも1種類を含む組成からなる樹脂フィラーを、該樹脂フィラーとは異なる組成からなるベース樹脂中に分散させて形成され、表面に前記樹脂フィラーが露出された絶縁樹脂層上に、シランカップリング剤、その上に第1の金属膜、さらにその上に該第1の金属膜以外の第2の金属膜が形成されていることを特徴とする回路基板。
前記樹脂フィラーの弾性率は、前記ベース樹脂の弾性率より小さいことを特徴とする付記8記載の回路基板。
前記シランカップリング剤は、金属捕捉能を持つ官能基を有することを特徴とする付記8または9記載の回路基板。
前記金属捕捉能を持つ官能基は、アゾール基、またはメルカプト基、またはトリアジンチオール基であることを特徴とする付記10記載の回路基板。
前記第2の金属膜は、銅、ニッケル、コバルトのうち少なくとも1種類の金属膜であることを特徴とする付記8ないし11のいずれかに記載の回路基板。
前記第1の金属膜は、パラジウム金属膜であることを特徴とする付記8ないし12のいずれかに記載の回路基板。
2 配線
3、102 絶縁樹脂層
4、103 ベース樹脂
5、104 樹脂フィラー
6 官能基
7 シランカップリング剤
8 無電解金属めっき層
9 レジストパターン
10 電気金属めっき層
101 金属補足能を有する官能基
Claims (5)
- 不飽和炭素結合、カルボニル基、アルコキシ基のうち少なくとも1種類を含む組成からなる樹脂フィラーを、該樹脂フィラーとは異なる組成からなるベース樹脂中に分散させて絶縁樹脂層を形成する絶縁樹脂形成工程と、
前記絶縁樹脂層の表面に前記樹脂フィラーを露出させ、かつ、露出した前記樹脂フィラーの表面に、ヒドロキシル基、カルボニル基、カルボキシル基のうち少なくとも1種類の官能基を生成する絶縁樹脂表面処理工程と、
前記官能基にシランカップリング剤を吸着ないし反応させるシランカップリング剤処理工程と、
次いで、金属触媒を用いた無電解金属めっき膜を形成し、さらに該無電解金属めっき膜上に電気金属めっき膜を形成する金属膜形成工程と、
を、有することを特徴とする回路基板の製造方法。 - 前記絶縁樹脂表面処理工程は、前記絶縁樹脂層の表面に、酸素プラズマ照射方法、またはUVオゾン照射方法を用いて実施することを特徴とする請求項1記載の回路基板の製造方法。
- 前記シランカップリング剤は、金属補足能を持つ官能基を有することを特徴とする請求項1または2記載の回路基板の製造方法。
- 前記金属触媒は、パラジウム触媒であることを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
- 不飽和炭素結合、カルボニル基、アルコキシ基のうち少なくとも1種類を含む組成からなる樹脂フィラーを、該樹脂フィラーとは異なる組成からなるベース樹脂中に分散させて形成され、表面に前記樹脂フィラーが露出された絶縁樹脂層上に、シランカップリング剤、その上に第1の金属膜、さらにその上に該第1の金属膜以外の第2の金属膜が形成されていることを特徴とする回路基板。
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