JP4731500B2 - 基板支持装置、表面電位測定装置、膜厚測定装置および基板検査装置 - Google Patents
基板支持装置、表面電位測定装置、膜厚測定装置および基板検査装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4731500B2 JP4731500B2 JP2007008750A JP2007008750A JP4731500B2 JP 4731500 B2 JP4731500 B2 JP 4731500B2 JP 2007008750 A JP2007008750 A JP 2007008750A JP 2007008750 A JP2007008750 A JP 2007008750A JP 4731500 B2 JP4731500 B2 JP 4731500B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- fluid ejection
- porous member
- substrate support
- support apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J3/00—Typewriters or selective printing or marking mechanisms characterised by the purpose for which they are constructed
- B41J3/407—Typewriters or selective printing or marking mechanisms characterised by the purpose for which they are constructed for marking on special material
- B41J3/4071—Printing on disk-shaped media, e.g. CDs
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
2 基板支持装置
3 測定部
4 演算部
5 膜厚測定装置
7 基板検査装置
9,9a 基板
21 第1流体噴出部
22 第2流体噴出部
24 基板回転機構
25 噴出部移動機構
31 プローブ
71 光源部
72 受光部
91 上面
92 下面
93 外縁部
211 第1多孔質部材
213 第1閉塞部
221 第2多孔質部材
231 移動規制部
232 補助支持部
611 第1光源部
612 第1受光部
621 第2光源部
622 第2受光部
911 対象領域
Claims (14)
- 基板を支持する基板支持装置であって、
基板の一方の主面上の対象領域の周囲に向けて、第1多孔質部材から第1流体を噴出する第1流体噴出部と、
前記第1流体噴出部に対向して配置され、前記基板の他方の主面に向けて第2多孔質部材から第2流体を噴出することにより、前記第1多孔質部材と前記第2多孔質部材との間にて前記基板を非接触にて支持する第2流体噴出部と、
前記基板の外縁部に当接して前記基板の前記一方の主面に平行な方向への移動を規制する移動規制部と、
前記基板の前記一方の主面に沿って前記第1流体噴出部を前記基板に対して相対的に移動することにより前記対象領域を変更する移動機構と、
を備えることを特徴とする基板支持装置。 - 請求項1に記載の基板支持装置であって、
前記第1多孔質部材が、前記対象領域の周囲を囲む環状であることを特徴とする基板支持装置。 - 請求項2に記載の基板支持装置であって、
前記第1多孔質部材が、円環状であることを特徴とする基板支持装置。 - 請求項2または3に記載の基板支持装置であって、
前記第1流体噴出部が、前記第1多孔質部材の前記基板とは反対側において前記第1多孔質部材の内側の空間を閉塞する閉塞部をさらに備えることを特徴とする基板支持装置。 - 請求項4に記載の基板支持装置であって、
前記第1多孔質部材の内側の前記空間が、不活性ガス雰囲気または減圧雰囲気とされることを特徴とする基板支持装置。 - 請求項1ないし5のいずれかに記載の基板支持装置であって、
前記第2流体噴出部が、前記基板の前記他方の主面の一部に向けて前記第2流体を噴出し、前記第1流体噴出部と共に前記基板に対して相対的に移動することを特徴とする基板支持装置。 - 請求項6に記載の基板支持装置であって、
前記第1多孔質部材と前記第2多孔質部材とが同形状であり、かつ、前記基板に垂直な方向において重なっていることを特徴とする基板支持装置。 - 請求項1ないし7のいずれかに記載の基板支持装置であって、
前記基板の前記一方の主面と前記第1多孔質部材との間の距離が、5μm以上30μm以下とされることを特徴とする基板支持装置。 - 請求項1ないし8のいずれかに記載の基板支持装置であって、
前記基板の前記外縁部近傍において前記基板を補助的に支持する補助支持部をさらに備えることを特徴とする基板支持装置。 - 請求項1ないし9のいずれかに記載の基板支持装置であって、
前記第1流体が気体であることを特徴とする基板支持装置。 - 基板の表面電位を測定する表面電位測定装置であって、
請求項10に記載の基板支持装置と、
前記基板支持装置の前記第1流体噴出部に取り付けられ、前記基板の前記対象領域に対向するプローブを有する測定部と、
前記測定部からの出力に基づいて前記対象領域の表面電位を求める演算部と、
を備えることを特徴とする表面電位測定装置。 - 基板上の膜の厚さを測定する膜厚測定装置であって、
請求項1ないし10のいずれかに記載の基板支持装置と、
前記基板支持装置の前記第1流体噴出部に取り付けられ、前記基板の前記対象領域に光を傾斜して入射させる光源部と、
前記第1流体噴出部に取り付けられ、前記光源部からの光の前記対象領域からの反射光を受光して前記反射光の偏光状態を取得する受光部と、
前記受光部にて取得された偏光状態に基づいて前記対象領域における膜の厚さを求める演算部と、
を備えることを特徴とする膜厚測定装置。 - 基板上の膜の厚さを測定する膜厚測定装置であって、
請求項1ないし10のいずれかに記載の基板支持装置と、
前記基板支持装置の前記第1流体噴出部に取り付けられ、前記基板の前記対象領域に向けて光を出射する光源部と、
前記第1流体噴出部に取り付けられ、前記光源部からの光の前記対象領域からの反射光を受光する受光部と、
前記受光部からの出力に基づいて光干渉法により前記対象領域における膜の厚さを求める演算部と、
を備えることを特徴とする膜厚測定装置。 - 基板を検査する基板検査装置であって、
請求項1ないし10のいずれかに記載の基板支持装置と、
前記基板支持装置の前記第1流体噴出部および前記第2流体噴出部の一方に取り付けられ、前記基板の前記対象領域に向けて光を出射する光源部と、
前記第1流体噴出部および前記第2流体噴出部の他方に取り付けられ、前記対象領域を透過した前記光源部からの光を受光する受光部と、
前記受光部からの出力に基づいて前記対象領域に対する検査または測定を行う演算部と、
を備えることを特徴とする基板検査装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007008750A JP4731500B2 (ja) | 2007-01-18 | 2007-01-18 | 基板支持装置、表面電位測定装置、膜厚測定装置および基板検査装置 |
US12/007,299 US7869062B2 (en) | 2007-01-18 | 2008-01-09 | Apparatus for supporting substrate, apparatus for measuring surface potential, apparatus for measuring film thickness, and apparatus for inspecting substrate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007008750A JP4731500B2 (ja) | 2007-01-18 | 2007-01-18 | 基板支持装置、表面電位測定装置、膜厚測定装置および基板検査装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008177317A JP2008177317A (ja) | 2008-07-31 |
JP4731500B2 true JP4731500B2 (ja) | 2011-07-27 |
Family
ID=39640794
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007008750A Expired - Fee Related JP4731500B2 (ja) | 2007-01-18 | 2007-01-18 | 基板支持装置、表面電位測定装置、膜厚測定装置および基板検査装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7869062B2 (ja) |
JP (1) | JP4731500B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9360302B2 (en) * | 2011-12-15 | 2016-06-07 | Kla-Tencor Corporation | Film thickness monitor |
US9658150B2 (en) * | 2015-01-12 | 2017-05-23 | Kla-Tencor Corporation | System and method for semiconductor wafer inspection and metrology |
US20190242011A1 (en) * | 2016-07-01 | 2019-08-08 | Reiner Gertmann | Processing system, method for processing a flexible substrate, and deposition apparatus |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0533534U (ja) * | 1991-10-04 | 1993-04-30 | 住友金属工業株式会社 | 試料保持装置 |
JPH09134946A (ja) * | 1995-11-09 | 1997-05-20 | Shinko Electric Co Ltd | ウエハ移送装置 |
JP2003316017A (ja) * | 2002-04-24 | 2003-11-06 | Sony Corp | 検出装置、検出方法および電子ビーム照射装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW484184B (en) * | 1998-11-06 | 2002-04-21 | Canon Kk | Sample separating apparatus and method, and substrate manufacturing method |
JP4063201B2 (ja) | 2003-11-18 | 2008-03-19 | ソニー株式会社 | 電子ビーム照射装置 |
JP2006245022A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
-
2007
- 2007-01-18 JP JP2007008750A patent/JP4731500B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-01-09 US US12/007,299 patent/US7869062B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0533534U (ja) * | 1991-10-04 | 1993-04-30 | 住友金属工業株式会社 | 試料保持装置 |
JPH09134946A (ja) * | 1995-11-09 | 1997-05-20 | Shinko Electric Co Ltd | ウエハ移送装置 |
JP2003316017A (ja) * | 2002-04-24 | 2003-11-06 | Sony Corp | 検出装置、検出方法および電子ビーム照射装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20080174637A1 (en) | 2008-07-24 |
US7869062B2 (en) | 2011-01-11 |
JP2008177317A (ja) | 2008-07-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5877005B2 (ja) | 基板処理装置、基板保持装置、および、基板保持方法 | |
US9403257B2 (en) | Apparatus and method for double-side polishing of work | |
WO2001048801A1 (fr) | Procede et dispositif de surveillance du stade de polissage, tete de polissage, plaquette a traiter, et dispositif a semi-conducteur et procede de fabrication associe | |
JP5112650B2 (ja) | チャックに対する光ビームの位置のドリフトを決定する方法およびシステム | |
US6563586B1 (en) | Wafer metrology apparatus and method | |
JP2020025126A (ja) | イメージングシステム | |
WO2011121868A1 (ja) | 基板保持装置,基板保持方法、それらを用いた検査装置、及び検査方法 | |
TW201834105A (zh) | 磨光裝置 | |
US20120268585A1 (en) | Semiconductor wafer inspection system and method | |
TW201501862A (zh) | 研磨裝置及研磨狀態監視方法 | |
JP4731500B2 (ja) | 基板支持装置、表面電位測定装置、膜厚測定装置および基板検査装置 | |
TW201330169A (zh) | 在真空保持中經控制之表面粗糙度 | |
TWI788383B (zh) | 研磨裝置及研磨方法 | |
US7970199B2 (en) | Method and apparatus for detecting defect on a surface of a specimen | |
KR20110087069A (ko) | 웨이퍼의 양면 동시 검사가 가능한 웨이퍼 표면 검사 장치 | |
TW200908126A (en) | End point detecting apparatus for semiconductor wafer polishing process | |
JP4324933B2 (ja) | 平面研磨装置 | |
EP1809439A1 (en) | Electronic die positioning device and method | |
JP2010016279A (ja) | 基板測定装置 | |
US8605278B2 (en) | Method and apparatus for inspecting patterned media disk | |
US7177019B2 (en) | Apparatus for imaging metrology | |
JP4020739B2 (ja) | ポリッシング装置 | |
JP2002170799A (ja) | 測定装置、研磨状況モニタ装置、研磨装置、半導体デバイス製造方法、並びに半導体デバイス | |
TWI515422B (zh) | 半導體晶圓檢驗系統和方法 | |
US7042580B1 (en) | Apparatus for imaging metrology |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091216 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100209 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110128 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110204 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110419 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110419 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140428 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |