JP4730422B2 - Iii族窒化物半導体電子デバイス、iii族窒化物半導体電子デバイスを作製する方法、及びiii族窒化物半導体エピタキシャルウエハ - Google Patents
Iii族窒化物半導体電子デバイス、iii族窒化物半導体電子デバイスを作製する方法、及びiii族窒化物半導体エピタキシャルウエハ Download PDFInfo
- Publication number
- JP4730422B2 JP4730422B2 JP2008274370A JP2008274370A JP4730422B2 JP 4730422 B2 JP4730422 B2 JP 4730422B2 JP 2008274370 A JP2008274370 A JP 2008274370A JP 2008274370 A JP2008274370 A JP 2008274370A JP 4730422 B2 JP4730422 B2 JP 4730422B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nitride semiconductor
- group iii
- iii nitride
- epitaxial layer
- semiconductor epitaxial
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 334
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims description 294
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 120
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 39
- 239000013598 vector Substances 0.000 claims description 32
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 28
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 claims description 15
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 claims description 6
- 235000015220 hamburgers Nutrition 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 131
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 72
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 45
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 29
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 24
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 10
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 9
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004581 coalescence Methods 0.000 description 6
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000012868 Overgrowth Diseases 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000370 acceptor Substances 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02387—Group 13/15 materials
- H01L21/02389—Nitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/02428—Structure
- H01L21/0243—Surface structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/02433—Crystal orientation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
- H01L21/0254—Nitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/30—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by physical imperfections; having polished or roughened surface
- H01L29/32—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by physical imperfections; having polished or roughened surface the imperfections being within the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/41725—Source or drain electrodes for field effect devices
- H01L29/41741—Source or drain electrodes for field effect devices for vertical or pseudo-vertical devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
- H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
- H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
- H01L29/42372—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate characterised by the conducting layer, e.g. the length, the sectional shape or the lay-out
- H01L29/4238—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate characterised by the conducting layer, e.g. the length, the sectional shape or the lay-out characterised by the surface lay-out
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66674—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/66712—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/872—Schottky diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/04—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their crystalline structure, e.g. polycrystalline, cubic or particular orientation of crystalline planes
- H01L29/045—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their crystalline structure, e.g. polycrystalline, cubic or particular orientation of crystalline planes by their particular orientation of crystalline planes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
- H01L29/2003—Nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/47—Schottky barrier electrodes
- H01L29/475—Schottky barrier electrodes on AIII-BV compounds
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
電子デバイス11aは、図5に示されるように、ショットキ電極23及びオーミック電極25を更に備えることができる。ショットキ電極23は、第1導電型III族窒化物半導体層19にショットキ接合を成す。オーミック電極25は、基板13の第2の面13bにオーミック接触を成す。電子デバイス11aは、例えばショットキダイオードであることができる。
(0001)面を基準に5.5度のオフ角で傾斜した主面を有するGaN自立基板を準備した。このGaN自立基板はHVPE法で作製されており、その厚みは400マイクロメートルである。GaN自立基板はn導電型を示し、そのキャリア濃度は3×1018cm−3である。このGaN基板中の平均転位密度は5×106cm−2である。以下の手順により、該GaN自立基板上にショットキダイオードを作製した。GaN自立基板上に、n導電型GaNエピタキシャル膜を有機金属気相成長(MOCVD)法により成長して、エピタキシャルウエハを作製した。このGaNエピタキシャル膜は5×1015cm−3のキャリア濃度と3マイクロメートルの厚みを有する。エピタキシャルウエハの裏面にオーミック電極を形成すると共に、エピタキシャル膜上にショットキ電極を形成した。オーミック電極は、有機洗浄した後に、エピタキシャルウエハの裏面全面に形成された。オーミック電極をEB蒸着法で形成した。オーミック電極はTi/Al/Ti/Au(20nm/100nm/20nm/300nm)からなる。オーミック電極膜を形成した後に、合金化処理を行った。この処理は、例えば摂氏600度で約1分間の熱処理であった。電子ビーム蒸着法によりショットキ電極を形成した。ショットキ電極はNi/Auからなる。ショットキ電極の形状は、例えば200マイクロメートル直径の円形であった。オーミック電極およびショットキ電極それぞれの形成に先立って、蒸着前に、HCl水溶液(塩酸1:純水9、容量比)を用いて、エピタキシャル膜表面の処理を室温で行い、処理時間は1分間であった。このショットキダイオードをデバイスAとして参照する。
(0001)面から25度のオフ角のGaN自立基板を準備した。GaN自立基板はHVPE法で作製された。実験例1と同様の手順により、ショットキダイオードを作製した。このショットキダイオードをデバイスBとして参照する。
HVPE法で作製された(0001)面を基準にした54度のオフ角のGaN 自立基板を準備した。GaN自立基板はHVPE法で作製されており、その厚みは400マイクロメートルである。GaN自立基板はn導電型を示し、そのキャリア濃度は5×1018cm−3である。このGaN基板中の平均転位密度は5×106cm−2である。実験例1と同様の手順により、ショットキダイオードを作製した。GaN自立基板上に、n導電型GaNエピタキシャル膜をMOCVD法により成長して、エピタキシャルウエハを作製した。このGaNエピタキシャル膜は5×1015cm−3のキャリア濃度と3マイクロメートルの厚みを有する。このショットキダイオードをデバイスCとして参照する。
(0001)面を基準にして7度のオフ角のGaN自立基板を準備した。このGaN自立基板はHVPE法で作製されており、その厚みは400マイクロメートルである。GaN自立基板はn導電型を示し、そのキャリア濃度は3×1018cm−3である。このGaN基板中の平均転位密度は5×106cm−2である。以下の手順によりショットキダイオードを作製した。GaN自立基板上に、n導電型GaNエピタキシャル膜をMOCVD法により成長して、エピタキシャルウエハを作製した。このGaNエピタキシャル膜は5×1015cm−3のキャリア濃度と5マイクロメートルの厚みを有する。このショットキダイオードをデバイスDとして参照する。
HVPE法で作製された(0001)面から4.5度のオフ角のGaN自立基板を準備した。実験例1と同様の手順により、ショットキダイオードを作製した。このショットキダイオードをデバイスEとして参照する。図6の特性曲線EがデバイスEの特性を示す。デバイスEに逆方向600ボルトを印加したとき、デバイスEのリーク電流密度は1.5×10−3A/cm2を越えていた。
(0001)面を基準にして7度のオフ角のGaN自立基板を準備した。このGaN自立基板はHVPE法で作製された。GaN基板の平均転位密度が5×108cm−2であることを除いて、GaN基板の特性は実験例1の特性と同じであった。以下の手順によりショットキダイオードを作製した。このショットキダイオードをデバイスFとして参照する。図6の特性曲線FがデバイスFの特性を示す。デバイスFに逆方向600ボルトを印加したとき、デバイスEのリーク電流密度は2×10−3A/cm2を越えていた。元の転位密度が高いけれども、転位の分解による転位密度の低減が達成されている。
(0001)面を基準にして4.5度のオフ角のGaN自立基板を準備した。このGaN自立基板はHVPE法で作製された。GaN基板のオフ角を除いて、GaN基板の特性は実験例1の特性と同じであった。以下の手順によりショットキダイオードを作製した。ショットキダイオードは、高い転位密度のGaN領域上に作成された。このショットキダイオードをデバイスGとして参照する。図6の特性曲線GがデバイスGの特性を示す。デバイスGに逆方向600ボルトを印加したとき、デバイスEのリーク電流密度は多かった。小さいオフ角でありまた高い転位密度のGaN領域上のエピタキシャル膜をステップフロー成長により改質することができず、この結果、リーク電流は多かった。
電子デバイス11bは、図7に示されるように、第1のオーミック電極27及び第2のオーミック電極29を更に備えることができる。オーミック電極27は、第2導電型III族窒化物半導体層21にオーミック接合を成す。オーミック電極29は、基板13の第2の面13bにオーミック接触を成す。電子デバイス11bは、例えばpn接合ダイオードであることができる。
HVPE法で作製されたn導電型GaN自立基板を準備した。このGaN自立基板の主面におけるオフ角は54度であった。このGaN自立基板のキャリア濃度は3×1018cm−3であり、その厚みは400マイクロメートルであった。GaN自立基板の転位密度は5×105cm−3であった。GaN自立基板上に、MOCVD法によりn導電型GaNエピタキシャル膜を成長すると共に、この成長に連続してp導電型GaNエピタキシャル層を成長して、pn接合を含むエピタキシャルウエハを作製した。このn導電型GaN膜のキャリア濃度は8×1015cm−3であり、その厚みが5マイクロメートルであった。p導電型GaN膜のドーパントとして、1×1019cm−3の濃度のMgをドーピングした。p導電型GaN膜の厚さD3は3マイクロメートルであった。p導電型GaN膜のキャリア濃度は5×1017cm−3であった。
図8はIII族窒化物半導体MIS型トランジスタの構造を示す図面であり、図8(b)は図8(a)に示されたII−II線に沿ってとられた断面を示す図面である。MIS型電界効果トランジスタ71は、基板13と、III族窒化物半導体エピタキシャル膜17と、低ドープの分離領域57と、高ドープのソース半導体領域59と、ソース電極61と、ドレイン電極63と、ゲート電極75とを備える。基板13は1×1018cm−3を超えるキャリア濃度を有する。
図9(a)〜図5(c)は、エピタキシャル基板及びIII族窒化物半導体電子デバイスを作製する方法の主要な工程を示す図面である。図9(a)に示されるように、III族窒化物半導体自立基板(以下、「自立基板」と記す)83を準備する。この自立基板83のエッジ上の2点の最大距離は例えば45mm以上(例えば、2インチウエハ)である。この自立基板83の主面は、III族窒化物半導体の(0001)面を基準にして5度より大きいオフ角を有する。
Claims (20)
- 1×1018cm−3を越えるキャリア濃度を有するn導電型III族窒化物半導体からなり、第1の面と該第1の面と反対側の第2の面とを含む支持基体と、
前記支持基体の前記第1の面上に設けられた第1のIII族窒化物半導体エピタキシャル層と
を備え、
前記III族窒化物半導体エピタキシャル層は前記支持基体の前記第1の面と接合を成し、
前記支持基体の前記第1の面は、前記III族窒化物半導体のc軸の方向に延びる基準軸に対して5度より大きい角度で傾斜しており、
前記第1のIII族窒化物半導体エピタキシャル層は、前記第1の面の法線方向に順に配置された第1、第2及び第3の領域を含み、
前記第2の領域の転位密度は前記支持基体の転位密度よりも小さく、前記第3の領域の転位密度は前記第1の領域の転位密度よりも小さく、
前記第1、第2及び第3の領域の前記転位密度は、前記第1、第2及び第3の領域の順に小さく、
前記第1のIII族窒化物半導体エピタキシャル層の厚さは5マイクロメートル以上であり、
前記第1のIII族窒化物半導体エピタキシャル層のキャリア濃度は、1×1014cm−3以上であり、2×1016cm−3以下であり、
前記第1のIII族窒化物半導体エピタキシャル層の厚さは100マイクロメートル以下であり、
前記支持基体の前記第1の面は、前記基準軸に対して80度以下の角度で傾斜している、ことを特徴とするIII族窒化物半導体電子デバイス。 - 前記第1のIII族窒化物半導体エピタキシャル層の表面は、複数の結晶面からなるステップを含むモフォロジを有する、ことを特徴とする請求項1に記載されたIII族窒化物半導体電子デバイス。
- 前記支持基体の前記第1の面は、前記基準軸に対して20度以上の角度で傾斜している、ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載されたIII族窒化物半導体電子デバイス。
- 前記支持基体の前記第1の面は、前記基準軸に対して40度以上80度以下の角度で傾斜している、ことを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体電子デバイス。
- 前記支持基体の前記第1の面は、第1のエリアと第2のエリアを有しており、
前記第1のエリアの転位密度は1×108cm−2以下であり、
前記第2のエリアの転位密度は1×108cm−2よりも大きい、ことを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体電子デバイス。 - 前記支持基体の前記第1の面は、第1のエリアと第2のエリアを有しており、
前記第1のエリアには低転位領域が現れており、
前記第2のエリアには高転位領域が現れており、
前記第2のエリアは前記第1のエリア内にドット状にランダムに分布している、ことを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体電子デバイス。 - 前記支持基体の厚さは50マイクロメートル以上700マイクロメートル以下である、ことを特徴とする請求項1〜請求項6のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体電子デバイス。
- 当該III族窒化物半導体電子デバイスは、ショットキダイオード、pn接合ダイオード、またはMIS型デバイスを含む、ことを特徴とする請求項1〜請求項7のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体電子デバイス。
- 前記第1のIII族窒化物半導体エピタキシャル層にショットキ接合を成すショットキ電極を更に備える、ことを特徴とする請求項1〜請求項8のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体電子デバイス。
- 前記第1のIII族窒化物半導体エピタキシャル層上に設けられた第2のIII族窒化物半導体エピタキシャル層と、
前記第2のIII族窒化物半導体エピタキシャル層にオーミック接触を成すオーミック電極と
を更に備え、
前記第2のIII族窒化物半導体エピタキシャル層は前記第1のIII族窒化物半導体エピタキシャル層の導電型と逆の導電型を有する、ことを特徴とする請求項1〜請求項9のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体電子デバイス。 - 前記第2のIII族窒化物半導体エピタキシャル層と前記第1のIII族窒化物半導体エピタキシャル層とはホモ接合を形成する、ことを特徴とする請求項10に記載されたIII族窒化物半導体電子デバイス。
- 前記第2のIII族窒化物半導体エピタキシャル層は、前記第1の面の法線方向に順に配置された第1、第2及び第3の領域を含み、
前記第2のIII族窒化物半導体エピタキシャル層の前記第3の領域の転位密度は、前記第2のIII族窒化物半導体エピタキシャル層の前記第1の領域の転位密度よりも小さい、ことを特徴とする請求項10又は請求項11に記載されたIII族窒化物半導体電子デバイス。 - n型III族窒化物半導体からなるソース領域と、
前記第1のIII族窒化物半導体エピタキシャル層と前記ソース領域との間に設けられ、p型III族窒化物半導体かなる分離領域と、
前記分離領域の表面上に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜を介して前記分離領域の表面のポテンシャルを変更するためのゲート電極と
を備え、
前記第1のIII族窒化物半導体エピタキシャル層の導電性はn型である、ことを特徴とする請求項1〜請求項8のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体電子デバイス。 - 前記第1のIII族窒化物半導体エピタキシャル層では、第1のバーガースベクトルを有する転位が複数の転位に分解されており、前記第1のバーガースベクトルは前記複数の転位の各々におけるバーガースベクトルの総和に等しく、
前記第1のIII族窒化物半導体エピタキシャル層では、第2のバーガースベクトルを有する転位が第3のバーガースベクトルを有する転位と合体しており、前記第3のバーガースベクトルは前記第2のバーガースベクトルと逆方向の成分を有する、ことを特徴とする請求項1〜請求項13のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体電子デバイス。 - III族窒化物半導体電子デバイスを作製する方法であって、
1×1018cm−3を越えるキャリア濃度を有するn導電型III族窒化物半導体からなり、該III族窒化物半導体のc軸の方向に延びる基準軸に対して5度より大きい角度で傾斜した主面を有するウエハを配置する工程と、
前記ウエハの前記主面上に、第1のIII族窒化物半導体エピタキシャル層を成長する工程と
を備え、
前記III族窒化物半導体エピタキシャル層は前記ウエハの前記主面と接合を成し、
前記第1のIII族窒化物半導体エピタキシャル層は、前記主面の法線方向に順に配置された第1、第2及び第3の領域を含み、
前記第2の領域の転位密度は前記ウエハの転位密度よりも小さく、前記第3の領域の転位密度は前記第1の領域の転位密度よりも小さく、
前記第1、第2及び第3の領域の前記転位密度は、前記第1、第2及び第3の領域の順に小さく、
前記第1のIII族窒化物半導体エピタキシャル層の厚さは5マイクロメートル以上であり、
前記第1のIII族窒化物半導体エピタキシャル層のキャリア濃度は、1×1014cm−3以上であり、2×1016cm−3以下であり、
前記第1のIII族窒化物半導体エピタキシャル層の厚さは100マイクロメートル以下であり、
前記ウエハの前記主面は、前記基準軸に対して80度以下の角度で傾斜している、ことを特徴とする方法。 - 前記第1のIII族窒化物半導体エピタキシャル層は有機金属気相成長法及びHVPE法のいずれかで成長される、ことを特徴とする請求項15に記載された方法。
- 前記第1のIII族窒化物半導体エピタキシャル層上にショットキ電極を形成する工程を更に備える、ことを特徴とする請求項15または請求項16に記載された方法。
- 前記第1のIII族窒化物半導体エピタキシャル層上に第2のIII族窒化物半導体エピタキシャル層を成長する工程と、
前記第2のIII族窒化物半導体エピタキシャル層上にオーミック電極を形成する工程と
を更に備え、
前記第2のIII族窒化物半導体エピタキシャル層は前記第1のIII族窒化物半導体エピタキシャル層の導電型と逆の導電型を有する、ことを特徴とする請求項15または請求項16に記載された方法。 - III族窒化物半導体電子デバイスのためのIII族窒化物半導体エピタキシャルウエハであって、
1×1018cm−3を越えるキャリア濃度を有するn導電型III族窒化物半導体からなり、第1の面と該第1の面と反対側の第2の面とを含むウエハと、
前記ウエハの前記第1の面上に設けられた第1のIII族窒化物半導体エピタキシャル層と
を備え、
前記III族窒化物半導体エピタキシャル層は前記ウエハの前記第1の面と接合を成し、
前記ウエハの前記第1の面は、前記III族窒化物半導体のc軸の方向に延びる基準軸に対して5度より大きい角度で傾斜しており、
前記第1のIII族窒化物半導体エピタキシャル層は、前記第1の面の法線方向に順に配置された第1、第2及び第3の領域を含み、
前記第2の領域の転位密度は前記ウエハの転位密度よりも小さく、前記第3の領域の転位密度は前記第1の領域の転位密度よりも小さく、
前記第1、第2及び第3の領域の前記転位密度は、前記第1、第2及び第3の領域の順に小さく、
前記第1のIII族窒化物半導体エピタキシャル層の厚さは5マイクロメートル以上であり、
前記第1のIII族窒化物半導体エピタキシャル層のキャリア濃度は、1×1014cm−3以上であり、2×1016cm−3以下であり、
前記第1のIII族窒化物半導体エピタキシャル層の厚さは100マイクロメートル以下であり、
前記ウエハの前記第1の面は、前記基準軸に対して80度以下の角度で傾斜している、ことを特徴とするIII族窒化物半導体エピタキシャルウエハ。 - 前記第1のIII族窒化物半導体エピタキシャル層上に設けられた第2のIII族窒化物半導体エピタキシャル層を更に備え、
前記第2のIII族窒化物半導体エピタキシャル層は前記第1のIII族窒化物半導体エピタキシャル層の導電型と逆の導電型を有する、ことを特徴とする請求項19に記載されたIII族窒化物半導体エピタキシャルウエハ。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008274370A JP4730422B2 (ja) | 2008-10-24 | 2008-10-24 | Iii族窒化物半導体電子デバイス、iii族窒化物半導体電子デバイスを作製する方法、及びiii族窒化物半導体エピタキシャルウエハ |
CN2009801417599A CN102187433A (zh) | 2008-10-24 | 2009-10-20 | Ⅲ族氮化物半导体电子器件、制作ⅲ族氮化物半导体电子器件的方法以及ⅲ族氮化物半导体外延片 |
PCT/JP2009/068069 WO2010047331A1 (ja) | 2008-10-24 | 2009-10-20 | Iii族窒化物半導体電子デバイス、iii族窒化物半導体電子デバイスを作製する方法、及びiii族窒化物半導体エピタキシャルウエハ |
US13/124,934 US8502310B2 (en) | 2008-10-24 | 2009-10-20 | III nitride semiconductor electronic device, method for manufacturing III nitride semiconductor electronic device, and III nitride semiconductor epitaxial wafer |
EP09822028.8A EP2346068A4 (en) | 2008-10-24 | 2009-10-20 | NITRIDE III SEMICONDUCTOR ELECTRONIC DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING III NITRIDE SEMICONDUCTOR ELECTRONIC DEVICE, AND III NITRIDE SEMICONDUCTOR EPITAXY PLATE |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008274370A JP4730422B2 (ja) | 2008-10-24 | 2008-10-24 | Iii族窒化物半導体電子デバイス、iii族窒化物半導体電子デバイスを作製する方法、及びiii族窒化物半導体エピタキシャルウエハ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010103353A JP2010103353A (ja) | 2010-05-06 |
JP4730422B2 true JP4730422B2 (ja) | 2011-07-20 |
Family
ID=42119368
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008274370A Expired - Fee Related JP4730422B2 (ja) | 2008-10-24 | 2008-10-24 | Iii族窒化物半導体電子デバイス、iii族窒化物半導体電子デバイスを作製する方法、及びiii族窒化物半導体エピタキシャルウエハ |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8502310B2 (ja) |
EP (1) | EP2346068A4 (ja) |
JP (1) | JP4730422B2 (ja) |
CN (1) | CN102187433A (ja) |
WO (1) | WO2010047331A1 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010184833A (ja) * | 2009-02-12 | 2010-08-26 | Denso Corp | 炭化珪素単結晶基板および炭化珪素単結晶エピタキシャルウェハ |
US8969912B2 (en) | 2011-08-04 | 2015-03-03 | Avogy, Inc. | Method and system for a GaN vertical JFET utilizing a regrown channel |
US9184305B2 (en) | 2011-08-04 | 2015-11-10 | Avogy, Inc. | Method and system for a GAN vertical JFET utilizing a regrown gate |
US8749015B2 (en) * | 2011-11-17 | 2014-06-10 | Avogy, Inc. | Method and system for fabricating floating guard rings in GaN materials |
US8822311B2 (en) * | 2011-12-22 | 2014-09-02 | Avogy, Inc. | Method of fabricating a GaN P-i-N diode using implantation |
JP2013102081A (ja) | 2011-11-09 | 2013-05-23 | Tamura Seisakusho Co Ltd | ショットキーバリアダイオード |
US9006800B2 (en) | 2011-12-14 | 2015-04-14 | Avogy, Inc. | Ingan ohmic source contacts for vertical power devices |
US20130241007A1 (en) * | 2012-03-15 | 2013-09-19 | International Business Machines Corporation | Use of band edge gate metals as source drain contacts |
US9123533B2 (en) | 2012-08-10 | 2015-09-01 | Avogy, Inc. | Method and system for in-situ etch and regrowth in gallium nitride based devices |
JP2014049616A (ja) * | 2012-08-31 | 2014-03-17 | Sony Corp | ダイオードおよびダイオードの製造方法 |
CN104541381B (zh) * | 2012-10-22 | 2017-12-01 | 夏普株式会社 | 氮化物半导体发光元件 |
JP5888214B2 (ja) * | 2012-11-30 | 2016-03-16 | 富士電機株式会社 | 窒化物系化合物半導体装置およびその製造方法 |
JP6367436B2 (ja) * | 2017-07-07 | 2018-08-01 | 株式会社タムラ製作所 | ショットキーバリアダイオード |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000044400A (ja) * | 1998-05-28 | 2000-02-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 窒化ガリウム単結晶基板及びその製造方法 |
JP2002016000A (ja) * | 2000-06-27 | 2002-01-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体素子および窒化物系半導体基板 |
JP2006196623A (ja) * | 2005-01-12 | 2006-07-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | エピタキシャル基板および半導体素子 |
JP2006306722A (ja) * | 2004-03-17 | 2006-11-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | GaN単結晶基板の製造方法及びGaN単結晶基板 |
JP2008211228A (ja) * | 2002-03-26 | 2008-09-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体素子の製造方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3704444B2 (ja) | 1999-10-25 | 2005-10-12 | オリンパス株式会社 | 画像診断装置および診断画像表示方法 |
JP4031628B2 (ja) | 2001-10-03 | 2008-01-09 | 松下電器産業株式会社 | 半導体多層膜結晶、およびそれを用いた発光素子、ならびに当該半導体多層膜結晶の成長方法 |
JP3888374B2 (ja) * | 2004-03-17 | 2007-02-28 | 住友電気工業株式会社 | GaN単結晶基板の製造方法 |
TWI375994B (en) * | 2004-09-01 | 2012-11-01 | Sumitomo Electric Industries | Epitaxial substrate and semiconductor element |
JP2006100801A (ja) | 2004-09-01 | 2006-04-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | エピタキシャル基板および半導体素子 |
JP2007161536A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | AlxGayIn1−x−yN結晶基板、半導体デバイスおよびその製造方法 |
JP5135708B2 (ja) | 2006-04-27 | 2013-02-06 | 住友電気工業株式会社 | Iii族窒化物系電子デバイスおよびエピタキシャル基板 |
JP5332168B2 (ja) * | 2006-11-17 | 2013-11-06 | 住友電気工業株式会社 | Iii族窒化物結晶の製造方法 |
-
2008
- 2008-10-24 JP JP2008274370A patent/JP4730422B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-10-20 WO PCT/JP2009/068069 patent/WO2010047331A1/ja active Application Filing
- 2009-10-20 US US13/124,934 patent/US8502310B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-10-20 EP EP09822028.8A patent/EP2346068A4/en not_active Withdrawn
- 2009-10-20 CN CN2009801417599A patent/CN102187433A/zh active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000044400A (ja) * | 1998-05-28 | 2000-02-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 窒化ガリウム単結晶基板及びその製造方法 |
JP2002016000A (ja) * | 2000-06-27 | 2002-01-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体素子および窒化物系半導体基板 |
JP2008211228A (ja) * | 2002-03-26 | 2008-09-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体素子の製造方法 |
JP2006306722A (ja) * | 2004-03-17 | 2006-11-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | GaN単結晶基板の製造方法及びGaN単結晶基板 |
JP2006196623A (ja) * | 2005-01-12 | 2006-07-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | エピタキシャル基板および半導体素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110198693A1 (en) | 2011-08-18 |
WO2010047331A1 (ja) | 2010-04-29 |
EP2346068A1 (en) | 2011-07-20 |
EP2346068A4 (en) | 2013-06-12 |
JP2010103353A (ja) | 2010-05-06 |
CN102187433A (zh) | 2011-09-14 |
US8502310B2 (en) | 2013-08-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4730422B2 (ja) | Iii族窒化物半導体電子デバイス、iii族窒化物半導体電子デバイスを作製する方法、及びiii族窒化物半導体エピタキシャルウエハ | |
JP5582058B2 (ja) | エピタキシャル基板および半導体素子 | |
JP5529420B2 (ja) | エピタキシャルウエハ、窒化ガリウム系半導体デバイスを作製する方法、窒化ガリウム系半導体デバイス、及び酸化ガリウムウエハ | |
JP6196987B2 (ja) | 窒化ガリウムナノワイヤに基づくエレクトロニクス | |
KR101172942B1 (ko) | 사파이어 기판 및 그것을 이용하는 질화물 반도체 발광 소자 및 질화물 반도체 발광 소자의 제조 방법 | |
TWI287256B (en) | Semiconductor substrate and semiconductor device manufactured by epitaxial growth on the semiconductor substrate | |
JP2006100801A (ja) | エピタキシャル基板および半導体素子 | |
US20050072986A1 (en) | Group-III nitride semiconductor device | |
JP6269368B2 (ja) | 窒化ガリウム基板 | |
JP4984557B2 (ja) | 縦型窒化ガリウム半導体装置を作製する方法、エピタキシャル基板を作製する方法 | |
KR101943356B1 (ko) | 선택 성장을 이용한 질화물 반도체 소자 및 그 제조 방법 | |
US11588096B2 (en) | Method to achieve active p-type layer/layers in III-nitrtde epitaxial or device structures having buried p-type layers | |
JP2012186449A (ja) | 半導体装置 | |
JP5560866B2 (ja) | 窒化物電子デバイス、窒化物電子デバイスを作製する方法 | |
JP6516738B2 (ja) | Iii族窒化物半導体を用いた電子デバイスおよびその製造方法、および該電子デバイスを製作するためのエピタキシャル多層ウエハ | |
JP2013062442A (ja) | 窒化物半導体電子デバイス、窒化物半導体電子デバイスを作製する方法 | |
JP2006196623A (ja) | エピタキシャル基板および半導体素子 | |
JP6493511B2 (ja) | 窒化ガリウム基板 | |
TWI792110B (zh) | 半導體結構及其製作方法 | |
JP2002289541A (ja) | GaN系半導体結晶の形成方法及びその結晶を用いたGaN系半導体素子の製造方法 | |
JP2018022814A (ja) | 窒化物半導体素子及びその製造方法 | |
CN114730739A (zh) | 半导体结构及其制作方法 | |
JP2006128492A (ja) | エピタキシャル基板、および半導体素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100205 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110104 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110302 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110322 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110404 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140428 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |