JP4727280B2

JP4727280B2 - 商品管理システム

Info

Publication number: JP4727280B2
Application number: JP2005111533A
Authority: JP
Inventors: 康行荒井; 麻衣秋葉; 祐子舘村; 洋平神野
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2004-04-09
Filing date: 2005-04-08
Publication date: 2011-07-20
Anticipated expiration: 2025-04-08
Also published as: JP2005322221A

Description

本発明は、メモリやＣＰＵ等からなるＩＤタグが付された商品に関する情報を、リーダ／ライタによって読み出し、書き込みをする商品管理システムに関する。

近年、食品業界、製造業界等のあらゆる産業界において、商品の安全性や管理体制の強化を求める声が高まっており、それに伴い商品に関する情報量が増加しつつある。しかし、現状の商品情報は、主にバーコードの十数桁の数字により提供される製造国、メーカー、商品番号等の情報程度であり、情報量が非常に少なかった。またバーコードを利用した場合、一つ一つを手作業で行うため読み取りに時間を要していた。そこで、バーコードシステムに代わり、ＲＦＩＤ（ＲａｄｉｏＦｒｅｑｕｅｎｃｙＩｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）と呼ばれる、電磁波を利用した非接触ＩＣタグによる自動認識技術が注目されている。

また、動植物の安全性（例えば、原産地、伝染病の感染の有無等）を確保するために、動植物の体内に直接ＩＣチップを埋め込み、体外の情報読み取り装置（リーダ）によって動植物に関する情報を取得、管理するという体制が普及しつつある（以上、非特許文献１参照）。

日経エレクトロニクス日経ＢＰ社２００２．１１．１８発行ｐ．６７−７６

しかしながら、ＩＤタグが付された商品は、通常、段ボールや容器等の何らかの包装体によって保管され、運搬される。この際、商品が包装体の内部にある場合には、リーダ／ライタ（以下「Ｒ／Ｗ」ということがある）を用いてＩＤタグと通信をする際に、通信が阻害されるおそれがある。また、商品を梱包した包装体が倉庫などで山積みになっている場合には、個々の商品に付されたＩＤタグとの通信が阻害される場合がある。特に、Ｒ／Ｗの通信距離が短いという制約がある場合には、内部の商品ほど、また内部の包装体に梱包された商品ほど、Ｒ／Ｗから発振される電磁波が到達しにくくなる。

そうすると、商品の流通過程において、商品を管理することが困難になり、ＩＤタグの利便性が失われる結果を招く。

本発明は、このような状況に鑑みて成されたものであり、商品が包装体に梱包されている場合であっても、Ｒ／Ｗと、商品に付されたＩＤタグとの通信安定性を確保し、商品の管理を簡易に効率良く行うことができる商品管理システムを提供することを目的としている。

上記課題を解決するため、本発明は、ＩＤタグが付された商品を包装するための包装体と、前記ＩＤタグに記憶された情報を読み書きするためのリーダ／ライタとを有する商品管理システムであって、前記ＩＤタグは、薄膜トランジスタを含む薄膜集積回路部及びアンテナを有し、前記包装体は、アンテナコイル及びキャパシタを有する共振回路部を有し、前記共振回路部は、前記リーダ／ライタ及び前記ＩＤタグと交信可能であることを特徴としている。

すなわち、本発明は、商品を包装するための包装体に、共振回路部を設け、ＩＤタグに記憶された情報を読み書きするためのＲ／Ｗと、共振回路部との間における共振現象を利用して、ＩＤタグとＲ／Ｗとの通信のやりとりをスムーズかつ確実に行うことを特徴とする。該共振回路部は、少なくとも、インダクタンスＬと静電容量Ｃを含み、アンテナコイル及びコンデンサが、それぞれ両者の役割を担っている。

本発明に係る商品管理システムは上記構成を有していることにより、共振回路部を介して、Ｒ／Ｗ、ＩＤタグ間で、信号の送受信を行うことにより、ＩＤタグに記憶された情報の読み出し、消去、ＩＤタグへの情報の書き込み、変更等を確実に行うことができる。特に、Ｒ／Ｗと、商品に付されたＩＤタグの間における指向性（ある一定の方向にのみ進む性質、又はある一定の方向からのみ受け入れる性質）による通信不能、通信不安定性を解消することができ、両者間の通信を確実に行うことができる。したがって、商品に付されたＩＤタグに対して、短時間で一度に情報を読み書きしたい場合にも本発明は有効である。

また、本発明に用いられるＩＤタグは、少なくとも薄膜トランジスタを含む薄膜集積回路部及びアンテナから構成されることにより、従来、シリコンウエハ上に複数の集積回路を形成し、該シリコンウエハを研磨除去することにより集積回路を分離する方法で作製されたＩＤタグより低コストで作製することができる。すなわち、複数の薄膜集積回路部が形成された基板から該薄膜集積回路を剥離することで素子分離が可能となり、シリコンウエハよりも低コストのガラス基板等を被剥離基板として用いる（複数回用いることも可能）ことができるため、低コストでＩＤタグを作製することができる。

また、共振回路部を形成するに当たっても、薄膜構造を主体とする薄膜集積回路部を基板上に複数設け、上記剥離方法によって形成することにより、低コストで共振回路部を作製することができる。

なお、剥離方法としては、ＣｌＦ₃等のフッ化ハロゲンのガス又は液体を用いた化学的剥離や、複数の薄膜集積回路部が形成された基板にストレスを与え、基板を物理的に剥離する物理的方法とがあり、いずれを採用しても良い。しかし、特に化学的剥離方法を用いた場合には、物理的剥離方法と比較して、素子分離をより確実に行うことができる。

上述したとおり、本発明は、低コストで作製したＩＤタグを用いて、しかも、共振回路部を介して、Ｒ／ＷとＩＤタグとの間の通信をより確実に行うことができ、これによって、より高性能の商品管理システムを提供することができる。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更することができる。例えば、本実施形態及び本実施例の各々を適宜組み合わせて本発明を実施することができる。したがって、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

（実施形態１）
本発明に係る商品管理システムの構成について、図１を参照して説明する。

図１には、商品１が梱包された包装体３が複数個積載された状態が示されている。商品１には、商品１に関する諸情報が記憶されたＩＤタグ２が付されている。また、包装体３には、共振回路部４が形成されている。なお、商品１は、同種類の商品であっても、異なる種類の商品であっても良い。

ここで、商品に付されるＩＤタグ（ＩｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎＴａｇ）とは、主に市場に流通する商品の識別や、それらに関する情報を記憶させる機能を有するものであり、その形態により、ＩＤチップ、ＩＤラベル、ＩＤシール、ＩＤステッカー等とも呼ばれる。また、カード型のものも含まれるものとする。

本発明におけるＩＤタグは、薄膜集積回路部によって構成される。薄膜集積回路部とは、従来のシリコンウエハ上に形成されたＩＣ（ＩｎｔｅｇｒａｔｅｄＣｉｒｃｕｉｔ；集積回路）とは区別される概念であり、少なくともＴＦＴ（ＴｈｉｎＦｉｌｍＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ；薄膜トランジスタ）に代表される薄膜能動素子と、該薄膜能動素子同士を接続する配線や、該薄膜能動素子と外部機構（例えば、非接触型ＩＤタグであればアンテナ）とを接続する配線等によって構成される集積回路部を指す。勿論、薄膜集積回路部の構成要素は、これに限定されるものではなく、少なくとも一のＴＦＴに代表される薄膜能動素子を含んでいれば、薄膜集積回路部というものとする。

なお、本発明におけるＩＤタグを構成する薄膜集積回路部は、従来のＩＣチップと異なり、薄膜であることから、ＩＤＴチップ（ＩｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎＴｈｉｎＣｈｉｐ）等とも呼ばれる。また、本発明に用いられる薄膜集積回路部は、後述するように、原則としてシリコンウエハを用いず、ガラス基板や石英基板等の絶縁基板を用い、また、薄膜集積回路部をフレキシブル基板に転写することも可能であることから、ＩＤＧチップ（ＩｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎＧｌａｓｓＣｈｉｐ）、ＩＤＦチップ（ＩｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎＦｌｅｘｉｂｌｅＣｈｉｐ）、ソフトチップ（ＳｏｆｔＣｈｉｐ）等とも呼ばれる。このようなアンテナ実装のチップを無線チップともいう。

ＩＤタグ２は、図１においては商品１の外部に視認できる形態で貼り付けてある。商品１の内部に内蔵しても良い。また、ここで言う商品には、商品の中身そのものは勿論のこと、商品の中身を包むケース等も含むものとする。

また、共振回路部４は、図２に示すように、少なくとも、インダクタンスとして機能するアンテナコイル１８と、コンデンサ１９とを有している。共振回路部４は、ＩＤタグ２に記憶された商品１に関する諸情報を読み書きするためのリーダ／ライタ（Ｒ／Ｗ）５から電磁波を受信し、ＩＤタグ２へと電磁波を発信する部分である。また、ＩＤタグ２から電磁波を受信し、Ｒ／Ｗ５へと電磁波を発信する部分である。このように、共振回路部４は、Ｒ／Ｗ５とＩＤタグ２との電磁波のやりとりの中継点の役割を果たす。

共振回路部４は、Ｒ／Ｗ５から発信される電磁波の周波数と、同程度の周波数で共振するように設計される。すなわち、共振回路部４を構成するアンテナコイル１８のインダクタンスＬと、コンデンサ１９の静電容量Ｃ（図２参照）の値を調整して、Ｒ／Ｗ５と共振するようにする。

ここで共振とは、振動体が最も振動しやすい振動数（固有振動数）と同じ振動数を外部から加えると，それがわずかな力であっても物体が振動することをいう。この固有振動数は、共振周波数とも呼ばれ、振動系固有のものである。共振周波数ｆは、ｆ＝１／｛２π（ＬＣ）^1/2｝で表される。つまり、共振回路部４を構成するアンテナコイル１８のインダクタンスＬとコンデンサ１９の静電容量Ｃの値を調整し、周波数ｆをＲ／Ｗ５と同程度の周波数となるように調整することにより、共振回路部４を共振させることができる。

ここで、Ｒ／Ｗ５を商品１が梱包された包装体３に向けて近づけると、アンテナ部６から包装体３に向かって電磁波が発信される。包装体３に形成された共振回路部４は、Ｒ／Ｗ５と同程度の周波数で共振するために、Ｒ／Ｗ５から効率良く交流電磁波を受信することができる。さらに、共振回路部４は、ＩＤタグ２との間において、電磁結合方式、電磁誘導方式、静電結合方式等により、ＩＤタグ２への電力供給、及びＩＤタグ２と共振回路部４の間（すなわち、ＩＤタグ２とＲ／Ｗ５の間）における信号送受信を行う。

このように、共振回路部４を介して、Ｒ／Ｗ５、ＩＤタグ２間で、信号の送受信を行うことにより、ＩＤタグ２に記憶された情報の読み出し、消去、ＩＤタグ２への情報の書き込み、変更等を確実に行うことができる。特に、Ｒ／Ｗ５と、商品１に付されたＩＤタグ２の間における指向性（ある一定の方向にのみ進む性質、又はある一定の方向からのみ受け入れる性質）による通信不能、通信不安定性を解消することができ、両者間の通信を確実に行うことができる。

なお、Ｒ／Ｗ５と共振回路部４との間、共振回路部４とＩＤタグ２との間の通信方式としては、電磁誘導方式、電磁結合方式、マイクロ波方式、光通信方式、静電結合方式等を採用することができる。そして、両者の通信方式は、同じでも異なっていても良い。

また、特に、電磁誘導方式、電磁結合方式、静電結合方式は、一般的に、その交信距離によって、近傍型、密着型、近接型に分類されるが、どの型を採用しても良い。

なお、リーダ／ライタと共振回路部の間の交信距離は、共振回路部とＩＤタグの間の交信距離より長くしてもよい。共振回路部とリーダ／ライタの間の交信距離を長くすることによって、より遠くからＩＤタグと通信することができ、遠隔操作が可能となる。

アンテナ部６で受信したＩＤタグ２に記憶された情報は、Ｒ／Ｗ５内に設けられた表示部７に表示される。例えば、商品１の原産国、生産者、生産時期、輸入元、賞味期限、価格等の情報が表示される。Ｒ／Ｗ５には、操作キー８が設けられており、ＩＤタグ２との通信のＯＮ／ＯＦＦや、読み出した情報の選択、削除等が可能となる。また、Ｒ／Ｗ５はコンピュータ９に接続されている。コンピュータ９は、Ｒ／Ｗ５を制御するとともに、Ｒ／Ｗ５が読み取った情報処理などを行う。

なお、共振回路部４は、独自のバッテリー、ＣＰＵ、メモリ等を備え付けた構成としても良い。これにより、共振回路部４に情報を一時的に記憶させることもできる。また、共振回路部４がＲ／Ｗの役割を果たすようにしても良い。これにより、例えば、商品１を梱包した時点で、共振回路部４に蓄積された情報がＩＤタグ２に書き込まれ、また、ＩＤタグ２に蓄積された情報を読み出すことができる。

また、商品１が包装体３から取り出された後には、包装体３は再利用することができる。

（実施形態２）
本発明に係る商品管理システムの構成について、図２を参照してさらに具体的に説明する。図２は、ＩＤタグ２、共振回路部４、Ｒ／Ｗ５の構成を示すブロック図である。

Ｒ／Ｗ５は、少なくとも出力用インターフェース１２、入力用インターフェース１３、出力用アンテナ１４及び入力用アンテナ１５からなる構成を有している。なお各種アンテナの数は、図２に示した数に限定されない。また、アンテナの形状も、コイル状に限定されない。

Ｒ／Ｗ５の出力用インターフェース１２で変調された信号は、出力用アンテナ１４から出力され、包装体３に設けられた共振回路部４を介して、ＩＤタグ２に発信される。

ここで、共振回路部４は、少なくとも誘導性及び容量性のインピーダンスＺが設けられた回路からなる。誘導性のインピーダンスとはインダクタンスＬ、容量性のインピーダンスとは静電容量（キャパシタンス）Ｃをいう。例えば、図２に示すように、共振回路部４は、少なくともインダクタンスＬとして機能するアンテナコイル１８、静電容量Ｃとして機能するコンデンサ１９からなる構成を有している。インダクタンスＬと静電容量Ｃとは、直列に接続してもよいし（直列共振）、並列に接続してもよい（並列共振）。

共振回路部４において、例えば、コイル（インダクタンスＬ）とコンデンサ（キャパシタンスＣ）が直列に接続されている場合、共振点（ｆ≒１／｛２π（ＬＣ）^1/2｝となる点）ではコイルとコンデンサのリアクタンス分（インピーダンスの虚数部分）が相殺されてインピーダンスは０となる。ただし、実際の素子には必ず抵抗分Ｒ（インピーダンスの実数部分）が存在するので、インピーダンスは配線の抵抗値Ｒに等しくなる。共振回路部４を構成する配線材料としては、配線抵抗値の低いものを選択するのが望ましい。

例えば、電気比抵抗の低いＣｕ（１．５５×１０^-6Ω・ｃｍ）、Ａｌ（２．６５×１０^-6Ω・ｃｍ）、Ａｕ（２．２×１０^-6Ω・ｃｍ）、Ａｇ（１．６２×１０^-6Ω・ｃｍ）等を用いるのが望ましい。これらをメッキとして用いてもよいし、積層させて用いてもよい。

一方、ＩＤタグ２は、少なくとも入力用アンテナ２０、出力用アンテナ２１、入力用インターフェース２２、出力用インターフェース２３及びＣＰＵ３０、コプロセッサ３１、ＲＯＭ３２、ＲＡＭ３３、不揮発性メモリ３４等の各種回路及びこれらを接続するバス２８からなる構成を有している。なお各種アンテナの数は、図２に示した数に限定されない。また、アンテナの形状も、コイル状に限定されない。

入力用インターフェース２２には、少なくとも整流回路２４と、復調回路２５とが設けられている。入力用アンテナ２０から入力された交流の電源電圧は、整流回路２４において直流の電源電圧に整流化され、バス２８を介して、上記各種回路に供給される。また、入力用アンテナ２０から入力された交流の各種信号は、復調回路２５において復調される。そして復調されることで波形整形された各種信号は、バス２８を介して、上記各種回路に供給される。

ここで、コプロセッサ３１とは、薄膜集積回路部２９の全ての処理を制御するにあたり、メインとなるＣＰＵ３０の働きを助ける副プロセッサの役割を担っている。通常、暗号処理専用の演算装置として機能し、決済等のアプリケーションを行う際に必要となる暗号処理を行うことができる。また、不揮発性メモリ３４としては、情報を複数回書き換えることができるＥＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、ＵＶ−ＥＰＲＯＭ、フラッシュメモリ、ＦＲＡＭ（登録商標）等を用いるのがよい。

なお、ＩＤタグ２に搭載される上記メモリは、その機能、性質により、プログラムメモリ（プログラムが格納されている領域）、作業メモリ（プログラム実行の過程で一時的にデータを保存しておく領域）、データメモリ（商品固有の情報のほか、プログラムが扱う固定的なデータを格納する領域）に分別される。通常、プログラムメモリとしてはＲＯＭを、作業メモリとしてはＲＡＭを用いる。また、ＲＡＭは、Ｒ／Ｗとの間の通信時のバッファとしても機能する。また、信号として入力されたデータを定められたアドレスに記憶するためには、通常ＥＥＰＲＯＭが用いられる。

復調回路２５において復調された各種信号が、各種回路に供給された後、メモリ内に記憶された商品固有の情報は、上記各種回路において信号に置換される。さらに、出力用インターフェース２３において変調され、出力用アンテナ２１によって、共振回路部４を介してＲ／Ｗ５に送信される。

出力用インターフェース２３には、少なくとも変調回路２６と、アンプ２７とが設けられている。各種回路から出力用インターフェース２３に入力された各種信号は、変調回路２６において変調され、アンプ２７において増幅または緩衝増幅された後、出力用アンテナ２１からＲ／Ｗ５のような端末装置に送られる。Ｒ／Ｗ５の入力用アンテナ１５は、ＩＤタグ２から発信された信号を受信し、入力用インターフェース１３で、復調された後、コントローラ１１を介してコンピュータ９に送られ、データ処理が行われることにより、商品固有の情報を認識することができる。

さらに、読み取った情報は、コンピュータ９に接続されたデータベース１０に蓄積することもできる。また、反対に、データベース１０に蓄積されている情報をＲ／Ｗ５を通じて、ＩＤタグ２に書き込むこともできる。

なお、コンピュータ９は、商品に関する情報を処理する機能を有するソフトを備えているが、勿論ハードで情報処理を行ってもよい。その結果、従来のようにバーコードを一つずつ読み取る作業と比較して、情報処理に費やす時間、労力やミスが低減され、商品管理への負担が軽減される。

なお、図２に示す各種回路は一形態を示したに過ぎず、ＩＤタグ２や、Ｒ／Ｗ５に搭載される各種回路は上記回路に限定されない。なお、図２では、非接触型としてアンテナを用いた例を示したが、これに限定されるものではなく、発光素子や光センサ等を用いて光でデータの送受信を行うようにしても良い。

また、図２では、整流回路２４、復調回路２５、変調回路２６などのアナログ回路を含む入力用インターフェース２２及び出力用インターフェース２３並びにＣＰＵ３０、各種メモリ等を、一の薄膜集積回路部２９として形成したが、本構成は一例であり、本発明はこの構成に限定されない。薄膜集積回路部２９という総称は、各構成要素がＴＦＴに代表される薄膜能動素子を含んでいることを意味しているが、すべての構成要素をＴＦＴで作製する必要はなく、少なくとも一の構成要素をＴＦＴ等で作製すればよい。例えば、整流回路２４、復調回路２５、変調回路２６などのアナログ回路を含む入力用インターフェース２２及び出力用インターフェース２３を、従来通りシリコンウエハ上に形成し、ＣＰＵ３０、各種メモリ等を、ＴＦＴによって形成される薄膜集積回路で形成することができる。

このように、ＩＤタグ２の少なくとも一部の構成要素に、ＴＦＴ等の薄膜能動素子からなる薄膜集積回路部を用いた場合には、従来のシリコン基板上に形成されたＩＣチップのように、裏面研磨を行う必要がなく、工程を大幅に簡略化でき、かつ製造コストを大幅に削減することができる等の利点がある。また、薄膜集積回路部の形成にあたり、物理的又は化学的剥離方法を採用した場合には、被剥離基板として、シリコン基板よりも安価なガラス基板、石英基板、太陽電池の製造に用いられるグレードのシリコン基板（太陽電池グレードシリコン基板）等を用いることができ、さらに、被剥離基板を再利用することもできるため、大幅にコスト低減を図ることができる。

なお、薄膜集積回路部２９は、入力用アンテナ２０及び出力用アンテナ２１が一体形成されたものとしても良い。つまり、入力用アンテナ２０及び出力用アンテナ２１とが、薄膜集積回路部２９に含まれるように形成してもよい。また、入力用アンテナ２０及び出力用アンテナ２１を区別せずに、一つのアンテナで入力用と出力用を兼ねても良い。

なお図２では、端末装置であるＲ／Ｗ５から電源電圧が供給されている例について示したが、本発明はこれに限定されない。例えば、図示しないが、ＩＤタグ２に太陽電池が設けられていても良い。また、リチウム電池等の超薄型の電池を内蔵していても良い。

なお、Ｒ／Ｗ５の集積回路部１６（少なくとも出力用インターフェース１２、入力用インターフェース１３を含む）は、従来通りシリコンウエハ上に形成されたＩＣを用いてもよいが、小型・薄型のＲ／Ｗ５としたい場合には、ＩＤタグ２の薄膜集積回路部２９と同様に、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のごとき薄膜能動素子（薄膜非線形素子）からなる薄膜集積回路を用いることもできる。

Ｒ／Ｗ５の構成要素として薄膜集積回路を用いた場合には、ＩＤタグ２において薄膜集積回路部２９を用いた場合と同様に、上記作用効果を得ることができる。

なお、集積回路部１６は、出力用アンテナ１４及び入力用アンテナ１５が一体形成されたものとしても良い。つまり、入力用アンテナ１４及び出力用アンテナ１５とが、薄膜集積回路部１６に含まれるように形成してもよい。また、出力用アンテナ１４及び入力用アンテナ１５を区別せずに、一つのアンテナで出力用と入力用を兼ねても良い。

本実施例では、図３を参照して、本発明の適用例について説明する。図３は、空港等における手荷物検査の状況を示している。ここでは、旅行者等が所有するスーツケース３５が包装体の役割を果たしている。そして、スーツケース３５には、少なくとも一つの共振回路部４が形成されている。共振回路部４は、スーツケース３５の外側に形成されていても良いが、外力による剥離や、窃盗などの防止のため、内側又はカバーの内部に形成するのがよい。スーツケース３５の内部には、商品１等の荷物が梱包されている。そして、それぞれの商品には、ＩＤタグ２が付されている。

商品１を積載したスーツケース３５等の手荷物は、コンベア３７によって搬送される。そして、これらの手荷物がＲ／Ｗ５のアンテナ部６に到達すると、スーツケース３５に設けられた共振回路部４は、Ｒ／Ｗ５から電磁波を受信し、さらにＩＤタグ２へと電磁波を発信する。このように、共振回路部４は、Ｒ／Ｗ５とＩＤタグ２との電磁波のやりとりの中継点の役割を果たす。

共振回路部４は、図２に示すように、少なくとも、インダクタンスとして機能するアンテナコイル１８と、コンデンサ１９とを有している。そして、共振回路部４は、Ｒ／Ｗ５から発信される電磁波の周波数と、同程度の周波数で共振するように設計される。すなわち、共振回路部４を構成するアンテナコイル１８のインダクタンスＬと、コンデンサ１９の静電容量Ｃの値を調整して、Ｒ／Ｗ５と共振するようにする。

スーツケース３５に形成された共振回路部４は、Ｒ／Ｗ５と同程度の周波数で共振するために、Ｒ／Ｗ５から効率良く交流電磁波を受信することができる。さらに、共振回路部４は、ＩＤタグ２との間において、電磁結合方式、電磁誘導方式、静電結合方式等により、ＩＤタグ２への電力供給、及びＩＤタグ２と共振回路部４の間（すなわち、ＩＤタグ２とＲ／Ｗ５の間）における信号送受信を行う。

このように、共振回路部４を介して、Ｒ／Ｗ５、ＩＤタグ２間で、信号の送受信を行うことにより、ＩＤタグ２に記憶された情報の読み出し、消去、ＩＤタグ２への情報の書き込み、変更等を確実に行うことができる。しかも、本発明に係る手荷物に含まれる商品の検査システムは、商品１を梱包するスーツケース３５等の包装体に共振回路部４が設けられていることにより、Ｒ／Ｗ５と、商品１に付されたＩＤタグ２の間における指向性（ある一定の方向にのみ進む性質、又はある一定の方向からのみ受け入れる性質）による通信不能、通信不安定性を解消することができ、両者間の通信を確実に行うことができる。

なお、アンテナ部６で受信したＩＤタグ２に記憶された情報は、Ｒ／Ｗ５内に接続されたコンピュータ９によって処理される。また、スーツケース３５等の手荷物に付された荷札３６が、ＩＤタグである場合には、商品１に付されたＩＤタグ２に記憶された情報をＲ／Ｗ５によって読み書きすると同時に、荷札３６に記憶された情報をＲ／Ｗ５で読み書きすることも可能である。

なお、Ｒ／Ｗ５又はコンピュータ９には、必要に応じて表示画面を設け、読み取った商品１に関する情報や荷札３６の情報が適宜表示されるようにしてもよい。例えば、商品すべてに関する製品名、原産国、重量、価格等の情報や、荷札３６に記憶された出発地、経由地、目的地等の情報が表示される。

さらに、コンピュータ９には、データベース１０を接続しておいても良い。そして、Ｒ／Ｗ５読み取った商品１の情報と、データベースに蓄積された商品の情報とを照らし合わせて、スーツケース３５内の商品１がいわゆる適正品（偽造品や危険物等でない商品）であることを瞬時に判別することができる。また、手荷物全体の重量と、Ｒ／Ｗ５で読み取った（又はデータベースとの照合によって得た）商品全体の重量とが、一致するか否かによって、データベースに蓄積されていない不正商品等の保持を認識することができる。これによって、不正商品を水際で取り締まることができ、不正商品の密輸や、テロを未然に防止することができる。

本実施例では、図４を参照して、本発明の他の適用例について説明する。図４は、包装体３に梱包された商品１を、トラック等の運搬用車輌３８に積載した状態を示している。商品１には、ＩＤタグ２が付され、包装体３には共振回路部４（本実施例において、以下「第１共振回路部」という。）が形成されている。さらに、運搬用車輌３８の扉部分又はフレーム部分には、少なくとも一つの共振回路部４とは別の共振回路部３９（本実施例において、以下「第２共振回路部」という。）が設けられている。第１共振回路部は、包装体３の外側に形成されていても良いが、外力による剥離や、窃盗防止のため、内側又はカバーの内部に形成するのがよい。また、第２共振回路部は、運搬用車輌３８の扉部分又はフレーム部分の外側に形成されていても良いが、外力による剥離や、窃盗などの防止のため、内側又はカバーの内部に形成するのがよい。

Ｒ／Ｗ５を用いて、運搬用車輌３８の外部からＩＤタグ２に記憶された商品１に関する情報を読み書きする場合、Ｒ／Ｗ５のアンテナ部６から発振された電磁波は、第２共振回路部によって受信され、さらに、第１共振回路部への伝播する。そして、第１共振回路部へと伝播した電磁波は、さらにＩＤタグ２へと伝播する。第２共振回路部の付近にあるＩＤタグ２へは、第２共振回路部から直接ＩＤタグ２へ電磁波が伝播する場合もある。また、Ｒ／Ｗ５からの電磁波を第１共振回路部又はＩＤタグ２が、直接受信する場合もある。しかし、第２共振回路部を設けることによって、Ｒ／Ｗ５と、商品１に付されたＩＤタグ２の間における指向性（ある一定の方向にのみ進む性質、又はある一定の方向からのみ受け入れる性質）による通信不能、通信不安定性を解消することができ、両者間の通信を確実に行うことができる。

第１及び第２共振回路部は、図２に示すのと同様に、少なくとも、インダクタンスとして機能するアンテナコイルと、コンデンサとを有している。そして、各共振回路部は、Ｒ／Ｗ５から発信される電磁波の周波数と、同程度の周波数で共振するように設計される。すなわち、各共振回路部を構成するアンテナコイルのインダクタンスＬと、コンデンサの静電容量Ｃの値を調整して、Ｒ／Ｗ５と共振するようにする。

第１及び第２の共振回路部は、Ｒ／Ｗ５と同程度の周波数で共振するために、Ｒ／Ｗ５から効率良く交流電磁波を受信することができる。さらに、第２共振回路部と第１共振回路部、第１共振回路部とＩＤタグ、第２共振回路部とＩＤタグの各々の間においては、電磁結合方式、電磁誘導方式、静電結合方式等を採用することにより、ＩＤタグ２への電力供給、及びＩＤタグ２と各共振回路部の間（すなわち、ＩＤタグ２とＲ／Ｗ５の間）で行われる全部又は一部の信号送受信を行う。なお、Ｒ／Ｗ５とＩＤタグとの交信は、運搬用車輌３８が停止している状態であっても、走行している状態であっても可能である。

このように、商品１が複数の障壁（ここでは、包装体３及び運搬用車輌３８）によって覆われている場合には、各障壁に設けられた共振回路部を介して、Ｒ／Ｗ５、ＩＤタグ２間で、信号の送受信を行うことにより、ＩＤタグ２に記憶された情報の読み出し、消去、ＩＤタグ２への情報の書き込み、変更等を確実に行うことができる。

なお、アンテナ部６で受信したＩＤタグ２に記憶された情報は、Ｒ／Ｗ５内に接続されたコンピュータ９によって処理される。なお、Ｒ／Ｗ５には、必要に応じて表示部７を設け、読み取った商品１に関する情報が適宜表示されるようにしてもよい。例えば、商品１に関する製品名、数量、出荷先、出荷元、原産国、生産者、生産時期等の情報が表示される。また、表示画面は、コンピュータ９に設けても良い。また、Ｒ／Ｗ５には、操作キー８が設けられており、ＩＤタグ２との通信のＯＮ／ＯＦＦや、読み出した情報の選択、削除等が可能となる。

さらに、コンピュータ９には、データベース１０を接続しておいても良い。そして、Ｒ／Ｗ５で読み取った商品１の情報と、データベースに蓄積された商品の情報とを照らし合わせることができる。

本実施例では、図５を参照して、本発明における通信方法の例について説明する。

本発明における通信方法としては、Ｒ／Ｗ５と共振回路部４、共振回路部４とＩＤタグ２との間の通信方式が同じ場合と、異なる場合とがある。同じ通信方式を採用する場合、例えば図５（Ａ）に示すように、ともに電磁誘導方式（交信距離は一般的に１ｍ程度以下）を採用することができる。電磁誘導方式を用いる場合、使用周波数は、１３５ＫＨｚ未満のものから、１３．５６ＭＨｚ以上のものまで幅広く採用することができる。代表的には、４．９ＭＨｚ、１３．５６ＭＨｚ、９００ＭＨｚ帯が用いられる。

また、同じ通信方式を採用する場合、共振回路部４が、何らかの理由により機能しなくなった場合であっても、Ｒ／Ｗ５とＩＤタグ２が直接電磁波のやりとりを行うことにより、通信を行うことも可能である。

また、異なる通信方式を採用する場合、例えば図５（Ｂ）に示すように、Ｒ／Ｗ５、共振回路部４間は電磁誘導方式を採用し、共振回路部４、ＩＤタグ２間は、電磁誘導方式よりもやや交信距離が短い電磁結合方式（交信距離は一般的に数１０ｍｍ以下）を採用することができる。電磁結合方式を用いる場合、電磁誘導方式と同程度の周波数を採用することができる。

また、図５（Ｃ）に示すように、Ｒ／Ｗ５、共振回路部４間はマイクロ波方式（交信距離は一般的に３ｍ程度以下）を採用し、共振回路部４、ＩＤタグ２間は、マイクロ波方式よりも交信距離が短い電磁誘導方式又は電磁結合方式を採用することができる。マイクロ波方式を用いる場合、使用周波数は、一般的に、２．４５ＧＨｚ帯を用いる。

特に、Ｒ／Ｗ５と共振回路部４との間の通信方式として、電磁誘導方式又はマイクロ波方式を採用し、Ｒ／Ｗ５と共振回路部４との間の交信距離が、共振回路部４とＩＤタグ２との間の交信距離よりも長くなるようにすると、より遠くのＲ／Ｗ５からも、ＩＤタグ２と通信を行うことができる。

なお、電磁波が共振回路部４を通過する前後で、通信方式が変わる場合には、通信方式に応じて、共振回路部４のアンテナコイル及びコンデンサ等の回路要素及びその配列を変更すればよい。

勿論、本発明において、通信方式の組合せは上記に限定されるものではない。外にも、静電結合方式や光通信方式を組み合わせても良い。

また、実施例２に示すように、共振回路部を二重、三重に設ける場合にも、上記通信方式を適宜組み合わせることができる。ただし、Ｒ／Ｗ５と、共振回路部との距離ができるだけ長くなるように、設計するのが望ましい。

本実施例では、図６を参照して、本発明におけるＩＤタグ２の構成の一例について、具体的に説明する。図６は、ＩＤタグ２の概略図であり、ＩＤタグ２は、電源回路２１４、入出力回路２１５、アンテナ回路２１６、論理回路２１０、増幅器２１１、クロック生成回路・デコーダ２１２、メモリ２１３等から構成される。アンテナ回路２１６は、アンテナ配線２０１と、アンテナ容量２０２とを有している。

ＩＤタグは独自の電源を持たない代わりに、Ｒ／Ｗ５から発せられる電磁波１７を受け取ることで電力が供給され動作する。Ｒ／Ｗ５からの電磁波１７をアンテナ回路２１６が受け取ると、第１の容量手段２０３、第１のダイオード２０４及び第３のダイオード２０７、第３の容量手段２０８等によって構成される入出力回路２１５により、検波出力信号として検出される。この信号は増幅器２１１によって十分大きな振幅に増幅された後、クロック生成回路・デコーダ２１２によってクロックとデータ・命令に分離され、送られた命令を論理回路２１０で解読し、メモリ２１３内のデータの返答、必要事項のメモリへの書き込み等を行う。

返答は論理回路２１０の出力によってスイッチング素子２０９をオン／オフすることによって行う。これによってアンテナ回路２１６のインピーダンスが変化して結果としてアンテナ回路２１６の反射率を変化させる。Ｒ／Ｗ５はアンテナ回路２１６の反射率の変化をモニターすることで、ＩＤタグからの情報を読み取る。

ＩＤタグ２内の各回路で消費する電力は電源回路２１４により受信した電磁波１７を検波、平滑することで生じる直流電源ＶＤＤによって供給される。入出力回路２１５と同様、電源回路２１４は、第１の容量手段２０３と第１のダイオード２０４と第２のダイオード２０５と第２の容量手段２０６によって構成されるが、第２の容量手段２０６は各回路に電力を供給するために十分大きな値を設定している。

本実施例では、図７〜１０を参照して、ＩＤタグ２の具体的な作製方法について説明する。ここでは、簡単のため、ｎ型ＴＦＴとｐ型ＴＦＴを用いたＣＰＵとメモリ部分の断面構造を示すことによって、その作製方法について説明する。

まず、基板４０上に、複数のＴＦＴ、保護膜、各種配線、アンテナ（少なくともこれらを含む素子、回路を総称して、以下「薄膜集積回路部」という）を形成する。

まず、基板４０上に、剥離層４１を形成する（図７（Ａ））。ここでは、ガラス基板（例えば、無アルカリガラス）上に、５０ｎｍの膜厚のａ−Ｓｉ膜（非晶質シリコン膜）をスパッタ法により形成した。なお、基板としては、ガラス基板の他にも、石英基板、アルミナなど絶縁物質で形成される基板、シリコンウエハ基板、熱酸化シリコン基板、ＳＩＭＯＸ基板、後工程の処理温度に耐え得る耐熱性を有するプラスチック基板等を用いることができる。

また、剥離層としては、非晶質シリコンの他に、多結晶シリコン、単結晶シリコン、ＳＡＳ（セミアモルファスシリコン（微結晶シリコン、マイクロクリスタルシリコンともいう。））等、シリコンを主成分とする層を用いることができる。これらの剥離層は、スパッタ法の他にも、ＣＶＤ法等によって形成しても良い。また、剥離層の膜厚は、５０ｎｍ〜６０ｎｍとするのが望ましい。ＳＡＳに関しては、３０ｎｍ〜５０ｎｍとしてもよい。

次に、剥離層４１上に、保護膜４２（下地膜、下地絶縁膜と呼ぶこともある。）を形成する（図７（Ａ））。ここでは、膜厚１００ｎｍのＳｉＯＮ膜と膜厚５０ｎｍのＳｉＮＯ膜と膜厚１００ｎｍのＳｉＯＮ膜の３層構造としたが、材質、膜厚、積層数は、これに限定されるものではない。例えば、下層のＳｉＯＮ膜に代えて、膜厚０．５〜３μｍのシロキサン等の耐熱性樹脂をスピンコート法、スリットコーター法、液滴吐出法などによって形成しても良い。また、窒化珪素膜（ＳｉＮ、Ｓｉ₃Ｎ₄等）を用いてもよい。また、それぞれの膜厚は、０．０５〜３μｍとするのが望ましく、その範囲から自由に選択することができる。

ここで、酸化珪素膜は、ＳｉＨ₄とＯ₂、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）とＯ₂等の混合ガスを用い、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、常圧ＣＶＤ、バイアスＥＣＲＣＶＤ等の方法によって形成することができる。また、窒化珪素膜は、代表的には、ＳｉＨ₄とＮＨ₃の混合ガスを用い、プラズマＣＶＤによって形成することができる。また、ＳｉＯＮ膜又はＳｉＮＯ膜は、代表的には、ＳｉＨ₄とＮ₂Ｏの混合ガスを用い、プラズマＣＶＤによって形成することができる。

なお、剥離層４１及び後述する島状半導体膜４３として、ａ−Ｓｉ等の珪素を主成分とする材料を用いる場合には、それらに接する保護膜４２としては、密着性確保の点から、ＳｉＯｘＮｙを用いてもよい。

次に、保護膜４２上に、薄膜集積回路部のＣＰＵやメモリを構成する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成する。なお、ＴＦＴ以外にも、有機ＴＦＴ、薄膜ダイオード等の薄膜能動素子を形成することもできる。

ＴＦＴの作製方法として、まず、保護膜４２上に、島状半導体膜４３を形成する（図７（Ｂ））。島状半導体膜４３は、例えば、アモルファス半導体、結晶性半導体等で形成する。いずれも、シリコン、シリコン・ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）等を主成分とする半導体膜を用いることができる。

ここでは、７０ｎｍの膜厚のアモルファスシリコンを形成し、さらにその表面をニッケルを含む溶液で処理した。さらに、５００〜７５０℃の熱結晶化工程によって結晶質シリコン半導体膜を得、レーザ結晶化を行って結晶性の改善を施した。また、成膜方法としては、プラズマＣＶＤ法、スパッタ法、ＬＰＣＶＤ法などを用いても良い。結晶化方法としては、レーザ結晶化法、熱結晶化法、他の触媒（Ｆｅ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ａｕ等）を用いた熱結晶化、あるいはそれらを交互に複数回行っても良い。

また、非晶質構造を有する半導体膜の結晶化処理としては、連続発振のレーザを用いても良く、結晶化に際し大粒径の結晶を得るためには、連続発振が可能な固体レーザを用い、基本波の第２高調波〜第４高調波を適用するのが好ましい（この場合の結晶化をＣＷＬＣという。）。代表的には、Ｎｄ：ＹＶＯ₄レーザ（基本波１０６４ｎｍ）の第２高調波（５３２ｎｍ）や第３高調波（３５５ｎｍ）を適用すればよい。連続発振のレーザを用いる場合には、出力１０Ｗの連続発振のＹＶＯ₄レーザから射出されたレーザ光を非線形光学素子により高調波に変換する。また、共振器の中にＹＶＯ₄結晶又はＧｄＶＯ₄結晶と非線形光学素子を入れて、高調波を射出する方法もある。そして、好ましくは光学系により照射面にて矩形状または楕円形状のレーザ光に成形して、被処理体に照射する。このときのパワー密度は０．０１〜１００ＭＷ／ｃｍ²程度（好ましくは０．１〜１０ＭＷ／ｃｍ²）が必要である。そして、１０〜２０００ｃｍ／ｓ程度の速度でレーザ光に対して相対的に半導体膜を移動させて照射すればよい。

また、パルス発振のレーザを用いる場合、通常、数十Ｈｚ〜数百Ｈｚの周波数帯を用いるが、それよりも著しく高い１０ＭＨｚ以上の繰り返し周波数を有するパルス発振レーザを用いてもよい。パルス発振でレーザ光を半導体膜に照射してから半導体膜が完全に固化するまでの時間は数十ｎｓｅｃ〜数百ｎｓｅｃと言われているため、上記高周波数帯を用いることで、半導体膜がレーザ光によって溶融してから固化するまでに、次のパルスのレーザ光を照射できる。よって、従来のパルス発振のレーザを用いる場合と異なり、半導体膜中において固液界面を連続的に移動させることができるので、走査方向に沿って連続的に成長した結晶粒を有する半導体膜が形成される。具体的には、含まれる結晶粒の走査方向における幅が１０〜３０μｍ、走査方向に対して垂直な方向における幅が１〜５μｍ程度の結晶粒の集合を形成することができる。該走査方向に沿って長く延びた単結晶の結晶粒を形成することで、少なくともＴＦＴのチャネル方向には結晶粒界のほとんど存在しない半導体膜の形成が可能となる。

なお、保護膜４２の一部に耐熱性有機樹脂であるシロキサンを用いた場合には、上記結晶化の際に、半導体膜中から熱が漏れることを防止することができ、効率よく結晶化を行うことができる。

上記の方法によって結晶性シリコン半導体膜を得る。なお、結晶は、ソース、チャネル、ドレイン方向にそろっていることが望ましい。また、結晶層の厚さは、２０〜２００ｎｍ（代表的には４０〜１７０ｎｍ、さらに好ましくは、５０〜１５０ｎｍ）となるようにするのがよい。その後、半導体膜上に酸化膜を介して、金属触媒をゲッタリングするためのアモルファスシリコン膜を成膜し、５００〜７５０℃の熱処理によってゲッタリング処理を行った。さらに、ＴＦＴ素子としての閾値を制御するために、結晶性シリコン半導体膜に対し、１０¹³／ｃｍ²オーダーのドーズ量のホウ素イオンを注入した。その後、レジストをマスクとしてエッチングを行うことにより、島状半導体膜４３を形成した。

なお、結晶性半導体膜を形成するにあたっては、ジシラン（Ｓｉ₂Ｈ₆）とフッ化ゲルマニウム（ＧｅＦ₄）の原料ガスとして、ＬＰＣＶＤ（減圧ＣＶＤ）法によって、多結晶半導体膜を直接形成することによっても、結晶性半導体膜を得ることができる。ガス流量比は、Ｓｉ₂Ｈ₆／ＧｅＦ₄＝２０／０．９、成膜温度は４００〜５００℃、キャリアガスとしてＨｅ又はＡｒを用いたが、これに限定されるものではない。

なお、ＴＦＴ内の特にチャネル領域には、１×１０¹⁹〜１×１０²²ｃｍ^-3、好ましくは１×１０¹⁹〜５×１０²⁰ｃｍ^-3の水素又はハロゲンが添加されているのがよい。いずれにしても、ＴＦＴのチャネル領域中に含まれる水素又はハロゲンの量は、ＩＣチップに用いられる単結晶に含まれる水素又はハロゲンの含有量よりも多く含有させておくことが望ましい。これにより、ＴＦＴ部に局部クラックが生じても、水素又はハロゲンによってターミネート（終端）されうる。

また、本発明においては、原則としてシリコンウエハは用いないが、フレキシブル基板等へ転写する前の被剥離基板として、用いることは可能である。

次に、島状半導体膜４３上にゲート絶縁膜４４を形成する（図７（Ｂ））。ゲート絶縁膜はプラズマＣＶＤ法又はスパッタリング法などの薄膜形成法を用い、窒化珪素、酸化珪素、窒化酸化珪素又は酸化窒化珪素を含む膜を、単層で、又は積層させて形成することが好ましい。積層する場合には、例えば、基板側から酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化珪素膜の３層構造とするのがよい。

次に、ゲート電極４６を形成する（図７（Ｃ））。ここでは、ＳｉとＷ（タングステン）をスパッタ法により積層形成した後に、レジスト４５をマスクとしてエッチングを行うことにより、ゲート電極４６を形成した。勿論、ゲート電極４６の材料、構造、作製方法は、これに限定されるものではなく、適宜選択することができる。例えば、ｎ型不純物がドーピングされた又はされていないＳｉとＮｉＳｉ（ニッケルシリサイド）との積層構造や、ＴａＮ（窒化タンタル）とＷ（タングステン）の積層構造としてもよい。また、種々の導電材料を用いて単層で形成しても良い。

また、レジストマスクの代わりに、酸化珪素等のマスクを用いてもよい。この場合、酸化珪素、ＳｉＯＮ等のマスク（ハードマスクと呼ばれる。）をパターニング形成工程が加わるが、エッチング時におけるマスクの膜減りがレジストよりも少ないため、所望の幅のゲート電極層を形成することができる。また、レジスト４５を用いずに、液滴吐出法を用いて選択的にゲート電極４６を形成しても良い。

導電材料としては、導電膜の機能に応じて種々の材料を選択することができる。また、ゲート電極とアンテナとを同時に形成する場合には、それらの機能を考慮して材料を選択すればよい。

なお、ゲート電極をエッチング形成する際のエッチングガスとしては、ＣＦ₄、Ｃｌ₂、Ｏ₂の混合ガスやＣｌ₂ガスを用いたが、これに限定されるものではない。

次に、ｐ型ＴＦＴ５４、５６となる部分をレジスト４７で覆い、ゲート電極をマスクとして、ｎ型ＴＦＴ５３、５５の島状半導体膜中に、ｎ型を付与する不純物元素４８（代表的にはＰ（リン）又はＡｓ（砒素））を低濃度にドープする（第１のドーピング工程、図７（Ｄ））。第１のドーピング工程の条件は、ドーズ量：１×１０¹³〜６×１０¹³／ｃｍ²、加速電圧：５０〜７０ｋｅＶとしたが、これに限定されるものではない。この第１のドーピング工程によって、ゲート絶縁膜４４を介してスルードープがなされ、一対の低濃度不純物領域４９が形成される。なお、第１のドーピング工程は、ｐ型ＴＦＴ領域をレジストで覆わずに、全面に行っても良い。

次に、レジスト４７をアッシング等により除去した後、ｎ型ＴＦＴ領域を覆うレジスト５０を新たに形成し、ゲート電極をマスクとして、ｐ型ＴＦＴ５４、５６の島状半導体膜中に、ｐ型を付与する不純物元素５１（代表的にはＢ（ホウ素））を高濃度にドープする（第２のドーピング工程、図７（Ｅ））。第２のドーピング工程の条件は、ドーズ量：１×１０¹⁶〜３×１０¹⁶／ｃｍ²、加速電圧：２０〜４０ｋｅＶとして行う。この第２のドーピング工程によって、ゲート絶縁膜４４を介してスルードープがなされ、一対のｐ型の高濃度不純物領域５２が形成される。

次に、レジスト５０をアッシング等により除去した後、基板表面に、絶縁膜５９を形成した（図８（Ｆ））。ここでは、膜厚１００ｎｍの酸化珪素膜をプラズマＣＶＤ法によって形成した。その後、絶縁膜５９、ゲート絶縁膜４４をエッチング除去し、サイドウォール（側壁）６０を自己整合的（セルフアライン）に形成した（図８（Ｇ））。エッチングガスとしては、ＣＨＦ₃とＨｅの混合ガスを用いた。

なお、サイドウォール６０を形成する工程は、これらに限定されるものではない。例えば、絶縁膜５９を形成した後、基板全面をレジストで覆い、エッチバック法により、レジスト、絶縁膜５９、ゲート絶縁膜４４をエッチング除去し、サイドウォール６０を自己整合的に形成してもよい。また、絶縁膜５９が、その成膜方法の特徴上、基板の両面に形成されてしまう場合には、該レジストをマスクとして裏面処理を行い、基板裏面に成膜された絶縁膜を除去した後に、エッチバック処理を行っても良い。

また、絶縁膜５９は、二層又はそれ以上の積層構造としてもよい。例えば、膜厚１００ｎｍのＳｉＯＮ（酸窒化珪素）膜と、膜厚２００ｎｍのＬＴＯ膜（ＬｏｗＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅＯｘｉｄｅ、低温酸化膜）の２層構造とした。ここでは、ＳｉＯＮ膜は、プラズマＣＶＤ法で形成し、ＬＴＯ膜としは、ＳｉＯ₂膜を減圧ＣＶＤ法で形成する。また、サイドウォール６０の形状は、図８に示した形状に限定されない。例えば、Ｌ字状又はＬ字状と円弧状を組み合わせた形状としても良い。

上記サイドウォールは、後に高濃度のｎ型不純物をドーピングし、サイドウォール６０の下部に低濃度不純物領域又はノンドープのオフセット領域を形成する際のマスクとして機能するものであるが、上述したサイドウォールのいずれの形成方法においても、形成したい低濃度不純物領域又はオフセット領域の幅によって、エッチバックの条件及び絶縁膜９の厚さを適宜変更すればよい。

次に、ｐ型ＴＦＴ領域を覆うレジスト６１を新たに形成し、ゲート電極４６及びサイドウォール６０をマスクとして、ｎ型を付与する不純物元素６２（代表的にはＰ又はＡｓ）を高濃度にドープする（第３のドーピング工程、図８（Ｈ））。第３のドーピング工程の条件は、ドーズ量：１×１０¹³〜５×１０¹⁵／ｃｍ²、加速電圧：６０〜１００ｋｅＶとして行う。この第３のドーピング工程によって、ゲート絶縁膜４４を介してスルードープがなされ、一対のｎ型の高濃度不純物領域６３が形成される。

なお、レジスト６１をアッシング等により除去した後、不純物領域の熱活性化を行っても良い。例えば、５０ｎｍのＳｉＯＮ膜を成膜した後、５５０℃、４時間、窒素雰囲気下において、加熱処理を行えばよい。また、水素を含むＳｉＮｘ膜を、１００ｎｍの膜厚に形成した後、４１０℃、１時間、窒素雰囲気下において、加熱処理を行うことにより、結晶性半導体膜の欠陥を改善することができる。これは、例えば、結晶性シリコン中に存在するダングリングボンドを終端させるものであり、水素化処理工程などと呼ばれる。さらに、この後、ＴＦＴを保護するキャップ絶縁膜として、膜厚６００ｎｍのＳｉＯＮ膜を形成してもよい。なお、水素化処理工程は、該ＳｉＯＮ膜形成後に行っても良い。この場合、ＳｉＮｘ、ＳｉＯＮ膜は連続成膜することができる。このように、ＴＦＴ上には、ＳｉＯＮ、ＳｉＮｘ、ＳｉＯＮの３層の絶縁膜が形成されることになるが、その構造や材料はこれらに限定されるものではない。また、これらの絶縁膜は、ＴＦＴを保護する機能をも有しているため、できるだけ形成しておくのが望ましい。

次に、ＴＦＴ上に、層間膜６４を形成する（図８（Ｉ））。層間膜６４としては、ポリイミド、アクリル、ポリアミド等の耐熱性有機樹脂や、シロキサン等の耐熱性樹脂を用いることができる。形成方法としては、その材料に応じて、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、液滴吐出法（インクジェット法、スクリーン印刷、オフセット印刷等）、ドクターナイフ、ロールコーター、カーテンコーター、ナイフコーター等を採用することができる。また、無機材料を用いてもよく、その際には、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素、ＰＳＧ（リンガラス）、ＢＰＳＧ（リンボロンガラス）、ＰＢＳＧ、アルミナ膜等を用いることができる。なお、これらの絶縁膜を積層させて、層間膜６４を形成しても良い。

さらに、層間膜６４上に、保護膜６５を形成しても良い。保護膜６５としては、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）或いは窒化炭素（ＣＮ）等の炭素を有する膜、又は、酸化珪素膜、窒化珪素膜或いは窒化酸化珪素膜等を用いることができる。形成方法としては、プラズマＣＶＤ法や、大気圧プラズマ等を用いることができる。あるいは、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、レジスト又はベンゾシクロブテン等の感光性又は非感光性の有機材料や、シロキサン等の耐熱性樹脂を用いてもよい。

なお、層間膜６４又は保護膜６５と、後に形成される配線を構成する導電材料等との熱膨張率の差から生じる応力によって、これらの膜の膜剥がれや割れが生じるのを防ぐために、層間膜６４又は保護膜６５中にフィラーを混入させておいても良い。

次に、レジストを形成した後、エッチングによりコンタクトホールを開孔し、ＴＦＴ同士を接続する配線６６及びアンテナと接続される接続配線６７を形成する（図８（Ｉ））。コンタクトホール開孔時のエッチングに用いられるガスは、ＣＨＦ₃とＨｅの混合ガスを用いたが、これに限定されるものではない。

配線６６は、基板側からＴｉ、ＴｉＮ、Ａｌ−Ｓｉ、Ｔｉ、ＴｉＮの５層構造とし、スパッタ法によって形成した後、パターニング形成するのがよい。なお、Ａｌ層において、Ｓｉを混入させることにより、配線パターニング時のレジストベークにおけるヒロックの発生を防止することができる。また、Ｓｉの代わりに、０．５％程度のＣｕを混入させても良い。また、ＴｉやＴｉＮでＡｌ−Ｓｉ層をサンドイッチすることにより、耐ヒロック性がさらに向上する。なお、パターニング時には、ＳｉＯＮ等からなる上記ハードマスクを用いるのが望ましい。なお、配線の材料や、形成方法はこれらに限定されるものではなく、前述したゲート電極に用いられる材料を採用しても良い。

上記において、配線６６と接続配線６７の材料は、同じでも異なっていても良い。また、形成方法としては、スパッタ法によって全面成膜した後、レジストマスクを用いてパターニングを行ってもよいし、液滴吐出法によってノズルから選択的に形成しても良い。なお、ここでいう液滴吐出法には、インクジェット法のみならず、オフセット印刷法やスクリーン印刷等も含まれる。配線とアンテナは、同時に形成しても良いし、一方を先に形成した後に、他方が乗り上げるように形成しても良い。

なお、本実施例では、ＣＰＵ５７、メモリ５８等を構成するＴＦＴ領域と、アンテナ接続部６８とを別々に形成する場合について示したが、ＴＦＴ領域とアンテナと一体形成する場合にも、本実施例を適用できる。

以上の工程を経て、ＴＦＴからなる薄膜集積回路部が完成する。なお、本実施例では、トップゲート構造としたが、ボトムゲート構造（逆スタガ構造）としてもよい。なお、ＴＦＴのような薄膜能動素子部（アクティブエレメント）の存在しない領域には、下地絶縁膜材料、層間絶縁膜材料、配線材料が主として設けられているが、該領域は、薄膜集積回路部全体の５０％以上、好ましくは７０〜９５％を占めていることが望ましい。これにより、完成品であるＩＤタグ２を曲げやすくし、取り扱いが容易となる。この場合、ＴＦＴ部を含むアクティブエレメントの島状半導体領域（アイランド）は、薄膜集積回路部全体の１〜３０％、好ましくは、５〜１５％を占めているのがよい。

また、図８（Ｉ）に示すように、薄膜集積回路部におけるＴＦＴの半導体層から下部の保護膜までの距離（ｔ_under）と、半導体層から上部の層間膜（保護膜が形成されている場合には該保護膜）までの距離（ｔ_over）が、等しく又は概略等しくなるように、上下の保護膜又は層間膜の厚さを調整するのが望ましい。このようにして、半導体層を薄膜集積回路部の中央に配置せしめることで、半導体層への応力を緩和することができ、クラックの発生を防止することができる。

また、本実施例で作製したＴＦＴのＳ値（サブスレッシュホールド値）は、０．３５Ｖ／ｄｅｃ以下（好ましくは、０．０７〜０．２５Ｖ／ｄｅｃ）、移動度は、１０ｃｍ²／Ｖｓｅｃ以上を有している。また、リングオシレータレベルで、１ＭＨｚ以上、好ましくは１０ＭＨｚ以上の特性（３〜５Ｖにおいて）を有している、又は、ゲートあたりの周波数特性を１００ｋＨｚ以上、好ましくは１ＭＨｚ以上（３〜５Ｖにおいて）有している。

基板４０上に、複数の薄膜集積回路部を形成したら（図９（Ｊ））、ダイシングによって溝７０を形成し、複数の薄膜集積回路部を個々のＩＤタグ毎に分離し、薄膜集積回路部６９とする（図９（Ｋ））。この際、ダイシング装置（ダイサー；ｄｉｃｅｒ）を用いるブレードダイシング法を用いるのが一般的である。ブレード（ｂｌａｄｅ）とは、ダイヤモンド砥粒を埋め込んだ砥石で、その幅は約３０〜５０μｍであり、このブレードを高速回転させることにより、薄膜集積回路部を個々のＩＤタグ毎に分離する。また、ダイシングに必要なエリアをストリートと呼ぶが、このストリートの幅は、素子への損傷を考慮し、８０〜１５０μｍとしておくのが望ましい。

なお、ダイシングの他にも、スクライビング又はマスクを利用したエッチング等によって行うことができる。スクライビングの場合には、ダイヤモンドスクライビング法とレーザスクライビング法等がある。レーザスクライビング法を採用する場合には、パワーが２００〜３００Ｗのパルス発振のレーザ共振器から射出された線状レーザ（例えばＮｄ：ＹＡＧレーザであって、波長１０６４ｎｍの基本波又は波長５３２ｎｍの第２高調波等）を用いることができる。

また、エッチングの場合には、露光、現像工程によりマスクパターンを形成し、ドライエッチングにより素子分離を行うことができる。ドライエッチングにおいては、大気圧プラズマ法を用いてもよい。ドライエッチング用ガスとしては、Ｃｌ₂、ＢＣｌ₃、ＳｉＣｌ₄もしくはＣＣｌ₄などを代表とする塩素系ガス、ＣＦ₄、ＳＦ₆、ＮＦ₃、ＣＨＦ₃などを代表とするフッ素系ガス、あるいはＯ₂を用いたが、これらに限定されるものではない。なお、該エッチングは、大気圧プラズマを利用して行うこともできる。この際、エッチングガスとしては、ＣＦ₄とＯ₂の混合ガスを用いるのがよい。また、ガス種の異なるエッチングを複数回行うことによって溝７０を形成しても良い。勿論、ウエットエッチングによって、溝７０を形成しても良い。

なお、溝７０を形成する場合、その深さは、少なくとも剥離層の表面が露出する程度とすればよく、基板４０が繰り返し利用できるように、基板に傷が付かないように上記ダイシング等を適宜制御するのが望ましい。

次に、突起部７１を有するジグ（支持基板）７２を、接着剤７３を介して、個々の薄膜集積回路部６９に取り付ける（図９（Ｌ））。ここで、ジグ（治具）とは、剥離層を除去した後に薄膜集積回路がバラバラに分離しないように、一時的に薄膜集積回路を固定する役割を有する。ジグ７２の形状としては、図９（Ｌ）のように、後にフッ化ハロゲンを含む気体又は液体の導入を容易にするために、突起部７１を設けた櫛状の構造とするのが望ましいが、平坦なジグを用いても構わない。また、さらに好ましくは、後にフッ化ハロゲンを含む気体又は液体の導入を容易にするための、開口部７４を設けておいても良い。

ジグ７２としては、フッ化ハロゲンによって冒されない酸化珪素を主成分とするガラス基板、石英基板、ステンレス（ＳＵＳ）基板等を用いることができるが、フッ化ハロゲンによって冒されない材料であれば、これらに限定されるものではない。

ここで、接着剤７３としては、代表的には、ＵＶ光照射によって接着力（粘着力）が低下又は喪失する材料を用いることができる。ここでは、日東電工社製ＵＶ照射剥離テープを用いた。これ以外にも、３Ｍ社製のポストイット（登録商標）製品や、ムーア社製ノートスティックス（登録商標）製品等に用いられる再剥離再接着可能な接着剤を用いても構わない。例えば、特開２００１−３０４０３、特許２９９２０９２、特開平６−２９９１２７に記載された、アクリル系粘着剤、合成ゴム系粘着剤、天然ゴム系粘着剤等を用いることができる。勿論、ジグ７２を簡単に取り外すことができる材料であれば、これらに限定されるものではなく、ＵＶ光等の光照射を必要とせずに、剥離できるものを用いてもよい。

次に、溝７０にフッ化ハロゲンガス７５を導入することにより、剥離層であるａ−Ｓｉ膜をエッチング除去した（図１０（Ｍ））。ここでは、図１２に示すような減圧ＣＶＤ装置を用い、ガス：ＣｌＦ₃（三フッ化塩素）、温度：３５０℃、流量：３００ｓｃｃｍ、気圧：８×１０²Ｐａ、時間：３時間の条件で行ったが、この条件に限定されるものではない。また、ＣｌＦ₃ガスに窒素を混ぜたガスを用いてもよい。両者の流量比は適宜設定することができる。なお、ＣｌＦ₃以外にも、ＢｒＦ₃、ＣｌＦ₂等のガスを用いてもよい。

ここで、図１２に示す減圧ＣＶＤ装置は、反応空間であるベルジャー８６内に、ＣｌＦ₃ガス等のフッ化ハロゲンガス７５が導入され、ガスが基板８７に行き渡る仕組みになっている。ベルジャーの外部にはヒーター８８が設けられている。また、残余ガスは、排気管８９から排出される。

ここで、ＣｌＦ₃等のフッ化ハロゲンは、珪素を選択的にエッチングするという特性がある反面、酸化珪素（ＳｉＯｘ）、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、酸窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ又はＳｉＮｘＯｙ）はほとんどエッチングされない。したがって、時間の経過ととも剥離層４１はエッチングされ、最終的に基板４０を剥離することができる（図１０（Ｎ））。一方、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素等や、耐熱性樹脂からなる下地膜である保護膜や、層間膜、保護膜はほとんどエッチングされないため、薄膜集積回路への損傷を防止することができる。なお、剥離した基板４０は勿論再利用することができ、従来のようにシリコンウエハを研磨する場合に比べて、大幅なコスト削減に繋がる。

次に、ＵＶ光照射を行うことにより、接着剤７３の粘着力を低下又は喪失させ、ジグ７２と、薄膜集積回路部６９とを分離するなお、ジグ７２は、コスト削減のため、再利用するのが望ましい。

上記方法によって個々のＩＤタグ毎に分離された薄膜集積回路部６９は、小型真空ピンセット等により搬送され、例えば、図１１に示すコーティングを行って、ＩＤタグ２が完成する。

図１１は、本発明におけるＩＤタグ２の製造ラインを示した模式図及びＩＤタグの完成品の拡大図を示したものである。まず、図１１（Ａ）に示すように、ＩＤタグ２のインレット基体８１（図１１（Ｂ）参照）となる材料を基体供給手段７６から供給する。インレット基体８１は、単層構造でも積層構造でもよい。

インレット基体８１には、予めアンテナ８２が形成されている。アンテナ８２の導電材料としては、代表的には、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ若しくはＴｉ、又はそれらを含む合金を用いることができる。なお、アンテナ８２は、展性、延性に富む金属材料を有するように形成し、更に好ましくは膜厚を厚くして変形による応力に耐えるようにするのが望ましい。なお、アンテナ８２を形成した後、さらに保護膜で覆っても良い。

アンテナ８２の形成方法としては、スパッタ法によって全面成膜した後、レジストマスクを用いてパターニングを行ってもよいし、液滴吐出法によってノズルから選択的に形成しても良い。なお、ここでいう液滴吐出法には、インクジェット法のみならず、オフセット印刷法やスクリーン印刷等も含まれる。

次に、インレット基体８１の所望の位置に、貼付手段７７によって薄膜集積回路部６９を貼り付ける。この際、適宜、接着方法として、異方性導電膜（ＡＣＦ；ＡｎｉｓｏｔｏｒｏｐｉｃＣｏｎｄｕｃｔｉｖｅＦｉｌｍ）や、超音波接着法、ＵＶ接着法等を用いる。薄膜集積回路部６９をインレット基体８１に貼付する際には、予め個々のＩＤタグ毎に分離したインレット基体８１に薄膜集積回路部６９を貼り付けても良いし、インレット基体の素材に薄膜集積回路部６９を貼り付けた後に、個々のＩＤタグ毎にインレット基体の素材を分離しても良い。ここで、インレット基体の素材は、例えば、ロール状、板状になっているものを用いると良い。そして、ラミネート加工装置７９によって、個々のインレット基体８１の周囲をラミネート加工する。この際、予め薄膜集積回路部６９の周囲をフィラー８４を含む充填層８３で覆っておくのがよい。また、樹脂層８５中に、予めフィラーを充填させておいてもよい。

かくして、ＩＤタグ２が完成する。なお、帯状の基体の所望の位置に薄膜集積回路部６９を形成し、ラミネート加工を行った後に、個々のＩＤタグ毎に分離しても良い。ラミネート加工されたＩＤタグ２は、回収手段８０によって回収される。

なお、薄膜集積回路部６９のコーティング手段は、ラミネート法に限定されるものではない。また、コーティング材料も、紙、樹脂など、あらゆる材料を適宜採用することができる。例えば、プラスチックのように、可撓性を有する、すなわちフレキシブルな樹脂材料を用いると、ＩＤタグ２の取り扱いが容易になる。

図１１（Ｂ）は、本実施例によって作製されたＩＤタグ２の完成品の断面拡大図である。インレット基体８１には、アンテナ８２と、アンテナ８２に接続された薄膜集積回路部６９が形成されており、フィラー８４を含む充填層８３を介して、ラミネート樹脂層８５に覆われている。アンテナ８２と薄膜集積回路部６９とは、直接接続しても良いし、間に導電体からなる接続パッド部を形成しても良い。

なお、ラミネート加工時の加熱処理等において、薄膜集積回路部６９やアンテナ８２を保護するために、充填層８３は、シロキサンのような耐熱性有機樹脂を用いるのが望ましい。また、別途保護膜を形成しておいてもよい。保護膜としては、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）或いは窒化炭素（ＣＮ）等の炭素を有する膜、又は窒化珪素膜或いは窒化酸化珪素膜等を用いることができるが、これに限定されるものではない。形成方法としては、プラズマＣＶＤ法や、大気圧プラズマ等を用いることができる。

本実施例においては、基板を剥離する方法として、複数の薄膜集積回路が形成された基板にストレスを与え、基板を物理的に剥離する方法を採用しても良い。この場合には、剥離層として、Ｗ、ＳｉＯ₂、ＷＯ₃等を用いることができる。ストレスを与えるには、ダイヤモンドペン等で衝撃を与えればよい。

以上、ＩＤタグ２の作製方法について説明したが、上記実施形態又は実施例における共振回路部４、３９についても、その集積回路部を薄膜で形成し、上記剥離方法を用いて分離形成しても良い。

なお、本実施例は、他の実施形態、実施例と自由に組み合わせることができる。

本実施例では、図１３を参照して、実施例５において、フッ化ハロゲンガスによって薄膜集積回路部の分離を行った後に、薄膜集積回路部６９に接着されたジグ７２を取り外さずに、直接、ＩＤタグのインレット基体８１に転写、接着する方法について説明する。

まず、実施例５の要領で、複数の薄膜集積回路部６９を形成し、接着剤７３を介してジグ７２を取り付ける。ジグ７２としては、図１３（Ａ）に示すように、突起部７１を有するものを用いた。接着剤７３としては、ここでは、ＵＶ光照射によって粘着力が低下又は喪失する材料を用いる。また、薄膜集積回路部６９への損傷を防ぐために、有機材料又は無機材料からなる保護膜９０を設けている。そして、ＣｌＦ₃等のフッ化ハロゲンによるエッチングにより、素子分離を行う。

次に、ジグ７２に複数の薄膜集積回路部６９が接着された状態で搬送し、ＩＤタグのインレット基体８１が配置されたステージ９１とのアライメントを行う。この際、図１３（Ａ）に示すように、ジグ７２やステージ９１に設けられたアライメント用のマーカー９３を利用することができる。インレット基体８１のうち薄膜集積回路部６９が形成される部分には、予め接着剤９２が形成されており、ジグ７２の位置を制御することにより、所望の素子を商品の所望の箇所に貼り付ける（図１３（Ａ））。これと同時に、薄膜集積回路部６９と、インレット基体８１に形成されたアンテナ８２とが電気的に接続される。

次に、インレット基体８１に貼り付けたい薄膜集積回路部６９に対して、マスクを介してＵＶ光９４を選択的に照射し、接着剤７３の粘着力を低下又は喪失させることにより、ジグ７２を該薄膜集積回路部とを分離する（図１３（Ｂ））。これにより、所望の薄膜集積回路部６９をインレット基体８１の所望の箇所に形成することができる。さらに、コーティング９５により、薄膜集積回路部６９をカバーする（図１３（Ｃ））。なお、ここでは、インレット基体８１の内側にアンテナ８２が形成された場合を示したが、予め薄膜集積回路部６９にアンテナを形成しておいても良い。

本実施例に示した発明を用いることにより、ＣｌＦ₃等のフッ化ハロゲンによるエッチングにより素子分離を行った際、素子がバラバラに分離することなく、所望の薄膜集積回路部６９を所望の箇所に形成することができる。なお、本実施例は、他の実施形態、実施例と自由に組み合わせることができる。

以上述べたように、本発明は、商品を包装体に梱包して、保管、流通等させる場合に有効であり、本発明を適用することによって、ＩＤタグの利便性が格段に向上する。また、上記実施形態、実施例では、ＩＤタグを貼付する対象が商品であったが、勿論、それに限定されるものではなく、動植物等のあらゆる管理対象となるものも含まれる。このように、本発明の適用範囲は幅広く、その利用可能性は少なくないものと信ずる。

本発明に係る商品管理システムの概略図本発明に係る商品管理システムの回路構成の一例を示すブロック図本発明を空港等における手荷物管理に適用した場合を示す図共振回路部を運搬用車輌にも設けた場合を示す図種々の通信方式を示す図ＩＤタグの回路構成の一例を示すブロック図本発明におけるＩＤタグの作製工程図本発明におけるＩＤタグの作製工程図本発明におけるＩＤタグの作製工程図本発明におけるＩＤタグの作製工程図本発明におけるＩＤタグの作製工程図本発明におけるＩＤタグの作製に用いる減圧ＣＶＤ装置の概略図本発明におけるＩＤタグの作製工程図（インレット基板への転写方法）

符号の説明

１商品
２ＩＤタグ
３包装体
４共振回路部
５Ｒ／Ｗ
６アンテナ部
７表示部
８操作キー
９コンピュータ

Claims

ＩＤタグが付された商品を包装するための包装体と、前記ＩＤタグに記憶された情報を読み書きするためのリーダ／ライタとを有する商品管理システムであって、
前記包装体は共振回路部を有し、
前記共振回路部は、バッテリー、ＣＰＵ及びメモリを有し、
前記共振回路部は、前記リーダ／ライタ及び前記ＩＤタグと交信可能であることを特徴とする商品管理システム。
請求項１において、
前記リーダ／ライタと前記共振回路部との間の通信方式は電磁誘導方式であり、
前記共振回路部と前記ＩＤタグとの間の通信方式は電磁結合方式であり、
前記リーダ／ライタと前記共振回路部との間の交信距離は、前記共振回路部と前記ＩＤタグとの間の交信距離よりも長いことを特徴とする商品管理システム。
請求項１において、
前記リーダ／ライタと前記共振回路部との間の通信方式はマイクロ波方式であり、
前記共振回路部と前記ＩＤタグとの間の通信方式は電磁誘導方式又は電磁結合方式であり、
前記リーダ／ライタと前記共振回路部との間の交信距離は、前記共振回路部と前記ＩＤタグとの間の交信距離よりも長いことを特徴とする商品管理システム。
ＩＤタグが付された商品を包装するための包装体を有する商品管理システムであって、
前記包装体は共振回路部を有し、
前記共振回路部は、前記ＩＤタグに記憶された情報を読み書きするためのリーダ／ライタとして機能するとともに、前記ＩＤタグと交信可能であることを特徴とする商品管理システム。
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記共振回路部は、アンテナコイル及びキャパシタを有することを特徴とする商品管理システム。
運搬用車輌に積載された、ＩＤタグが付された商品を包装するための包装体と、前記ＩＤタグに記憶された情報を読み書きするためのリーダ／ライタとを有する商品管理システムであって、
前記包装体は第１の共振回路部を有し、
前記運搬用車輌は第２の共振回路部を有し、
前記第１の共振回路部は、前記第２の共振回路部及び前記ＩＤタグと交信可能であり、
前記第２の共振回路部は、前記第１の共振回路部及び前記リーダ／ライタと交信可能であることを特徴とする商品管理システム。
請求項６において、
前記第１の共振回路部及び前記第２の共振回路部は、アンテナコイル及びキャパシタを有することを特徴とする商品管理システム。
請求項１乃至７のいずれか一項において、
前記ＩＤタグは、薄膜トランジスタを含む薄膜集積回路部及びアンテナを有することを特徴とする商品管理システム。