JP4725779B2 - 記憶装置及びそのデータ書込処理方法 - Google Patents

記憶装置及びそのデータ書込処理方法 Download PDF

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Description

本発明は記憶装置及びそのデータ書込処理方法に関し、例えば、リーダライタ装置に対して近接された際当該近接されたリーダライタ装置から送信されたデータを受信してこれを内部のメモリに書き込むデータ書込処理を実行する非接触IC(Integrated Circuit)カードに適用して好適なものである。
従来この種の非接触ICカードは、近接されたリーダライタ装置から放出される電磁波を受信してこれを整流することにより非接触ICカードを駆動させるための駆動電力を生成し、当該生成した駆動電力によりデータ書込処理等を実行し得るようになされている。
この非接触ICカードは、リーダライタ装置から離されてしまうとこのリーダライタ装置から放出されている電磁波を十分に受信することができなくなり、その結果駆動電力が低下してデータ書込処理を中断してしまう場合があり得る。
このようにデータ書込処理を中断した場合、データ書込処理の対象となっていたデータが破壊されてしまう可能性がある。このため従来から、データ書込処理の対象となっていたデータを保障する手法が提案されている(例えば特許文献1参照)。
ここで図7及び図8を用いて従来手法を説明する。この従来手法が適用された非接触ICカードのメモリは、リーダライタ装置からのデータが書き込まれるデータ記憶区域ごとにそのデータ記憶区域の物理的な位置を示す物理的位置情報(物理アドレス)が対応付けられてなるデータ記憶領域AR101を有する。またこの非接触ICカードのメモリは、リーダライタ装置に対して論理的に認識させるデータ記憶区域の論理的位置情報(論理アドレス)とこの論理アドレスに対応するデータ記憶区域の物理アドレスとを対応付けてなる論物アドレス記憶領域AR102を有する。
例えばこの非接触ICカードの制御部は、論理アドレス「A」に対して新データを書き込むようにリーダライタ装置から命令されると、この新データを書き込むデータ書込処理(ステップSP101〜SP105)を実行開始する。
まずこの非接触ICカードの制御部は、図7(A)に示すように論物アドレス記憶領域AR102を参照することにより、データ書込可能なデータ記憶区域を指し示す論理アドレス「TEMP」に対応付けられた物理アドレス「Y」を認識し、当該認識した物理アドレス「Y」のデータ記憶区域に新データを書き込む(ステップSP101)。
次いでこの非接触ICカードの制御部は、論物アドレス記憶領域AR102中の論理アドレス「A」が新データを書き込んだデータ記憶区域を指し示すように、論物アドレス記憶領域AR102を書き換える論物アドレス書換処理を実行する(ステップSP102〜SP105)。
つまりこの論物アドレス書換処理では、図7(B)に示すように論物アドレス記憶領域AR102中の論理アドレス「A」とこの論理アドレス「A」に対応付けられている物理アドレス「X」とを対応付けて論物アドレス退避領域AR103に退避させると共に、論物アドレス記憶領域AR102中の論理アドレス「TEMP」に対応付けられた物理アドレス「Y」を論物アドレス退避領域AR103中の論理アドレス「TEMP」に対応付けるようにして論物アドレス退避領域AR103に退避させる(ステップSP102)。
次にこの論物アドレス書換処理では、論物アドレス書換処理を実行している最中である旨又は論物アドレス書換処理を実行している最中でない旨の何れかを示す書換処理状況情報が記憶された書換処理情報記憶領域AR104中の書換処理状況情報を、論物アドレス書換処理実行中である旨を示すように書き換える(ステップSP103)。因みにこの場合この書換処理状況情報は、「0」であると論物アドレス書換処理を実行している最中でない旨を示しており、「1」であると論物アドレス書換処理を実行している最中である旨を示している。
続いてこの論物アドレス書換処理では、図8(C)に示すように論物アドレス退避領域AR103中の論理アドレス「A」に対応付けられている物理アドレス「X」を論物アドレス記憶領域AR102中の論理アドレス「TEMP」に対応付けるようにして論物アドレス記憶領域AR102に書き込むと共に、論物アドレス退避領域AR103中の論理アドレス「TEMP」に対応付けられている物理アドレス「Y」を論物アドレス記憶領域AR102中の論理アドレス「A」に対応付けるようにして論物アドレス記憶領域AR102に書き込む(ステップSP104)。
そしてこの論物アドレス書換処理では、論物アドレス書換処理を実行している最中でない旨を示すように書換処理情報記憶領域AR104中の書換処理状況情報を書き換える(ステップSP105)。
これにより非接触ICカードの制御部は、この後に論理アドレス「A」からデータを読み出すようにリーダライタ装置から命令されると、これに応じて論物アドレス記憶領域AR102を参照することにより論理アドレス「A」に対応付けられた物理アドレス「Y」を認識し、当該認識した物理アドレス「Y」のデータ記憶区域に記憶されている新データを読み出すことができる。
また非接触ICカードの制御部は、リーダライタ装置から一度離された後再び近接されることにより駆動再開した際、書換処理情報記憶領域AR104中の書換処理状況情報が論物アドレス書換処理を実行している最中である旨を示したままになっていると、ステップSP104を実行している最中にデータ書込処理を中断してしまったと判断する。
この場合論物アドレス退避領域AR103には、新データの書き込み先として命令された論理アドレス「A」と、この論理アドレス「A」に対応付けられていた物理アドレス「X」と、新データが実際に書き込まれた物理アドレス「Y」とが退避されている。
これにより非接触ICカードの制御部は、例えば、論物アドレス退避領域AR103中の論理アドレス「A」に対応付けられている物理アドレス「X」を論物アドレス記憶領域AR102中の論理アドレス「A」に対応付けるようにして論物アドレス記憶領域AR102に書き戻す共に、論物アドレス退避領域AR103中の論理アドレス「TEMP」に対応付けられている物理アドレス「Y」を論物アドレス記憶領域AR102中の論理アドレス「TEMP」に対応付けるようにして論物アドレス記憶領域AR102に書き戻す。
この結果非接触ICカードの制御部は、この後に論理アドレス「A」からデータを読み出すようにリーダライタ装置から命令されると、これに応じて論物アドレス記憶領域AR102を参照することにより論理アドレス「A」に対応付けられた物理アドレス「X」を認識し、当該認識した物理アドレス「X」のデータ記憶区域に記憶されている旧データを読み出すことができる。
かくしてこの従来手法によれば、リーダライタ装置から命令された新データを書き込むデータ書込処理を中断したとしても、このデータ書込処理を実行する前の旧データを少なくとも保証することができる。
特開2003−178281公報
ところでかかる従来手法が適用された非接触ICカードでは、論物アドレス書換処理を実行する際に、新データの書き込み先として命令された論理アドレス「A」とこの論理アドレス「A」に対応付けられていた物理アドレス「X」と新データが実際に書き込まれた物理アドレス「Y」とを論物アドレス退避領域AR103に退避させる必要があるので、その分データ書込処理時の書き込みデータ量が多くなってしまい処理効率が良いとは言い難い問題があった。
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、処理効率を向上し得る記憶装置及びそのデータ書込処理方法を提案しようとするものである。
かかる課題を解決するため本発明においては、データが書き込まれるデータ記憶区域ごとにそのデータ記憶区域の物理的位置を示す物理アドレスが対応付けられてなるデータ記憶領域と、データ記憶区域の論理的位置を示す論理アドレスとその論理アドレスに対応するデータ記憶区域の物理アドレスとそのデータ記憶区域に対して有効データが記憶されている旨又はそのデータ記憶区域に対して有効データが記憶されていない旨の何れかを表す有効情報とを対応付けて記憶する論物アドレス記憶領域と、論物アドレス記憶領域を書き換える論物アドレス書換処理の実行中である旨又は論物アドレス書換処理の実行中ではない旨の何れかを表す書換処理状況情報を記憶すると共に論物アドレス書換処理により対応する論理アドレスが書き換えられる物理アドレスが退避される書換処理情報記憶領域とを有するメモリと、外部から命令された論理アドレスに対応するデータ記憶区域に対してデータが記憶されるように当該データを書き込むデータ書込処理を実行する書込処理部と設け、データ書込処理では、論物アドレス記憶領域に記憶された有効情報の中から有効データが記憶されていない旨が表された有効情報を検出し当該検出した有効情報に対応付けられている物理アドレスのデータ記憶区域に対してデータを書き込み、論物アドレス書換処理の実行中である旨を表すように書換処理情報記憶領域中の書換処理状況情報を書き換えると共に当該データを書き込んだデータ記憶区域の物理アドレスを書換処理情報記憶領域に退避させ、当該データを書き込んだデータ記憶区域の物理アドレスに対応付けられた論理アドレスを外部から命令された論理アドレスに書き換えると共に当該物理アドレスに対応付けられている有効情報を有効データが記憶されている旨を表すように書き換え、論物アドレス記憶領域の中から当該物理アドレスに対応付けた論理アドレスと同じ論理アドレスを検出し当該検出した論理アドレスに対応付けられている有効情報を有効データが記憶されていない旨を表すように書き換え、論物アドレス書換処理の実行中ではない旨を表すように書換処理情報記憶領域中の書換処理状況情報を書き換えるようにした。
このデータ書込処理によれば、論物アドレス書換処理を実行する際に、新たにデータを書き込んだデータ記憶区域の物理アドレスのみを退避させておけば良いので、その分従来手法と比べてデータ書込処理時の書き込みデータ量を低減させることができる。
本発明によれば、論物アドレス書換処理を実行する際に、新たにデータを書き込んだデータ記憶区域の物理アドレスのみを退避させておけば良いので、その分従来手法と比べてデータ書込処理時の書き込みデータ量を低減させることができ、この結果処理効率を格段と向上させることができる。
以下図面について、本発明の一実施の形態を詳述する。
(1)近接無線通信システムにおける非接触ICカードの構成
図1において、1は全体として近接無線通信システムを示し、リーダライタ装置2とこのリーダライタ装置2と近接無線通信する非接触ICカード3とを有する。因みにこの近接無線通信方式としては、例えばFeliCa(R)方式やISO14443A/B等の方式が適用される。
図2に示すようにこの非接触ICカード3は、近接されたリーダライタ装置2から電磁波を受信するアンテナ部4と、当該受信した電磁波を整流することにより非接触ICカード3を駆動させるための駆動電力を生成する駆動電力生成部5とを有する。
この駆動電力生成部5により生成された駆動電力により、非接触ICカード3の制御部6は書込読出部7を制御して、リーダライタ装置2からアンテナ部4及び送受信部8を順次介して受信したデータを不揮発性メモリ9に書き込むデータ書込処理を実行することができると共に、不揮発性メモリ9からデータを読み出しこれを送受信部8及びアンテナ部4を順次介してリーダライタ装置2に対して送信するデータ読出処理を実行することができる。
因みに本実施の形態の場合この制御部6は、プログラムROM(Read Only Memory)10に格納されたプログラムをRAM(Random Access Memory)11に展開し当該展開したプログラムに従って非接触ICカード3全体を制御するための各種処理を実行するCPU(Central Processing Unit)12等を有する。
非接触ICカード3の不揮発性メモリ9は、図3に示すように、リーダライタ装置2からのデータが書き込まれるデータ記憶区域ごとに、そのデータ記憶区域の物理的な位置を示す物理的位置情報(物理アドレス)が対応付けられてなるデータ記憶領域AR1を有する。
またこの非接触ICカード3の不揮発性メモリ9は、リーダライタ装置2に対して論理的に認識させるデータ記憶区域の論理的位置情報(論理アドレス)と、この論理アドレスに対応するデータ記憶区域の物理アドレスと、そのデータ記憶区域に対してリーダライタ装置2に読み出させる有効なデータが記憶されている旨又はそのデータ記憶区域に対して有効なデータが記憶されていない旨の何れかを表す有効情報とを対応付けて記憶する論物アドレス記憶領域AR2を有する。因みに本実施の形態の場合この有効情報は、「1」であるとリーダライタ装置2に読み出させる有効なデータが記憶されている旨を表し、「0」であると有効なデータが記憶されていない旨を表すようになされている。
さらにこの非接触ICカード3の不揮発性メモリ9は、論物アドレス記憶領域AR2を書き換える論物アドレス書換処理を実行している最中である旨又は論物アドレス書換処理を実行している最中ではない旨の何れかを表す書換処理状況情報と、この論物アドレス書換処理により対応する論理アドレスが書き換えられる物理アドレスとを記憶する書換処理情報記憶領域AR3を有する。因みに本実施の形態の場合書換処理状況情報は、「1」であると論物アドレス書換処理を実行している最中である旨を表し、「0」であると論物アドレス書換処理を実行している最中ではない旨を表すようになされている。
この非接触ICカード3の制御部6は、例えば、論理アドレス「A」に対して新データを書き込むようにリーダライタ装置2から命令されると、図5に示すデータ書込処理手順RT1をステップSP1から実行開始する。
すなわちステップSP1において非接触ICカード3の制御部6は、図3(A)に示すように、論物アドレス記憶領域AR2中の有効情報を順次参照する走査処理を実行することにより有効なデータが記憶されていない旨が表された有効情報を検出した後、当該検出した有効情報に対応付けられている物理アドレス「X」を認識し、当該認識した物理アドレス「X」のデータ記憶区域に対して新データを書き込む。
次いで非接触ICカード3の制御部6は、リーダライタ装置2から新データを書き込むように命令された論理アドレス「A」が、新データを書き込んだ物理アドレス「X」のデータ記憶区域を指し示すように、論物アドレス記憶領域AR2を書き換える論物アドレス書換処理を実行する。
すなわち次のステップSP2において非接触ICカード3の制御部6は、図3(B)に示すように、論物アドレス書換処理を実行している最中である旨を表すように書換処理情報記憶領域AR3中の書換処理状況情報を書き換えると共に、新データを書き込んだデータ記憶区域の物理アドレス「X」を書換処理情報記憶領域AR3に記憶(退避)させる。
そして続くステップSP3において非接触ICカード3の制御部6は、図4(C)に示すように、論物アドレス記憶領域AR2において、新データを書き込んだデータ記憶区域の物理アドレス「X」に対応付けられた論理アドレスを、リーダライタ装置2から新データを書き込むように命令された論理アドレス「A」に書き換えるようにすると共に、この物理アドレス「X」に対応付けられている有効情報を、有効なデータが記憶されている旨を表すように書き換える。
次にステップSP4において非接触ICカード3の制御部6は、図4(D)に示すように、論物アドレス記憶領域AR2中の論理アドレスを順次参照する走査処理を実行することにより、新データを書き込んだデータ記憶区域の物理アドレス「X」に対応付けた論理アドレス「A」と同じ論理アドレス「A」を検出し、当該検出した論理アドレス「A」に対応付けられている有効情報を、有効なデータが記憶されていない旨を表すように書き換える。
続いてステップSP5において非接触ICカード3の制御部6は、論物アドレス書換処理を実行している最中でない旨を表すように書換処理情報記憶領域AR3中の書換処理状況情報を変更した後、終了ステップSP6に移ってデータ書込処理手順RT1を終了する。
ところでこの非接触ICカード3の制御部6は、例えば、駆動電力生成部5から供給されていた駆動電力が途絶えたことに起因して、新データを書き込むデータ書込処理を中断してしまった場合、駆動電力生成部5からの駆動電力が供給再開されたとき、この論理アドレス「A」に対応するデータを正しく読み出せるように論物アドレス記憶領域AR2を修正する修正処理手順RT2(図6)を実行するようになされている。
すなわち非接触ICカード3の制御部6は、書換処理情報記憶領域AR3中の書換処理状況情報が論物アドレス書換処理を実行している最中である旨を表していた場合、論物アドレス書換処理を実行している最中にデータ書込処理を中断してしまったと判断し、修正処理手順RT2をステップSP21から開始する。
ステップSP21において非接触ICカード3の制御部6は、例えば、書換処理情報記憶領域AR3に退避した物理アドレス「X」を認識した後、論物アドレス記憶領域AR2中の当該物理アドレス「X」に対応付けられている有効情報を参照し、当該参照した有効情報において有効なデータが記憶されている旨が表されているか否かを判断する。
このステップSP21において否定結果が得られると、このことは、図3(B)に示すように有効情報において有効なデータが記憶されている旨が表されていないことから、ステップSP2の処理後ステップSP3の処理前にデータ書込処理を中断したことを意味しており、このとき非接触ICカード3の制御部6は、ステップSP22に移って論物アドレス書換処理を実行している最中でない旨を表すように書換処理情報記憶領域AR3中の書換処理状況情報を変更した後、終了ステップSP23に移って修正処理手順RT2を終了する。この結果非接触ICカード3の制御部6は、この後に論理アドレス「A」からデータを読み出すようにリーダライタ装置2から命令されると、これに応じて論物アドレス記憶領域AR2を参照することにより、論理アドレス「A」に対応付けられた物理アドレス「Y」を認識し、当該認識した物理アドレス「Y」のデータ記憶区域に記憶されている旧データを読み出すことができる。
これに対してステップSP21において肯定結果が得られると、このことは、図4(C)や(D)に示すように有効情報において有効なデータが記憶されている旨が表されていることから、ステップSP3の処理後にデータ書込処理を中断したことを意味しており、このとき非接触ICカード3の制御部6はステップSP24に移って、この有効情報を有効なデータが記憶されていない旨を表すように書き換える。
次いで非接触ICカード3の制御部6はステップSP25に移り、当該書き換えた有効情報に対応付けられている論理アドレス「A」と同じ論理アドレス「A」を論物アドレス記憶領域AR2中から走査処理により検出し、当該検出した論理アドレス「A」に対応付けられている有効情報において有効なデータが記憶されている旨が表されているか否かを判断する。
このステップSP25において肯定結果が得られると、このことは、図4(C)に示すように、かかる有効情報において有効なデータが記憶されている旨が表されていることから、ステップSP3の処理後ステップSP4の処理前にデータ書込処理を中断したことを意味しており、このとき非接触ICカード3の制御部6は、ステップSP22に移って論物アドレス書換処理を実行している最中でない旨を表すように書換処理情報記憶領域AR3中の書換処理状況情報を書き換えた後、終了ステップSP23に移って修正処理手順RT2を終了する。この結果非接触ICカード3の制御部6は、この後に論理アドレス「A」からデータを読み出すようにリーダライタ装置2から命令されると、これに応じて論物アドレス記憶領域AR2を参照することにより論理アドレス「A」に対応付けられた物理アドレス「Y」を認識し、当該認識した物理アドレス「Y」のデータ記憶区域に記憶されている旧データを読み出すことができる。
これに対してステップSP25において否定結果が得られると、このことは、図4(D)に示すように、かかる有効情報において有効なデータが記憶されている旨が表されていないことから、ステップSP4の処理後ステップSP5の処理前にデータ書込処理を中断したことを意味しており、このとき非接触ICカード3の制御部6はステップSP26に進んで、この有効情報を有効なデータが記憶されている旨を表すように書き換え、次いでステップSP22に移って論物アドレス書換処理を実行している最中でない旨を表すように書換処理情報記憶領域AR3中の書換処理状況情報を書き換えた後、終了ステップSP23に移って修正処理手順RT2を終了する。この結果非接触ICカード3の制御部6は、この後に論理アドレス「A」からデータを読み出すようにリーダライタ装置2から命令されると、これに応じて論物アドレス記憶領域AR2を参照することにより論理アドレス「A」に対応付けられた物理アドレス「Y」を認識し、当該認識した物理アドレス「Y」のデータ記憶区域に記憶されている旧データを読み出すことができる。
このようにしてこの非接触ICカード3によれば、新データを書き込むデータ書込処理を中断したとしても、このデータ書込処理を実行する前の旧データを少なくとも保証することができる。
(2)動作及び効果
以上の構成においてこの近接無線通信システム1は、近接されたリーダライタ装置2から電磁波を受信し当該受信した電磁波を整流することにより駆動電力を生成し当該生成した駆動電力によりデータ書込処理を実行する非接触ICカード3を有する。
この非接触ICカード3の不揮発性メモリ9は、リーダライタ装置2からのデータが書き込まれるデータ記憶区域ごとにそのデータ記憶区域の物理的な位置を示す物理的位置情報(物理アドレス)が対応付けられてなるデータ記憶領域AR1を有する。またこの非接触ICカード3の不揮発性メモリ9は、リーダライタ装置2に対して論理的に認識させるデータ記憶区域の論理的位置情報(論理アドレス)とこの論理アドレスに対応するデータ記憶区域の物理アドレスとそのデータ記憶区域に対してリーダライタ装置2に読み出させる有効なデータが記憶されている旨又はそのデータ記憶区域に対して有効なデータが記憶されていない旨の何れかを表す有効情報とを対応付けて記憶する論物アドレス記憶領域AR2を有する。さらにこの非接触ICカード3の不揮発性メモリ9は、論物アドレス記憶領域AR2を書き換える論物アドレス書換処理を実行している最中である旨又は論物アドレス書換処理を実行している最中ではない旨の何れかを表す書換処理状況情報を記憶すると共に論物アドレス書換処理により対応する論理アドレスが書き換えられる物理アドレスが退避される書換処理情報記憶領域AR3を有する。
また非接触ICカード3の制御部6は、リーダライタ装置2から新データを論理アドレス「A」に対して書き込むように命令されると、当該命令された論理アドレス「A」に対応するデータ記憶区域に対して新データが記憶されるように当該新データを書き込むデータ書込処理を実行するようになされている。
つまりこの非接触ICカード3の制御部6は、論物アドレス記憶領域AR2中の有効情報を順次参照する走査処理を実行することにより有効なデータが記憶されていない旨が表された有効情報を検出した後、当該検出した有効情報に対応付けられている物理アドレス「X」のデータ記憶区域に対して新データを書き込む。
次いで非接触ICカード3の制御部6は、論物アドレス書換処理を実行している最中である旨を表すように書換処理情報記憶領域AR3中の書換処理状況情報を書き換えると共に、新データを書き込んだデータ記憶区域の物理アドレス「X」を書換処理情報記憶領域AR3に退避させる。
続いて非接触ICカード3の制御部6は、論物アドレス記憶領域AR2において、新データを書き込んだデータ記憶区域の物理アドレス「X」に対応付けられた論理アドレスを、リーダライタ装置2から命令された論理アドレス「A」に書き換えると共に、この物理アドレス「X」に対応付けられている有効情報を、有効なデータが記憶されている旨を表すように書き換える。
そして非接触ICカード3の制御部6は、論物アドレス記憶領域AR2中の有効情報を順次参照する走査処理を実行することにより、新データを書き込んだデータ記憶区域の物理アドレス「X」に対応付けた論理アドレス「A」と同じ論理アドレス「A」を検出し、当該検出した論理アドレス「A」に対応付けられている有効情報を、有効なデータが記憶されていない旨を表すように書き換える。
次いで非接触ICカード3の制御部6は、論物アドレス書換処理を実行している最中でない旨を表すように書換処理情報記憶領域AR3中の書換処理状況情報を書き換えた後、データ書込処理を終了する。
かくしてこの非接触ICカード3のデータ書込処理によれば、論物アドレス書換処理を実行する際に、新データを書き込んだデータ記憶区域の物理アドレス「X」のみを退避させておけば良いので、その分従来手法と比べてデータ書込処理時の書き込みデータ量を低減させることができ、この結果処理効率を格段と向上させることができる。
またこの非接触ICカード3の制御部6は、データ書込処理を中断してしまった場合このデータ書込処理の対象となっていたデータを読み出せるように論物アドレス記憶領域AR2を修正する修正処理を実行するようになされている。
すなわち非接触ICカード3の制御部6は、書換処理情報記憶領域AR3中の書換処理状況情報が論物アドレス書換処理を実行している最中である旨を表していた場合、書換処理情報記憶領域AR3に退避されている物理アドレス「X」を認識した後、論物アドレス記憶領域AR2中の当該物理アドレス「X」に対応付けられている有効情報を参照し、当該参照した有効情報において有効なデータが記憶されている旨が表されているか否かを判断する。
ここでこの非接触ICカード3の制御部6は、当該参照した有効情報において有効なデータが記憶されている旨が表されていない場合、論物アドレス書換処理を実行している最中でない旨を表すように書換処理情報記憶領域AR3中の書換処理状況情報を書き換えた後修正処理を終了し、これに対して当該参照した有効情報において有効なデータが記憶されている旨が表されている場合、当該参照した有効情報を有効なデータが記憶されていない旨を表すように書き換えると共に、当該書き換えた有効情報に対応付けられている論理アドレス「A」と同じ論理アドレス「A」を論物アドレス記憶領域AR2中から検出し、当該検出した論理アドレス「A」に対応付けられている有効情報において有効なデータが記憶されている旨が表されているか否かを判断する。
ここでこの非接触ICカード3の制御部6は、当該検出した論理アドレス「A」に対応付けられている有効情報において有効なデータが記憶されている旨が表されている場合、論物アドレス書換処理を実行している最中でない旨を表すように書換処理情報記憶領域AR3中の書換処理状況情報を変更した後修正処理を終了し、これに対して当該検出した論理アドレス「A」に対応付けられている有効情報において有効なデータが記憶されている旨が表されていない場合、この有効情報を有効なデータが記憶されている旨を表すように書き換えた後、論物アドレス書換処理を実行している最中でない旨を表すように書換処理情報記憶領域AR3中の書換処理状況情報を書き換えて修正処理を終了する。
かくしてこの非接触ICカード3の修正処理によれば、新データを書き込むデータ書込処理を中断したとしても、このデータ書込処理を実行する前の旧データを少なくとも保証することができる。
以上の構成によれば、新データを書き込むデータ書込処理を中断したとしてもこのデータ書込処理を実行する前の旧データを少なくとも保証することができる上、処理効率を格段と向上させることができる。
因みにこの非接触ICカード3のデータ書込処理によると、論物アドレス記憶領域AR2に対して走査処理を実行する分読み出しデータ量が増えてしまう。しかしながらEEPROM(Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory)等の不揮発性メモリ9では、データを書き込む処理サイクル(例えば10[ms])よりもデータを読み出す処理サイクル(例えば70[ns])の方が格段と時間が短くて済むので、本実施の形態の構成により格段と処理効率を向上することができる。
(3)他の実施の形態
上述した実施の形態においては、データ書込処理によりデータが書き込まれるメモリとして、EEPROM等の不揮発性メモリ9を適用する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、FeRAM(Ferroelectric Random Access Memory)やフラッシュメモリやハードディスクドライブ等のこの他種々の記憶装置を適用することができる。
また上述した実施の形態においては、書換処理情報記憶領域AR3に対して、書換処理状況情報を記憶させると共に、論物アドレス書換処理により対応する論理アドレスが書き換えられる物理アドレスを退避させるようにしたが、本発明はこれに限らず、書換処理状況情報を記憶させる領域と、論物アドレス書換処理により対応する論理アドレスが書き換えられる物理アドレスを退避させる領域とを、別々に設けるようにしても良い。
また上述した実施の形態においては、非接触ICカード3の制御部6が予めインストールされているプログラムに従って、データ書込処理手順RT1や修正処理手順RT2等をソフトウェア的に実行する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、データ書込処理手順RT1や修正処理手順RT2等を実行するための回路を非接触ICカード3に設けることにより、これら処理手順RT1、RT2をハードウェア的に実行するようにしても良い。またデータ書込処理手順RT1や修正処理手順RT2等を実行するためのプログラムを、CD(Compact Disc)等の記録媒体に記録しておくようにしても良い。
本発明は、例えば、リーダライタ装置に対して近接された際当該近接されたリーダライタ装置から送信されたデータを受信してこれを内部のメモリに書き込むデータ書込処理を実行する非接触ICカード等に利用することができる。
近接無線通信システムの構成を示す略線図である。 本実施の形態による非接触ICカードの構成を示す略線図である。 データ書込処理の説明に供する略線図である。 データ書込処理の説明に供する略線図である。 データ書込処理手順を示すフローチャートである。 修正処理手順を示すフローチャートである。 従来手法によるデータ書込処理の説明に供する略線図である。 従来手法によるデータ書込処理の説明に供する略線図である。
符号の説明
1……近接無線通信システム、2……リーダライタ装置、3……非接触ICカード、6……制御部、9……不揮発性メモリ、AR1……データ記憶領域、AR2……論物アドレス記憶領域、AR3……書換処理情報記憶領域、RT1……データ書込処理手順、RT2……修正処理手順。

Claims (3)

  1. データが書き込まれるデータ記憶区域ごとにそのデータ記憶区域の物理的位置を示す物理アドレスが対応付けられてなるデータ記憶領域と、データ記憶区域の論理的位置を示す論理アドレスとその論理アドレスに対応するデータ記憶区域の物理アドレスとそのデータ記憶区域に対して有効データが記憶されている旨又はそのデータ記憶区域に対して有効データが記憶されていない旨の何れかを表す有効情報とを対応付けて記憶する論物アドレス記憶領域と、上記論物アドレス記憶領域を書き換える論物アドレス書換処理の実行中である旨又は上記論物アドレス書換処理の実行中ではない旨の何れかを表す書換処理状況情報を記憶すると共に上記論物アドレス書換処理により対応する論理アドレスが書き換えられる物理アドレスが退避される書換処理情報記憶領域とを有するメモリと、
    外部から命令された論理アドレスに対応するデータ記憶区域に対してデータが記憶されるように当該データを書き込むデータ書込処理を実行する書込処理部と、
    を具え、
    上記データ書込処理では、
    上記論物アドレス記憶領域に記憶された有効情報の中から有効データが記憶されていない旨が表された有効情報を検出し当該検出した有効情報に対応付けられている物理アドレスのデータ記憶区域に対してデータを書き込み、上記論物アドレス書換処理の実行中である旨を表すように上記書換処理情報記憶領域中の書換処理状況情報を書き換えると共に当該データを書き込んだデータ記憶区域の物理アドレスを上記書換処理情報記憶領域に退避させ、当該データを書き込んだデータ記憶区域の物理アドレスに対応付けられた論理アドレスを外部から命令された論理アドレスに書き換えると共に当該物理アドレスに対応付けられている有効情報を有効データが記憶されている旨を表すように書き換え、上記論物アドレス記憶領域の中から当該物理アドレスに対応付けた論理アドレスと同じ論理アドレスを検出し当該検出した論理アドレスに対応付けられている有効情報を有効データが記憶されていない旨を表すように書き換え、上記論物アドレス書換処理の実行中ではない旨を表すように上記書換処理情報記憶領域中の書換処理状況情報を書き換える
    ことを特徴とする記憶装置。
  2. 上記データ書込処理を中断した場合上記データ書込処理の対象となっていたデータを読み出せるように上記論物アドレス記憶領域を修正する修正処理を実行する修正処理部を具え、
    上記修正処理では、
    上記書換処理情報記憶領域中の書換処理状況情報が上記論物アドレス書換処理の実行中である旨を表していた場合上記書換処理情報記憶領域に退避されている物理アドレスを認識した後上記論物アドレス記憶領域において当該認識した物理アドレスに対応付けられている有効情報を参照し当該参照した有効情報において有効データが記憶されている旨が表されているか否かを判断し、当該参照した有効情報において有効データが記憶されている旨が表されていない場合上記論物アドレス書換処理の実行中ではない旨を表すように上記書換処理情報記憶領域中の書換処理状況情報を書き換えた後上記修正処理を終了し、これに対して当該参照した有効情報において有効データが記憶されている旨が表されている場合当該参照した有効情報を有効データが記憶されていない旨を表すように書き換えると共に当該書き換えた有効情報に対応付けられている論理アドレスと同じ論理アドレスを上記論物アドレス記憶領域中から検出し当該検出した論理アドレスに対応付けられている有効情報において有効データが記憶されている旨が表されているか否かを判断し、当該対応付けられている有効情報において有効データが記憶されている旨が表されている場合上記論物アドレス書換処理の実行中でない旨を表すように上記書換処理情報記憶領域中の書換処理状況情報を書き換えた後上記修正処理を終了し、これに対して当該対応付けられている有効情報において有効データが記憶されている旨が表されていない場合当該対応付けられている有効情報を有効データが記憶されている旨を表すように書き換えた後上記論物アドレス書換処理の実行中でない旨を表すように上記書換処理情報記憶領域中の書換処理状況情報を書き換えて上記修正処理を終了する
    ことを特徴とする請求項1に記載の記憶装置。
  3. データが書き込まれるデータ記憶区域ごとにそのデータ記憶区域の物理的位置を示す物理アドレスが対応付けられてなるデータ記憶領域と、データ記憶区域の論理的位置を示す論理アドレスとその論理アドレスに対応するデータ記憶区域の物理アドレスとそのデータ記憶区域に対して有効データが記憶されている旨又はそのデータ記憶区域に対して有効データが記憶されていない旨の何れかを表す有効情報とを対応付けて記憶する論物アドレス記憶領域と、上記論物アドレス記憶領域を書き換える論物アドレス書換処理の実行中である旨又は上記論物アドレス書換処理の実行中ではない旨の何れかを表す書換処理状況情報を記憶すると共に上記論物アドレス書換処理により対応する論理アドレスが書き換えられる物理アドレスが退避される書換処理情報記憶領域とを有するメモリと、
    外部から命令された論理アドレスに対応するデータ記憶区域に対してデータが記憶されるように当該データを書き込むデータ書込処理を実行する書込処理部と
    を具える記憶装置のデータ書込処理方法であって、
    上記論物アドレス記憶領域に記憶された有効情報の中から有効データが記憶されていない旨が表された有効情報を検出し当該検出した有効情報に対応付けられている物理アドレスのデータ記憶区域に対してデータを書き込み、上記論物アドレス書換処理の実行中である旨を表すように上記書換処理情報記憶領域中の書換処理状況情報を書き換えると共に当該データを書き込んだデータ記憶区域の物理アドレスを上記書換処理情報記憶領域に退避させ、当該データを書き込んだデータ記憶区域の物理アドレスに対応付けられた論理アドレスを外部から命令された論理アドレスに書き換えると共に当該物理アドレスに対応付けられている有効情報を有効データが記憶されている旨を表すように書き換え、上記論物アドレス記憶領域の中から当該物理アドレスに対応付けた論理アドレスと同じ論理アドレスを検出し当該検出した論理アドレスに対応付けられている有効情報を有効データが記憶されていない旨を表すように書き換え、上記論物アドレス書換処理の実行中ではない旨を表すように上記書換処理情報記憶領域中の書換処理状況情報を書き換える
    ことを特徴とするデータ書込処理方法。
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