JP4725674B2 - 固体撮像装置及びその製造方法 - Google Patents
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 69
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 33
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 403
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 127
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 33
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 25
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 7
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 description 20
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 16
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 13
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 13
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 12
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 11
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 8
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910008065 Si-SiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006405 Si—SiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
ウエル領域3の表面に例えばヒ素(As)又はリン(P)等のn型不純物6をイオン注入しn型半導体層7を形成して作成される。
と、各列毎に読み出し用スイッチ素子12の主電極が共通に接続された垂直信号線17と、各列毎に垂直選択用スイッチ素子13の主電極に接続された読み出しパルス線18と、垂直信号線17と水平信号線19に主電極が接続された水平スイッチ素子(例えばMOSトランジスタ)20と、水平スイッチ素子20の制御電極(いわゆるゲート電極)と読み出しパルス線18に接続された水平走査回路21と、水平信号線19に接続されたアンプ22により構成される。
1にトレンチ分離用の溝91を形成する。次いで、溝91の端縁より所定の距離d1 だけ離れるように溝91で分離されたアクティブ領域、即ち画素領域内にレジストマスク97を形成し、このレジストマスク97を介してp型不純物をイオン注入して一部溝91から画素領域側に張り出すように、半導体基板31に第2のp型半導体領域94を形成する。
1にトレンチ分離用の溝91を形成する。次いで、溝91及び溝91の端縁より所要の距離d2 だけ離れた領域部を除いて、他部全面上にレジストマスク101を形成し、このレジストマスク101を介してp型不純物をイオン注入して、後に形成する第1のp型半導体ウエル領域32及び第2のp型半導体ウエル領域32を継ぐための濃度の高いp型半導体層、いわゆるp型半導体プラグ層95を形成する。p型半導体プラグ層95は、溝91を囲うように溝91の側部及び底部にわたって形成される。
1にトレンチ分離用の溝91を形成する。次いで、溝91内に絶縁膜、例えばSiO2 膜92を例えばCVD(化学気相成長)法により埋め込み、平坦化して、溝91及び埋め込み絶縁膜92によるトレンチ素子分離層93を形成する。この後、トレンチ素子分離層93で分離された画素領域を除いてレジストマスク105形成し、このレジストマスク105を介して画素領域に夫々選択的にイオン注入して、基板31の表面側に電荷蓄積領域となるn型半導体領域38を形成し、n型半導体領域38の表面に高濃度のp型半導体領域38を形成する。
Claims (9)
- 第2導電型の半導体領域に形成された第1導電型の第1の半導体ウェル領域と、
前記第1の半導体ウェル領域の上に形成された高抵抗半導体領域と、
前記高抵抗半導体領域の表面に形成された第2導電型の電荷蓄積領域とからなり、前記高抵抗半導体領域が前記電荷蓄積領域の比抵抗より高い比抵抗を有するセンサ部と、
前記センサ部を画素分離する溝内に絶縁層が埋め込まれたトレンチ素子分離層と、
前記トレンチ素子分離層を囲って前記電荷蓄積領域及び前記高抵抗半導体領域に接し、かつ前記第1導電型の第1の半導体ウェル領域に達する第1導電型の半導体領域と
を有する
固体撮像装置。 - 前記第1導電型の半導体領域が、第1導電型の第2の半導体ウェル領域で形成されている、
請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記第1の半導体ウェル領域が、前記第2導電型の半導体領域の所要の深さ位置に形成され、
前記高抵抗半導体領域が、前記第2導電型の半導体領域の前記第1の半導体ウェル領域で分離された表面側の領域によって形成される
請求項2記載の固体撮像装置。 - 高抵抗半導体領域が、前記分離された表面側の第2導電型の領域で形成される
請求項3記載の固体撮像装置。 - 前記第2の半導体ウェル領域が、前記トレンチ素子分離層の全てを囲って形成され、
前記第1の半導体ウェル領域が、前記第2の半導体ウェル領域のトレンチ素子分離層下に対応する部分で終端される
請求項2乃至4のいずれかに記載の固体撮像装置。 - 前記第1の半導体ウェル領域が、センサ部及びトレンチ素子分離層下を含む全域に形成され、
前記トレンチ素子分離層が前記第2の半導体ウェル領域を貫通して形成される
請求項2乃至4のいずれかに記載の固体撮像装置。 - 前記第2の半導体ウェル領域が、前記センサ部の一方の側面を覆い、且つ前記電荷蓄積領域よりも高い不純物濃度で形成される
請求項2乃至6のいずれかに記載の固体撮像装置。 - 第2導電型の半導体領域に、pn接合型のセンサ部を形成すべき領域を画素分離する部分に溝を形成する工程と、
前記溝を全て囲って前記センサ部を形成すべき領域側に張出す第1導電型の半導体領域を形成する工程と、
前記溝内に絶縁膜を埋め込んでトレンチ素子分離層を形成する工程と、
前記センサ部を形成すべき領域に、前記第1導電型の半導体領域に接して前記第2導電型の半導体領域上に形成した第1導電型の半導体ウェル領域と、前記第1導電型の半導体領域に接して前記第1導電型の半導体ウェル領域上に形成した高抵抗半導体領域と、前記第1導電型の半導体領域に接して前記高抵抗半導体領域の表面に形成した第2導電型の電荷蓄積領域とからなり、前記高抵抗半導体領域が前記電荷蓄積領域の比抵抗より高い比抵抗を有するセンサ部を形成する工程と
を有する固体撮像装置の製造方法。 - 第2導電型の半導体領域に、pn接合型のセンサ部を形成すべき領域を画素分離する部分に溝を形成し、前記溝内に絶縁膜を埋め込んでトレンチ素子分離層を形成する工程と、
前記トレンチ素子分離層の周囲を囲って前記センサ部を形成すべき領域側に張出す第1導電型の半導体領域を形成する工程と、
前記センサ部を形成すべき領域に、前記第1導電型の半導体領域に接して前記第2導電型の半導体領域上に形成した第1導電型の半導体ウェル領域と、前記第1導電型の半導体領域に接して前記第1導電型の半導体ウェル領域上に形成した高抵抗半導体領域と、前記第1導電型の半導体領域に接して前記高抵抗半導体領域の表面に形成した第2導電型の電荷蓄積領域とからなり、前記高抵抗半導体領域が前記電荷蓄積領域の比抵抗より高い比抵抗を有するセンサ部を形成する工程と
を有する固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009252270A JP4725674B2 (ja) | 1999-02-09 | 2009-11-02 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3164499 | 1999-02-09 | ||
JP1999031644 | 1999-02-09 | ||
JP2009252270A JP4725674B2 (ja) | 1999-02-09 | 2009-11-02 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29136399A Division JP4604296B2 (ja) | 1999-02-09 | 1999-10-13 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010028142A JP2010028142A (ja) | 2010-02-04 |
JP4725674B2 true JP4725674B2 (ja) | 2011-07-13 |
Family
ID=41733607
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009252269A Expired - Lifetime JP4725673B2 (ja) | 1999-02-09 | 2009-11-02 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JP2009252271A Expired - Lifetime JP4775486B2 (ja) | 1999-02-09 | 2009-11-02 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JP2009252270A Expired - Lifetime JP4725674B2 (ja) | 1999-02-09 | 2009-11-02 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009252269A Expired - Lifetime JP4725673B2 (ja) | 1999-02-09 | 2009-11-02 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JP2009252271A Expired - Lifetime JP4775486B2 (ja) | 1999-02-09 | 2009-11-02 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (3) | JP4725673B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7097773B2 (ja) * | 2018-07-26 | 2022-07-08 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置、基板および撮像システム |
CN111370435B (zh) * | 2020-03-11 | 2022-11-15 | 深圳市昊岳科技有限公司 | 一种图像传感器及其制造方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6157181A (ja) * | 1984-08-28 | 1986-03-24 | Sharp Corp | 固体撮像装置 |
JPS6189645A (ja) * | 1984-10-09 | 1986-05-07 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH0316263A (ja) * | 1989-06-14 | 1991-01-24 | Hitachi Ltd | 固体撮像素子 |
JPH03273678A (ja) * | 1990-03-23 | 1991-12-04 | Matsushita Electron Corp | 固体撮像装置 |
JPH05145056A (ja) * | 1991-11-19 | 1993-06-11 | Hitachi Ltd | 固体撮像素子 |
KR100242466B1 (ko) * | 1996-06-27 | 2000-02-01 | 김영환 | 채널스탑이온주입에 따른 좁은폭효과 방지를 위한 소자분리 구조를 갖는 반도체장치 및 그 제조방법 |
JPH1098176A (ja) * | 1996-09-19 | 1998-04-14 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
JP3455655B2 (ja) * | 1997-03-03 | 2003-10-14 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置および固体撮像装置応用システム |
KR19990023221A (ko) * | 1997-08-20 | 1999-03-25 | 포만 제프리 엘 | 감광성 소자, 능동 픽셀 센서 소자, 능동 픽셀 센서 감광성 소자 및 능동 픽셀 센서 장치 |
US6026964A (en) * | 1997-08-25 | 2000-02-22 | International Business Machines Corporation | Active pixel sensor cell and method of using |
US5877521A (en) * | 1998-01-08 | 1999-03-02 | International Business Machines Corporation | SOI active pixel cell design with grounded body contact |
-
2009
- 2009-11-02 JP JP2009252269A patent/JP4725673B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2009-11-02 JP JP2009252271A patent/JP4775486B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2009-11-02 JP JP2009252270A patent/JP4725674B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4775486B2 (ja) | 2011-09-21 |
JP2010028141A (ja) | 2010-02-04 |
JP2010028142A (ja) | 2010-02-04 |
JP4725673B2 (ja) | 2011-07-13 |
JP2010028143A (ja) | 2010-02-04 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091102 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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