JP4713190B2 - 面内発光層を含む半導体発光素子 - Google Patents
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Description
軸を有するウルツ鉱型結晶構造を有する平面活性領域(面内偏光活性領域と呼ばれる)を含む。この面内偏光活性領域は、例えば、
又は
InGaN発光層を含むことができる。放出された光偏光方向は、
軸に垂直で且つ量子井戸に平行であり、従って、放出された光の多くは、単一直線偏光状態のものである。幾つかの実施形態においては、ワイヤグリッド接点は、活性領域から放出された光の大部分の偏光を透過又は反射するように配向された偏光子として機能する。幾つかの実施形態においては、同一又は異なる有色光を放出する二つの活性領域は、下部活性領域によって放出された偏光を透過し、上部活性領域によって放出された交差偏光を反射するように配向された偏光子によって隔てられる。幾つかの実施形態においては、偏光子は、波長変換層によって散乱された光を反射する。
又はc面上に成長させる場合が多く、これはこのような基板が広く利用可能であり、取り扱いが容易であることに起因する。結果として得られるIII族窒化物層は、活性領域中に1つ又は複数の発光層を含み、典型的には
層であり、この
軸は、III族窒化物層の面に垂直であることを意味する。このような活性領域によって放出された光は通常、外部から測定されたときに結晶に対してどのような偏光選択も示さない。
本発明の実施形態によれば、III族窒化物発光素子は、結晶
方向がIII族窒化物発光層の面にほぼ平行であるように成長する。このような素子により放出される光は、少なくとも部分的に直線偏光することができる。1つ又は複数のIII族窒化物発光層の面に平行な
方向を有する素子又は結晶層は、c軸が素子の各層に平行か又は各層の面内にあるので、以下「面内」もしくは「面内偏光された」素子又は層と呼ぶ。幾つかの実施形態においては、III族窒化物素子の活性領域内の1つ又は複数の発光層は、四元合金InxAlyGa1-x-yN(0≦x≦1、0≦y≦1、x+y≦1)の
又は
層である。
及び
表面;サファイアの
表面;及びγ−LiALO2の
表面が含まれる。SiC基板の場合、堆積III族窒化物薄膜の配向は、基板の配向と一致する。有機金属化学気相成長技術を使用する場合、面内III族窒化物層を堆積させるプロセスは、
III族窒化物層を
SiC基板上に堆積させるのに使用されるプロセスと類似のものである。AlGaNのバッファ層は、高温(〜1100℃)で直接SiC基板上に堆積する。GaN層はAlGaNバッファ層上に堆積する。発光AlInGaN量子井戸はGaN層上に堆積する。
方向に配向される。有機金属化学気相成長技術を使用する場合、面内III族窒化物層を堆積させるプロセスは、
サファイア基板上に
III族窒化物層を堆積させるのに使用されるプロセスと類似のものである。III族窒化物バッファ層は低温(〜550℃)で直接サファイア基板上に堆積する。GaNの層はIII族窒化物バッファ層上に堆積する。発光AlInGaN量子井戸は、GaN層上に堆積する。
方向に配向される。分子線エピタキシによって面内III族窒化物層を堆積させるプロセスは、低温(〜550℃)でIII族窒化物バッファ層を直接基板上に堆積させる段階と、その後に高温で成長したGaNの層を堆積させる段階とからなる。発光AlInGaN量子井戸はGaN層上に堆積する。
SiC及び
サファイア上に成長したIII族窒化物フォトルミネセンス試験構造体を準備した。475nmで発光するように試験構造を396nmレーザで励起させると、
SiC素子からの光は、約90%を超えて偏光され、また、
サファイア素子からの光は、約80%が偏光された。この試験構造体を電気的に励起させると、
SiC素子からの光は、70−80%が偏光された。偏光パーセントは、以下のように定義される。
上式で、Ip及びIsは、垂直偏光及び水平偏光された光の強度である。本発明の実施形態は、少なくとも50%偏光された光を放出する素子を含むことができる。非偏光は、極めて多数の個々の原子、分子、又は電子−正孔ペアからの極めて多数のフォトン放出からなる。各フォトンは、ランダムであるが、一定の偏光方向を有するようになり、連続するこのようなフォトンは、場合によっては毎秒1億を超える極めて高速で放出されるようになる。非偏光では、各原子、分子、又は電子−正孔ペアの偏光合計は、1億分の1秒よりもはるかに大きなタイムスケールにわたってサンプリングすると合計でゼロになる。従って、非偏光は0%偏光である。
軸を備えた従来のIII族窒化物素子においては、III族窒化物層の吸収は、入射光の偏光には無関係である。従って、活性領域によって放出されたフォトンは、その偏光に関係なく活性領域において再吸収される均等な機会がある。再吸収の大部分は、フォトンが半導体−空気界面、又は半導体−成長基板界面で全反射されることによって生じるものである。このようなフォトンは、素子を出る別の機会に遭遇する前に素子を通って「案内」されて、活性領域を通り抜けなければならない。
軸と直角に直線偏光される。素子中のIII族窒化物層は、この同じ方向に沿って偏光された光を優先的に吸収する。従って、図9A及び図9Bに示された素子は、光を反射して素子に戻すための、反射器67によって支持された偏光回転層66又は偏光ランダム化面68の何れかの偏光切換面を含む。切換面上に入射する光は、この偏光の回転又はランダム化を受けることになり、光が再吸収されることになる確率が低下する。偏光ランダム化構造体68の1つの例は、(図9Bに示されたp型領域6の表面上のような)エピタキシャル構造体の表面上、又は素子の基板側上の何れかにある粗い散乱表面である。この表面は、三次元的成長を助ける成長条件を選択することによって、又は成長後に、例えば表面をエッチングすること、あるいは研削グリットを使用するなどの機械的に粗面化することによって粗くすることができる。偏光回転構造体66の1つの例は、金属接点とエピタキシャル表面との間又は(図9Aに示されたp接点64及びp型領域6に隣接するような)これらに隣接して配置された、あるいは素子の基板側上に配置された複屈折誘電体である。III族窒化物結晶もまた同様に複屈折であるので、光が活性領域4を透過して基板60に向かって戻るときに光が吸収される可能性を低減するために、偏光回転構造体66は、光が活性領域4からp型領域6を通って偏光回転構造体66まで進み、またp型領域6を通って戻るときに偏光の全ての回転の合計が90度であるように選択されなければならない。図9A及び図9Bに示された素子においては、p接点64は、複数の均等に間隔を置いて配置された金属列又は格子として形成される。p接点区域64の厚み及び間隔は、p型領域6においては適当な電流拡散が存在するが、偏光切換構造体によって覆われたp型領域6の表面は最大になるように選択される。図9A及び図9Bにおいて、p接点64によって覆われたp型領域6の範囲では、凹凸が付けられた領域68又は複屈折材料66がエッチングによって除去されなければならない場合がある。
3a、3b エピタキシャル構造体
4 面内活性領域
6 p型領域
8 反射性接点
10 ホスト基板
12 偏光子
18 第2の接点
20、22、24、26 光線
Claims (13)
- 順方向バイアスされたときに少なくとも50%偏光された光を放出するように構成された、n型領域とp型領域との間に挟まれた活性領域を含むエピタキシャル構造体と、
前記活性領域によって放出された光の経路内に配置され、前記活性領域によって放出された光の大部分の偏光を透過するように配向される偏光子と、
を備え、
波長変換材料を更に含み、前記偏光子は前記エピタキシャル構造体と前記波長変換材料との間に配置される構造体。 - 前記活性領域は、順方向バイアスされたときに少なくとも80%偏光される光を放出するように構成される請求項1に記載の構造体。
- 前記エピタキシャル構造体に結合されたホスト基板を更に含み、前記偏光子は均等に間隔を置いて配置された平行する複数の金属列を含む請求項1に記載の構造体。
- 前記金属列の各々は、10nmと1000nm厚の間であり、前記金属列は10nmと1000nm間隔で配置される請求項5に記載の構造体。
- 前記金属列の各々は、50nmと80nm厚の間であり、前記金属列は100nmと200nm間隔で配置される請求項5に記載の構造体。
- 前記均等に間隔を置いて平行に配置された金属列は、金、銀、アルミニウム、及びロジウムの少なくとも1つを含む請求項5に記載の構造体。
- 前記p型領域と前記ホスト基板との間に配置された反射性接点を更に含み、前記偏光子は前記n型領域上に配置され、前記n型領域に対する電気接点を形成する請求項5に記載の構造体。
- 前記n型領域、p型領域、及び活性領域の合計厚みは、0.1と1ミクロンの間である請求項9に記載の構造体。
- 順方向バイアスされたときに少なくとも50%偏光された光を放出するように構成された、第1のn型領域と第1のp型領域との間に挟まれた第1の活性領域を含む第1のエピタキシャル構造体と、
順方向バイアスされたときに少なくとも50%偏光された光を放出するように構成された、第2のn型領域と第2p型領域との間に挟まれた第2の活性領域を含む第2のエピタキシャル構造体と、
前記第1のエピタキシャル構造体と前記第2のエピタキシャル構造体との間に配置され、前記第1の活性領域によって放出された光の大部分の偏光を透過するように配向され、前記第2の活性領域によって放出された光の大部分の偏光を反射するように配向される偏光子と、
を備えた構造体。 - 前記第1の活性領域及び前記第2の活性領域は、同色の光を放出する請求項11に記載の構造体。
- 前記第1の活性領域及び前記第2の活性領域は、異なる色の光を放出する請求項11に記載の構造体。
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