JP4712994B2 - プラズマ処理装置及び方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title description 9
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 claims description 84
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 19
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 21
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- NCGICGYLBXGBGN-UHFFFAOYSA-N 3-morpholin-4-yl-1-oxa-3-azonia-2-azanidacyclopent-3-en-5-imine;hydrochloride Chemical compound Cl.[N-]1OC(=N)C=[N+]1N1CCOCC1 NCGICGYLBXGBGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003094 perturbing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
- H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
- H01J37/3222—Antennas
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ラジアルアンテナから処理容器内に電磁界を供給し、処理容器内に生成されたプラズマを用いて被処理体に対して処理を行うプラズマ処理装置及び方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置やフラットパネルディスプレイの製造において、酸化膜の形成や半導体層の結晶成長、エッチング、またアッシングなどの処理を行うために、プラズマ処理装置が多用されている。これらのプラズマ処理装置の一つに、アンテナから処理容器内に高周波電磁界を供給し、その電磁界の作用により処理容器内のガスを電離させてプラズマを生成する高周波プラズマ処理装置がある。この高周波プラズマ処理装置は、低圧力で高密度のプラズマを生成できるので、効率のよいプラズマ処理が可能である。
高周波プラズマ処理装置において、プラズマの生成効率を向上させるためには、電磁界を効率よくプラズマ内に入射させる必要がある。その手段として、ラジアルアンテナに円偏波給電する方式が提案されている。以下、その方式について説明する。
【０００３】
図６は、ラジアルアンテナに円偏波給電する方式の従来の高周波プラズマ処理装置の構成を示す断面図である。
このプラズマ処理装置は、上部が開口している有底円筒形の処理容器１１１を有している。この処理容器１１１の底部には基板台１２２が固定され、この基板台１２２の上面に被処理体である基板１２１が配置される。処理容器１１１の側壁には、プラズマガス供給用のノズル１１７が設けられ、処理容器１１１の底部には、真空排気用の排気口１１６が設けられている。処理容器１１１の上部開口は、そこからプラズマが外部に漏れないように、誘電体板１１３で塞がれている。
【０００４】
この誘電体板１１３の上にラジアルアンテナ１３０が配置されている。このラジアルアンテナ１３０は、ラジアル導波路１３３を形成する互いに平行な２枚の円形導体板１３１，１３２と、これらの導体板１３１，１３２の外周部を接続する導体リング１３４とから構成されている。ここでは、ラジアルアンテナ１３０の直径を、ラジアルアンテナ１３０の内部すなわちラジアル導波路１３３内における電磁界の管内波長λg の４倍とする。
ラジアル導波路１３３の放射面となる導体板１３１には、スロット１３６が複数形成されている。このスロット１３６は、図７に示すように、導体板１３１の半径方向に垂直な周方向に沿って、同心円上に配置されている。
【０００５】
ラジアル導波路１３３の背面となる導体板１３２の中心部には、電磁界Ｆの導入口１３５が形成され、この導入口１３５には円筒導波管１４１を介して高周波発生器１４４が接続されている。また、ラジアルアンテナ１３０にＴＥ11円偏波給電するため、円筒導波管１４１には円偏波変換器１４２が設けられている。
なお、誘電体板１１３及びラジアルアンテナ１３０の外周は環状のシールド材１１２によって覆われ、電磁界Ｆが外部に漏れない構造になっている。
【０００６】
図８は、ラジアルアンテナ１３０の内部、すなわちラジアル導波路１３３内の電界の状態を示す図である。この図において、（ａ）はある時点における電界の波面を示す概念図、（ｂ）はラジアル導波路１３３の半径方向の電界の波形を示す図、（ｃ）はラジアル導波路１３３の周方向の電界の波形を示す図である。
ＴＥ11円偏波給電されたラジアルアンテナ１３０の内部では、ラジアル導波路１３３の中心部から周縁部に向かって伝搬してゆく電磁界Ｆの進行波と、導体リング１３４で反射されて中心部に向かって戻ってゆく反射波とが重なり、ラジアル導波路１３３の半径方向に電界Ｅの振幅分布が定まった定在波が現れる。この定在波の半径方向の電界波形は、図８（ｂ）に示すような波の数が４の正弦波形となる。また、上記定在波の周方向の電界波形は、図８（ｃ）に示すような波の数が１の正弦波形となる。図８（ｃ）のＡ点〜Ｄ点は、図８（ａ）のＡ点〜Ｄ点に対応している。
【０００７】
この半径方向に振幅分布が定まった電界は、ラジアル導波路１３３の周方向には進行波となり、ラジアル導波路１３３に供給された電磁界Ｆの周波数と同じ周波数で回転する。
ラジアル導波路１３３の半径Ｒの領域を周方向に回転する進行波の波長は２πＲとなる。したがって、現実の管内波長λg ＜２πＲとなる領域では、ラジアル導波路１３３の周方向において、管内波長が長くなったように見える。給電周波数が２．４５ＧＨｚのように高い場合には、ラジアル導波路１３３の中心部を除くほとんどの領域でλg ＜２πＲが成り立つ。
ラジアルアンテナ１３０内の比誘電率をε1 、真空中における電磁界の波長をλ0 とすると、
λg ＝ λ0／ε1 1/2
であるから、ラジアルアンテナ１３０内の比誘電率ε1 は見かけ上、小さくなる。
【０００８】
図９は、ラジアルアンテナ１３０の放射面と、処理容器１１１内のプラズマＰとの境界部分を拡大して示す概念図である。
図６に示した誘電体板１１３を含むアンテナ１３０の放射面とプラズマＰの表面との間の領域１５０の比誘電率をε2 、プラズマＰ内の比誘電率をε3 とすると、プラズマＰの表面の法線方向に対する電磁界Ｆの入射角度θは、領域１５０の比誘電率ε２に依存せず、
θ＝sin-1(ε1／ε3)1/2 ・・・（１）
で表されることが知られている。この（１）式が解をもち、電磁界ＦがプラズマＰ内に進入するには、
ε1 ＜ ε3 ・・・（２）
となる必要がある。
【０００９】
上述したように、図６に示したプラズマ処理装置では、ラジアルアンテナ１３０にＴＥ11円偏波給電することにより、ラジアルアンテナ１３０内の比誘電率ε1 を見かけの上で小さくすることができる。したがって、（２）式を満たすようにすることにより、電磁界Ｆの反射量を低減して、電磁界Ｆを効率よくプラズマＰ内に入射させることができる。
図１０は、図６に示したプラズマ処理装置において、電磁界Ｆの入射角度θの半径方向変化を示す図である。給電周波数は２．４５ＧＨｚであり、プラズマＰ内の比誘電率ε3 の平均値を０．５とした。横軸は処理容器１１１の中心軸からの半径方向の距離ｒ［ｃｍ］、縦軸はプラズマＰへの電磁界Ｆの入射角度θ［゜］である。電磁界Ｆの入射角度θは、ｒ＝５ｃｍの位置で約３４゜であり、ｒが大きくなるのに反比例して小さくなり、ｒが１６ｃｍ以上の領域では１０゜以下となっている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
一般に、高周波プラズマ処理装置では、プラズマＰへの電磁界Ｆの入射角度θが大きいほど、電磁界Ｆの吸収効率が大きくなり、効率よくプラズマを生成できることが知られている。したがって、図６に示した従来のプラズマ処理装置では、電磁界Ｆの入射角度θが小さい処理容器１１１の中心軸から離れた領域において、プラズマを効率よく生成できないという問題があった。
また、被処理体の基板１２１の大口径化の要求に応えるため、処理容器１１１及びラジアルアンテナ１３０の口径を大きくすると、処理容器１１１の中心軸から側壁までの距離が大きくなるので、側壁に近い領域では電磁界Ｆの入射角度θが更に小さくなり、プラズマ生成効率の低下は更に顕著になる。
本発明はこのような課題を解決するためになされたものであり、その目的は、プラズマの生成効率の向上にある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するために、本発明のプラズマ処理装置は、処理容器内に電磁界を供給するラジアルアンテナのスロットが、ラジアルアンテナ内における電磁界の波長の略Ｎ倍（Ｎは自然数）の間隔の渦巻線上に配置されていることを特徴とする。スロットを渦巻線上に配置すると、同心円上に配置した場合と比較して、電磁界の１周期当たりの各スロットにおける位相変化が大きくなる。この位相変化に比例して、ラジアルアンテナ内の比誘電率も見かけの上で大きくなる。よって、プラズマ表面の法線方向に対する電磁界の入射角度を大きくすることができる。また、スロットが配置される渦巻線の間隔を、ラジアルアンテナ内における電磁界の波長の略Ｎ倍とすることにより、電磁界の入射角度がラジアルアンテナの半径方向でそろうので、ラジアルアンテナから処理容器内へ効率よく電磁界を供給することができる。なお、ラジアルアンテナの放射面とプラズマ表面との間隔が、上記放射面とプラズマ表面との間の領域における電磁界の波長の１／２以下の場合は、渦巻線の間隔をラジアルアンテナ内における電磁界の波長の略Ｎ倍としなくてもよい。
電磁界を回転モードで給電しない場合には、Ｎ≧３とすることが望ましい。これにより、処理容器及びラジアルアンテナを大口径化した場合でも、処理容器の側壁に近い領域における電磁界の入射角度を十分大きくすることができる。
【００１２】
また、上述したプラズマ処理装置において、ラジアルアンテナの中心部に接続され回転モードで電磁界を給電する給電手段を備えるようにしてもよい。これにより、電磁界の１周期当たりの各スロットにおける位相変化が２π（ラジアン）だけ大きくなる。これにより、ラジアルアンテナ内の比誘電率も見かけの上で更に大きくなるので、電磁界の入射角度を更に大きくすることができる。
電磁界を回転モードで給電する場合には、Ｎ≧２とすることが望ましい。これにより、回転モードで給電しない場合にＮ≧３とするのと同じ条件となる。
【００１３】
本発明のプラズマ処理方法は、処理容器内に被処理体を配置し、ラジアルアンテナの放射面に複数配置されたスロットから電磁界を処理容器内に供給し、処理容器内に生成されたプラズマを用いて被処理体に対して処理を行うプラズマ処理方法において、ラジアルアンテナのスロットをそのラジアルアンテナ内における電磁界の波長の略Ｎ倍（Ｎは自然数）の間隔の渦巻線上に配置することを特徴とする。ここで、電磁界を回転モードで給電しない場合には、Ｎ≧３とすることが望ましい。
また、ラジアルアンテナの中心部から回転モードで電磁界を給電するようにしてもよい。ここで、電磁界を回転モードで給電する場合には、Ｎ≧２とすることが望ましい。
【００１４】
【発明の実施の形態】
次に、図面を参照して、本発明の一実施の形態を詳細に説明する。ここでは、本発明をエッチング装置に適用した場合を例に説明する。図１は、本発明の一実施の形態であるエッチング装置の構成を示す断面図である。
このプラズマ処理装置は、上部が開口している有底円筒形の処理容器１１を有している。この処理容器１１の底部には基板台２２が固定され、この基板台２２の上面に被処理体である基板２１が配置される。処理容器１１の側壁には、処理容器１１内にＡｒなどのプラズマガスやＣＦ4 などのエッチングガスを導入するためのノズル１７が設けられている。処理容器１１の底部には、真空排気用の排気口１６が設けられている。処理容器１１の上部開口は、そこからプラズマが外部に漏れないように、誘電体板１３で塞がれている。
【００１５】
この誘電体板１３の上にラジアルアンテナ３０が配置されている。このラジアルアンテナ３０は、誘電体板１３によって処理容器１１から隔離されており、処理容器１１内で生成されるプラズマＰから保護されている。誘電体板１３及びラジアルアンテナ３０の外周は、処理容器１１の側壁上に環状に配置されたシールド材１２によって覆われ、電磁界Ｆが外部に漏れない構造になっている。
【００１６】
ラジアルアンテナ３０の中央部は、円筒導波管４１によって高周波発生器４４に接続されている。この高周波発生器４４は、１ＧＨｚ〜十数ＧＨｚの範囲内の所定周波数の高周波電磁界Ｆを発生するものである。円筒導波管４１の途中には、インピーダンスマッチングを図るためのマッチング回路４３と、円筒導波管４１を伝搬する電界の主方向を管軸を中心にして回転させる円偏波変換器４２が設けられている。マッチング回路４３は、高周波発生器４４と円偏波変換器４２との間にあってもよいし、円偏波変換器４２とラジアルアンテナ３０との間にあってもよい。以上の円筒導波管４１と円偏波変換器４２とマッチング回路４３と高周波発生器４４とにより、ラジアルアンテナ３０にＴＥ11円偏波給電する給電手段が構成される。
【００１７】
次に、ラジアルアンテナ３０の構成について更に説明する。
ラジアルアンテナ３０は、ラジアル導波路３３を形成する互いに平行な２枚の円形導体板３１，３２と、これらの導体板３１，３２の外周部を接続してシールドする導体リング３４とから構成されている。導体板３１，３２及び導体リング３４は、銅又はアルミニウムなどの導体で形成されている。
ラジアル導波路３３の上面となる導体板３２の中心部には、ラジアル導波路３３内に電磁界Ｆを導入する導入口３５が形成され、この導入口３５に上述した円筒導波管４１が接続されている。
【００１８】
ラジアル導波路３３の内部において、導体板３１の中心部には、導入口３５に向かって突出する円錐部材３７が設けられている。この円錐部材３７も導体板３１，３２等と同じ導体で形成されている。この円錐部材３７により、円筒導波管４１を伝搬してきた電磁界Ｆをラジアル導波路３３内へ良好に導波することができる。
ラジアル導波路３３の下面となる導体板３１には、ラジアル導波路３３内を伝搬する電磁界Ｆを処理容器１１内に供給するスロット３６が複数形成されている。この導体板３１がラジアルアンテナ３０の放射面を構成する。
ここでは、ラジアルアンテナ３０の直径を、ラジアルアンテナ３０の内部すなわちラジアル導波路３３内における電磁界の管内波長λg の８倍とする。
【００１９】
図２は、図１に示すII−II′線方向からみたラジアルアンテナ３０の平面図である。
ラジアルアンテナ３０の放射面に形成されたスロット３６は、放射面の中心部Ｏから周縁部に向かう渦巻線（螺旋ともいう）上に配置されている。回転モードで電磁界を供給する場合、渦巻線の回転方向は、ラジアルアンテナ３０内の電磁界の回転方向と同じ方向とする。なお、スロット３６の形状は、曲線状でもよいし、直線状でもよい。
図２に示した渦巻線は、いわゆるアルキメデスの渦巻線であり、極座標（ｒ，θ）で表すと、
ｒ＝ａθ ・・・（３）
となる。ａは定数であり、ここではａ＝λg/πとしている。λg はラジアルアンテナ３０内における電磁界の管内波長である。渦巻線上の一点Ｑ1 から渦巻線上を１回転（２π）したときの点をＱ2 とし、点Ｑ1 と点Ｑ2 との間隔を渦巻線の間隔ｄと定義すると、この渦巻線の間隔ｄは２λg となっている。
【００２０】
図３は、ラジアルアンテナ３０の内部、すなわちラジアル導波路３３内の電界の状態を示す図である。この図において、（ａ）はある時点における電界の波面を示す概念図、（ｂ）はラジアル導波路３３の半径方向の電界の波形を示す図、（ｃ）はラジアル導波路３３の周方向の電界の波形を示す図である。ラジアルアンテナ３０にＴＥ11円偏波給電すると、ラジアルアンテナ３０内の電界は図８に示したのと同様に、半径方向には波長λg の定在波となり、周方向には進行波となり給電周波数と同じ周波数で回転する。
したがって、間隔ｄ＝２λg の渦巻線上を点Ｑ1 から点Ｑ2 まで１回転したときの電磁界の位相変化は、周方向の位相変化２π（ラジアン）と半径方向の位相変化２×２π（ラジアン）との和から６π（ラジアン）となる。よって、間隔ｄ＝２λg の渦巻線上にスロット３６を配置することにより、進行波が１回転する１周期当たりの各スロット３６における位相変化は６π（ラジアン）となる。
【００２１】
従来のようにスロット１３６を同心円上に配置した場合、１周期当たりの各スロット１３６における電磁界の位相変化は、周方向の位相変化２π（ラジアン）のみであるから、間隔ｄ＝２λg の渦巻線上にスロット３６を配置することにより、上記位相変化が３倍になったことになる。したがって、１周期当たりの電磁界の位相変化に比例する波数ｋも３倍になる。波数ｋは比誘電率ε1 の平方根に比例するので、波数ｋが３倍になったことにより、アンテナ３０内の比誘電率ε1 も見かけ上９倍になる。
【００２２】
処理容器１１内に生成されたプラズマＰ内の比誘電率をε3 とすると、プラズマＰの表面の法線方向に対する電磁界Ｆの入射角度θは、上記（１）式のようになる。したがって、上述したようにスロット３６を渦巻線上に配置して、アンテナ３０内の比誘電率ε１を見かけの上で大きくすることにより、プラズマＰへの電磁界Ｆの入射角度θを大きくすることができる。これにより、プラズマＰによる電磁界Ｆの吸収効率が大きくなるので、従来よりも効率よくプラズマを生成することができる。
【００２３】
図４は、電磁界Ｆの入射角度θの半径方向変化を示す図である。給電周波数は２．４５ＧＨｚであり、プラズマＰ内の比誘電率ε3 の平均値を０．５とした。横軸は処理容器の中心軸からの半径方向の距離ｒ［ｃｍ］、縦軸はプラズマＰへの電磁界Ｆの入射角度θ［゜］である。点線は図６，図７に示したラジアルアンテナ１３０に円偏波給電したときの入射角度θであり、実線は図１，図２に示したラジアルアンテナ３０を円偏波給電したときの入射角度θである。
図４から、間隔ｄ＝２λg の渦巻線上にスロット３６を配置することにより、ｒが３０ｃｍの領域でも入射角度θは１５．７゜であり、十分に大きいことが分かる。よって、被処理体の基板２１の大口径化の要求に応えるため、処理容器１１及びラジアルアンテナ３０の口径を大きくしても、処理容器１１の側壁に近い領域でのプラズマ生成効率の低下を防止することができる。
【００２４】
以上では、図２に示したラジアルアンテナ３０のように１本の渦巻線上にスロット３６を配置した例を用いて説明したが、図５に示すラジアルアンテナ３０Ａのように放射面の中心Ｏの周りに等間隔に位置する複数の渦巻線上にスロット３６を配置するようにしてもよい。なお、各渦巻線の間隔ｄはすべて等しく、ｄ＝２λg である。このように複数の渦巻線上にスロット３６を配置することにより、放射面上におけるスロット３６の密度が大きくなるので、放射効率を向上させることができる。
複数の渦巻線上にスロット３６を配置すると、放射面の内側領域（中心Ｏに近い領域）のスロット密度が外側領域（周縁に近い領域）よりも高くなる傾向がある。したがって、内側領域のスロット密度が高くなりすぎる場合には、内側領域にもスロット３６を配置する渦巻線と、内側領域にはスロット３６を配置しない渦巻線とを交互に設けるようにしてもよい。または、放射面の内側領域のスロット長を相対的に短く、外側領域のスロット長を相対的に長くしてもよい。
【００２５】
また、スロット３６を配置する渦巻線の間隔ｄは管内波長λg の略自然数Ｎ倍であればよい。これにより、プラズマＰへの電磁界Ｆの入射角度θがラジアルアンテナ３０，３０Ａの半径方向でそろうので、ラジアルアンテナ３０，３０Ａから処理容器１１内へ効率よく電磁界Ｆを供給することができる。ただし、渦巻線の間隔ｄは厳密にＮ×λg である必要はなく、およそ（Ｎ±０．１）×λg の範囲で許容される。なお、間隔ｄ＝Ｎ×λg の渦巻線上にスロット３６を配置したラジアルアンテナに円偏波給電した場合、１周期当たりの各スロット３６における位相変化は、（Ｎ＋１）×２π（ラジアン）となる。
【００２６】
Ｎが大きくなれば、ラジアルアンテナ３０，３０Ａ内の見かけの比誘電率ε1 も大きくなる。したがって、ラジアルアンテナ３０，３０Ａに円偏波給電する場合には、Ｎ≧２であれば、処理容器１１及びラジアルアンテナ３０の口径を大きくしても、処理容器１１の側壁に近い領域でのプラズマ生成効率の低下を防止することができる。
【００２７】
また、図１に示したエッチング装置では、円筒導波管４１と円偏波変換器４２とマッチング回路４３と高周波発生器４４とからなる給電手段を用いて、ラジアルアンテナ３０にＴＥ11円偏波給電するようにしたが、ラジアルアンテナ３０，３０Ａに回転モードで電磁界を給電すれば同様の効果が得られる。回転モードで電磁界を給電する他の方法には、例えば、キャビティー内でＴＭ１１モードの電磁界に摂動を与えて回転させ、その回転させた電磁界をラジアルアンテナ３０，３０Ａに供給する方法がある。
【００２８】
しかし、必ずしもラジアルアンテナ３０，３０Ａに回転モードで給電する必要はない。間隔ｄ＝Ｎ×λg の渦巻線上にスロット３６を配置したラジアルアンテナ３０，３０Ａに例えば同軸給電した場合、１周期当たりの各スロット３６における位相変化は、周方向の位相変化２π（ラジアン）がなくなり、半径方向の位相変化Ｎ×２π（ラジアン）のみとなる。したがって、回転モードで給電しなくても、スロット３６を配置する渦巻線の間隔ｄを回転モードで給電した場合よりもλg だけ大きくとれば、同様の効果を得られる。よって、ラジアルアンテナ３０，３０Ａに回転モードで給電しない場合には、Ｎ≧３とすることにより、処理容器１１及びラジアルアンテナ３０の口径を大きくしても、処理容器１１の側壁に近い領域でのプラズマ生成効率の低下を防止することができる。
【００２９】
また、図２，図５に示したラジアルアンテナ３０，３０Ａでは、すべてのスロット３６の長手方向が渦巻線に沿うように配置されているが、「ハ」の字に近い延長線上で互いに直交する２個のスロットを１対とする複数対のスロットを、間隔ｄ＝Ｎ×λg の渦巻線上に配置するようにしてもよい。
また、本発明のプラズマ処理装置は、ＥＣＲ(electron cyclotron resonance)プラズマ処理装置にも適用することができる。また、エッチング装置のほか、プラズマＣＶＤ装置などに利用することもできる。
【００３０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明では、処理容器内に電磁界を供給するラジアルアンテナのスロットを、ラジアルアンテナ内における電磁界の波長の略Ｎ倍（Ｎは自然数）の間隔の渦巻線上に配置する。スロットを渦巻線上に配置すると、同心円上に配置した場合と比較して、電磁界の１周期当たりの各スロットにおける位相変化が大きくなる。この位相変化に比例して、ラジアルアンテナ内の比誘電率も見かけの上で大きくなる。よって、プラズマ表面の法線方向に対する電磁界の入射角度を大きくして、プラズマの生成効率を高めることができる。また、スロットが配置される渦巻線の間隔を、ラジアルアンテナ内における電磁界の波長の略Ｎ倍（Ｎは自然数）とすることにより、電磁界の入射角度がラジアルアンテナの半径方向でそろうので、ラジアルアンテナから処理容器内へ効率よく電磁界を供給し、プラズマの生成効率を高めることができる。
【００３１】
また、ラジアルアンテナの中心部から回転モードで電磁界を給電することにより、電磁界の１周期当たりの各スロットにおける位相変化が２π（ラジアン）だけ大きくなる。これにより、ラジアルアンテナ内の比誘電率も見かけの上で更に大きくなるので、プラズマの生成効率を更に高めることができる。
また、電磁界を回転モードで給電しない場合にはＮ≧３とし、電磁界を回転モードで給電する場合にはＮ≧２とすることにより、処理容器及びラジアルアンテナを大口径化した場合でも、処理容器の側壁に近い領域で十分なプラズマ生成効率を得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の一実施の形態であるエッチング装置の構成を示す断面図である。
【図２】 図１に示すII−II′線方向からみたラジアルアンテナの放射面の平面図である。
【図３】 ラジアルアンテナの内部、すなわちラジアル導波路内の電界の状態を示す図である。
【図４】 電磁界の入射角度の半径方向変化を示す図である。
【図５】 ラジアルアンテナの放射面の他の構成例を示す平面図である。
【図６】 ラジアルアンテナに円偏波給電する方式の従来の高周波プラズマ処理装置の構成を示す断面図である。
【図７】 ラジアルアンテナの放射面の構成を示す平面図である。
【図８】 ラジアルアンテナの内部、すなわちラジアル導波路内の電界の状態を示す図である。
【図９】 ラジアルアンテナの放射面と処理容器内のプラズマとの境界部分を拡大して示す概念図である。
【図１０】 電磁界の入射角度の半径方向変化を示す図である。
【符号の説明】
１１…処理容器、１２…シールド材、１３…誘電体板、１６…排気口、１７…ノズル、２１…基板、２２…基板台、３０，３０Ａ…ラジアルアンテナ、３１，３２…導体板、３３…ラジアル導波路、３４…導体リング、３５…電磁界導入口、３６…スロット、３７…円錐部材、４１…円筒導波管、４２…円偏波変換器、４３…マッチング回路、４４…高周波発生器、Ｆ…電磁界、Ｐ…プラズマ、ｄ…渦巻線の間隔、λg …管内波長。
【発明の属する技術分野】
本発明は、ラジアルアンテナから処理容器内に電磁界を供給し、処理容器内に生成されたプラズマを用いて被処理体に対して処理を行うプラズマ処理装置及び方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置やフラットパネルディスプレイの製造において、酸化膜の形成や半導体層の結晶成長、エッチング、またアッシングなどの処理を行うために、プラズマ処理装置が多用されている。これらのプラズマ処理装置の一つに、アンテナから処理容器内に高周波電磁界を供給し、その電磁界の作用により処理容器内のガスを電離させてプラズマを生成する高周波プラズマ処理装置がある。この高周波プラズマ処理装置は、低圧力で高密度のプラズマを生成できるので、効率のよいプラズマ処理が可能である。
高周波プラズマ処理装置において、プラズマの生成効率を向上させるためには、電磁界を効率よくプラズマ内に入射させる必要がある。その手段として、ラジアルアンテナに円偏波給電する方式が提案されている。以下、その方式について説明する。
【０００３】
図６は、ラジアルアンテナに円偏波給電する方式の従来の高周波プラズマ処理装置の構成を示す断面図である。
このプラズマ処理装置は、上部が開口している有底円筒形の処理容器１１１を有している。この処理容器１１１の底部には基板台１２２が固定され、この基板台１２２の上面に被処理体である基板１２１が配置される。処理容器１１１の側壁には、プラズマガス供給用のノズル１１７が設けられ、処理容器１１１の底部には、真空排気用の排気口１１６が設けられている。処理容器１１１の上部開口は、そこからプラズマが外部に漏れないように、誘電体板１１３で塞がれている。
【０００４】
この誘電体板１１３の上にラジアルアンテナ１３０が配置されている。このラジアルアンテナ１３０は、ラジアル導波路１３３を形成する互いに平行な２枚の円形導体板１３１，１３２と、これらの導体板１３１，１３２の外周部を接続する導体リング１３４とから構成されている。ここでは、ラジアルアンテナ１３０の直径を、ラジアルアンテナ１３０の内部すなわちラジアル導波路１３３内における電磁界の管内波長λg の４倍とする。
ラジアル導波路１３３の放射面となる導体板１３１には、スロット１３６が複数形成されている。このスロット１３６は、図７に示すように、導体板１３１の半径方向に垂直な周方向に沿って、同心円上に配置されている。
【０００５】
ラジアル導波路１３３の背面となる導体板１３２の中心部には、電磁界Ｆの導入口１３５が形成され、この導入口１３５には円筒導波管１４１を介して高周波発生器１４４が接続されている。また、ラジアルアンテナ１３０にＴＥ11円偏波給電するため、円筒導波管１４１には円偏波変換器１４２が設けられている。
なお、誘電体板１１３及びラジアルアンテナ１３０の外周は環状のシールド材１１２によって覆われ、電磁界Ｆが外部に漏れない構造になっている。
【０００６】
図８は、ラジアルアンテナ１３０の内部、すなわちラジアル導波路１３３内の電界の状態を示す図である。この図において、（ａ）はある時点における電界の波面を示す概念図、（ｂ）はラジアル導波路１３３の半径方向の電界の波形を示す図、（ｃ）はラジアル導波路１３３の周方向の電界の波形を示す図である。
ＴＥ11円偏波給電されたラジアルアンテナ１３０の内部では、ラジアル導波路１３３の中心部から周縁部に向かって伝搬してゆく電磁界Ｆの進行波と、導体リング１３４で反射されて中心部に向かって戻ってゆく反射波とが重なり、ラジアル導波路１３３の半径方向に電界Ｅの振幅分布が定まった定在波が現れる。この定在波の半径方向の電界波形は、図８（ｂ）に示すような波の数が４の正弦波形となる。また、上記定在波の周方向の電界波形は、図８（ｃ）に示すような波の数が１の正弦波形となる。図８（ｃ）のＡ点〜Ｄ点は、図８（ａ）のＡ点〜Ｄ点に対応している。
【０００７】
この半径方向に振幅分布が定まった電界は、ラジアル導波路１３３の周方向には進行波となり、ラジアル導波路１３３に供給された電磁界Ｆの周波数と同じ周波数で回転する。
ラジアル導波路１３３の半径Ｒの領域を周方向に回転する進行波の波長は２πＲとなる。したがって、現実の管内波長λg ＜２πＲとなる領域では、ラジアル導波路１３３の周方向において、管内波長が長くなったように見える。給電周波数が２．４５ＧＨｚのように高い場合には、ラジアル導波路１３３の中心部を除くほとんどの領域でλg ＜２πＲが成り立つ。
ラジアルアンテナ１３０内の比誘電率をε1 、真空中における電磁界の波長をλ0 とすると、
λg ＝ λ0／ε1 1/2
であるから、ラジアルアンテナ１３０内の比誘電率ε1 は見かけ上、小さくなる。
【０００８】
図９は、ラジアルアンテナ１３０の放射面と、処理容器１１１内のプラズマＰとの境界部分を拡大して示す概念図である。
図６に示した誘電体板１１３を含むアンテナ１３０の放射面とプラズマＰの表面との間の領域１５０の比誘電率をε2 、プラズマＰ内の比誘電率をε3 とすると、プラズマＰの表面の法線方向に対する電磁界Ｆの入射角度θは、領域１５０の比誘電率ε２に依存せず、
θ＝sin-1(ε1／ε3)1/2 ・・・（１）
で表されることが知られている。この（１）式が解をもち、電磁界ＦがプラズマＰ内に進入するには、
ε1 ＜ ε3 ・・・（２）
となる必要がある。
【０００９】
上述したように、図６に示したプラズマ処理装置では、ラジアルアンテナ１３０にＴＥ11円偏波給電することにより、ラジアルアンテナ１３０内の比誘電率ε1 を見かけの上で小さくすることができる。したがって、（２）式を満たすようにすることにより、電磁界Ｆの反射量を低減して、電磁界Ｆを効率よくプラズマＰ内に入射させることができる。
図１０は、図６に示したプラズマ処理装置において、電磁界Ｆの入射角度θの半径方向変化を示す図である。給電周波数は２．４５ＧＨｚであり、プラズマＰ内の比誘電率ε3 の平均値を０．５とした。横軸は処理容器１１１の中心軸からの半径方向の距離ｒ［ｃｍ］、縦軸はプラズマＰへの電磁界Ｆの入射角度θ［゜］である。電磁界Ｆの入射角度θは、ｒ＝５ｃｍの位置で約３４゜であり、ｒが大きくなるのに反比例して小さくなり、ｒが１６ｃｍ以上の領域では１０゜以下となっている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
一般に、高周波プラズマ処理装置では、プラズマＰへの電磁界Ｆの入射角度θが大きいほど、電磁界Ｆの吸収効率が大きくなり、効率よくプラズマを生成できることが知られている。したがって、図６に示した従来のプラズマ処理装置では、電磁界Ｆの入射角度θが小さい処理容器１１１の中心軸から離れた領域において、プラズマを効率よく生成できないという問題があった。
また、被処理体の基板１２１の大口径化の要求に応えるため、処理容器１１１及びラジアルアンテナ１３０の口径を大きくすると、処理容器１１１の中心軸から側壁までの距離が大きくなるので、側壁に近い領域では電磁界Ｆの入射角度θが更に小さくなり、プラズマ生成効率の低下は更に顕著になる。
本発明はこのような課題を解決するためになされたものであり、その目的は、プラズマの生成効率の向上にある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するために、本発明のプラズマ処理装置は、処理容器内に電磁界を供給するラジアルアンテナのスロットが、ラジアルアンテナ内における電磁界の波長の略Ｎ倍（Ｎは自然数）の間隔の渦巻線上に配置されていることを特徴とする。スロットを渦巻線上に配置すると、同心円上に配置した場合と比較して、電磁界の１周期当たりの各スロットにおける位相変化が大きくなる。この位相変化に比例して、ラジアルアンテナ内の比誘電率も見かけの上で大きくなる。よって、プラズマ表面の法線方向に対する電磁界の入射角度を大きくすることができる。また、スロットが配置される渦巻線の間隔を、ラジアルアンテナ内における電磁界の波長の略Ｎ倍とすることにより、電磁界の入射角度がラジアルアンテナの半径方向でそろうので、ラジアルアンテナから処理容器内へ効率よく電磁界を供給することができる。なお、ラジアルアンテナの放射面とプラズマ表面との間隔が、上記放射面とプラズマ表面との間の領域における電磁界の波長の１／２以下の場合は、渦巻線の間隔をラジアルアンテナ内における電磁界の波長の略Ｎ倍としなくてもよい。
電磁界を回転モードで給電しない場合には、Ｎ≧３とすることが望ましい。これにより、処理容器及びラジアルアンテナを大口径化した場合でも、処理容器の側壁に近い領域における電磁界の入射角度を十分大きくすることができる。
【００１２】
また、上述したプラズマ処理装置において、ラジアルアンテナの中心部に接続され回転モードで電磁界を給電する給電手段を備えるようにしてもよい。これにより、電磁界の１周期当たりの各スロットにおける位相変化が２π（ラジアン）だけ大きくなる。これにより、ラジアルアンテナ内の比誘電率も見かけの上で更に大きくなるので、電磁界の入射角度を更に大きくすることができる。
電磁界を回転モードで給電する場合には、Ｎ≧２とすることが望ましい。これにより、回転モードで給電しない場合にＮ≧３とするのと同じ条件となる。
【００１３】
本発明のプラズマ処理方法は、処理容器内に被処理体を配置し、ラジアルアンテナの放射面に複数配置されたスロットから電磁界を処理容器内に供給し、処理容器内に生成されたプラズマを用いて被処理体に対して処理を行うプラズマ処理方法において、ラジアルアンテナのスロットをそのラジアルアンテナ内における電磁界の波長の略Ｎ倍（Ｎは自然数）の間隔の渦巻線上に配置することを特徴とする。ここで、電磁界を回転モードで給電しない場合には、Ｎ≧３とすることが望ましい。
また、ラジアルアンテナの中心部から回転モードで電磁界を給電するようにしてもよい。ここで、電磁界を回転モードで給電する場合には、Ｎ≧２とすることが望ましい。
【００１４】
【発明の実施の形態】
次に、図面を参照して、本発明の一実施の形態を詳細に説明する。ここでは、本発明をエッチング装置に適用した場合を例に説明する。図１は、本発明の一実施の形態であるエッチング装置の構成を示す断面図である。
このプラズマ処理装置は、上部が開口している有底円筒形の処理容器１１を有している。この処理容器１１の底部には基板台２２が固定され、この基板台２２の上面に被処理体である基板２１が配置される。処理容器１１の側壁には、処理容器１１内にＡｒなどのプラズマガスやＣＦ4 などのエッチングガスを導入するためのノズル１７が設けられている。処理容器１１の底部には、真空排気用の排気口１６が設けられている。処理容器１１の上部開口は、そこからプラズマが外部に漏れないように、誘電体板１３で塞がれている。
【００１５】
この誘電体板１３の上にラジアルアンテナ３０が配置されている。このラジアルアンテナ３０は、誘電体板１３によって処理容器１１から隔離されており、処理容器１１内で生成されるプラズマＰから保護されている。誘電体板１３及びラジアルアンテナ３０の外周は、処理容器１１の側壁上に環状に配置されたシールド材１２によって覆われ、電磁界Ｆが外部に漏れない構造になっている。
【００１６】
ラジアルアンテナ３０の中央部は、円筒導波管４１によって高周波発生器４４に接続されている。この高周波発生器４４は、１ＧＨｚ〜十数ＧＨｚの範囲内の所定周波数の高周波電磁界Ｆを発生するものである。円筒導波管４１の途中には、インピーダンスマッチングを図るためのマッチング回路４３と、円筒導波管４１を伝搬する電界の主方向を管軸を中心にして回転させる円偏波変換器４２が設けられている。マッチング回路４３は、高周波発生器４４と円偏波変換器４２との間にあってもよいし、円偏波変換器４２とラジアルアンテナ３０との間にあってもよい。以上の円筒導波管４１と円偏波変換器４２とマッチング回路４３と高周波発生器４４とにより、ラジアルアンテナ３０にＴＥ11円偏波給電する給電手段が構成される。
【００１７】
次に、ラジアルアンテナ３０の構成について更に説明する。
ラジアルアンテナ３０は、ラジアル導波路３３を形成する互いに平行な２枚の円形導体板３１，３２と、これらの導体板３１，３２の外周部を接続してシールドする導体リング３４とから構成されている。導体板３１，３２及び導体リング３４は、銅又はアルミニウムなどの導体で形成されている。
ラジアル導波路３３の上面となる導体板３２の中心部には、ラジアル導波路３３内に電磁界Ｆを導入する導入口３５が形成され、この導入口３５に上述した円筒導波管４１が接続されている。
【００１８】
ラジアル導波路３３の内部において、導体板３１の中心部には、導入口３５に向かって突出する円錐部材３７が設けられている。この円錐部材３７も導体板３１，３２等と同じ導体で形成されている。この円錐部材３７により、円筒導波管４１を伝搬してきた電磁界Ｆをラジアル導波路３３内へ良好に導波することができる。
ラジアル導波路３３の下面となる導体板３１には、ラジアル導波路３３内を伝搬する電磁界Ｆを処理容器１１内に供給するスロット３６が複数形成されている。この導体板３１がラジアルアンテナ３０の放射面を構成する。
ここでは、ラジアルアンテナ３０の直径を、ラジアルアンテナ３０の内部すなわちラジアル導波路３３内における電磁界の管内波長λg の８倍とする。
【００１９】
図２は、図１に示すII−II′線方向からみたラジアルアンテナ３０の平面図である。
ラジアルアンテナ３０の放射面に形成されたスロット３６は、放射面の中心部Ｏから周縁部に向かう渦巻線（螺旋ともいう）上に配置されている。回転モードで電磁界を供給する場合、渦巻線の回転方向は、ラジアルアンテナ３０内の電磁界の回転方向と同じ方向とする。なお、スロット３６の形状は、曲線状でもよいし、直線状でもよい。
図２に示した渦巻線は、いわゆるアルキメデスの渦巻線であり、極座標（ｒ，θ）で表すと、
ｒ＝ａθ ・・・（３）
となる。ａは定数であり、ここではａ＝λg/πとしている。λg はラジアルアンテナ３０内における電磁界の管内波長である。渦巻線上の一点Ｑ1 から渦巻線上を１回転（２π）したときの点をＱ2 とし、点Ｑ1 と点Ｑ2 との間隔を渦巻線の間隔ｄと定義すると、この渦巻線の間隔ｄは２λg となっている。
【００２０】
図３は、ラジアルアンテナ３０の内部、すなわちラジアル導波路３３内の電界の状態を示す図である。この図において、（ａ）はある時点における電界の波面を示す概念図、（ｂ）はラジアル導波路３３の半径方向の電界の波形を示す図、（ｃ）はラジアル導波路３３の周方向の電界の波形を示す図である。ラジアルアンテナ３０にＴＥ11円偏波給電すると、ラジアルアンテナ３０内の電界は図８に示したのと同様に、半径方向には波長λg の定在波となり、周方向には進行波となり給電周波数と同じ周波数で回転する。
したがって、間隔ｄ＝２λg の渦巻線上を点Ｑ1 から点Ｑ2 まで１回転したときの電磁界の位相変化は、周方向の位相変化２π（ラジアン）と半径方向の位相変化２×２π（ラジアン）との和から６π（ラジアン）となる。よって、間隔ｄ＝２λg の渦巻線上にスロット３６を配置することにより、進行波が１回転する１周期当たりの各スロット３６における位相変化は６π（ラジアン）となる。
【００２１】
従来のようにスロット１３６を同心円上に配置した場合、１周期当たりの各スロット１３６における電磁界の位相変化は、周方向の位相変化２π（ラジアン）のみであるから、間隔ｄ＝２λg の渦巻線上にスロット３６を配置することにより、上記位相変化が３倍になったことになる。したがって、１周期当たりの電磁界の位相変化に比例する波数ｋも３倍になる。波数ｋは比誘電率ε1 の平方根に比例するので、波数ｋが３倍になったことにより、アンテナ３０内の比誘電率ε1 も見かけ上９倍になる。
【００２２】
処理容器１１内に生成されたプラズマＰ内の比誘電率をε3 とすると、プラズマＰの表面の法線方向に対する電磁界Ｆの入射角度θは、上記（１）式のようになる。したがって、上述したようにスロット３６を渦巻線上に配置して、アンテナ３０内の比誘電率ε１を見かけの上で大きくすることにより、プラズマＰへの電磁界Ｆの入射角度θを大きくすることができる。これにより、プラズマＰによる電磁界Ｆの吸収効率が大きくなるので、従来よりも効率よくプラズマを生成することができる。
【００２３】
図４は、電磁界Ｆの入射角度θの半径方向変化を示す図である。給電周波数は２．４５ＧＨｚであり、プラズマＰ内の比誘電率ε3 の平均値を０．５とした。横軸は処理容器の中心軸からの半径方向の距離ｒ［ｃｍ］、縦軸はプラズマＰへの電磁界Ｆの入射角度θ［゜］である。点線は図６，図７に示したラジアルアンテナ１３０に円偏波給電したときの入射角度θであり、実線は図１，図２に示したラジアルアンテナ３０を円偏波給電したときの入射角度θである。
図４から、間隔ｄ＝２λg の渦巻線上にスロット３６を配置することにより、ｒが３０ｃｍの領域でも入射角度θは１５．７゜であり、十分に大きいことが分かる。よって、被処理体の基板２１の大口径化の要求に応えるため、処理容器１１及びラジアルアンテナ３０の口径を大きくしても、処理容器１１の側壁に近い領域でのプラズマ生成効率の低下を防止することができる。
【００２４】
以上では、図２に示したラジアルアンテナ３０のように１本の渦巻線上にスロット３６を配置した例を用いて説明したが、図５に示すラジアルアンテナ３０Ａのように放射面の中心Ｏの周りに等間隔に位置する複数の渦巻線上にスロット３６を配置するようにしてもよい。なお、各渦巻線の間隔ｄはすべて等しく、ｄ＝２λg である。このように複数の渦巻線上にスロット３６を配置することにより、放射面上におけるスロット３６の密度が大きくなるので、放射効率を向上させることができる。
複数の渦巻線上にスロット３６を配置すると、放射面の内側領域（中心Ｏに近い領域）のスロット密度が外側領域（周縁に近い領域）よりも高くなる傾向がある。したがって、内側領域のスロット密度が高くなりすぎる場合には、内側領域にもスロット３６を配置する渦巻線と、内側領域にはスロット３６を配置しない渦巻線とを交互に設けるようにしてもよい。または、放射面の内側領域のスロット長を相対的に短く、外側領域のスロット長を相対的に長くしてもよい。
【００２５】
また、スロット３６を配置する渦巻線の間隔ｄは管内波長λg の略自然数Ｎ倍であればよい。これにより、プラズマＰへの電磁界Ｆの入射角度θがラジアルアンテナ３０，３０Ａの半径方向でそろうので、ラジアルアンテナ３０，３０Ａから処理容器１１内へ効率よく電磁界Ｆを供給することができる。ただし、渦巻線の間隔ｄは厳密にＮ×λg である必要はなく、およそ（Ｎ±０．１）×λg の範囲で許容される。なお、間隔ｄ＝Ｎ×λg の渦巻線上にスロット３６を配置したラジアルアンテナに円偏波給電した場合、１周期当たりの各スロット３６における位相変化は、（Ｎ＋１）×２π（ラジアン）となる。
【００２６】
Ｎが大きくなれば、ラジアルアンテナ３０，３０Ａ内の見かけの比誘電率ε1 も大きくなる。したがって、ラジアルアンテナ３０，３０Ａに円偏波給電する場合には、Ｎ≧２であれば、処理容器１１及びラジアルアンテナ３０の口径を大きくしても、処理容器１１の側壁に近い領域でのプラズマ生成効率の低下を防止することができる。
【００２７】
また、図１に示したエッチング装置では、円筒導波管４１と円偏波変換器４２とマッチング回路４３と高周波発生器４４とからなる給電手段を用いて、ラジアルアンテナ３０にＴＥ11円偏波給電するようにしたが、ラジアルアンテナ３０，３０Ａに回転モードで電磁界を給電すれば同様の効果が得られる。回転モードで電磁界を給電する他の方法には、例えば、キャビティー内でＴＭ１１モードの電磁界に摂動を与えて回転させ、その回転させた電磁界をラジアルアンテナ３０，３０Ａに供給する方法がある。
【００２８】
しかし、必ずしもラジアルアンテナ３０，３０Ａに回転モードで給電する必要はない。間隔ｄ＝Ｎ×λg の渦巻線上にスロット３６を配置したラジアルアンテナ３０，３０Ａに例えば同軸給電した場合、１周期当たりの各スロット３６における位相変化は、周方向の位相変化２π（ラジアン）がなくなり、半径方向の位相変化Ｎ×２π（ラジアン）のみとなる。したがって、回転モードで給電しなくても、スロット３６を配置する渦巻線の間隔ｄを回転モードで給電した場合よりもλg だけ大きくとれば、同様の効果を得られる。よって、ラジアルアンテナ３０，３０Ａに回転モードで給電しない場合には、Ｎ≧３とすることにより、処理容器１１及びラジアルアンテナ３０の口径を大きくしても、処理容器１１の側壁に近い領域でのプラズマ生成効率の低下を防止することができる。
【００２９】
また、図２，図５に示したラジアルアンテナ３０，３０Ａでは、すべてのスロット３６の長手方向が渦巻線に沿うように配置されているが、「ハ」の字に近い延長線上で互いに直交する２個のスロットを１対とする複数対のスロットを、間隔ｄ＝Ｎ×λg の渦巻線上に配置するようにしてもよい。
また、本発明のプラズマ処理装置は、ＥＣＲ(electron cyclotron resonance)プラズマ処理装置にも適用することができる。また、エッチング装置のほか、プラズマＣＶＤ装置などに利用することもできる。
【００３０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明では、処理容器内に電磁界を供給するラジアルアンテナのスロットを、ラジアルアンテナ内における電磁界の波長の略Ｎ倍（Ｎは自然数）の間隔の渦巻線上に配置する。スロットを渦巻線上に配置すると、同心円上に配置した場合と比較して、電磁界の１周期当たりの各スロットにおける位相変化が大きくなる。この位相変化に比例して、ラジアルアンテナ内の比誘電率も見かけの上で大きくなる。よって、プラズマ表面の法線方向に対する電磁界の入射角度を大きくして、プラズマの生成効率を高めることができる。また、スロットが配置される渦巻線の間隔を、ラジアルアンテナ内における電磁界の波長の略Ｎ倍（Ｎは自然数）とすることにより、電磁界の入射角度がラジアルアンテナの半径方向でそろうので、ラジアルアンテナから処理容器内へ効率よく電磁界を供給し、プラズマの生成効率を高めることができる。
【００３１】
また、ラジアルアンテナの中心部から回転モードで電磁界を給電することにより、電磁界の１周期当たりの各スロットにおける位相変化が２π（ラジアン）だけ大きくなる。これにより、ラジアルアンテナ内の比誘電率も見かけの上で更に大きくなるので、プラズマの生成効率を更に高めることができる。
また、電磁界を回転モードで給電しない場合にはＮ≧３とし、電磁界を回転モードで給電する場合にはＮ≧２とすることにより、処理容器及びラジアルアンテナを大口径化した場合でも、処理容器の側壁に近い領域で十分なプラズマ生成効率を得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の一実施の形態であるエッチング装置の構成を示す断面図である。
【図２】 図１に示すII−II′線方向からみたラジアルアンテナの放射面の平面図である。
【図３】 ラジアルアンテナの内部、すなわちラジアル導波路内の電界の状態を示す図である。
【図４】 電磁界の入射角度の半径方向変化を示す図である。
【図５】 ラジアルアンテナの放射面の他の構成例を示す平面図である。
【図６】 ラジアルアンテナに円偏波給電する方式の従来の高周波プラズマ処理装置の構成を示す断面図である。
【図７】 ラジアルアンテナの放射面の構成を示す平面図である。
【図８】 ラジアルアンテナの内部、すなわちラジアル導波路内の電界の状態を示す図である。
【図９】 ラジアルアンテナの放射面と処理容器内のプラズマとの境界部分を拡大して示す概念図である。
【図１０】 電磁界の入射角度の半径方向変化を示す図である。
【符号の説明】
１１…処理容器、１２…シールド材、１３…誘電体板、１６…排気口、１７…ノズル、２１…基板、２２…基板台、３０，３０Ａ…ラジアルアンテナ、３１，３２…導体板、３３…ラジアル導波路、３４…導体リング、３５…電磁界導入口、３６…スロット、３７…円錐部材、４１…円筒導波管、４２…円偏波変換器、４３…マッチング回路、４４…高周波発生器、Ｆ…電磁界、Ｐ…プラズマ、ｄ…渦巻線の間隔、λg …管内波長。
Claims (4)
- 処理容器内に収容され被処理体が配置される載置台と、放射面にスロットが複数配置され前記処理容器内に電磁界を供給するラジアルアンテナとを備えたプラズマ処理装置において、
前記ラジアルアンテナのスロットは、前記ラジアルアンテナ内における電磁界の波長の略Ｎ倍（Ｎは自然数）の間隔の渦巻線上に配置され、
Ｎは３以上であることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項１記載のプラズマ処理装置において、
前記ラジアルアンテナの中心部に接続され回転モードで電磁界を給電する給電手段を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 処理容器内に被処理体を配置し、ラジアルアンテナの放射面に複数配置されたスロットから電磁界を前記処理容器内に供給し、前記処理容器内に生成されたプラズマを用いて前記被処理体に対して処理を行うプラズマ処理方法において、
前記ラジアルアンテナ内における電磁界の波長の略Ｎ倍（Ｎは自然数）の間隔の渦巻線上に前記スロットを配置し、
Ｎを３以上とすることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項３記載のプラズマ処理方法において、
前記ラジアルアンテナの中心部から回転モードで電磁界を給電することを特徴とするプラズマ処理方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001082769A JP4712994B2 (ja) | 2001-03-22 | 2001-03-22 | プラズマ処理装置及び方法 |
| PCT/JP2002/002627 WO2002078072A1 (fr) | 2001-03-22 | 2002-03-19 | Unite et procede de traitement par plasma |
| KR1020037012227A KR100651990B1 (ko) | 2001-03-22 | 2002-03-19 | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 |
| US10/472,247 US20040112541A1 (en) | 2001-03-22 | 2002-03-19 | Plasma processor and plasma processing method |
| CNB02805878XA CN1278392C (zh) | 2001-03-22 | 2002-03-19 | 等离子体处理装置及等离子体处理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001082769A JP4712994B2 (ja) | 2001-03-22 | 2001-03-22 | プラズマ処理装置及び方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002280367A JP2002280367A (ja) | 2002-09-27 |
| JP4712994B2 true JP4712994B2 (ja) | 2011-06-29 |
Family
ID=18938673
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001082769A Expired - Fee Related JP4712994B2 (ja) | 2001-03-22 | 2001-03-22 | プラズマ処理装置及び方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20040112541A1 (ja) |
| JP (1) | JP4712994B2 (ja) |
| KR (1) | KR100651990B1 (ja) |
| CN (1) | CN1278392C (ja) |
| WO (1) | WO2002078072A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006077742A1 (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-27 | Nabtesco Corporation | 皮膚用針製造装置および皮膚用針製造方法 |
| WO2007034871A1 (ja) | 2005-09-22 | 2007-03-29 | Tokyo Electron Limited | 選択的プラズマ処理方法 |
| JP2008059991A (ja) * | 2006-09-01 | 2008-03-13 | Canon Inc | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01184923A (ja) * | 1988-01-20 | 1989-07-24 | Canon Inc | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| JPH03262119A (ja) * | 1990-03-13 | 1991-11-21 | Canon Inc | プラズマ処理方法およびその装置 |
| JPH08111297A (ja) * | 1994-08-16 | 1996-04-30 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5024716A (en) * | 1988-01-20 | 1991-06-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Plasma processing apparatus for etching, ashing and film-formation |
| US5111111A (en) * | 1990-09-27 | 1992-05-05 | Consortium For Surface Processing, Inc. | Method and apparatus for coupling a microwave source in an electron cyclotron resonance system |
| US5573595A (en) * | 1995-09-29 | 1996-11-12 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for generating plasma |
| US6358324B1 (en) * | 1999-04-27 | 2002-03-19 | Tokyo Electron Limited | Microwave plasma processing apparatus having a vacuum pump located under a susceptor |
| US6388383B1 (en) * | 2000-03-31 | 2002-05-14 | Lam Research Corporation | Method of an apparatus for obtaining neutral dissociated gas atoms |
-
2001
- 2001-03-22 JP JP2001082769A patent/JP4712994B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-03-19 US US10/472,247 patent/US20040112541A1/en not_active Abandoned
- 2002-03-19 CN CNB02805878XA patent/CN1278392C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2002-03-19 WO PCT/JP2002/002627 patent/WO2002078072A1/ja active Application Filing
- 2002-03-19 KR KR1020037012227A patent/KR100651990B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01184923A (ja) * | 1988-01-20 | 1989-07-24 | Canon Inc | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
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| JPH08111297A (ja) * | 1994-08-16 | 1996-04-30 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2002078072A1 (fr) | 2002-10-03 |
| KR20030093259A (ko) | 2003-12-06 |
| US20040112541A1 (en) | 2004-06-17 |
| JP2002280367A (ja) | 2002-09-27 |
| CN1494737A (zh) | 2004-05-05 |
| CN1278392C (zh) | 2006-10-04 |
| KR100651990B1 (ko) | 2006-12-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080307 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101130 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110125 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110322 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |