JP4708512B2 - SiCの電界制御型半導体デバイスおよびその生産方法 - Google Patents
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Description
本発明は、少なくともドレーン、高濃度にドープした基板層および低濃度にドープしたn型ドリフト層を記載した順序に積層して含む、SiCの電界制御型半導体デバイスであって、更に、高濃度にドープしたn型ソース領域層およびそれに結合したソース、上記ソース領域層を上記ドリフト層に結合し、このデバイスがオン状態にあるときそれを通して電流を流す意図とされる、ドープしたチャンネル領域層、および、それに電圧を加えると、上記チャンネル領域層の荷電キャリヤ分布に影響し、それによってその導電度に影響するように配設されたゲート電極を含むデバイス、並びにそのような半導体デバイスを生産するための方法に関する。
電界制御型半導体デバイスの全ての種類には、例えば、電界制御トランジスタおよび電界制御サイリスタのようなものが含まれる。
そのようなSiCの半導体デバイスは、それらの非常に急速にオン・オフできる可能性のために、特に電力用途でスイッチング素子として使うことができる。SiCで作ったそのような素子は、特に高電力用途によく適し、それは、そのような用途が、特にSiに比べたSiCの優れた特性、即ち、SiCの極限条件でよく機能する能力、から利益を得られるようにするからである。SiCは、バンドギャップ・エネルギーが大きいために、上記材料で作ったデバイスが高温、即ち1000Kまでで作動できるような、高熱安定性を有する。更に、それは熱伝導率が高く、それでSiCデバイスを高密度に設えることができる。SiCは、降伏電界もSiより5倍以上高く、それで、デバイスのブロッキング状態で高圧が起こるかも知れない状態で作動する高電力デバイスの材料としてよく適する。
そのような電界制御型半導体デバイスは、二つの主なグループ、即ち、所謂常時オフのデバイスと常時オンのデバイスに分けることができ、それは、それぞれ、ゲート電極を零電位にしたとき、上記チャンネル領域層にソース領域層からドリフト層まで電子を移送させる導電チャンネルがないこと、およびゲート電極を零電位にしたとき、そのような導電チャンネルがあることを意味する。常時オフのデバイスは、このデバイスの電子移送を遮断するためにゲート電極に電圧を掛けなくてもよいので、より興味があり且つ多くの用途があるが、本発明は、両方の種類のデバイスを含める。
この序文で定義した種類の電界制御型半導体デバイスは、米国特許第5 323 040号から知られ、このデバイスは、ゲート電極を受けるトレンチによって横方向に制限される垂直チャンネル領域を有する。このチャンネル領域層は、常時オフのデバイスを作るためには、数μmのオーダで、非常に薄くなければならない。この既知のデバイスのトレンチは、エッチングによって作らねばならず、そのような薄い層を得るためにエッチングすることは非常に難しく、それで、その方法で作ったデバイスに常時オフの特性を与えることは困難且つ複雑である。
発明の概要
本発明の目的は、上に説明した従来技術のデバイスの問題を大部分解決し、SiCに適した処理技術で作れる、この序文で定義した種類のSiCの電界制御型半導体デバイスを提供することである。
この目的は、この発明によれば、上記チャンネル領域層が実質的に横方向の延長部を有し、且つ低濃度にドープしたn型層によって作られ、それが更に、上記チャンネル領域層の上面から少し離れてこのチャンネル領域層にn型導電チャンネルを作るために、この低濃度にドープしたn型チャンネル領域層の下にゲート電極に関してその反対側に配設されたp型ベース層を含み、およびそこにこのソース領域層からドリフト層まで出来た導電チャンネルを実質的横方向に延長するため、このゲート電極を上記チャンネル領域に上から影響するように配設する、電界制御型半導体デバイスを提供することによって達成される。
上記低濃度にドープしたn型層に上記チャンネル領域層のような横方向延長部を設けるために、何の問題もなく、特別な場合の願望に従って上記チャンネル領域の厚さを変えることが可能であり、それで常時オンのデバイスと丁度同様に常時オフのデバイスを作ることができる。そのようなチャンネル領域層の生産には、上に議論した従来技術のデバイスに必要なような微細リソグラフィは必要ない。上記低濃度にドープしたn型層は、その横延長部のために、エピタキシャル成長によって任意の厚さに容易に作れる。このn型チャンネル領域層の下に位置するp型ベース層を使ってこのチャンネル領域層を一の側からおよびゲート電極を他の側から減損し、もし望むなら、このチャンネル領域層の幅、ゲート電極材料並びにこのチャンネル領域層および上記ベース層のドーピング濃度を適当に選択することによって常時オフのデバイスを容易に作ることができる。このベース層は、電圧ブロッキング層としても作用しない。チャンネル領域層の上面から少し離れて導電チャンネルを形成することにつながる、そのような構造は、チャンネル導通が上記チャンネル領域層の表面状態と独立であるためにチャンネル移動度がバルク移動度に等しいので、非常に好ましい。これは、導電チャンネルが表面に隣り合って、従ってこの層のバルクよりかなり高いトラップ密度の領域にできる、従来技術のデバイスとの関係で重要な利点である。
この発明のもう一つの好適実施例によれば、上記p型ベース層が高濃度にドープされている。これは、常時オフのデバイスの実現を容易にし、常時オンのデバイスを上記チャンネル領域層のベース層とこのチャンネル領域層の上面の間の全断面積を減損することによってオフにすることも容易にする。更に、このデバイスは、この特性のために、高い電圧を掛けられるかも知れない。
この発明のもう一つの好適実施例によれば、上記ゲート電極が介在する絶縁層によってこのチャンネル領域層に関して絶縁されている。これは、絶縁ゲートを有する、SiCの電界制御型半導体デバイスの製作を可能にするが、導電チャンネルが、トラップ密度のかなり高い、この絶縁層と半導体層の間の境界にはできず、そこから少し離れてバルクにできる。
この発明のもう一つの好適実施例によれば、このデバイスを常時オフのデバイスにするために、このゲート電極に零電位を掛けるとき、このチャンネル領域層に上記ソース領域層からこのドリフト層への電子の通過を完全に阻止するp型空乏領域をこのチャンネル領域層に作るように、この低濃度にドープしたチャンネル領域層の厚さおよびドーピング濃度をこのベース層のドーピング濃度およびこのゲートの選択と調整する。この好適特性を有するデバイスは、本質的にチャンネル領域層の横延長部およびそれをエピタキシャル成長によって作れる可能性によって、この様にして容易に実現することができる。
この発明のもう一つの好適実施例によれば、上記デバイスが高濃度にドープしたn型基板層を有するMISFETであり、上記低濃度にドープしたチャンネル領域層が、上記ゲート電極に電圧を印可すると、導電チャンネルを、このソース領域層からドリフト層まで、このベース層と上記チャンネル領域層の間の境界に、上記絶縁層から少し離れて作るために、この絶縁層とこのドリフト層に埋込まれた上記ベース層との間で横に伸びるドリフト層の一部である。この様にして、SiC層と絶縁層の間の境界に導電逆転チャンネルを有する従来のMISFETの絶縁層にSiCから電子を注入することによって作るアクセプタ状トラップは、もう行わない。何故なら、この導電チャンネルが、このデバイスでは、材料のバルクにでき、それでこのチャンネルが、境界チャンネルの劣化した移動度ではなく、バルクキャリヤ移動度を有し、それで低いオン状態抵抗が得られるからである。絶縁層をチャンネルから除くことは、注入した電荷を大抵無視できるので、絶縁層を劣化する。
この発明の他の好適実施例によれば、上記デバイスが、それぞれ、トランジスタおよびサイリスタであり、それで、特に低オン状態損失と望むときには常時オフの特性の有利な特徴を有する、これら2種類のSiCの電界制御型半導体デバイスを提供することができ、それは異なる種類の高電力用途で興味がある。
この発明のもう一つの好適実施例によれば、上記デバイスが、上記低濃度にドープしたチャンネル領域層をこのドリフト層に結合するように配設された追加の高濃度にドープしたn型層を含む。そのような高濃度にドープした追加の層は、そのようなデバイスのオン状態損失を下げることに貢献する。
この発明のもう一つの好適実施例によれば、このソース領域層と上記追加のn型層を、上記チャンネル領域層の一部がそれらの間で上記ゲート電極の電圧に曝されるままにする相互横距離に配置する。この様にして、このソース領域層と上記追加のn型層の間の導電チャンネルの断面積を調整し、もし望むなら、このゲート電極に印可する電圧を変えることによってそれを完全に遮断することが容易になる。
この発明のもう一つの好適実施例によれば、上記デバイスが、この低濃度にドープしたn型チャンネル領域層に関して横に配置し、且つこのソースと接触している、追加の高濃度にドープしたp型層を含む。そのような高濃度にドープしたp型層は、このソース領域層からドリフト層へ流れる電子流がこの基板層からこのドリフト層への正孔の注入を生じ、これらの正孔を上記高濃度にドープしたp型層が効果的に集め、それによってそのようなデバイスのラッチアップ問題を減らすだろうから、特にこのデバイスがサイリスタであるとき都合がよい。
この発明の更なる目的は、a)トランジスタおよびb)サイリスタ、の一つである、SiCの電界制御型半導体デバイスを生産するための方法で、それによって上に議論した種類の従来技術のデバイスの欠点をかなり減少する方法を提供することである。
そのような方法は、この発明によれば:
1)互いの上に以下のSiCの半導体層をエピタキシャル成長させる工程:即ち、a)n型用およびb)p型用の高濃度にドープしたn型基板層、b)用にはその上のc)高濃度にドープしたn型バッファ層およびd)そのような層が何もない、の一つ、並びに低濃度にドープしたn型ドリフト層、
2)p型ベース層を作るために、上記ドリフト層の表面層にp型ドーパントを注入する工程、
3)上記ベース層の上に低濃度にドープしたn型チャンネル領域層をエピタキシャル成長させる工程、
4)このドリフト層に伸びる壁を作るために上記チャンネル領域層をエッチング除去する工程、
5)高濃度にドープしたn型ソース領域層を作るために、a)n型ドーパントを上記チャンネル領域層の表面に注入する工程、およびb)上記チャンネル領域層でn型層をエピタキシャル成長させる工程、の一つ、
6)上記チャンネル領域層からこのドリフト層へ伸びる追加のn型層を作るために、a)n型ドーパントを上記チャンネル領域層に上記ソース領域層から少し横に離れて、上記壁に関連して、および上記壁に注入する工程、およびb)上記チャンネル領域層で、上記ソース領域層から少し横に離れて、上記壁に関連して、上記壁におよび上記壁でn型層をエピタキシャル成長させる工程、の一つ、
7)上記チャンネル領域層にこのソース領域層と上記追加のn型層の間でゲート電極を、および上記ソース領域層にソースを付ける工程、
を含み、この工程4)および工程5)を次の順序の一つ:即ち、a)4)の後に5)およびb)5)の後に4)、で実施する。
この方法を使うことによって、横導電チャンネルおよび先に述べたものと同じ好適な特徴を備える、SiCの電界制御型のトランジスタおよびサイリスタを生産できる。注入層の上での再成長を使うことによって、上記低濃度にドープしたn型チャンネル領域層に容易に任意の厚さを与えられ、薄くしたいときは、注入工程によって作るベース層を任意の深さにすると同時に、非常に薄くすることもできる。SiCでの異なるドーパントの拡散度は、Siとの関係で劇的に減じるが、この様にして注入技術を使うことによっておよび上の層を損傷することなく、もう一つのドーピングによる層に埋込んだ層を得ることが可能になる。
本発明の上記目的を達成できるもう一つの方法は、a)トランジスタおよびb)サイリスタの一つである、SiCの電界制御型半導体デバイスを生産するための方法であって:
1)互いの上に以下のSiCの半導体層をエピタキシャル成長させる工程:即ち、a)n型用およびb)p型用の高濃度にドープしたn型基板層、b)用にはその上のc)高濃度にドープしたn型バッファ層およびd)そのような層が何もない、の一つ、並びに低濃度にドープしたn型ドリフト層、
2)上記ドリフト層に溝をエッチングする工程、
3)上記溝でp型ベース層をエピタキシャル成長させる工程、
4)上記ベース層の上および上記ベース層の横に位置する上記ドリフト層の表面で低濃度にドープしたn型チャンネル領域層をエピタキシャル成長させる工程、
5)上記チャンネル領域層を、このチャンネル領域層の壁を作りながら、上記ベース層の横縁の一つから少し横に離れてエッチング除去する工程、
6)高濃度にドープしたn型ソース領域層を作るために、a)n型ドーパントを上記チャンネル領域層に上記縁から少し横に離れておよび上記壁に関連して、および上記壁に注入する工程、およびb)上記チャンネル領域層で上記縁から少し横に離れておよび上記壁に関連しておよび上記壁に注入する工程、の一つ、
7)上記チャンネル領域層にこのソース領域層と上記縁の間の横方向にゲート電極(9)を、および上記ソース領域層にソースを付ける工程、
を含む。
この方法は、上に述べた好適特徴を有するデバイスを作るためのもう一つの好適方法を構成し、ここではベース層をエッチングした溝でのエピタキシャル再成長によって得、チャンネル領域層をその上でエピタキシャル成長させる。
本発明の上記目的を達成できるもう一つの方法は、MISFETの形をした、SiCの電界制御型半導体デバイスを生産するために:
1)互いの上に以下のSiCの半導体層をエピタキシャル成長させる工程:即ち、高濃度にドープしたn型基板層および低濃度にドープしたn型ドリフト層、
2)a)p型ドーパントをこのドリフト層の上面から少し離れて埋込注入ベース層が出来るようなエネルギーで注入する工程、およびb)p型ドーパントを上記ドリフト層の表面にp型ドーパントを注入し、その後、その上に埋込p型ベース層を作るために上記ドリフト層の更なる部分をエピタキシャル成長させる工程、の一つによって、このドリフト層に埋込p型ベース層を作る工程で、上記ベース層は、上記ドリフト層の垂直部分が第1側でそれを横に通過するように作る工程、
3)高濃度にドープしたソース領域層を作るために、n型ドーパントを上記第1側から少し離れて上記ベース層を越えて上記ドリフト層の表面層に注入する工程、
4)絶縁層をその上のゲート電極と共に、上記p型ベース層の上に位置する上記ドリフト層の上記部分に付け、上記ソース領域層の上にソースを付ける工程、
を含む。
p型ドーパントのドリフト層への注入とその上にあるこのドリフト層の更なる部分の後続のエピタキシャル成長を組合わせることによって、埋込ベース層をSiCのMISFETに何の問題もなく作ることができ、それで、そこにできる導電チャンネルが上記絶縁層との境界から少し離れていて、キャリヤ移動度がSiCの既知のMISFETよりかなり高い。
この発明の更なる利点および好適特徴は、この説明およびその他の請求項から分かるであろう。
【図面の簡単な説明】
添付の図面を参照して、以下に、例として引用したこの発明の好適実施例の具体的な説明が続く。
これらの図面で:
図1ないし図4は、図4による電界制御型トランジスタを生産するための方法の異なる工程を示す概略断面図であり、
図5は、図4のトランジスタの主としてチャンネル領域層の拡大断面図で、導電チャンネルの断面積が如何に変るかを示し、
図6ないし図9は、図1ないし図4に対応する図で、図9に示す電界制御型サイリスタを生産するためのこの発明による第2の方法の異なる工程を示し、
図10は、この発明の第3好適実施例による電界制御型サイリスタの概略断面図であり、
図11は、図10によるサイリスタのチャンネル領域層の拡大断面図で、導電チャンネルの断面積が如何に変るかを示し、
図12は、この発明の第4好適実施例による電界制御型サイリスタの概略断面図であり、
図13は、この発明の第5好適実施例による電界制御型トランジスタの概略断面図で、導電チャンネルの断面を方法を示し、および
図14は、この発明の第6好適実施例によるMISFETの概略断面図で、導電チャンネルを作る方法およびその断面積が変わる方法を示す。
発明の好適実施例の詳細な説明
さて、図1ないし図4を参照して、実質的横延長部を備えるチャンネル領域層を有する電界制御トランジスタの生産方法を説明する。マスキング、デマスキング等のような、この発明と関係のない、従来技術の半導体デバイスの生産工程は、明確さのために図面には示さない。先ず最初に、高濃度にドープしたn型基板層1およびその上の低濃度にドープしたn型ドリフト層2をエピタキシャル成長させる(図4参照)。その後、高濃度にドープしたp型ベース層3を作るために、p型ドーパント、好ましくは、アルミニウムまたは硼素を上記ドリフト層の表面層に注入する。その工程に、上記ベース層の上に低濃度にドープしたn型チャンネル領域層4をエピタキシャル成長させる工程(図2参照)が続く。このチャンネル領域層4は、以下に詳しく説明するブロッキング空乏層をそこに作るために、それが容易に減損するように、ドーピング濃度が非常に低いことが好ましい。このエピタキシャル成長は、好ましくは1500℃以上の高温が関係する化学蒸着技術を使って行うのが好ましく、それに関連して、注入したドーパントを電気的に活性にするために、温度を1700℃に上げることによって注入層3のアニーリングを行ってもよい。その後、このドリフト層2へ伸びる壁5を作るために、上記チャンネル領域層4でメサ形エッチングを行う。次に、高濃度にドープしたn型ソース領域層6を作るために、n型ドーパントを上記チャンネル領域層4の表面層に注入し、および、このチャンネル領域層4の表面からドリフト層2へ伸びる追加のn型高ドープ層7を作るために、n型ドーパントをこのチャンネル領域層4にこのソース領域層から少し横に離れて、上記壁に関連して、上記壁におよびこのドリフト層の表面層に注入する。この工程は、上記注入したn型ドーパントを電気的に活性にするために、必ずアニーリング工程が続く。ソース領域層6を作るための注入は、代替案として、エッチング工程の前に別に行ってもよい。
例えば、SiO2の、絶縁層8をその上のゲート電極9と共に、このチャンネル領域層の上に、このソース領域層と追加のn型層の間に拡げて付ける。上記ゲート電極は、多結晶質シリコンであるのが好ましい。その後、不動態化追加絶縁層10をゲート電極とこのデバイスの上面の上に付け、上記ソース領域層6の或る区域を露出したままにし、次にソース電極1を層6の上に付ける。最後に、ドレーンコンタクト12を基板層1に付ける。
今度は、この電界制御トランジスタの機能を図5を参照して説明する。このトランジスタは、常時オン型は勿論、常時オフ型でもよい。今はそれが常時オフ型であると仮定し、それは、チャンネル領域層4の厚さおよびドーピング濃度、ゲート電極材料並びに上記ベース層3のドーピング濃度を適当に選択することによって達成できる。ゲート電極材料の適当な選択は勿論、チャンネル領域層4の低いドーピング濃度およびベース層3の高いドーピング濃度がこのチャンネル領域層の厚さを増し、それでも常時オフのデバイスを得ることを可能にする。ゲート電極9は、このゲート電極9とベース層3に破線13に従って下から零電位を掛けるとき、その下にあるチャンネル領域層を下延長部14を有する破線に従って減損し、それでソース領域層6と追加のn型層7の間に空乏層16ができ、このソース領域層からドリフト層への電子の移送を阻止する。ゲート電極9に正電圧を印加すると、ゲート電極によって減損したこの層の下延長部14を上に動かし、延長部15をゲート電極9に印加した電圧の或るレベルに対応させる。この様にして、ソース領域層6と層7の間に横導電n型チャンネル17ができ、この導通チャンネルは、チャンネル領域層4の上面からかなりの距離にあって、チャンネル導通が表面状態と独立であるためにチャンネル移動度がバルク移動度に等しい結果となり、それでそのようなデバイスのオン状態の喪失が、例えば、従来のMISFETとの関係で非常に低い。従来技術の横方向延長によって従来技術でできる、チャンネル領域層4をエピタキシャル成長によって作れる可能性のおかげで、これを任意に厚く作れ、それは、常時オフのデバイスを生産するために、容易に非常に薄く作れることを意味する。そのようなデバイスは、勿論、常時オンのデバイスとして作ってもよく、そうすれば導電チャンネル17を無くするために上による符号と反対の符号の電圧をゲート電極に加えるべきである。
図6ないし図9は、この発明の第2好適実施例による電界制御サイリスタを生産するための異なる工程を示し、この方法は、高濃度にドープしたp型基板層1およびその上の高濃度にドープしたn型バッファ層18(この層は任意である)のエピタキシャル成長、並びに壁20を作るためにチャンネル領域層4にトレンチ19をエッチングする、図8に示す追加の工程を除いて、上に図1ないし図4を参照して説明した方法と同じ工程を含む。次に、ソース領域層6を作るためにn型ドーパントを注入する工程を、上記n型ドーパントをチャンネル領域層4に、その壁20におよび追加の高濃度にドープしたn型層7の方向へ横に、これら二つの層6および7の横距離を残しながら、注入することによって実施する。更に、ベース層3の表面領域に追加の高濃度にドープしたp型層21を作るために、p型ドーパントをトレンチ19の底に注入する。ソースを付けるとき、これを上記追加のp型層21にも接触させて付ける。この追加層21は、このデバイスのオン状態でソースからドレーンへ流れる電子流の結果として、基板層1から上記ドリフト層2に注入した正孔を集める。電界制御トランジスタは、p型基板層をn型基板層で置き換え、バッファ層が無いことを除いて、同じ方法で生産することができる。次に、追加の高濃度にドープしたp型層を省くことも可能だろう。このデバイスの、ベース層との境界近くのチャンネル領域層での横導電チャンネルの形成に関する機能は、図4に示す電界制御半導体デバイスについて上に議論したのと同じだろう。
図10は、以下の工程を実施することによって作った、この発明の第3好適実施例による電界制御サイリスタを示し、それは、以下の工程:即ち、互いの上に以下のSiCの半導体層:即ち、高濃度にドープしたp型基板層1、高濃度にドープしたn型バッファ層18および低濃度にドープしたn型ドリフト層2をエピタキシャル成長させる工程を実施することによって作った。次に、このドリフト層に溝22をエッチングする。そのような溝22を二つ得るように、鏡像関係に生産した二つのデバイスを図10に示す。上記溝でp型ベース層3をエピタキシャル成長させ、その後、このベース層および上記ベース層の横に位置する上記ドリフト層の表面の上に低濃度にドープしたn型チャンネル領域層4をエピタキシャル成長させる。その後、上記チャンネル領域層をこのベース層3の第1横縁23から或る横距離でエッチング除去する。その後、n型ドーパントを上記チャンネル領域層に上記縁から或る横距離で、および、このエッチングによって出来た壁に関連して、高濃度にドープしたn型ソース領域層6を作るために上記壁に、注入する。その後、追加の高濃度にドープしたp型層21を作るために、p型ドーパントをこのベース層3の表面に注入する。次に、絶縁層8をその上のゲート電極9と共に、このソース領域層とこのベース層の上記第1縁と反対の第2横縁24との間で上記チャンネル領域層に付ける。最後に、不動態化追加絶縁層10をゲート電極とこのデバイスの上面の上に付け、上記ソース領域層6および上記高濃度にドープした追加のp型層21の或る区域を露出したままにし、次にソース11をこれら二つの層の上に付ける。層6および21は、注入ではなくエピタキシャル成長によって交互に作ることができる。
下層1を省くことによってサイリスタではなくトランジスタになり得る、このデバイスの機能は、本発明の他の好適実施例の先の説明から分かるだろうが、図11にソース領域層からドリフト層へ電子を伝えるための導電チャンネル17が出来る方法およびその幅をゲート電極に印加する電圧を変えることによって変えられる方法を示す。それは、空乏層16が出来る方法およびこれが、ソース領域層6からこのドリフト層までの電子の経路を、ゲート電極9に印加する、常時オフの場合零電位である、或る電圧に対応して、このゲートによって減損される部分の位置14で、遮断する方法、およびこのゲート電極に印加するもう一つの電圧に対応するもう一つの位置15で導電横チャンネル17が出来る方法を示す。この構造の利点は、上の説明から分かり、低濃度にドープしたチャンネル領域層がエピタキシャル成長によって出来るという事実に強く依存する。
図12は、この発明の第4好適実施例による電界制御サイリスタを示し、それは、先に説明した方法と同じ初期工程であるが、ベース層3のエピタキシャル成長後に、第2溝24をこのベース層にその第1横縁23から或る横距離でその反対の第2横縁24を越えてエッチングする方法によって作ることができる。その後、低濃度にドープしたn型チャンネル領域層4をこの第2溝25の中に成長させる。残りの工程は、ソース領域層6が平面構造のために横延長部を有することを除いて、先に説明した方法と同じである。ゲート電極9に印加する二つの異なる電圧に応じてチャンネル領域層に出来る、ブロッキング空乏層16の二つの異なる延長部を破線によって示し、このデバイスの機能は、上に記述したことから明らかである。
この発明の第5好適実施例による電界制御トランジスタを図13に概略的に示す。このトランジスタの生産方法では、基板層1、ドリフト層2および高濃度にドープしたp型ベース層3を互いの上にエピタキシャル成長させる。その後、このベース層を通してドリフト層まで溝26をメサ形エッチングする。その後、低濃度にドープしたn型チャンネル領域層をこのベース層の上におよび上記溝26の中にエピタキシャル成長させる。壁5を作るために、このチャンネル領域層をエッチングし、上記壁への注入によって、高濃度にドープしたn型ソース領域層6を作る。残りの工程は、上に説明した通りで、異なる要素を前と同じ参照番号で示す。ゲート電極9に印加する二つの異なる電圧に対応する二つの異なる位置での空乏層並びにこれらの位置の一つに出来る横導電チャンネル17を破線で示す。
図14は、この発明の第6好適実施例によるMISFETを示し、これは以下の工程を実施することによって作れる:即ち、高濃度にドープしたn型基板層1および低濃度にドープしたn型ドリフト層2を互いの上にエピタキシャル成長させる。次に、p型ドーパントをこのドリフト層の上面から少し離れて埋込注入ベース層が出来るようなエネルギーで注入することにより、または更に良くは、上記ドリフト層の表面にp型ドーパントを注入し、その後、その上に埋込p型ベース層を作るために上記ドリフト層の更なる部分をエピタキシャル成長させることによって、好ましくは高濃度にドープした、埋込p型ベース層3を作る。そこで、この更なる部分は、このドリフト層の残りより低濃度にドープするのが好ましい。このベース層は、上記ドリフト層2の垂直部分27がその第1側28でそれを横に通過するように作る。その後、高濃度にドープしたソース領域層6を作るために、n型ドーパントを上記第1側から少し離れて上記ベース層を越えて上記ドリフト層の表面層に注入し、そこで絶縁層8をその上のゲート電極9と共に、上記p型ベース層の上に位置する上記ドリフト層の上記部分に付け、上記ソース領域層の上にソース11を付ける。図面には、マスク酸化物層29も示す。ベース層3およびドリフト層の上記更なる部分を適当にドープし、ベース層と絶縁層の間のドリフト層のこの部分30の厚さを選択し、並びにゲートを選択することによって、このデバイスは、常時オフになり、即ち、p型空乏層が上記部分30にでき、その全断面を覆う。閾値電圧を超える電圧をゲート電極に加えると、導電横チャンネルが、ソース領域層からドリフト層2の垂直部分27へ上記部分30とベース層3の間の境界の沿って且つその上に少し離れてできる。バルクチャンネルとして、このチャンネルは、絶縁層との境界面にできる、かなりトラップ密度の高い、逆転チャンネルの劣化した移動度ではなく、バルクキャリヤ移動度を有する。それで、このデバイスのオン状態抵抗が、従来のMISFETのそれよりかなり低い。
MISFETは、ここでは、MOSFETのような、絶縁ゲートを有する電界効果型トランジスタを含むと定義する。
上に説明したこの発明の異なる実施例によるデバイスの低濃度にドープしたn型チャンネル領域層は、図14で説明した実施例を除いて、その導電度を制御し、常時オフのデバイスを作れるようにするために、それが容易に減損するように、ドーピング濃度がドリフト層のそれの下、または十分下であるのが好ましい。このドーピング濃度は、1014cm-3のオーダまたはそれ以下まで下がってもよい。
この発明は、勿論、上に説明した好適実施例にどのようにも限定されず、その修正の多くの可能性が、この発明の基本概念から逸脱することなく当業者には明白だろう。
図面で異なる層の厚さがこの保護の範囲を限定するとは解釈できず、どのような厚さ関係もこれらの請求項に含める意図であることを強調する。
使用するドーパントは、この用途のドーパントとして適したどんな材料でもよい。
請求項に記載した層の数は、最小数であり、これらのデバイスに更なる層を配置すること、または何れかの層をその異なる領域の選択ドーピングにより幾つかの層に分割することは、この発明の範囲内にある。特に、ドリフト層は、ベース層に近いければ特にドーピング濃度を下げるような、幾つかの異なるドーピング濃度のサブ層によって構成してもよい。
図面には、ゲート電極が絶縁されているように示したが、この発明はそれに限定されず、拡散されていても良く、即ち、所謂バイポーラ型ゲートが高濃度にドープされていても良いが、するとそれは電流を食うので有利ではない。
“基板層”は、この開示では、記載した層のドレーンに最も近い層と解釈すべきで、この分野でのこの語の厳密な意味での基板層、即ち、成長がスタートする層でなくても良い。実際の基板層は、これらの層のどれでも良く、大抵は最も厚いもので、それはドリフト層かも知れない。
方法の請求項は、互いの上に位置する層の、それらを記載した順序の成長に限定されず、これらの層のその他の順序の成長もこれらの請求項の範囲内にあると解釈すべきである。例えば、この方法は、ドリフト層からスタートしても良く、所謂基板層およびドレーンをこの方法のまさに最後に成長しても良い。
Claims (13)
- 少なくともドレインコンタクト(12)、高濃度にドープした基板層(1)および低濃度にドープしたn型ドリフト層(2)をこれらの順序に積層して含む、SiCの電界制御型半導体デバイスであり、該デバイスは、更に、前記ドリフト層(2)の上部面におけるp型ベース層(3)、前記ドリフト層(2)の上および前記ベース層(3)を覆った低濃度にドープしたメサ型エッチングされたn型チャンネル領域層(4)、該チャンネル領域層の上部面における高濃度にドープしたn型ソース領域層(6)、該ソース領域層(6)に結合したソースコンタクト(11)、前記デバイスがオン状態にあるとき前記ソース領域層から前記ドリフト層へ前記チャンネル領域層(4)を通る電流、および、ゲート電極(9)であって、該電極に電圧を加えると、前記チャンネル領域層(4)の荷電キャリヤ分布および導電度を設定するように配設されたゲート電極(9)を含むデバイスに於いて、
横方向に延びる導電チャンネル(17)が前記ゲート電極(9)によって前記ドリフト層(2)まで前記ベース層(3)と前記ソース領域層(6)との間の前記チャンネル領域層に形成されていること、および
前記ソース領域層からドリフト層まで前記導電チャンネルを形成するように、前記ゲート電極が前記チャンネル領域層を上から作用するよう配設され、
さらに、前記デバイスが、前記チャンネル領域層の側壁に形成され前記チャンネル領域層(4)の表面から前記ドリフト層(2)まで延びる追加の高濃度にドープしたn型層(7)を含むことを特徴とするSiCの電界制御型半導体デバイス。 - 請求項1に記載のデバイスに於いて、前記p型ベース層(3)が高濃度にドープされていることを特徴とするデバイス。
- 請求項1または請求項2に記載のデバイスに於いて、前記ゲート電極(9)が介在する絶縁層(8)によって前記チャンネル領域層に関して絶縁されていることを特徴とするデバイス。
- 請求項1または請求項2に記載のデバイスに於いて、該デバイスを常時オフのデバイスにするために、前記ゲート電極(9)に零電位を掛けるとき、前記チャンネル領域層(4)に前記ソース領域層(6)から前記ドリフト層(2)までの電子の通過を完全に阻止するp型空乏領域(16)を作るように、前記チャンネル領域層(4)の厚さおよびドーピング濃度を前記ベース層(3)のドーピング濃度および前記ゲート電極(9)の材料と調整することを特徴とするデバイス。
- 請求項1から請求項4までの何れか1項に記載のデバイスに於いて、前記高濃度にドープした基板層(1)がn型であり、および前記デバイスがトランジスタであることを特徴とするデバイス。
- 請求項1から請求項4までの何れか1項に記載のデバイスに於いて、該デバイスがサイリスタであること、並びに、前記高濃度にドープした基板層(1)がp型であり、かつ高濃度にドープしたn型バッファ層が前記基板層(1)と前記ドリフト層(12)の間に設けられていることを特徴とするデバイス。
- 請求項1に記載のデバイスに於いて、前記ソース領域層(6)と前記追加のn型層(7)は横方向に距離をおいて配置され、前記チャンネル領域層(4)の一部が前記ソース領域層(6)と前記追加のn型層(7)の間で前記ゲート電極(9)の電圧に曝されるようになっていることを特徴とするデバイス。
- トランジスタである、SiCの電界制御型半導体デバイスを生産するための方法であって、
1)以下のSiCの半導体層、即ち、n型用の高濃度にドープしたn型基板層(1)および低濃度にドープしたn型ドリフト層(2)を順次エピタキシャル成長させる工程、
2)p型ベース層(3)を作るために、前記ドリフト層の表面層にp型ドーパントを注入する工程、
3)前記ベース層および前記ドリフト層(2)の上に低濃度にドープしたn型チャンネル領域層(4)をエピタキシャル成長させる工程、
4)前記ドリフト層に伸びる前記チャンネル領域層の側壁(5)を作るために前記チャンネル領域層をエッチング除去する工程、
5)高濃度にドープしたn型ソース領域層(6)を作るためにn型ドーパントを前記チャンネル領域層(4)の表面に注入する工程、
6)前記チャンネル領域層から前記ドリフト層まで伸びる追加のn型層(7)を作るために、n型ドーパントを前記ソース領域層(6)から横方に離れている前記チャンネル領域層(4)の前記側壁(5)内に注入する工程、
7)前記ソース領域層と前記追加のn型層の間の前記チャンネル領域層の上方にゲート電極(9)を形成し、および前記ソース領域層にソース電極(11)を形成する工程、
を含み、
前記工程4)および工程5)が次の順序、即ち、工程4)の後に工程5)で実施するSiCの電界制御型半導体デバイスを生産するための方法。 - 請求項8に記載の方法に於いて、工程5)および工程6)を単一処理工程として同時に実施することを特徴とする方法。
- サイリスタである、SiCの電界制御型半導体デバイスを生産するための方法であって、
1)以下のSiCの半導体層、即ち、p型用の高濃度にドープした基板層(1)にして、高濃度にドープしたn型バッファ層(18)および低濃度にドープしたn型ドリフト層(2)を順次エピタキシャル成長させる工程、
2)前記ドリフト層に溝(22)をエッチングする工程、
3)前記溝でp型ベース層(3)をエピタキシャル成長させる工程、
4)前記ベース層の上および前記ドリフト層(2)の表面で低濃度にドープしたn型チャンネル領域層(4)をエピタキシャル成長させる工程、
5)前記チャンネル領域層(4)を、前記チャンネル領域層の側壁が前記ベース層(3)の上方にあるように、エッチング除去する工程、
6)前記チャンネル領域層(4)の側壁に高濃度にドープしたn型ソース領域層(6)を作るために、前記チャンネル領域層の前記側壁にn型ドーパントを注入する工程、および
7)前記チャンネル領域層に前記ソース領域層から横方向に位置されている前記チャンネル領域層の一部分の上方にゲート電極(9)を形成し、かつ前記ソース領域層にソース電極(11)を形成する工程、
を含むSiCの電界制御型半導体デバイスを生産するための方法。 - トランジスタである、SiCの電界制御型半導体デバイスを生産するための方法であって、
1)順次以下のSiCの半導体層をエピタキシャル成長させる工程、即ち、n型用の高濃度にドープしたn型基板層(1)、および低濃度にドープしたn型ドリフト層(2)をエピタキシャル成長させる工程、
2)前記ドリフト層に溝(22)をエッチングする工程、
3)前記溝でp型ベース層(3)をエピタキシャル成長させる工程、
4)前記ベース層の一部分にかつ前記ドリフト層に第2溝(25)をエッチングする工程、
5)前記第2溝に低濃度にドープしたn型チャンネル領域層(4)をエピタキシャル成長させる工程、
6)高濃度にドープしたn型ソース領域層(6)を作るために、n型ドーパントを前記チャンネル領域層の表面に注入する工程、
7)前記チャンネル領域層(4)を覆って絶縁膜(8)を形成する工程、
8)前記ソース領域層(6)から横方向に位置されている前記チャンネル領域層の一部分の上方にゲート電極(9)を形成する工程、
9)前記ソース領域層(6)の上方の前記絶縁膜(8)にコンタクトホールを形成する工程、
10)前記ソース領域層上にソース電極(11)を形成する工程
を含む電界制御型半導体デバイスを生産するための方法。 - 請求項10から請求項11までの何れか1項に記載の方法に於いて、該方法が、前記チャンネル領域層から横方面に位置する追加の高濃度にドープしたp型層(21)を作るために、a)p型ドーパントを前記ベース層(3)の表面層に注入する工程、b)前記ベース層上でp型層をエピタキシャル成長させる工程、の一つを含むこと、並びにソース電極(11)を前記追加のp型層にも接触させて付けることを特徴とする方法。
- 請求項8から請求項10までの何れか1項に記載の方法に於いて、前記チャンネル領域層(4)に絶縁層(8)を付け、およびゲート電極(9)を前記絶縁層に付けることを特徴とする方法。
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