JP4706601B2 - Film forming substrate manufacturing equipment - Google Patents
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Description
本発明は、成膜基板の製造装置に関するものである。 The present invention relates to an apparatus for manufacturing a film formation substrate.
現在、液晶パネルは携帯電話、プロジェクターなどにおいて広範囲で行なわれている。なかでも、プロジェクターのライトバルブとして使用される液晶パネルは、点灯に強い光源を用いるため、従来の有機物による配向膜を使用した液晶パネルでは、早期に配向膜が劣化し、表示に影響を及ぼすことが知られている。よって、有機物に代わり、無機配向膜を用いた液晶パネルの開発が行なわれ、その中でイオンビームスパッタ方式ではスパッタ時の成膜分子を基板に対して４５度以下の斜め方向で基板へ入射させることで無機物による柱状構造体の配向膜表面を形成し液晶の配向を実現させている。 Currently, liquid crystal panels are widely used in mobile phones, projectors, and the like. In particular, liquid crystal panels used as projector light valves use light sources that are strong in lighting, so liquid crystal panels that use conventional organic alignment films can deteriorate the alignment film and affect the display. It has been known. Therefore, a liquid crystal panel using an inorganic alignment film has been developed in place of an organic substance. In the ion beam sputtering method, film formation molecules at the time of sputtering are incident on the substrate at an angle of 45 degrees or less with respect to the substrate. Thus, the alignment film surface of the columnar structure is formed of an inorganic material, and the alignment of the liquid crystal is realized.
従来、イオンビームスパッタ方式を用いて基板に成膜を行なう際には、下記特許文献１，２に示すようなホルダーと呼ばれる基板保持用治具へ基板をセットして、そのホルダーを成膜装置へ投入し、成膜処理を行なうことが一般的であった。
しかしながら、成膜分子が基板に対して斜めに入射される成膜方法においては、基板を保持している保持部が成膜粒子を遮ってしまい、基板の被成膜面上に未成膜部分が発生してしまうという問題があった。そのため、成膜分子が入射する方向側に位置する保持部を除いて、基板の片側のみを保持するようにした方法が提案されている。これにより、未成膜部分が発生することを防止することができる。また、保持部の数が減るので保持部同士の間隔を狭くすることができ、装置の小型化を図ることも可能となる。ところが、成膜分子の入射方向前方に位置する保持部が、該保持部よりも後方に位置する基板の被成膜面への成膜粒子を遮ってしまう虞がある。これにより、後続の基板上に未成膜部分が発生するという問題が出てしまう。そのため、結局は保持部同士の配置間隔を大きくとらなければならなくなり、小型化の実現が困難となっていた。 However, in the film forming method in which the film forming molecules are incident on the substrate at an angle, the holding portion that holds the substrate blocks the film forming particles, so that an undeposited portion is not formed on the film formation surface of the substrate. There was a problem that it occurred. For this reason, there has been proposed a method in which only one side of the substrate is held except for the holding portion positioned on the direction in which the film forming molecules are incident. Thereby, it can prevent that a non-film-forming part generate | occur | produces. Further, since the number of holding parts is reduced, the interval between the holding parts can be narrowed, and the apparatus can be miniaturized. However, there is a possibility that the holding part positioned in front of the film forming molecules in the incident direction may block the film forming particles on the film forming surface of the substrate located behind the holding part. This causes a problem that an undeposited portion is generated on a subsequent substrate. As a result, the arrangement interval between the holding portions has to be increased in the end, making it difficult to achieve downsizing.
また、図１７（ａ），（ｂ）に示すように、落とし込み式と呼ばれる成膜基板保持治具９０があった。この成膜基板保持治具９０は、保持基材９１に形成された穴９２内に基板９３を落とし込み、該基板９３の四隅を、穴９２の底部に設けられた爪部９４により保持するというものである。しかしながら、図１８に示すように、基板９３の被成膜面９３Ａに成膜する際、被成膜面９３Ａが保持基材９１の上面９１ａよりも低い位置にあることから、保持基材９１により成膜粒子（図中の矢印Ｔで示す）が遮られてしまう。その結果、基板９３の被成膜面９３Ａ上に未成膜領域Ｂが発生するという問題が生じてしまっていた。
Further, as shown in FIGS. 17A and 17B, there is a film formation
上述したような保持方法では、未成膜部分の発生を防止しようとすると、基板保持治具の小型化が困難となるだけでなく一度に保持可能な基板が制限される。そのため処理効率の向上が見込めない。 In the holding method as described above, if an attempt is made to prevent the occurrence of an undeposited portion, it is difficult not only to reduce the size of the substrate holding jig, but also the number of substrates that can be held at one time is limited. Therefore, improvement in processing efficiency cannot be expected.
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、蒸着膜の未成膜部分の発生を防止して、小型化を図りつつより多くの基板を保持可能とする成膜基板の製造装置を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a film formation substrate that can hold a larger number of substrates while preventing downsizing of the deposited film and reducing the size. It is to provide a manufacturing apparatus.
成膜基板の製造装置は、側面に凹部又は凸部が設けられた基板の表面に斜方成長膜法によって成膜する成膜基板の製造装置であって、前記凹部又は凸部を係合する保持部を有した保持基材を複数備え、前記保持基材を、前記成膜基板の側面方向に対して対向するように配置し、互いに対向する前記保持基材の前記保持部どうしによって、前記成膜基板の凹部又は凸部を保持するとともに、前記成膜基板の被成膜面よりも、前記成膜基板の被成膜面側の前記保持基材の面が突出しないこととされ、前記保持部が、隣り合う他の保持基材側に向かって突出する突部からなることを特徴とする。
また、複数の前記基板を保持可能とするものであって、前記保持基材を複数連設し、水平面に対する前記保持部の突出方向の傾斜角度が連設方向に沿って大きくなっていることが好ましい。
また、側面に凹部又は凸部が設けられた基板の表面に斜方成長膜法によって成膜する成膜基板の製造装置であって、前記凹部又は凸部を係合する第一線材を複数備え、前記第一線材を、前記成膜基板の側面方向に対して対向するように配置し、互いに対向する前記第一線材どうしによって、前記成膜基板の凹部又は凸部を保持するとともに、前記成膜基板の被成膜面よりも前記第一線材が突出しないことが好ましい。
また、前記一対の第一線材に対して垂直に延在する第二線材を少なくとも一対有することが好ましい。
また、複数の前記基板を保持可能とするものであって、前記第一線材を複数連設し、前記第一線材の高さ位置が連設方向に沿って高くなっていることが好ましい。
また、前記斜方成長膜法は、真空蒸着法による斜方蒸着であることが好ましい。
また、前記斜方成長膜法は、イオンビームスパッタ法による斜方スパッタであることが好ましい。
成膜基板の製造装置は、上記課題を解決するために、側面に凹部又は凸部が設けられた基板の表面に斜方成長膜法によって成膜する成膜基板の製造装置であって、凹部又は凸部を係合する保持部を有した保持基材を複数備え、保持基材を、成膜基板の側面方向に対して対向するように配置し、互いに対向する保持基材の保持部どうしによって、成膜基板の凹部又は凸部を保持するとともに、成膜基板の被成膜面よりも保持基材の上面が突出しないことを特徴としている。
An apparatus for manufacturing a film formation substrate is an apparatus for manufacturing a film formation substrate for forming a film by an oblique growth film method on a surface of a substrate having a recess or protrusion on a side surface, and engages the recess or protrusion. Provided with a plurality of holding base materials having a holding portion, the holding base material is disposed so as to face the side surface direction of the film formation substrate, and the holding portions of the holding base materials facing each other, While holding the concave portion or the convex portion of the film formation substrate, the surface of the holding base material on the film formation surface side of the film formation substrate does not protrude from the film formation surface of the film formation substrate, A holding part consists of a protrusion which protrudes toward the other holding base material side adjacent.
Further, it is possible to hold a plurality of the substrates, a plurality of the holding base materials are provided continuously, and an inclination angle of the protruding direction of the holding portion with respect to a horizontal plane is increased along the connecting direction. preferable.
Further, it is a film forming substrate manufacturing apparatus for forming a film by the oblique growth film method on the surface of a substrate having a concave portion or a convex portion on a side surface, and includes a plurality of first wire rods that engage the concave portion or the convex portion. The first wire is disposed so as to face the side surface direction of the film formation substrate, and the first wire materials facing each other hold the concave portion or the convex portion of the film formation substrate, and It is preferable that the first wire does not protrude from the film formation surface of the film substrate.
Moreover, it is preferable to have at least one pair of second wires extending perpendicularly to the pair of first wires.
Moreover, it is possible to hold a plurality of the substrates, and it is preferable that a plurality of the first wire rods are connected in series, and the height position of the first wire rods is increased along the connecting direction.
The oblique growth film method is preferably oblique deposition by vacuum deposition.
The oblique growth film method is preferably oblique sputtering by ion beam sputtering.
In order to solve the above-described problem, an apparatus for manufacturing a film formation substrate is an apparatus for manufacturing a film formation substrate for forming a film on the surface of a substrate having a recess or a protrusion on a side surface by an oblique growth film method. Alternatively, a plurality of holding base materials having holding portions that engage the convex portions are provided, and the holding base materials are arranged so as to face the side surface direction of the film formation substrate, and the holding portions of the holding base materials that face each other are arranged. Thus, the concave portion or the convex portion of the film formation substrate is held, and the upper surface of the holding base material does not protrude from the film formation surface of the film formation substrate.
本発明の成膜基板の製造装置によれば、互いに対向する保持基材の保持部同士によって基板の凹部又は凸部を保持することができるため、基板の被成膜面を全面露出させることができる。さらに、保持基材の上面が基板の被成膜面よりも突出しないようになっていることから、保持基材が影となって成膜分子を遮ることがなくなる。そのため、被成膜面に未成膜部分が発生することがなくなり、所望とする膜性能を有した蒸着膜を形成することができる。 According to the film forming substrate manufacturing apparatus of the present invention, since the concave portions or the convex portions of the substrate can be held by the holding portions of the holding bases facing each other, the film formation surface of the substrate can be exposed entirely. it can. Furthermore, since the upper surface of the holding base material does not protrude beyond the film-forming surface of the substrate, the holding base material does not become a shadow and block the film forming molecules. Therefore, an undeposited portion does not occur on the film formation surface, and a vapor deposition film having a desired film performance can be formed.
また、保持部が、隣り合う他の保持基材側に向かって開口する溝であることも好ましい。
このような構成によれば、側方に突部を有した基板を保持する場合、基板の凸部を保持基材の溝内に挿入させることによって保持することが可能となる。
Moreover, it is also preferable that a holding part is a groove | channel opened toward the other holding base material side adjacent.
According to such a configuration, when a substrate having a protrusion on the side is held, the substrate can be held by inserting the convex portion of the substrate into the groove of the holding base material.
保持部が、隣り合う他の保持基材側に向かって突出する突部からなることも好ましい。
このような構成によれば、側方に溝部を有した基板を保持する場合、基板の凹部内に保持基材の突部を挿入させることによって保持することが可能となる。
It is also preferable that the holding portion is composed of a protrusion that protrudes toward the other holding substrate side adjacent to the holding portion.
According to such a configuration, when a substrate having a groove portion on the side is held, the substrate can be held by inserting the protruding portion of the holding base material into the concave portion of the substrate.
また、複数の基板を保持可能とするものであって、保持基材を複数連設し、保持部の傾斜角度が連設方向に沿って大きくなっていることも好ましい。
このような構成によれば、保持する全ての基板の被成膜面に対して、成膜分子の入射角度を一定にすることができる。また、他の保持基材の保持部が影となることがないので、隣り合う保持基材間に保持される基板の被成膜面に未成膜部分が発生することを防止できる。以上のことから、斜め蒸着膜の膜厚分布の均一化が実現される。
It is also preferable that a plurality of substrates can be held, a plurality of holding base materials are provided continuously, and the inclination angle of the holding portion is increased along the connecting direction.
According to such a configuration, the incident angle of the film formation molecules can be made constant with respect to the film formation surfaces of all the substrates to be held. Moreover, since the holding part of another holding base material does not become a shadow, it can prevent that a non-film-forming part generate | occur | produces on the film-forming surface of the board | substrate hold | maintained between adjacent holding base materials. From the above, the uniform thickness distribution of the obliquely deposited film is realized.
本発明の成膜基板の製造装置は、側面に凹部又は凸部が設けられた基板の表面に斜方成長膜法によって成膜する成膜基板の製造装置であって、凹部又は凸部を係合する第一線材を複数備え、第一線材を、成膜基板の側面方向に対して対向するように配置し、互いに対向する第一線材どうしによって、成膜基板の凹部又は凸部を保持するとともに、成膜基板の被成膜面よりも第一線材が突出しないことを特徴とする。
本発明の成膜基板の製造装置によれば、一対の第一線材の挟持力によって、基板の側方を保持することができる。例えば、両側方に凹部を有した基板を保持する場合、基板の各凹部内に第一線材をそれぞれ挿入させることによって保持することが可能となる。さらに、第一線材が基板の被成膜面よりも突出しないように構成されていることから、第一線材が影となって成膜分子を遮る虞もなくなる。このように、基板の側方を保持することにより、被成膜面を全面露出することができるので被成膜面上に未成膜部分が発生することをなくすことができる。よって、所望とする膜性能を有した蒸着膜を得ることができる。また、線材を用いることによって、治具全体の小型化を図ることができる。
An apparatus for manufacturing a film formation substrate according to the present invention is an apparatus for manufacturing a film formation substrate for forming a film on the surface of a substrate having a recess or a protrusion on a side surface by an oblique growth film method. A plurality of first wire rods are provided, the first wire rods are arranged so as to face the side surface direction of the film formation substrate, and the first wire rods facing each other hold the concave portion or the convex portion of the film formation substrate. In addition, the first wire rod does not protrude from the film formation surface of the film formation substrate.
According to the film forming substrate manufacturing apparatus of the present invention, the sides of the substrate can be held by the clamping force of the pair of first wires. For example, when holding a substrate having recesses on both sides, the substrate can be held by inserting the first wire into each recess of the substrate. Furthermore, since the first wire is configured not to protrude from the film formation surface of the substrate, there is no possibility that the first wire will shade and block the film-forming molecules. In this manner, by holding the side of the substrate, the entire film formation surface can be exposed, so that an undeposited portion is not generated on the film formation surface. Therefore, a deposited film having a desired film performance can be obtained. In addition, the use of the wire can reduce the size of the entire jig.
また、一対の第一線材に対して垂直に延在する第二線材を少なくとも一対有することも好ましい。
このような構成によれば、例えば基板が平面視矩形状である場合には、基板の４辺を支持することができるので、確実且つ安定的に保持することができる。
It is also preferable to have at least a pair of second wires extending perpendicular to the pair of first wires.
According to such a configuration, for example, when the substrate is rectangular in plan view, the four sides of the substrate can be supported, so that the substrate can be reliably and stably held.
また、複数の基板を保持可能とするものであって、第一線材を複数連設し、第一線材の高さ位置が連設方向に沿って高くなっていることも好ましい。
このような構成によれば、保持する全ての基板の被成膜面に対して、成膜分子の入射角度を一定にすることができる。また、他の第一線材が影となることがないので、連設する第一線材間に保持される基板の被成膜面に未成膜部分が発生することを防止できる。以上のことから、斜め蒸着膜の膜厚分布の均一化が実現される。
In addition, it is also possible to hold a plurality of substrates, and it is also preferable that a plurality of first wire rods are connected in series, and the height position of the first wire rods is increased along the connecting direction.
According to such a configuration, the incident angle of the film formation molecules can be made constant with respect to the film formation surfaces of all the substrates to be held. In addition, since the other first wire does not become a shadow, it is possible to prevent an undeposited portion from occurring on the film formation surface of the substrate held between the first wires that are arranged in series. From the above, the uniform thickness distribution of the obliquely deposited film is realized.
また、斜方成長膜法は、真空蒸着法による斜方蒸着であることが好ましい。
真空蒸着法により成膜することにより、成膜分子に過大なエネルギーを与えることなく、熱速度程度の運動エネルギーで蒸着を行なうことができる。これにより、成膜分子を斜めに整列させる上で有利になる。
Further, the oblique growth film method is preferably oblique deposition by vacuum deposition.
By forming a film by a vacuum evaporation method, it is possible to perform the evaporation with a kinetic energy of about the heat speed without giving excessive energy to the film forming molecules. This is advantageous in obliquely aligning the film forming molecules.
また、斜方成長膜法は、イオンビームスパッタ法による斜方スパッタであることが好ましい。
イオンビームスパッタ法により成膜を行なうことにより、金属、合金、化合物及び有機物等、ほとんど全ての物質を蒸着させることができる。また、基板に対する付着性もよい。
Further, the oblique growth film method is preferably an oblique sputtering by an ion beam sputtering method.
By performing film formation by ion beam sputtering, almost all substances such as metals, alloys, compounds, and organic substances can be deposited. In addition, adhesion to the substrate is good.
本発明の成膜基板の製造装置は、基板を成膜基板保持治具に設けた状態で処理が行われるため、基板への蒸着膜の形成不良をなくすことができる。また、処理温度が比較的低温なＰＶＤ法によれば、基板の被成膜面に対する熱の影響が少なくて済む。そのため、例えば、基板の被成膜面上に配された配線や電極等が損傷することを防止することができる。 In the apparatus for manufacturing a film formation substrate according to the present invention, since the processing is performed in a state where the substrate is provided on the film formation substrate holding jig, it is possible to eliminate the formation defect of the vapor deposition film on the substrate. In addition, according to the PVD method having a relatively low processing temperature, the influence of heat on the film formation surface of the substrate can be reduced. Therefore, for example, it is possible to prevent damage to wirings, electrodes, and the like disposed on the deposition surface of the substrate.
以下、図面を参照しながら本発明の実施の形態について説明する。なお、以下の図面においては、図面を見やすくするため、各構成要素の膜厚や寸法の比率などは適宜異ならせてある。また、以下の説明においては、ｘｙｚ直交座標系を設定し、このｘｙｚ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。そして、水平面内における所定方向をｘ方向、水平面内においてｘ方向と直交する方向をｙ方向、ｘ方向及びｙ方向のそれぞれに直交する方向をｚ方向とする。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following drawings, the film thicknesses and dimensional ratios of the respective components are appropriately changed in order to make the drawings easy to see. In the following description, an xyz orthogonal coordinate system is set, and the positional relationship of each member will be described with reference to the xyz orthogonal coordinate system. A predetermined direction in the horizontal plane is an x direction, a direction orthogonal to the x direction in the horizontal plane is a y direction, and a direction orthogonal to each of the x direction and the y direction is a z direction.
本発明の成膜基板の製造装置は、成膜基板保持治具を備える成膜装置であって、成膜基板保持治具に保持された基板の表面上に斜方成膜法にて成膜するものである。 The film formation substrate manufacturing apparatus of the present invention is a film formation apparatus including a film formation substrate holding jig, and forms a film on the surface of the substrate held by the film formation substrate holding jig by an oblique film formation method. To do.
まず、成膜基板保持治具について述べる。
以下に述べる各実施形態の成膜基板保持治具は、成膜しようとする基板を後述の成膜装置内で保持するためのものである。
First, the film formation substrate holding jig will be described.
The film formation substrate holding jig of each embodiment described below is for holding a substrate to be formed in a film formation apparatus described later.
［第１実施形態］
まず、第１実施形態について、図１から図３を用いて説明する。
図１は、本実施形態における成膜基板保持治具の全体の概要を示す平面図である。図２は、保持基材の側断面図である。図３は、成膜基板保持治具による基板の保持状態を示す説明図である。なお、図３には、本実施形態の成膜基板保持治具に対応する基板が図示してある。
[First Embodiment]
First, a first embodiment will be described with reference to FIGS.
FIG. 1 is a plan view showing an outline of the entire film forming substrate holding jig in the present embodiment. FIG. 2 is a sectional side view of the holding substrate. FIG. 3 is an explanatory view showing a holding state of the substrate by the film formation substrate holding jig. FIG. 3 shows a substrate corresponding to the film formation substrate holding jig of this embodiment.
まず初めに、本実施形態の成膜基板保持治具１０に対応する基板１４の構成について説明しておく。
基板１４は、図１，３（ａ）に示すように、底部（被成膜面１４ａを上面とすると、該被成膜面１４ａとは反対側の下面１４ｂ側）に、平面視における長手方向両側の側面１４ｃ，１４ｃからそれぞれ垂直に突出する一対の突出部１５，１５を有した形状となっている。
First, the configuration of the
As shown in FIGS. 1 and 3A, the
本実施形態の成膜基板保持治具１０は、上述したような構成の基板１４を複数、保持可能とするものであって、図１，２に示すように、枠状のフレーム１１と、該フレーム１１内に設けられ、互いに平行をなすとともに所定の間隔をおいて連設された複数の保持基材１２と、を有して構成されている。
The film forming
フレーム１１の枠内には、図１に示すｙ方向に沿って延在する保持基材１２がｘ方向に間隔をおいて複数備えられている。そして、本実施形態のフレーム１１は、例えば、保持基材１２の延在方向におけるどちらか一方の側部（ここでは、図中の二点鎖線で示す側部１１ａ）を取り外し可能なものとしている。これにより、各保持基材１２の端部側から、隣り合う保持基材１２同士の間に複数の基板１４を保持させることができる構成となっている。
In the
保持基材１２は、図１，２に示すように、平面視矩形状の細棒状を呈し、幅方向両側には内側に凹む一対の溝部１３（保持部）を有している。溝部１３は、保持基材１２の長手方向（図１におけるｙ方向）に沿って形成され、上記した基板１４の突出部１５を挿入させるための溝となっている。そして、各保持基材１２は、互いの溝部１３を対向させた状態でフレーム１１に設けられている。また、フレーム１１に対する位置（ｚ方向における位置）を互いに一致させているので、隣り合う保持基材１２の溝部１３同士の位置は、必然的に一致することになる。これら隣り合う保持基材１２同士の対向する溝部１３内に、基板１４の突出部１５を挿入させることによって基板１４を保持することになる。そのため、本実施形態における保持基材１２同士の間隔は、保持する基板１４の長手方向が保持基材１２に対して垂直となるように、基板１４の長手方向長さに対応した間隔となっている。
As shown in FIGS. 1 and 2, the holding
図２に示すように、溝部１３は、互いに対向する内面１６，１６及びこれら内面１６，１６同士を繋ぐ連結面１７とから構成されている。ここで、内面１６は互いに平行であってもよい（図３（ａ）参照）が、溝部１３の開口１３ａ側が広がるように、どちらか一方の内面１６（本実施形態においては１６ａ）が水平面に対して所定の角度で傾斜していてもよい。この場合、連結面１７の幅寸法を基板１４の突出部１５の厚さ寸法以下にしておく。そうすることによって、基板１４を溝部１３内に挿入するだけで突出部１５に対して所望とする押圧力が付加される構成となる。よって、基板１４を溝部１３の内面１６，１６間でずれることなく保持することが可能となる。
As shown in FIG. 2, the
なお、溝部１３の奥行き、つまり内面１６の幅寸法は、基板１４の突出部１５の突出量に応じて適宜設定される。
The depth of the
このような成膜基板保持治具１０に基板１４を保持する場合には、図１から図３に示すように、フレーム１１内で隣り合う保持基材１２同士の対向する溝部１３内に、これら各溝部１３の長手方向一方の開口１３ｂ側から基板１４の突出部１５を各々挿入させ、溝部１３の延在方向に沿ってスライドさせながら行なう。
When holding the
図１に示すように、基板１４は、フレーム１１の取り外された側部１１ａ側から、保持基材１２間に挿入させることになる。そのため、保持基材１２の長手方向一方の端部側（図中下側）の開口１３ｂが広がるように、内面１６及び連結面１７の開口１３ｂ側の端部をそれぞれ若干傾斜させておいてもよい。これにより、開口１３ｂが広がるので、隣り合う保持基材１２，１２の溝部１３，１３内へ基板１４を挿入することが容易となる。
As shown in FIG. 1, the
こうして、成膜基板保持治具２０に保持される複数の基板１４は、各々の被成膜面１４ａを上方に向けた状態で保持される。
In this way, the plurality of
本実施形態の成膜基板保持治具１０によれば、基板１４の被成膜面１４ａの全面を露出させることができる。すなわち、成膜基板保持治具１０は、基板１４を保持する際、保持基材１２の上面１２ａが基板１４の被成膜面１４ａから突出することなく基板１４を保持することができる構成となっている。そのため、図３（ｂ）に示すように、基板１４の被成膜面１４ａの全面が露出していることから、保持基材１２が影となって成膜分子（図中の矢印Ｔで示す）を遮る心配はない。これにより、被成膜面１４ａ上に未成膜部分を発生させることなく成膜を施すことができる。したがって、所望とする膜性能を有した蒸着膜を効果的に得ることができる。
According to the film formation
さらに、保持基材１２の厚さは、基板１４の厚さよりも薄く形成されていることから、治具の薄型化、すなわち小型化を図ることができる。また、保持基材１２の幅寸法を調整したり、溝部１３を基板１４の突出部１５の形状に沿って形成する（例えば、溝部１３の奥行き寸法を突出部１５の突出寸法に合わせる等）ことによって、更なる小型化を図ることができる。
Furthermore, since the thickness of the holding
以下に示す各実施形態の成膜基板保持治具の基本構成は、第１実施形態と同様であり、第１実施形態の保持基材の構成が異なるだけである。よって、以下では、保持基材の構成についてのみ説明し、共通な箇所の説明は省略する。また、説明に用いる各図面において、図１から図３と共通の構成要素には同一の符号を付すものとする。 The basic configuration of the film formation substrate holding jig of each embodiment shown below is the same as that of the first embodiment, and only the configuration of the holding substrate of the first embodiment is different. Therefore, in the following, only the configuration of the holding substrate will be described, and description of common parts will be omitted. In each drawing used for explanation, the same reference numerals are given to the same components as those in FIGS. 1 to 3.
［第２実施形態］
次に、第２実施形態について、図１，図４及び図５を用いて説明する。
図４は、保持基材の全体の概要を示す斜視図である。図５は、基板の保持状態を示す説明図である。
[Second Embodiment]
Next, a second embodiment will be described with reference to FIGS.
FIG. 4 is a perspective view showing an outline of the entire holding substrate. FIG. 5 is an explanatory view showing a holding state of the substrate.
本実施形態の保持基材２１は、図４に示すように、中央に平板状の基部２２を有し、その幅方向両側に基板保持部２３を一対備えている。基板保持部２３は、基部２２に対して垂直な連結板部２４と、連結板部２４の幅方向両端からそれぞれ垂直に延在する保持板部２５とから構成され、断面視コ字状を呈すものである。このような構成により、内部に基板１４の突出部１５を挿入可能な溝部２６（保持部）を有している。
As shown in FIG. 4, the holding
なお、一対の保持板部２５は、連結板部２４に対してそれぞれ垂直に設けられるものとしたが、溝部２６の幅方向における開口２６ａ側が広がるように、連結板部２４に対して所定の角度で傾斜させてもよい。すると、対向する連結板部２４の基部側よりも端部側の方が離間した姿勢となる。この場合、連結板部２４の幅寸法は基板１４の突出部１５の厚さ寸法よりも若干短くしておく。
Although the pair of holding
このような成膜基板保持治具２０に基板１４を保持する場合には、図１，図４，５に示すように、フレーム１１内で隣り合う保持基材２１同士の対向する溝部２６内に、これら各溝部２６の長手方向一方の開口２６ｂ側から基板１４の突出部１５を各々の溝部２６内に挿入させ、溝部２６の延在方向に沿ってスライドさせながら行なう。成膜基板保持治具２０に保持される複数の基板１４は、各々の被成膜面１４ａを上方に向けた状態で保持される。
When holding the
本実施形態の成膜基板保持治具２０によれば、基板１４の被成膜面１４ａの全面を露出させることができる。すなわち、成膜基板保持治具２０は、基板１４を保持する際、保持基材２１の保持板部２５の上面２５ａが基板１４の被成膜面１４ａから突出することなく基板１４を保持することができる構成となっている。よって、成膜基板保持治具２０によっても、上記実施形態と同様の効果を得ることができる。
According to the film formation substrate holding jig 20 of the present embodiment, the entire
以上に述べた第１及び第２実施形態の成膜基板保持治具１０，２０は、突出部１５を有した基板１４に対応するよう構成されたもので、基板１４の突出部１５を保持可能な溝部１３，２６を有した保持基材１２，２１を備えている。これに対して、以下に述べる第３，４実施形態は、保持する基板の形状が、上記実施形態の成膜基板保持治具１０，２０に対応する基板１４の形状と異なっている。そのため、第３実施形態及び第４実施形態について述べる前に、まず、第３実施形態及び第４実施形態に対応する基板について述べる。
The film formation
図８，１０に示すように、以下の第３，４実施形態に対応する基板２８，２８’は、平面視における長手方向両側の側面２８ｂに、内方へと凹む凹部２９，２９’を有した形状となっている。凹部２９，２９’は、側面２８ｂの略中央に設けられ、側面２８ｂの長手方向（図中ｙ方向）に延在している。なお、凹部２９，２９’の形状は、断面視矩形状、或いは三角形状となっているが、その他の形状でもあってもよい。
As shown in FIGS. 8 and 10, the
［第３実施形態］
第３実施形態について、図６から図８を用いて説明する。
図６は、成膜基板保持治具全体の概要を示す平面図である。図７は、保持基材の概略構成を示す側断面図である。図８は、基板の保持状態を示す説明図である。
なお、本実施形態の成膜基板保持治具は、断面視矩形状を呈する凹部を有した基板を保持するよう構成されたものである。
[Third Embodiment]
A third embodiment will be described with reference to FIGS.
FIG. 6 is a plan view showing an outline of the entire deposition substrate holding jig. FIG. 7 is a side sectional view showing a schematic configuration of the holding substrate. FIG. 8 is an explanatory diagram showing a holding state of the substrate.
Note that the film formation substrate holding jig of this embodiment is configured to hold a substrate having a recess having a rectangular shape in cross section.
本実施形態の保持基材３１は、図６に示すフレーム１１のｙ方向に延在する断面視矩形状の基材部３２と、該基材部の幅方向両側に、各側面３２ａの中央部から各側面３２ａに対してそれぞれ垂直に突出する平板状の突部３３（保持部）と、から構成されている。突部３３は、基材部３２の長手方向（図６におけるｙ方向）に沿って延在している。
The holding
突部３３は、基板２８の凹部２９内に挿入可能な厚さ寸法となっている。また、突部の突出方向における寸法は、基板の溝部の奥行き寸法に応じて適宜設定される。
The
第３実施形態の保持基材３１は、互いの突部３３を対向させるようにしてフレーム１１に連設されている。これら保持基材３１に基板２８を保持させる際には、図６から図８に示すように、基板２８の凹部２９内に、フレーム１１内で隣り合う保持基材３１同士の対向する突部３３を挿入させ、突部３３の延在方向に沿って基板２８をスライドさせながら行なう。成膜基板保持治具３０に保持される複数の基板２８は、各々の被成膜面２８Ａを上方に向けた状態で保持される。
The holding
本実施形態の成膜基板保持治具３０によれば、基板２８の被成膜面２８Ａの全面を露出させることができる。すなわち、成膜基板保持治具３０は、基板２８を保持する際、保持基材３１の上面３１ａが基板２８の被成膜面２８Ａから突出することなく基板２８を保持することができる構成となっている。よって、成膜基板保持治具３０によっても、上記実施形態と同様の効果を得ることができる。
According to the film formation substrate holding jig 30 of the present embodiment, the entire
［第４実施形態］
次に、第４実施形態について、図６，図９及び図１０を用いて説明する。
図６は、本実施形態の成膜基板保持治具全体の概要を示す平面図である。図９は、保持基材の概略構成を示す側断面図である。図１０は、基板の保持状態を示す説明図である。
なお、本実施形態の成膜基板保持治具は、断面視三角形状を呈する凹部を有した基板に対応するよう構成されたものである。
[Fourth Embodiment]
Next, 4th Embodiment is described using FIG.6, FIG.9 and FIG.10.
FIG. 6 is a plan view showing an outline of the entire film forming substrate holding jig of the present embodiment. FIG. 9 is a side sectional view showing a schematic configuration of the holding substrate. FIG. 10 is an explanatory diagram showing a holding state of the substrate.
The film formation substrate holding jig of the present embodiment is configured to correspond to a substrate having a concave portion that has a triangular shape in cross section.
本実施形態の保持基材４１は、図６及び図９に示すように、フレーム１１のｙ方向に延在する断面視矩形状の基材部４２と、該基材部４２の両側面４２ａから突出する断面視三角形状の突部４３（保持部）を有している。突部４３は、基材部４２の長手方向（図６におけるｙ方向）に沿って延在し、突部４３を構成する一対の側面４４のうち、一方の側面４４の端部を保持基材４１の上面４１Ａの端部に沿わせた状態で配置されている。そして、一対の側面４４から構成される頂部４５（側面４４同士の接合点）が突出方向外側へと向いている。
As shown in FIGS. 6 and 9, the holding
突部４３は、基板２８’の凹部２９’に対応した形状となっており、基板２８’の凹部２９’を構成している内面２９ａ同士の傾斜角度θ１と、突部４３の頂部４５を構成している２つの側面４４の傾斜角度θ２とが、同じ角度となっている。また、突部４３の突出方向における寸法は、少なくとも基板２８’の凹部２９’の奥行き寸法以上の大きさでなければならない。
The
本実施形態の保持基材４１は、図６に示すように、互いの突部４３を対向させるようにしてフレーム１１に連設されている。これら保持基材４１に基板２８’を保持させる際には、図１０に示すように、基板２８’の凹部２９’内に対応する各保持基材４１の突部４３を挿入させ、保持基材４１の長手方向に沿ってスライドさせながら複数設ける。また、本実施形態の保持基材４１によれば、基板２８’の凹部２９’の形状をそのまま突部４３の形状に反映させた構成となっていることから、凹部２９’の内面２９ａと突部４３の側面４４とを接触させることができるので基板２８’のずれが生じにくい。また、成膜基板保持治具４０に保持される複数の基板２８’は、各々の被成膜面２８Ａを上方に向けた状態で保持される。
As shown in FIG. 6, the holding
本実施形態の成膜基板保持治具４０によれば、基板２８’の被成膜面２８Ａ’の全面を露出させることができる。すなわち、成膜基板保持治具４０は、基板２８’を保持する際、保持基材４１の上面４１ａが基板２８’の被成膜面２８Ａ’から突出することなく基板２８’を保持することができる構成となっている。よって、成膜基板保持治具４０によっても、上記実施形態と同様の効果を得ることができる。
According to the film formation substrate holding jig 40 of the present embodiment, the entire
［第５実施形態］
次に、第５実施形態について、図１１及び図１２を用いて説明する。
以下に示す成膜基板保持治具は、ワイヤーによって基板を保持する場合の一実施形態である。
図１１は、本実施形態の成膜基板保持治具の概要構成を示す斜視図である。図１２は、基板の保持状態を示す説明図であって、（ａ）成膜基板保持治具の要部拡大図、（ｂ），（ｃ）は基板の側断面図である。
[Fifth Embodiment]
Next, 5th Embodiment is described using FIG.11 and FIG.12.
The film formation substrate holding jig shown below is one embodiment in the case of holding a substrate with a wire.
FIG. 11 is a perspective view showing a schematic configuration of the film formation substrate holding jig of the present embodiment. FIGS. 12A and 12B are explanatory views showing a holding state of the substrate, in which FIG. 12A is an enlarged view of a main part of the deposition substrate holding jig, and FIGS. 12B and 12C are side sectional views of the substrate.
本実施形態の成膜基板保持治具５０は、図１１に示すように、フレーム１１の対向する各辺１１ａ，１１ｂに沿って、第１ワイヤー５１及び第２ワイヤー５２が格子状に設けられている。詳述すると、図１１に示すフレーム１１内には、ｙ方向に沿って延在する複数本の第１ワイヤー５１がｘ方向に所定の間隔をおいて張設されている。また、これら第１ワイヤー５１に交差してｘ方向に延在する複数本の第２ワイヤー５２がｙ方向に所定間隔をおいて張設されている。
As shown in FIG. 11, the film formation
詳述すると、第１ワイヤー５１及び第２ワイヤー５２はそれぞれ２本一組で配設されている。これら隣り合う２本の第１ワイヤー５１及び第２ワイヤー５２により基板３８を挟持する構成となっている。すなわち、これら２本一組みで構成される第１ワイヤー５１及び第２ワイヤー５２によって、後述の基板３８を保持する保持部５３が構成されることになる。
More specifically, each of the
組となっている第１ワイヤー５１同士は、互いに基板３８の長手方向長さよりも若干狭くした所定の間隔をおいて張設されている。また、第２ワイヤー５２同士は、互いに基板３８の短手方向長さよりも若干狭くした所定の間隔をおいて配設されている。各ワイヤー５１，５２の配置間隔の詳細については後述する。さらに、隣り合う各組（保持部５３）同士の間隔は、各ワイヤー５１，５２によって構成される保持部５３に保持される基板３８同士が干渉しない間隔とする。
The paired
第１ワイヤー５１及び第２ワイヤー５２は交差部において互いに干渉しないように設けられ、図１２（ａ）に示すように、ｚ方向に位置を異ならせてある。本実施形態においては、第２ワイヤー５２の方が第１ワイヤー５１よりもフレーム１１の表面側に位置している。
The
本実施形態の成膜基板保持治具５０に対応する基板３８は、４つの側面全てに凹部を有した形状となっている。上記実施形態の成膜基板保持治具３０，４０に対応する基板２８は、平面視における長手方向両側の側面２８ｂのみに凹部２９，２９’を有した形状（図８，１０参照）となっていた。本実施形態においては、図１２に示すように、成膜基板保持治具５０に対応する基板３８は、長手方向両側の側面３８ｂのみならず、短手方向両側の側面３８ｃにも凹部を有した形状となっている。
The
詳しくは、図１２（ｂ）に示すように、平面視における短手方向両側の側面３８ｂには、該側面３８ｂから内方へと凹む断面視三角形状の凹部３７が形成されている。また、図１２（ｃ）平面視における長手方向両側の側面３８ｃには、該側面３８ｃから内方へと凹む断面視三角形状の凹部３９が形成されている。
Specifically, as shown in FIG. 12 (b), a
対向する側面３８ｂにおける凹部３７同士、及び、対向する側面３８ｃにおける凹部３９同士の位置は、基板面に対して平行となるように形成されている。また、隣り合う側面３８ｂ，３８ｃに設けられる凹部３７，３９は、フレーム１１に設けられる各ワイヤー５１，５２に対応するように、互いの位置がｚ方向（基板の厚さ方向）で異なっている。すなわち、側面３８ｂに形成される凹部３７は、第２ワイヤー５２に対応するように被成膜面３８Ａ側に形成されている。一方、側面３８ｃに形成される凹部３９は、第２ワイヤー５１に対応するように被成膜面３８Ａとは反対側の底面３８Ｃ側に形成されている。
The positions of the
本実施形態の成膜基板保持治具５０に基板３８を保持する場合には、基板３８の各凹部３７，３９内に隣り合う２本の第１ワイヤー５１及び第２ワイヤー５２をそれぞれ挿入させて保持する。このとき、隣り合う２本の第１ワイヤー５１及び第２ワイヤー５２をそれぞれ引っ張りながら間隔を広げ、隣り合う２本の第１ワイヤー５１及び第２ワイヤー５２によって囲まれた領域内に基板３８を挿入する。基板３８を挿入した後、第１ワイヤー５１及び第２ワイヤー５２の引っ張りを解除すると、各ワイヤー５１，５２はその張力によって元に戻ることになる。このとき、第１ワイヤー５１が基板３８の凹部３９に、第２ワイヤー５２が基板３８の凹部３７に入り込むことによって基板３８が保持される。
When holding the
このように、第１ワイヤー５１及び第２ワイヤー５２は、基板３８の寸法よりも若干狭い間隔をおいて配置されていることから、基板３８の各凹部３７，３９に引っ掛けることができる。詳細には、保持部５３における各ワイヤー５１，５２の間隔は、基板３８の凹部３７同士、凹部３９同士の間隔に設定しておくことで可能となる。
As described above, the
また、基板３８の凹部３７同士、凹部３９同士の間隔よりも若干狭い間隔で各ワイヤー５１，５２を配設することにより、ワイヤー５１，５２に、基板３８に対する挟持力を持たせることができる。つまり、隣り合う２本のワイヤー５１，５２の張力によって基板３８の４つの側面を挟持するようにすれば、基板３８を安定的に保持することができる。
Further, by arranging the
成膜基板保持治具５０では、各ワイヤー５１，５２の間隔を広げながら基板３８を保持させることになるので、フレーム１１の側部１１ａを取り外しのできる構成とする必要はなく、４つの側部が一体形成されたものを用いることができる。
In the film formation
上記実施形態においては、フレーム１１に、複数のワイヤー５１，５２を格子状に設けた形態について述べたが、これに限らず、ｘ方向或いはｙ方向のどちらか一方向のみにワイヤーを張設するようにしてもよい。例えば、第１ワイヤー５１のみ、或いは第２ワイヤー５２のみ張設した構成であってもよい。このような成膜基板保持治具によれば、これに対応する基板の凹部も、対向する一組の側面（側面３８ｂ同士或いは側面３８ｃ同士）のみに形成しておけばよいことから、より簡単な構成とすることができる。しかしながら、基板の各側面において４点支持する成膜基板保持治具の方が確実に基板を保持することができる。
In the said embodiment, although the form which provided the some
本実施形態の成膜基板保持治具５０によれば、基板３８の被成膜面３８Ａの全面を露出させることができる。すなわち、成膜基板保持治具５０は、基板３８を保持する際、ワイヤー５１，５２が基板３８の被成膜面３８Ａから突出することなく保持する構成となっている。そのため、基板３８の被成膜面３８Ａは全面的に露出した状態となる。これにより、ワイヤー５１，５２が成膜分子を遮るということはなくなるので、基板３８の被成膜面３８Ａに未成膜部分が形成されることを防止することができる。これにより、所望とする膜性能を有した蒸着膜を形成することができる。
According to the film formation
また、線形をなすワイヤー５１，５２によって基板３８を保持する構成であることから、ワイヤー５１，５２の配設間隔を調整することによって、保持する基板３８同士の間隔を狭くすることができる。これにより、より多くの基板３８を保持することが可能になるとともに、治具の小型化を図ることができる。
Moreover, since it is the structure which hold | maintains the board |
成膜基板保持治具１０，…，５０は、保持する全ての基板１４，２８，２８’，３８の被成膜面１４ａ，２８Ａ，３８Ａが平行をなすように構成された成膜基板保持治具である。以下に示す実施形態は、保持する基板の被成膜面が所定の角度で傾くように構成された成膜基板保持治具である。
The film formation
［第６実施形態］
次に、第６実施形態について、図１３を用いて説明する。
以下に示す本実施形態の成膜基板保持治具は、ｘ方向で隣り合う保持基材同士の高さ位置がｚ方向で異なっているとともに、水平面に対してその保持部方向を所定の角度で傾斜させている点で異なる。本実施形態では、第３実施形態の保持基材３１を用いて説明するが、その他実施形態におけるいずれの保持基材を用いてもよい。図１３は、ｘ方向に連設する保持基材の傾斜状態を示す断面図である。
[Sixth Embodiment]
Next, a sixth embodiment will be described with reference to FIG.
In the film forming substrate holding jig of the present embodiment shown below, the height positions of holding substrates adjacent in the x direction are different in the z direction, and the holding unit direction is set at a predetermined angle with respect to the horizontal plane. It differs in that it is inclined. In this embodiment, the holding
図１３に示すように、本実施形態の成膜基板保持治具６０は、Ｘ方向に連設する保持基材３１同士の位置が、ｘ方向一方（図中左側）に向かうにしたがってｚ方向へと高くなっている。それと同時に、各々の突部方向（突部３３同士の方向）を水平面に対して所定の角度で傾斜させている。各保持基材３１の水平面に対する傾斜角度θは同等であってもよいが、本実施形態では、低位置にある保持基材３１ａから高位置にある保持基材３１ｃにかけて各々の傾斜角度θが漸次大きくなるように構成されている。つまり、図１３に示すように、保持基材３１ａの傾斜角度θ１から順に大きくなり、保持基材３１ｃの傾斜角度θ３が、保持基材３１ａの傾斜角度θ１よりも大きくなっている。
As shown in FIG. 13, in the film forming
従来、基板９３の被成膜面９３Ａに斜方蒸着する場合、例えば、図１６（ａ）に示すように、基板９３の右斜め上方に示す点Ｐから成膜分子（図中の矢印Ｔで示す）が入射してくるものとする。すると、基板９３の被成膜面９３Ａ上では図中ｘ方向において、成膜分子Ｔの入射角度θが異なっていることが分かる。点Ｐから最も遠い地点Ｈでは入射角度がθａとなっており、点Ｐから最も近い地点Ｊでは入射角度がθｃとなっている。このように、点Ｐに近い地点ほど入射角度が大きくなっている。
Conventionally, when oblique deposition is performed on the
図１６（ｂ）に示す従来の成膜基板保持治具８０では、基板９３の両端側を保持部８１によって保持する構成となっていたため、被成膜面９３Ａに対して図中の矢印Ｔで示す方向から成膜分子Ｔが入射してくると、成膜分子Ｔの入射方向側にある保持部８１が成膜分子Ｔを遮ってしまっていた。すると、被成膜面９３Ａ上に未成膜領域Ｂが発生してしまい、これに起因する膜性能の低下が懸念されていた。また、上述したように、成膜基板保持治具８０に対する成膜分子Ｔの入射角度は、図中ｘ方向において異なっていることから、ｘ方向に並ぶ各基板９３では、膜厚にばらつきが生じる虞もあった。
In the conventional film formation
これに対して、本実施形態の成膜基板保持治具６０は、図１３に示すように、保持する全ての基板２８の被成膜面２８Ａに対する成膜分子Ｔの入射角度が同じ角度となるように、水平面に対する保持基材３１の傾斜角度θを適宜変化させている。
On the other hand, in the film formation
このように、ｘ方向で隣り合う保持基材３１の傾斜角度θを変化させることによって、各基板２８に対する成膜分子Ｔの入射角度θｓを一定にすることができる。その結果、被成膜面２８Ａ上に未成膜部分が発生することを防止して、蒸着膜の膜厚均一化を図ることができる。これにより、所望とする膜特性を有する蒸着膜を各基板２８上へ成膜することができる。
Thus, by changing the inclination angle θ of the holding
また、保持基材３１に対して保持部３３が自在に傾斜する構成としてもよい。
Further, the holding
なお、一方向のみにワイヤーを張設した構成の成膜基板保持治具の場合、連設する各ワイヤーの高さ位置を、その連設方向に向かって漸次高くなるように変えるだけでよい。この場合、ワイヤーを格子状に設ける必要はなくなる。 In the case of a film forming substrate holding jig having a configuration in which wires are stretched only in one direction, it is only necessary to change the height position of each wire to be arranged so as to gradually become higher in the direction in which the wires are arranged. In this case, it is not necessary to provide the wires in a lattice shape.
上記した各成膜基板保持治具１０〜４０において、保持基材１２，２１，３１，４１を例えば、樹脂等から形成することが好ましい。成膜基板保持治具５０においては、例えば、各ワイヤー５１，５２の表面を樹脂等で覆っておくことが好ましい。例えば、液晶装置等に用いる場合、基板１４，２８，２８’，３８は、石英やガラス等から形成されることから、保持基材１２，２１，３１，４１が硬質のものであると、基板１４，２８，２８’，３８の装着時に双方が干渉することによって基板１４，２８，２８’，３８に傷が付いてしまう虞がある。単なる傷が後に基板１４，２８，２８’，３８の破損する虞もあることから、傷の発生は避けなければならない。しかしながら、保持基材１２，２１，３１，４１を樹脂等から形成することによって柔軟性を持たせることができるので、基板１４，２８，２８’，３８を傷付けることなく保持することができる。ワイヤー５１，５２を樹脂等で覆った場合においても同様のことが言える。
In each of the above-described film forming
上記した各成膜基板保持治具１０〜４０において、保持基材１２，２１，３１，４１の幅寸方を調整することで、保持基材１２，２１，３１，４１を介して隣り合う基板同士の配置間隔を狭くすることができる。これにより、治具の小型化を図ることが可能となる。
In each of the film forming
さらに、上述した第１から第６実施形態の成膜基板保持治具１０，…，６０によれば、基板の形状に関わらず確実に保持することができる。また例えば、成膜基板保持治具が、搬送時や成膜時に斜めや逆さ状態になったとしても、成膜基板保持治具から基板が脱落することがない。
Furthermore, according to the film-forming
以上述べた成膜基板保持治具１０，…，６０は、斜方成膜法により成膜を行なう基板を保持するものである。斜方成膜法としては、斜方蒸着或いは斜方スパッタ等が挙げられる。よって、以下では斜方蒸着により成膜を行なう成膜装置、及び斜方スパッタにより成膜を行なう成膜装置について述べる。
The film formation
上記成膜基板保持治具を備える成膜装置について図１４及び図１５を用いて説明する。ここで、成膜装置に用いられる成膜基板保持治具として、例えば、上記した第１実施形態の成膜基板保持治具１０を用いた場合を例にあげて説明する。
A film forming apparatus including the film forming substrate holding jig will be described with reference to FIGS. Here, the case where the film formation
図１４に示すイオンビームスパッタ装置１００は、成膜室としての成膜チャンバ１０１と、該成膜チャンバ１０１内に設けられ成膜材料の成膜分子を射出させるイオンガン１０２と、成膜チャンバ１０１内に具備されるとともに複数の基板１４を保持した成膜基板保持治具とを備えている。そして、イオンガン１０２からターゲット１０３にイオンビームを照射し、ターゲット１０３をスパッタリングすることにより該ターゲット１０３から放出されたスパッタ粒子を、成膜基板保持治具１０に保持されている全ての基板１４上に、一定の入射角度θｓ（傾斜角度）で堆積させて成膜を行っている。このようなターゲット１０３の材料としては、基板１４上に成膜する所望の材料を適宜採用することができる。そして、成膜チャンバ１０１には、その内部圧力を制御し、所望の真空度を得るための真空ポンプ１０４が接続されている。
An ion
イオンビームスパッタ装置１００に具備される成膜基板保持治具は、ターゲット２２と基板１４の基板面重心位置とを結ぶ基準線Ｘ１と、基板１４の被成膜面１４ａと垂直に交わる直線Ｘ２とのなす角θ０が、所定値となるように成膜チャンバ１１１内に保持される。
The film formation substrate holding jig provided in the ion
図１５に示す真空蒸着装置１１０は、成膜室としての成膜チャンバ１１１と、該成膜チャンバ１１１内に設けられ成膜材料の蒸気流を発生させる蒸着源１１２と、成膜チャンバ１０１の内部圧力を制御し、所望の真空度を得るための真空ポンプ１１４と、成膜チャンバ１１１内に具備されるとともに複数の基板１４を保持した成膜基板保持治具とを備えている。図中矢印Ｙ１で示すように、蒸着源１１２から昇華した成膜材料が、成膜基板保持治具に保持されている全ての基板１４に対して一定の入射角度θｓ（傾斜角度）で連続入射する。これにより、基板１４に成膜材料が斜め柱状に堆積しさせて成膜を行なっている。成膜材料としては、基板１４上に成膜する所望の材料を適宜採用することができる。
A vacuum deposition apparatus 110 shown in FIG. 15 includes a deposition chamber 111 as a deposition chamber, a deposition source 112 that is provided in the deposition chamber 111 and generates a vapor flow of a deposition material, and an interior of the
真空蒸着装置１１０に具備される成膜基板保持治具は、蒸着源１１２と基板１４の基板面重心位置とを結ぶ基準線Ｘ１と、基板１４の被成膜面１４ａと垂直に交わる直線Ｘ２とのなす角θ０が、所定値となるように、保持機構に保持される。
The deposition substrate holding jig provided in the vacuum deposition apparatus 110 includes a reference line X1 that connects the deposition source 112 and the center of gravity of the substrate surface of the
また、図１４，１５において矢印Ｙ１によって示される、成膜分子の進行方向（成膜材料の成膜方向）と、成膜が施される基板１４（被成膜面１４ａ）とのなす角度θｓ（入射角度）が、成膜基板保持治具１０に備えられている全ての基板１４において一定となるように、成膜基板保持治具１０の取り付け方向が適宜調整可能となっている。本実施形態では斜方蒸着を行うことから、各基板１４の被成膜面１４ａに対する入射角度θｓは９０°未満で設定される。
14 and 15, an angle θs formed by a traveling direction of film forming molecules (film forming direction of the film forming material) and a substrate 14 (
本発明に係る各実施形態の成膜基板保持治具１０，…，６０を用いれば、イオンビームスパッタ装置１００及び真空蒸着装置１１０によって成膜処理を行なう際、基板を保持している保持基材１２，２１，３１，４１、第１ワイヤー５１及び第２ワイヤー５２が成膜分子を遮ることがない。そのため、基板の被成膜面を全面露出することができる。
If the film-forming
したがって、成膜基板保持治具１０，…，６０に保持される全ての基板１４，２８，２８’，３８の被成膜面１４ａ，２８Ａ，２８Ａ’，３８Ａに対して、未成膜部分を発生させることなく全面的に均一な蒸着膜を形成することが可能となる。よって、基板への蒸着膜の形成不良をなくすことができ、成膜形成処理精度を向上させることができる。
Therefore, undeposited portions are generated on the deposition surfaces 14a, 28A, 28A ′, 38A of all the
さらに、成膜基板保持治具１０，…，６０に保持される全ての基板１４，２８，２８’，３８の被成膜面１４ａ，２８Ａ，２８Ａ’，３８Ａに対して、同じ入射角度θで成膜分子を蒸着させることができる。これにより、膜厚の均一化を図ることができ、所望とする膜性能を有した蒸着膜を得ることができる。
Furthermore, the same incident angle θ is applied to the deposition surfaces 14a, 28A, 28A ′, 38A of all the
また、成膜分子の入射が、４５°以下の低角度入射であっても、未成膜部分を発生させることなく、良好な膜性能を有した蒸着膜を形成することができる。また、成膜基板保持治具１０，…，６０には、複数の基板を載置させることができるので、一度に多くの基板を処理することが可能になることから作業効率が良い。
Further, even if the incidence of film forming molecules is a low angle incidence of 45 ° or less, it is possible to form a deposited film having good film performance without generating an undeposited portion. In addition, since a plurality of substrates can be placed on the film formation
さらに、処理温度が比較的低温なＰＶＤ法を用いて成膜を行なうことから、基板の被成膜面に対する熱の影響が少なくて済む。そのため、例えば、基板の被成膜面上に配された配線や電極等が損傷することを防止することができる。 Furthermore, since film formation is performed using the PVD method having a relatively low processing temperature, the influence of heat on the film formation surface of the substrate can be reduced. Therefore, for example, it is possible to prevent damage to wirings, electrodes, and the like disposed on the deposition surface of the substrate.
真空蒸着法により成膜処理を行なうことにより、成膜分子に過大なエネルギーを与えることなく、熱速度程度の運動エネルギーで蒸着を行なうことができる。これにより、成膜分子を斜めに整列させる上で有利になる。 By performing the film forming process by the vacuum evaporation method, it is possible to perform the evaporation with a kinetic energy of about the heat speed without giving excessive energy to the film forming molecules. This is advantageous in obliquely aligning the film forming molecules.
一方、イオンビームスパッタ法により成膜処理を行なうことにより、金属、合金、化合物及び有機物等、ほとんど全ての物質を蒸着させることができる。また、基板に対する付着性もよい。 On the other hand, almost all substances such as metals, alloys, compounds, and organic substances can be deposited by performing a film forming process by ion beam sputtering. Moreover, the adhesiveness with respect to a board | substrate is also good.
なお、本実施形態はこれに限定されるものではなく、各請求項に記載した範囲を逸脱しない限り、各請求項の記載文言に限定されず、当業者がそれらから容易に置き換えられる範囲にも及び、且つ当業者が通常有する知識に基づく改良を適宜付加することができる。 Note that the present embodiment is not limited to this, and is not limited to the wording of each claim as long as it does not depart from the scope described in each claim. In addition, improvements based on knowledge that a person skilled in the art normally has can be added as appropriate.
水平面に対する保持基材の傾斜角度θは、基板への所望とする膜性能、保持する基板の大きさや数、成膜基板保持治具が後述の成膜装置へ装着されるときの条件等が適宜考慮される。 The inclination angle θ of the holding substrate with respect to the horizontal plane is appropriately determined depending on the desired film performance on the substrate, the size and number of substrates to be held, the conditions when the film forming substrate holding jig is mounted on the film forming apparatus described later, etc. Be considered.
１０，２０，３０，４０，５０，６０…成膜基板保持治具、１４，２８，２８’，３８…基板、１４ａ，２８Ａ，２８Ａ’，３８Ａ…被成膜面、，１３，２６…溝部（保持部）、３３，４３…突部（保持部）、５１…第１ワイヤー（第一線材）、５２…第２ワイヤー（第２線材）、１００…イオンビームスパッタ装置、１１０…蒸着装置 10, 20, 30, 40, 50, 60 ... film formation substrate holding jig, 14, 28, 28 ', 38 ... substrate, 14a, 28A, 28A', 38A ... film formation surface, 13, 26 ... groove (Holding part), 33, 43 ... protrusion (holding part), 51 ... first wire (first wire), 52 ... second wire (second wire), 100 ... ion beam sputtering apparatus, 110 ... vapor deposition apparatus
Claims (7)
前記凹部又は凸部を係合する保持部を有した保持基材を複数備え、
前記保持基材を、前記成膜基板の側面方向に対して対向するように配置し、
互いに対向する前記保持基材の前記保持部どうしによって、前記成膜基板の凹部又は凸部を保持するとともに、
前記成膜基板の被成膜面よりも、前記成膜基板の前記被成膜面側の前記保持基材の面が突出しないこととされ、
前記保持部が、隣り合う他の保持基材側に向かって突出する突部からなる
ことを特徴とする成膜基板の製造装置。 An apparatus for manufacturing a film formation substrate for forming a film by oblique growth film method on a surface of a substrate provided with a concave portion or a convex portion on a side surface,
A plurality of holding base materials having holding portions that engage the concave portions or the convex portions,
The holding base material is arranged so as to face the side surface direction of the film formation substrate,
While holding the concave portion or the convex portion of the film formation substrate by the holding portions of the holding base material facing each other,
Than the film-forming surface of the deposition substrate, the surface of the supporting substrate of the film-forming surface side of the deposition substrate is decided not to protrude,
The apparatus for manufacturing a film-forming substrate, wherein the holding portion includes a protrusion protruding toward another adjacent holding substrate.
前記保持基材を複数連設し、水平面に対する前記保持部の突出方向の傾斜角度が連設方向に沿って大きくなっていることを特徴とする請求項１に記載の成膜基板の製造装置。 It is possible to hold a plurality of the substrates,
The apparatus for manufacturing a film formation substrate according to claim 1 , wherein a plurality of the holding base materials are provided continuously, and an inclination angle in a protruding direction of the holding portion with respect to a horizontal plane is increased along the connecting direction.
前記凹部又は凸部を係合する第一線材を複数備え、
前記第一線材を、前記成膜基板の側面方向に対して対向するように配置し、
互いに対向する前記第一線材どうしによって、前記成膜基板の凹部又は凸部を保持するとともに、
前記成膜基板の被成膜面よりも前記第一線材が突出しないことを特徴とする成膜基板の製造装置。 An apparatus for manufacturing a film formation substrate for forming a film by oblique growth film method on a surface of a substrate provided with a concave portion or a convex portion on a side surface,
A plurality of first wire rods engaging the concave portion or the convex portion,
The first wire is arranged so as to face the side surface direction of the film formation substrate,
While holding the concave portion or the convex portion of the film formation substrate by the first wire rods facing each other,
The apparatus for manufacturing a film formation substrate, wherein the first wire does not protrude from a film formation surface of the film formation substrate.
前記第一線材を複数連設し、前記第一線材の高さ位置が連設方向に沿って高くなっていることを特徴とする請求項３又は４記載の成膜基板の製造装置。 It is possible to hold a plurality of the substrates,
It said first wire plurality consecutively provided apparatus for producing a film-forming substrate according to claim 3 or 4, wherein the height position of the first wire is characterized in that it is higher along the continuously provided direction.
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