JP4687736B2 - 外力検知装置の製造方法および外力検知装置 - Google Patents
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Description
錘部と、該錘部と間隔を介して配置された支持部とを有して、該支持部と前記錘部とが1つ以上の接続箇所において前記錘部よりも肉薄の梁部によって連結されており、前記錘部の周りには該錘部の可動空間が形成され、外力に応じて前記錘部の変位と、これに伴う前記梁部の変形とが生じる構成を備えた外力検知装置の製造方法であって、
前記錘部と前記支持部と前記梁部とを形成する基板を用意し、
該基板は、第1のエッチングガスにより加工される上部層と、同じく第1のエッチングガスにより加工される下部層との間に、前記第1のエッチングガスにより加工されずに前記第1のエッチングガスとは異なる第2のエッチングガスにより加工される中間層を挟んだ3層以上の層形状に形成されたものとし、
前記錘部と前記支持部とを隔てる間隙部の形成位置の前記上部層を前記第1のエッチングガスにより溝形状に加工する上部層エッチング工程と、前記間隙部の形成位置の前記下部層および前記梁部の形成位置の前記下部層を前記第1のエッチングガスにより加工する下部層エッチング工程の後に、前記間隙部の形成位置の中間層を前記第2のエッチングガスにより加工する中間層エッチング工程を有し、
前記上部層エッチング工程におけるエッチング溝の平面形状を規則正しい複数の方向性を持つ溝形状とするとともに、前記下部層のエッチング溝の溝幅の両端間であって当該両端よりも内側に前記規則正しい複数の方向性を持つ溝形状をその全長にわたって形成することを特徴とする。
上部層と下部層とが中間層を介して積層されている積層基板をエッチングガスによりエッチング加工してそれぞれ形成された、錘部と、該錘部と間隔を介して配置された支持部と、梁部とを有して、該支持部と前記錘部とが1つ以上の接続箇所において前記錘部よりも肉薄の梁部によって連結されており、前記錘部の周りには該錘部の可動空間が形成され、外力に応じて前記錘部の変位と、これに伴う前記梁部の変形とが生じる構成を備えた外力検知装置であって、
前記中間層は前記上部層および下部層がエッチングされる第1のエッチングガスとは異なる第2のエッチングガスによってエッチングされる材質の層と成し、
前記錘部と前記支持部との間の錘部の可動空間の間隔部位は、前記積層基板の下部層又は該下部層と前記中間層の両層を下部層の下端から中間層にかけて進入させた溝をエッチングにより形成することによって形成されており、
前記下部層に形成された溝の真上側には前記錘部と前記支持部とを隔てる間隙部が前記上層部の上端から前記中間層に至るまで前記上層部を貫通させたエッチングの溝により形成されており、該上層部側の溝の溝壁面は規則正しい複数の方向性を持つ溝壁面とするとともに、その真下側の前記下部層に形成されている溝の溝幅の両端間であって当該両端よりも内側に前記規則正しい複数の方向性を持つ溝壁面がその全長にわたって形成されていることを特徴とする。
2 上部層
3 中間層
4 下部層
5 支持部
6 梁部
7 錘部
8 間隙部
9 エッチング溝
Claims (4)
- 錘部と、該錘部と間隔を介して配置された支持部とを有して、該支持部と前記錘部とが1つ以上の接続箇所において前記錘部よりも肉薄の梁部によって連結されており、前記錘部の周りには該錘部の可動空間が形成され、外力に応じて前記錘部の変位と、これに伴う前記梁部の変形とが生じる構成を備えた外力検知装置の製造方法であって、
前記錘部と前記支持部と前記梁部とを形成する基板を用意し、
該基板は、第1のエッチングガスにより加工される上部層と、同じく第1のエッチングガスにより加工される下部層との間に、前記第1のエッチングガスにより加工されずに前記第1のエッチングガスとは異なる第2のエッチングガスにより加工される中間層を挟んだ3層以上の層形状に形成されたものとし、
前記錘部と前記支持部とを隔てる間隙部の形成位置の前記上部層を前記第1のエッチングガスにより溝形状に加工する上部層エッチング工程と、前記間隙部の形成位置の前記下部層および前記梁部の形成位置の前記下部層を前記第1のエッチングガスにより加工する下部層エッチング工程の後に、前記間隙部の形成位置の中間層を前記第2のエッチングガスにより加工する中間層エッチング工程を有し、
前記上部層エッチング工程におけるエッチング溝の平面形状を規則正しい複数の方向性を持つ溝形状とするとともに、前記下部層のエッチング溝の溝幅の両端間であって当該両端よりも内側に前記規則正しい複数の方向性を持つ溝形状をその全長にわたって形成することを特徴とする外力検知装置の製造方法。 - 上部層エッチング工程におけるエッチング溝の平面形状をメアンダ状または鋸形状または波形状とすることを特徴とする請求項1記載の外力検知装置の製造方法。
- 基板は、上部層と下部層をシリコンにより形成し、中間層を酸化シリコンにより形成したSOI基板としたことを特徴とする請求項1または請求項2記載の外力検知装置の製造方法。
- 上部層と下部層とが中間層を介して積層されている積層基板をエッチングガスによりエッチング加工してそれぞれ形成された、錘部と、該錘部と間隔を介して配置された支持部と、梁部とを有して、該支持部と前記錘部とが1つ以上の接続箇所において前記錘部よりも肉薄の梁部によって連結されており、前記錘部の周りには該錘部の可動空間が形成され、外力に応じて前記錘部の変位と、これに伴う前記梁部の変形とが生じる構成を備えた外力検知装置であって、
前記中間層は前記上部層および下部層がエッチングされる第1のエッチングガスとは異なる第2のエッチングガスによってエッチングされる材質の層と成し、
前記錘部と前記支持部との間の錘部の可動空間の間隔部位は、前記積層基板の下部層又は該下部層と前記中間層の両層を下部層の下端から中間層にかけて進入させた溝をエッチングにより形成することによって形成されており、
前記下部層に形成された溝の真上側には前記錘部と前記支持部とを隔てる間隙部が前記上層部の上端から前記中間層に至るまで前記上層部を貫通させたエッチングの溝により形成されており、該上層部側の溝の溝壁面は規則正しい複数の方向性を持つ溝壁面とするとともに、その真下側の前記下部層に形成されている溝の溝幅の両端間であって当該両端よりも内側に前記規則正しい複数の方向性を持つ溝壁面がその全長にわたって形成されていることを特徴とする外力検知装置。
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WO2014088021A1 (ja) * | 2012-12-06 | 2014-06-12 | 株式会社村田製作所 | 加速度センサ |
CN109000832A (zh) * | 2018-06-25 | 2018-12-14 | 同济大学 | 一种高精度动态六向力传感器 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001308073A (ja) * | 2000-04-26 | 2001-11-02 | Denso Corp | ドライエッチング方法及びこの方法に用いるドライエッチング装置 |
JP2001330623A (ja) * | 2000-03-16 | 2001-11-30 | Denso Corp | 半導体力学量センサ |
JP2003329702A (ja) * | 2002-05-13 | 2003-11-19 | Wacoh Corp | 加速度センサおよびその製造方法 |
JP2003344444A (ja) * | 2002-05-28 | 2003-12-03 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体加速度センサ |
JP2004109114A (ja) * | 2002-07-26 | 2004-04-08 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体多軸加速度センサ |
JP2004170260A (ja) * | 2002-11-20 | 2004-06-17 | Denso Corp | 容量式加速度センサ |
JP2004294230A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体多軸加速度センサおよびその製造方法 |
JP2006226770A (ja) * | 2005-02-16 | 2006-08-31 | Seiko Instruments Inc | 力学量センサ |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3151956B2 (ja) * | 1992-09-04 | 2001-04-03 | 株式会社村田製作所 | 加速度センサ |
US5417235A (en) * | 1993-07-28 | 1995-05-23 | Regents Of The University Of Michigan | Integrated microvalve structures with monolithic microflow controller |
US5629244A (en) * | 1994-04-28 | 1997-05-13 | Nec Corporation | Fabrication method of semiconductor accelerometer |
JPH1151967A (ja) * | 1997-08-08 | 1999-02-26 | Mitsubishi Electric Corp | 多軸加速度センサ及びその製造方法 |
US20040016981A1 (en) | 2002-07-26 | 2004-01-29 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Semiconductor acceleration sensor using doped semiconductor layer as wiring |
JP4165170B2 (ja) | 2002-10-02 | 2008-10-15 | 松下電工株式会社 | 半導体加速度センサの製造方法 |
WO2006114832A1 (ja) | 2005-04-06 | 2006-11-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 加速度センサ |
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001330623A (ja) * | 2000-03-16 | 2001-11-30 | Denso Corp | 半導体力学量センサ |
JP2001308073A (ja) * | 2000-04-26 | 2001-11-02 | Denso Corp | ドライエッチング方法及びこの方法に用いるドライエッチング装置 |
JP2003329702A (ja) * | 2002-05-13 | 2003-11-19 | Wacoh Corp | 加速度センサおよびその製造方法 |
JP2003344444A (ja) * | 2002-05-28 | 2003-12-03 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体加速度センサ |
JP2004109114A (ja) * | 2002-07-26 | 2004-04-08 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体多軸加速度センサ |
JP2004170260A (ja) * | 2002-11-20 | 2004-06-17 | Denso Corp | 容量式加速度センサ |
JP2004294230A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体多軸加速度センサおよびその製造方法 |
JP2006226770A (ja) * | 2005-02-16 | 2006-08-31 | Seiko Instruments Inc | 力学量センサ |
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