JP4781081B2 - 加速度センサチップ及びその製造方法 - Google Patents
加速度センサチップ及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4781081B2 JP4781081B2 JP2005304553A JP2005304553A JP4781081B2 JP 4781081 B2 JP4781081 B2 JP 4781081B2 JP 2005304553 A JP2005304553 A JP 2005304553A JP 2005304553 A JP2005304553 A JP 2005304553A JP 4781081 B2 JP4781081 B2 JP 4781081B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- acceleration sensor
- region
- beam portion
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
Description
まず、図1及び図2を参照して、この発明の製造方法を適用して、製造される加速度センサチップの構成例につき説明する。ここではピエゾ抵抗素子を備えたピエゾ型3軸加速度センサチップを例にとって説明する。
ここで、加速度センサチップ10の動作について簡単に説明する。加速度センサチップ10に加速度がかかると、可動部14が変位する。すなわち、可動部14を支持する梁部16には、可動部14の変位量に応じた大きさの撓みが発生する。この撓みの大きさを、梁部16に設けられているピエゾ抵抗素子17の電気的な抵抗値の変化量として計測する。計測された抵抗値の変化量は、ピエゾ抵抗素子17と電気的に接続されている電極パッド18を介して、加速度センサチップ10の外部の検出回路等に出力される。このようにして、加速度センサチップ10にかかる加速度が定量的に検出される。
次に、この発明の加速度センサチップの製造方法について図3から図6を参照して説明する。
11:チップ
12:フレーム部
13:微小構造体
13a:前駆微小構造体
14:可動部(マス(錘)部)
14a:中心部
14b:突出部
14c:第2シリコン層部分の露出面
14X:可動部形成予定領域
15:凹部
16:梁部
16a:側面
16c:第1シリコン層部分の露出面
16X:梁部形成予定領域
17:機能素子(ピエゾ抵抗素子)
18:電極パッド
20:半導体基板(SOIウェハ)
20a:第1の面
20b:第2の面
20c:チップ領域
20d:内周枠領域
21:第1半導体層(第1シリコン層)
21a、21b、21c:第1シリコン層部分
22:犠牲層(BOX層)
22a、22b:犠牲層部分
23:第2半導体層(第2シリコン層)
23a、23b:第2シリコン層部分
24:LOCOS酸化膜
25:パッド酸化膜
26:シリコン窒化膜
28:溝部
28a:第1溝部
28b:第2溝部
28c:第3溝部
28d:第4溝部
30:イオン
32:熱酸化膜
34:コンタクトホール
36:配線(配線層)
36a:側面部
37:配線保護膜
40:レジスト層
50:間隙
Claims (10)
- 上面及び該上面と対向する下面を有していて、前記上面と前記下面とにわたる貫通孔を有する四角枠状のフレーム部と、
前記貫通孔内に収められている可動部と、
表面及び当該表面と対向する底面を有している梁部であって、前記フレーム部から前記貫通孔内に突出して、前記可動部に接続されて可動に支持している前記梁部と、
前記梁部の前記表面側に設けられている機能素子と、
前記機能素子に電気的に接続されていて、前記梁部の前記表面と前記フレーム部の上面とにわたって延在している配線と、
前記配線に沿って、かつ前記配線とは離間して設けられていて、前記梁部の前記表面から前記梁部の厚み内に収まる深さとして設けられている溝部と
を具え、
前記溝部は、前記梁部に設けられている
ことを特徴とする加速度センサチップ。 - 前記溝部は前記梁部の側面と前記梁部の表面に設けられている前記配線との間に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の加速度センサチップ。
- 前記溝部は、前記梁部の前記表面と前記フレーム部の前記上面とにわたって設けられていることを特徴とする請求項1に記載の加速度センサチップ。
- 前記溝部は、前記可動部の領域上で屈曲して、隣接する2つの梁部にわたって延在していることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の加速度センサチップ。
- 第1半導体層、犠牲層及び第2半導体層が順次に積層されて含まれ、かつ内周枠領域、当該内周枠領域の内側に存在する内側領域、当該内側領域内に存在する複数の梁部形成予定領域及び当該梁部形成予定領域に連接している可動部形成予定領域を有する複数のチップ領域が区画される半導体基板を準備する工程と、
前記梁部形成予定領域内に機能素子を作り込む工程と、
前記機能素子に接続されており、前記梁部形成予定領域に延在する配線を含む配線層を形成する工程と、
前記配線層を覆う配線保護膜を形成する工程と、
前記内周枠領域の前記内側領域に対し、前記犠牲層をエッチングストッパ層として前記第2半導体層側からエッチングを行った後、露出している犠牲層を除去して前記犠牲層及び前記第1半導体層により固定されている可動部を形成する工程と、
前記配線に沿って、かつ前記配線とは離間して設けられている溝部を形成する工程と、
前記溝部を埋め込んで前記内周枠領域、前記梁部形成予定領域及び前記可動部形成予定領域を覆うレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層をマスクとして用いて、前記犠牲層をエッチングストッパ層として前記第1半導体層側からエッチングを行って、前記犠牲層により固定されている可動部及び当該可動部を支持する梁部とを含む微小構造体を形成し、露出している犠牲層を除去して、前記溝部により前記配線層へのエッチャントの浸透を防止しつつ当該犠牲層から前記微小構造体を切り離す工程と
を含み、
前記溝部を形成する工程は、該溝部を、前記梁部の前記表面から前記梁部の厚み内に収まる深さで、前記梁部形成予定領域に形成する工程である
ことを特徴とする加速度センサチップの製造方法。 - 前記溝部を形成する工程は、該溝部を前記梁部の側面と前記梁部の表面に設けられる前記配線との間に形成する工程とすることを特徴とする請求項5に記載の加速度センサチップの製造方法。
- 前記溝部を形成する工程は、該溝部を前記梁部の前記表面と前記フレーム部の前記上面とにわたって形成する工程であることを特徴とする請求項5に記載の加速度センサチップの製造方法。
- 前記溝部を形成する工程は、前記溝部を前記可動部の領域上で屈曲して、隣接する2つの梁部にわたって延在している溝部として形成する工程であることを特徴とする請求項5から7のいずれか一項に記載の加速度センサチップの製造方法。
- 前記犠牲層の除去は、フッ化水素を用いた酸処理により行われることを特徴とする請求項5から8のいずれか一項に記載の加速度センサチップの製造方法。
- 前記半導体基板をSOI基板とすることを特徴とする請求項5から9のいずれか一項に記載の加速度センサチップの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005304553A JP4781081B2 (ja) | 2005-10-19 | 2005-10-19 | 加速度センサチップ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005304553A JP4781081B2 (ja) | 2005-10-19 | 2005-10-19 | 加速度センサチップ及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007114011A JP2007114011A (ja) | 2007-05-10 |
JP4781081B2 true JP4781081B2 (ja) | 2011-09-28 |
Family
ID=38096342
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005304553A Expired - Fee Related JP4781081B2 (ja) | 2005-10-19 | 2005-10-19 | 加速度センサチップ及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4781081B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009233836A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-15 | Yamaha Corp | Memsおよびmems製造方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0824195B2 (ja) * | 1988-09-30 | 1996-03-06 | 日本電気株式会社 | 半導体センサと半導体歪みゲージの製造方法 |
JP3330074B2 (ja) * | 1998-02-24 | 2002-09-30 | 松下電工株式会社 | 3軸加速度センサ |
JP2005049130A (ja) * | 2003-07-30 | 2005-02-24 | Oki Electric Ind Co Ltd | 加速度センサ及び加速度センサの製造方法 |
-
2005
- 2005-10-19 JP JP2005304553A patent/JP4781081B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007114011A (ja) | 2007-05-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9458009B2 (en) | Semiconductor devices and methods of forming thereof | |
US7153716B2 (en) | Method of manufacturing a micro-electrical-mechanical system | |
US7972886B2 (en) | Method of manufacturing micro electro mechanical systems device | |
US8603920B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device including etching step | |
US7243546B2 (en) | Acceleration sensor chip | |
JP2010171422A (ja) | Memsセンサおよびmemsセンサの製造方法 | |
JP2008049438A (ja) | 半導体装置の製造方法、半導体装置、及び感圧センサ | |
JP4744463B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR102163052B1 (ko) | 압력 센서 소자 및 그 제조 방법 | |
US20170001857A1 (en) | Sensor element and method of manufacturing the same | |
US11161734B2 (en) | MEMS assembly and manufacturing method thereof | |
KR100732698B1 (ko) | 다양한 단차를 갖는 미세 구조물의 제조 방법 | |
KR100817813B1 (ko) | 실리콘 기판 상에 상이한 수직 단차를 갖는 미세구조물의제조 방법 | |
JP4781081B2 (ja) | 加速度センサチップ及びその製造方法 | |
US9096420B2 (en) | Methods and apparatus for MEMS devices with increased sensitivity | |
KR20060112644A (ko) | 3축 가속도계 | |
JP2007322149A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2007322188A (ja) | Memsデバイス | |
JP2011038780A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
US9382113B2 (en) | Method for fabricating a self-aligned vertical comb drive structure | |
US20220340415A1 (en) | Method for etching gaps of unequal width | |
JP2006064532A (ja) | 半導体加速度センサ | |
JP2010156577A (ja) | Memsセンサおよびmemsセンサの製造方法 | |
US10524059B2 (en) | Capacitive-based transducer with high aspect ratio | |
JP2011137683A (ja) | 加速度センサの製造方法、1軸加速度センサ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080728 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20081203 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20090210 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101215 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101221 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110218 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20110218 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110614 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110705 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140715 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |