JP4686779B2 - 多層型相変化光記録媒体 - Google Patents
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Description
本発明は、光（例えばレーザ光）の照射によって情報の記録・再生または消去を行う相変化型光記録媒体に関するものである。特に本発明は、記録膜を有する透過率の高い情報層を複数備える多層型の相変化型光記録媒体に関する。
相変化型光記録媒体とは、例えば近年のＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭやＢＤ−ＲＥ(Blu-ray Disc Rewritable)であり、記録膜を形成する材料を光により結晶相と非結晶相との間で可逆的に変化させ、記録膜に対して情報を記録または消去する記録媒体である。なかでもＤＶＤ−ＲＷやＤＶＤ−ＲＡＭ、ＢＤ−ＲＥは、主に映像情報のような情報量が大きいものの記録、書換えに使用されることが多い。
更に大きな情報量を記録するには、記録密度を増大させることが考えられ、特開２００１−２４３６５５号公報（特許文献１）には、基板の片面側に記録膜と反射膜とからなる情報層を２層以上重ね合わせた、多層型光記録媒体が記載されている。
更に大きな情報量を記録するには、記録密度を増大させることが考えられ、特開２００１−２４３６５５号公報（特許文献１）には、基板の片面側に記録膜と反射膜とからなる情報層を２層以上重ね合わせた、多層型光記録媒体が記載されている。
上記したような複数の情報層を有する多層型光記録媒体において、レーザ光はレーザ光入射側から見て手前側の情報層において大きく減衰するため、手前側の情報層の透過率を高くすることが要求される。これには、記録膜や反射膜の厚みを１０ｎｍより薄くすることが必要となる。
本発明者は、手前側の情報層を特開平５−２１７２１１号公報（特許文献２）に開示されているような構成とし、記録膜及び反射膜が１０ｎｍ未満の場合について検討したが、良好な記録特性及びオーバライト特性が得られなかった。
特開２００１−２４３６５５号公報
特開平５−２１７２１１号公報
本発明者は、手前側の情報層を特開平５−２１７２１１号公報（特許文献２）に開示されているような構成とし、記録膜及び反射膜が１０ｎｍ未満の場合について検討したが、良好な記録特性及びオーバライト特性が得られなかった。
上記したように基板上に情報層を複数形成すると、手前の情報層の透過率を高くするために、記録膜や反射膜を１０ｎｍより薄く形成する必要があるが、このような条件では良好な記録特性及びオーバライト特性が得られない。
そこで本発明は、前記した問題を解決するために、情報層を複数有する多層型相変化光記録媒体において光が入射する側に近い情報層が、高い光透過率を有し、最適な記録再生を実現することができる光記録媒体を提供することを目的とする。
そこで本発明は、前記した問題を解決するために、情報層を複数有する多層型相変化光記録媒体において光が入射する側に近い情報層が、高い光透過率を有し、最適な記録再生を実現することができる光記録媒体を提供することを目的とする。
上記した課題を解決するために本発明は、次の（ａ）〜（ｃ）を提供するものである。
（ａ）光により情報が記録または再生される光記録媒体において、第１の面に対して前記光が入射される基板１と、前記基板における前記第１の面と対向する第２の面上に少なくとも２層である複数の情報層とを備え、前記基板から見て最も奥に位置する情報層以外の少なくとも一つの情報層は、少なくとも第１保護膜２と界面膜３と半透過記録膜４と第２保護膜５と第３保護膜６と半透過反射膜７とが前記基板から見てこの順に積層されており、前記半透過反射膜の膜厚は１０ｎｍ未満であり、前記第１保護膜、前記界面膜、前記第２保護膜、前記第３保護膜の熱伝導率をそれぞれ、σ１、σｋ、σ２、σ３としたとき、σ２＞σｋ＞（σ１，σ３）となる材料で前記第１保護膜、前記界面膜、前記第２保護膜、前記第３保護膜は形成されていることを特徴とする光記録媒体。
（ｂ）前記第１保護膜の熱伝導率σ１は、１０Ｗ／ｍ／Ｋ未満であり、前記界面膜の熱伝導率σｋは、１０Ｗ／ｍ／Ｋ以上５０Ｗ／ｍ／Ｋ未満であり、前記第２保護膜の熱伝導率σ２は、５０Ｗ／ｍ／Ｋ以上１８０Ｗ／ｍ／Ｋ未満であり、前記第３保護膜の熱伝導率σ３は、１０Ｗ／ｍ／Ｋ未満であることを特徴とする（ａ）記載の光記録媒体。
（ｃ）前記第１保護膜は、ＺｎＳとＳｉＯ2との少なくとも一方を含む材料からなり、前記界面膜は、ＧｅＮを主成分とした材料からなり、前記第２保護膜は、ＳｉＣを主成分とした材料からなり、前記第３保護膜は、ＺｎＳとＳｉＯ2との少なくとも一方を含む材料からなることを特徴とする（ａ）または（ｂ）に記載の光記録媒体。
（ａ）光により情報が記録または再生される光記録媒体において、第１の面に対して前記光が入射される基板１と、前記基板における前記第１の面と対向する第２の面上に少なくとも２層である複数の情報層とを備え、前記基板から見て最も奥に位置する情報層以外の少なくとも一つの情報層は、少なくとも第１保護膜２と界面膜３と半透過記録膜４と第２保護膜５と第３保護膜６と半透過反射膜７とが前記基板から見てこの順に積層されており、前記半透過反射膜の膜厚は１０ｎｍ未満であり、前記第１保護膜、前記界面膜、前記第２保護膜、前記第３保護膜の熱伝導率をそれぞれ、σ１、σｋ、σ２、σ３としたとき、σ２＞σｋ＞（σ１，σ３）となる材料で前記第１保護膜、前記界面膜、前記第２保護膜、前記第３保護膜は形成されていることを特徴とする光記録媒体。
（ｂ）前記第１保護膜の熱伝導率σ１は、１０Ｗ／ｍ／Ｋ未満であり、前記界面膜の熱伝導率σｋは、１０Ｗ／ｍ／Ｋ以上５０Ｗ／ｍ／Ｋ未満であり、前記第２保護膜の熱伝導率σ２は、５０Ｗ／ｍ／Ｋ以上１８０Ｗ／ｍ／Ｋ未満であり、前記第３保護膜の熱伝導率σ３は、１０Ｗ／ｍ／Ｋ未満であることを特徴とする（ａ）記載の光記録媒体。
（ｃ）前記第１保護膜は、ＺｎＳとＳｉＯ2との少なくとも一方を含む材料からなり、前記界面膜は、ＧｅＮを主成分とした材料からなり、前記第２保護膜は、ＳｉＣを主成分とした材料からなり、前記第３保護膜は、ＺｎＳとＳｉＯ2との少なくとも一方を含む材料からなることを特徴とする（ａ）または（ｂ）に記載の光記録媒体。
本発明によれば、複数の情報層を有する多層型相変化光記録媒体において、手前側の情報層が高い透過率を有し、更に良好な記録再生特性が得られる。
≪光記録媒体の構成≫
相変化材料を用いて形成された記録膜を有する情報層を複数層備える光記録媒体（以下、多層型光記録媒体）としては、情報を繰り返しオーバライト可能なＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＢＤ−ＲＥ(Blu-ray Disc Rewritable)などの相変化型光ディスク、光カード等の媒体が挙げられる。なお以下の説明においては本発明の多層型光記録媒体の一実施形態として、ＤＶＤ−ＲＷである多層型光記録媒体Ｄを用いるが、同様な多層型の構成を備え、ＤＶＤよりも短い波長のレーザ光で記録される光記録媒体（例えばＢＤ−ＲＥ）についても本発明を適用可能である。
相変化材料を用いて形成された記録膜を有する情報層を複数層備える光記録媒体（以下、多層型光記録媒体）としては、情報を繰り返しオーバライト可能なＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＢＤ−ＲＥ(Blu-ray Disc Rewritable)などの相変化型光ディスク、光カード等の媒体が挙げられる。なお以下の説明においては本発明の多層型光記録媒体の一実施形態として、ＤＶＤ−ＲＷである多層型光記録媒体Ｄを用いるが、同様な多層型の構成を備え、ＤＶＤよりも短い波長のレーザ光で記録される光記録媒体（例えばＢＤ−ＲＥ）についても本発明を適用可能である。
図１は、本発明の一実施形態である多層型光記録媒体Ｄを示す拡大断面図である。光記録媒体Ｄは、その基本的な構成として、記録・再生または消去用レーザ光Lが入射する入射面１Ａを底面とする第１基板１上に、第１情報層Ｄ１と中間層９を介して第２情報層Ｄ２と第２基板１４とを積層したものである。
光記録媒体Ｄにおいて入射面１Ａ側に位置する第１情報層Ｄ１は、第１保護膜２、界面膜３、半透過記録膜４、第２保護膜５、第３保護膜６、半透過反射膜７、光学調整膜８を順次積層したものである。レーザ光Ｌの入射面１Ａから見て奥側に位置する第２情報層Ｄ２は、第２基板１４のレーベル面１４Ｂを底面とした第２基板１４上に形成され、反射膜１３、第５保護膜１２、記録膜１１、第４保護膜１０を順次積層したものである。第１情報層Ｄ１の光学調整膜８と第２情報層Ｄ２の第４保護膜１０とが中間層９を介して対向するように接着されている。
光記録媒体Ｄにおいて入射面１Ａ側に位置する第１情報層Ｄ１は、第１保護膜２、界面膜３、半透過記録膜４、第２保護膜５、第３保護膜６、半透過反射膜７、光学調整膜８を順次積層したものである。レーザ光Ｌの入射面１Ａから見て奥側に位置する第２情報層Ｄ２は、第２基板１４のレーベル面１４Ｂを底面とした第２基板１４上に形成され、反射膜１３、第５保護膜１２、記録膜１１、第４保護膜１０を順次積層したものである。第１情報層Ｄ１の光学調整膜８と第２情報層Ｄ２の第４保護膜１０とが中間層９を介して対向するように接着されている。
第１基板１の材料としては、各種透明な合成樹脂、透明ガラスなどが使用できる。第２基板１４は、第２情報層Ｄ２への記録再生が入射面１Ａから第1情報層Ｄ１を通して行われるため透明である必要はないが、第１基板１と同じ材料でもよい。このような第１基板１及び第２基板１４の材料として例えば、ガラス、ポリカーボネイト樹脂、ポリメチル・メタクリレート、ポリオレフィン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などが挙げられる。特に、光学的複屈折及び吸湿性が小さく、成形が容易であることからポリカーボネイト樹脂が好ましい。
第１基板１及び第２基板１４の厚さは、特に限定するものではないが、全厚が１．２ｍｍであるＤＶＤやＢＤとの互換性を考慮すると０．０１ｍｍ〜０．７ｍｍが好ましく、なかでもＤＶＤは０．５５ｍｍ〜０．６ｍｍ、ＢＤは０．０５ｍｍ〜０．１０ｍｍが最も好ましい。
第１基板１の厚さが０．０１ｍｍ未満となると、第１基板１の入射面１Ａ側から収束したレーザ光で記録する際にごみの影響を受け易くなるので好ましくない。また光記録媒体Ｄの全厚に制限がないのであれば、実用的には０．０１ｍｍ〜５ｍｍの範囲内であればよい。５ｍｍ以上となると対物レンズの開口数を大きくすることが困難になり、照射レーザ光のスポットサイズが大きくなるため、記録密度を上げることが困難になる。従って、記録密度を増大させるために複数層の記録膜を設けた本実施形態の光記録媒体Ｄには、好ましくない。
第１基板１及び第２基板１４はフレキシブルなものでも良いし、リジッドなものであっても良い。フレキシブルな第１基板１及び第２基板１４は、テープ状、シート状、カード状の光記録媒体で使用する。リジッドな第１基板１及び第２基板１４は、カード状、あるいはディスク状の光記録媒体で使用する。
第１基板１の厚さが０．０１ｍｍ未満となると、第１基板１の入射面１Ａ側から収束したレーザ光で記録する際にごみの影響を受け易くなるので好ましくない。また光記録媒体Ｄの全厚に制限がないのであれば、実用的には０．０１ｍｍ〜５ｍｍの範囲内であればよい。５ｍｍ以上となると対物レンズの開口数を大きくすることが困難になり、照射レーザ光のスポットサイズが大きくなるため、記録密度を上げることが困難になる。従って、記録密度を増大させるために複数層の記録膜を設けた本実施形態の光記録媒体Ｄには、好ましくない。
第１基板１及び第２基板１４はフレキシブルなものでも良いし、リジッドなものであっても良い。フレキシブルな第１基板１及び第２基板１４は、テープ状、シート状、カード状の光記録媒体で使用する。リジッドな第１基板１及び第２基板１４は、カード状、あるいはディスク状の光記録媒体で使用する。
第１保護膜２、第３保護膜６、第４保護膜１０及び第５保護膜１２は、第１基板１、半透過記録膜４、記録膜１１等が記録時の発熱によって変形して記録特性が劣化することを防止する。また光学的な干渉効果により再生信号のコントラストを改善する効果を有する。
第１保護膜２、第３保護膜６、第４保護膜１０及び第５保護膜１２はそれぞれ、記録・再生または消去用のレーザ光に対して透過性を有し、屈折率ｎが１．９≦ｎ≦２．３の範囲にあることが望ましい。さらに、第１保護膜２、第３保護膜６、第４保護膜１０及び第５保護膜１２の材料は熱特性の点から、ＳｉＯ2、ＳｉＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、Ｎｂ2Ｏ5、ＺｒＯ2、ＭｇＯなどの酸化物、ＺｎＳ、Ｉｎ2Ｓ3、ＴａＳ4などの硫化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、ＷＣ、ＴｉＣなどの炭化物、いずれかの単体またはこれらの単体の混合物が好ましい。なかでも、ＺｎＳとＳｉＯ2との少なくとも一方を含んでいる材料が好ましく、更にはＺｎＳとＳｉＯ2の混合膜は、記録、消去の繰り返しによっても、記録感度、Ｃ／Ｎ、消去率などの劣化が起こりにくいことから特に好ましい。なおＺｎＳとＳｉＯ2との混合膜において、ＳｉＯ2が５％から５０％の範囲で混合の割合を変化させるとよい。
ここで記録感度とは、記録に用いるレーザ光Ｌのパワーに対して記録膜が結晶状態から非結晶状態に、または非結晶状態から結晶状態に相変化する可逆変化を生じる度合いであり、低いパワーでも記録・消去が良好に行える記録膜は記録感度が高い（高感度）とする。
また第１保護膜２、第３保護膜６、第４保護膜１０及び第５保護膜１２は、同一の材料、組成でなくとも良く、異種の材料から構成されていてもかまわない。
第１保護膜２、第３保護膜６、第４保護膜１０及び第５保護膜１２はそれぞれ、記録・再生または消去用のレーザ光に対して透過性を有し、屈折率ｎが１．９≦ｎ≦２．３の範囲にあることが望ましい。さらに、第１保護膜２、第３保護膜６、第４保護膜１０及び第５保護膜１２の材料は熱特性の点から、ＳｉＯ2、ＳｉＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、Ｎｂ2Ｏ5、ＺｒＯ2、ＭｇＯなどの酸化物、ＺｎＳ、Ｉｎ2Ｓ3、ＴａＳ4などの硫化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、ＷＣ、ＴｉＣなどの炭化物、いずれかの単体またはこれらの単体の混合物が好ましい。なかでも、ＺｎＳとＳｉＯ2との少なくとも一方を含んでいる材料が好ましく、更にはＺｎＳとＳｉＯ2の混合膜は、記録、消去の繰り返しによっても、記録感度、Ｃ／Ｎ、消去率などの劣化が起こりにくいことから特に好ましい。なおＺｎＳとＳｉＯ2との混合膜において、ＳｉＯ2が５％から５０％の範囲で混合の割合を変化させるとよい。
ここで記録感度とは、記録に用いるレーザ光Ｌのパワーに対して記録膜が結晶状態から非結晶状態に、または非結晶状態から結晶状態に相変化する可逆変化を生じる度合いであり、低いパワーでも記録・消去が良好に行える記録膜は記録感度が高い（高感度）とする。
また第１保護膜２、第３保護膜６、第４保護膜１０及び第５保護膜１２は、同一の材料、組成でなくとも良く、異種の材料から構成されていてもかまわない。
第１保護膜２及び第４保護膜１０の厚さは、およそ５ｎｍ〜５００ｎｍの範囲であればよい。さらには、第１保護膜２及び第４保護膜１０の厚さは、所望の光学特性が得られ、かつ、第１基板１や半透過記録膜４や中間層９や記録膜１１から剥離し難く、クラックなどの欠陥が生じ難いことが好ましい。これらを考慮すると第１保護膜２及び第４保護膜１０の厚さは、２０ｎｍ〜３００ｎｍの範囲とするのが好ましい。２０ｎｍより薄いと所望の光学特性を確保しにくく、３００ｎｍより厚いとクラックや剥離を生じ、さらには生産性が劣る。
なかでも、第１保護膜２は、光学コントラスト及び透過率の双方を満たすことのできる４０ｎｍ〜８０ｎｍの範囲、第４保護膜１０は高反射率を得られる１００ｎｍ〜１７０ｎｍの範囲が好ましい。更に、第４保護膜１０は屈折率の異なる材料で形成した複数の膜を組み合わせて、高反射率を実現させてもよい。
なかでも、第１保護膜２は、光学コントラスト及び透過率の双方を満たすことのできる４０ｎｍ〜８０ｎｍの範囲、第４保護膜１０は高反射率を得られる１００ｎｍ〜１７０ｎｍの範囲が好ましい。更に、第４保護膜１０は屈折率の異なる材料で形成した複数の膜を組み合わせて、高反射率を実現させてもよい。
第３保護膜６及び第５保護膜１２の厚さは、Ｃ／Ｎ、消去率などの記録特性を良好とし、安定に多数回の書き換えが可能となるよう、０．５ｎｍ〜５０ｎｍの範囲とするのが好ましい。０．５ｎｍより薄いと半透過記録膜４及び記録膜１１の熱確保が難しくなるため、Ｃ／Ｎや消去率が良好となる最適記録パワーが上昇し、５０ｎｍより厚いと熱が溜まりやすくなるために半透過記録膜４及び記録膜１１の熱によるダメージが大きく、オーバライト時のＣ／Ｎや消去特性の悪化を招いて、好ましくない。
なかでも、第３保護膜６は、半透過反射膜７によって放熱性が妨げられるので２ｎｍ〜１０ｎｍの範囲の厚みが好ましく、第５保護膜１２は、半透過記録膜４が高感度となるように、２０ｎｍ〜４０ｎｍの範囲の厚みが好ましい。
なかでも、第３保護膜６は、半透過反射膜７によって放熱性が妨げられるので２ｎｍ〜１０ｎｍの範囲の厚みが好ましく、第５保護膜１２は、半透過記録膜４が高感度となるように、２０ｎｍ〜４０ｎｍの範囲の厚みが好ましい。
界面膜３の材料としては、硫黄物を含まないことが重要である。硫黄物を含む材料を界面膜として用いると、オーバライトの繰り返しにより界面膜に含まれる硫黄が半透過記録膜４中に拡散し、記録特性が劣化することがあるので好ましくない。
例えば窒化物、酸化物、炭化物のうち少なくとも１種類を含む材料が好ましく、具体的には窒化ゲルマニウム、窒化シリコン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化クロム、炭化シリコン、炭素のうち少なくとも１種類を含む材料が好ましい。また、これらの材料に酸素、窒素、水素などを含有させても良い。前述の窒化物、酸化物、炭化物は化学量論組成でなくても良く、窒素、酸素、炭素が過剰あるいは不足していても良い。
なかでも酸化物、窒化物は一般的に、第１保護膜２や第３保護膜６に用いた材料の熱伝導率より大きく、後述する第２保護膜５に用いた材料の熱伝導率より小さく、かつ融点の高いことから、ＧｅＮ、ＳｉＮ、Ｔａ2Ｏ5、Ｎｂ2Ｏ5、ＺｒＯ2、ＴｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3を１種類以上含む材料、あるいは既述したもののうち１つを主成分とする材料から構成されていることが好ましい。ここで、主成分とするとは、界面膜３を構成する全材料のうち既述した材料の占める割合が全材料の５０％を超える場合をさし、９０％以上の場合が好ましい。
更に界面膜３は、記録の際に高温になる半透過記録膜４と溶融しないよう、融点の高い材料を用いることが好ましい。
例えば窒化物、酸化物、炭化物のうち少なくとも１種類を含む材料が好ましく、具体的には窒化ゲルマニウム、窒化シリコン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化クロム、炭化シリコン、炭素のうち少なくとも１種類を含む材料が好ましい。また、これらの材料に酸素、窒素、水素などを含有させても良い。前述の窒化物、酸化物、炭化物は化学量論組成でなくても良く、窒素、酸素、炭素が過剰あるいは不足していても良い。
なかでも酸化物、窒化物は一般的に、第１保護膜２や第３保護膜６に用いた材料の熱伝導率より大きく、後述する第２保護膜５に用いた材料の熱伝導率より小さく、かつ融点の高いことから、ＧｅＮ、ＳｉＮ、Ｔａ2Ｏ5、Ｎｂ2Ｏ5、ＺｒＯ2、ＴｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3を１種類以上含む材料、あるいは既述したもののうち１つを主成分とする材料から構成されていることが好ましい。ここで、主成分とするとは、界面膜３を構成する全材料のうち既述した材料の占める割合が全材料の５０％を超える場合をさし、９０％以上の場合が好ましい。
更に界面膜３は、記録の際に高温になる半透過記録膜４と溶融しないよう、融点の高い材料を用いることが好ましい。
半透過記録膜４及び記録膜１１は、Ｓｂ−Ｔｅ合金にＡｇ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｂｉ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｇｅのうち少なくとも１種類以上を含む組成、またはＧｅ−ＳｂにＩｎ、Ｓｎ、Ｂｉのうち少なくとも１種類以上を含む組成、またはＧａ−ＳｂにＩｎ、Ｓｎ、Ｂｉのうち少なくとも１種類以上を含む組成から構成される合金膜である。半透過記録膜４にＳｂ−Ｔｅ合金を主成分とした材料を用いた場合には、界面膜３に特にＧｅＮを用いることが好ましい。
半透過記録膜４の膜厚は、３ｎｍ以上１０ｎｍ以下が好ましい。膜厚が３ｎｍより薄いと結晶化速度が低下し記録特性が悪くなり、１０ｎｍより厚いと第１情報層Ｄ１の透過率が低下する。また記録膜１１の膜厚は１０ｎｍ〜２５ｎｍが好ましい。１０ｎｍより薄くすると、光吸収が小さくなり発熱し難くなるため記録感度が悪化し、２５ｎｍより厚くすると記録時に大きなレーザパワーが必要となる。
半透過記録膜４と記録膜１１は、同一の材料、組成でなくとも良く、異種の材料から構成されていてもかまわない。
半透過記録膜４の膜厚は、３ｎｍ以上１０ｎｍ以下が好ましい。膜厚が３ｎｍより薄いと結晶化速度が低下し記録特性が悪くなり、１０ｎｍより厚いと第１情報層Ｄ１の透過率が低下する。また記録膜１１の膜厚は１０ｎｍ〜２５ｎｍが好ましい。１０ｎｍより薄くすると、光吸収が小さくなり発熱し難くなるため記録感度が悪化し、２５ｎｍより厚くすると記録時に大きなレーザパワーが必要となる。
半透過記録膜４と記録膜１１は、同一の材料、組成でなくとも良く、異種の材料から構成されていてもかまわない。
また記録膜１１のレーザ光Ｌの入射面側の片面、もしくは両面に接する界面膜（図示せず）を設けても良い。界面膜は、上記した同様の材料を用いることが好ましい。
本実施形態では、第１情報層Ｄ１が高い透過率を有するように、可能な限り薄くした（１０ｎｍ未満）半透過膜反射膜７を用いている。このため、半透過記録膜４に情報を記録する際に半透過記録膜４にレーザ光Ｌによる熱が溜まり（蓄熱）、十分に熱が放出（放熱）されずに冷却不足となりやすい。そのため、半透過記録膜４から熱を逃しやすくするように、半透過記録膜４と半透過反射膜７との間の膜を半透過記録膜４よりも高い熱伝導率を有する材料によって形成することが考えられる。
しかしながら、半透過記録膜４と半透過反射膜７との間の膜を熱伝導率の高い材料のみで形成すると、記録に必要な熱が十分に蓄積できず良好な記録マーク（非結晶マーク）が形成できない。従って光記録媒体Ｄを再生した際の再生信号強度（以下、信号強度）が減少し、記録特性も好ましくない。
本実施形態では、半透過記録膜４と半透過反射膜７との間に形成されている、第２保護膜５に高い熱伝導率の材料を用いて、第３保護膜６に第２保護膜５のものより低い熱伝導率の材料を用いて、上記した半透過記録膜４における放熱と蓄熱のバランスを記録特性が良好となるように保つ。
しかしながら、半透過記録膜４と半透過反射膜７との間の膜を熱伝導率の高い材料のみで形成すると、記録に必要な熱が十分に蓄積できず良好な記録マーク（非結晶マーク）が形成できない。従って光記録媒体Ｄを再生した際の再生信号強度（以下、信号強度）が減少し、記録特性も好ましくない。
本実施形態では、半透過記録膜４と半透過反射膜７との間に形成されている、第２保護膜５に高い熱伝導率の材料を用いて、第３保護膜６に第２保護膜５のものより低い熱伝導率の材料を用いて、上記した半透過記録膜４における放熱と蓄熱のバランスを記録特性が良好となるように保つ。
第２保護膜５の材料としては、既述したように第３保護膜６の材料よりも熱伝導率が高いことが好ましい。更には、第１保護膜２や界面膜３の材料よりも熱伝導率が高いことが好ましい。
例えば、窒化アルミニウムまたは炭化シリコンの単体あるいは、これら単体を主成分とした混合物が好ましく、特に経時安定性の面から窒素を含んでいない炭化シリコンの単体または炭化シリコンを主成分とした酸化物等との混合物が好ましい。ここで、主成分とするとは、第２保護膜５を構成する全材料のうち既述した材料の占める割合が全材料の５０％を超える場合をさし、９０％以上の場合が好ましい。
第２保護膜５の厚さは、第２保護膜５に用いる材料の熱伝導率や屈折率に依存するが、１ｎｍ〜１０ｎｍの範囲が好ましい。１ｎｍよりも薄いと記録特性やオーバライト特性改善効果が薄れてしまい、１０ｎｍよりも厚いと半透過記録膜４の放熱性が妨げられ、良好な信号強度が得られなくなるので好ましくない。特に第１保護膜２及び第３保護膜６にＺｎＳとＺｉＯ2の混合物を使用した場合には、第２保護膜５の厚さが５ｎｍ未満、さらには２ｎｍ〜４ｎｍがより好ましい。半透過記録膜４の放熱と蓄熱の熱バランスが良好となり、再生信号のアシンメトリがオーバライトの回数に依存して変動しないように抑制できる。
例えば、窒化アルミニウムまたは炭化シリコンの単体あるいは、これら単体を主成分とした混合物が好ましく、特に経時安定性の面から窒素を含んでいない炭化シリコンの単体または炭化シリコンを主成分とした酸化物等との混合物が好ましい。ここで、主成分とするとは、第２保護膜５を構成する全材料のうち既述した材料の占める割合が全材料の５０％を超える場合をさし、９０％以上の場合が好ましい。
第２保護膜５の厚さは、第２保護膜５に用いる材料の熱伝導率や屈折率に依存するが、１ｎｍ〜１０ｎｍの範囲が好ましい。１ｎｍよりも薄いと記録特性やオーバライト特性改善効果が薄れてしまい、１０ｎｍよりも厚いと半透過記録膜４の放熱性が妨げられ、良好な信号強度が得られなくなるので好ましくない。特に第１保護膜２及び第３保護膜６にＺｎＳとＺｉＯ2の混合物を使用した場合には、第２保護膜５の厚さが５ｎｍ未満、さらには２ｎｍ〜４ｎｍがより好ましい。半透過記録膜４の放熱と蓄熱の熱バランスが良好となり、再生信号のアシンメトリがオーバライトの回数に依存して変動しないように抑制できる。
なお、第１情報層Ｄ１を構成する第１保護膜２、界面膜３、第２保護膜５、第３保護膜６（各保護膜）の各材料は融点が１５００℃以上であることが必要である。後述する初期化の際にこれらの組成物が溶融して半透過記録膜４の組成物と混ざることを防止するためである。
また、各保護膜の各材料は消衰係数が１以下であることが好ましい。このような材料を用いて第１情報層Ｄ１を構成すると、第２情報層Ｄ２へ情報を記録、あるいは第２情報層Ｄ２から情報を再生する時に、レーザ光Ｌの透過率を高めることができる。
また、各保護膜の各材料は消衰係数が１以下であることが好ましい。このような材料を用いて第１情報層Ｄ１を構成すると、第２情報層Ｄ２へ情報を記録、あるいは第２情報層Ｄ２から情報を再生する時に、レーザ光Ｌの透過率を高めることができる。
半透過反射膜７及び反射膜１３の材料としては、光反射性を有するＡｌ、Ａｕ、Ａｇなどの金属、これらの金属を主成分とし１種類以上の金属または半導体からなる添加元素を含む合金、及びこれらの金属にＡｌ、Ｓｉなどの金属窒化物、金属酸化物、金属カルコゲン化物などの金属化合物を混合したものなどが挙げられる。ここで、主成分とするとは、半透過反射膜７を構成する全材料のうちＡｌ、Ａｕ、Ａｇなどの金属の占める割合が全材料の５０％を超える場合をさし、９０％以上の場合が好ましい。
なかでもＡｕ、Ａｇなどの金属、及びこれらの金属を主成分とする合金は、光反射性が高く、かつ熱伝導度を高くできることから好ましい。合金の例としては、ＡｌにＳｉ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｍｎ、Ｚｒなどのうち少なくとも１種類の元素を混合したもの、あるいは、ＡｕまたはＡｇにＣｒ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｎなどのうち少なくとも１種類の元素を混合したものなどが一般的である。
しかし高線速度記録を考慮した場合には、とりわけ熱伝導率の高いＡｇを主成分とする金属または合金が、記録特性の点から好ましい。また半透過反射膜７は記録光の波長において透過しやすい材料が好ましく、とりわけ屈折率が１より小さいＡｕ、Ａｇが好ましい。
なかでもＡｕ、Ａｇなどの金属、及びこれらの金属を主成分とする合金は、光反射性が高く、かつ熱伝導度を高くできることから好ましい。合金の例としては、ＡｌにＳｉ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｍｎ、Ｚｒなどのうち少なくとも１種類の元素を混合したもの、あるいは、ＡｕまたはＡｇにＣｒ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｎなどのうち少なくとも１種類の元素を混合したものなどが一般的である。
しかし高線速度記録を考慮した場合には、とりわけ熱伝導率の高いＡｇを主成分とする金属または合金が、記録特性の点から好ましい。また半透過反射膜７は記録光の波長において透過しやすい材料が好ましく、とりわけ屈折率が１より小さいＡｕ、Ａｇが好ましい。
半透過反射膜７の厚さは、半透過反射膜７を形成する材料の熱伝導率の大きさによって変化するが、３ｎｍ以上１０ｎｍ未満とするのが好ましい。半透過反射膜７の厚みが３ｎｍより薄いと、半透過記録膜４の放熱を十分に吸収できないため半透過記録膜４を急冷できず、記録特性が劣り好ましくない。１０ｎｍより厚いと、第１情報層Ｄ１の透過率が低くなるので好ましくない。
また反射膜１３の厚さも、反射膜１３を形成する材料の熱伝導率の大きさによって変化するが、５０ｎｍ〜３００ｎｍとするのが好ましい。反射膜１３の厚みが５０ｎｍ以上であれば、反射膜１３は光学的には変化せず反射率の値に影響を与えないが、反射膜１３の厚みが増すと冷却速度への影響が大きくなる。また、３００ｎｍを超える厚さを形成するのは製造上多くの時間を要する。従って熱伝導率の高い材料を用いることにより、反射膜１３の層厚を上記した最適範囲に制御する。
また反射膜１３の厚さも、反射膜１３を形成する材料の熱伝導率の大きさによって変化するが、５０ｎｍ〜３００ｎｍとするのが好ましい。反射膜１３の厚みが５０ｎｍ以上であれば、反射膜１３は光学的には変化せず反射率の値に影響を与えないが、反射膜１３の厚みが増すと冷却速度への影響が大きくなる。また、３００ｎｍを超える厚さを形成するのは製造上多くの時間を要する。従って熱伝導率の高い材料を用いることにより、反射膜１３の層厚を上記した最適範囲に制御する。
ただし、半透過反射膜７または反射膜１３に純銀や銀合金を用いた場合には、エラーレートの要因となるＡｇＳ化合物の生成を防止するため、半透過反射膜７または反射膜１３に接する膜はＳを含有していない材料を用いることが好ましい。
ここで、半透過反射膜７あるいは反射膜１３にＡｇまたはＡｇ合金を、第３保護膜６あるいは第５保護膜１２にＺｎＳの単体や混合物を用いる場合には、第３保護膜６と半透過反射膜７との間または第５保護膜１２と反射膜１３との間に拡散防止膜（図示せず）を挿入することが好ましい。これは第３保護膜６や第５保護膜１２中のＳと半透過反射膜７や反射膜１３中のＡｇとの化学反応により生成されるＡｇＳ化合物による反射率の低下を抑制するためである。
拡散防止膜の材料は、上記した界面膜と同様に硫黄物を含まない材料であることが重要であり、具体的な材料は、界面膜の材料と同じものや金属、半導体、窒化シリコン、窒化ゲルマニウム、窒化ゲルマニウムクロムを用いることができる。
ここで、半透過反射膜７あるいは反射膜１３にＡｇまたはＡｇ合金を、第３保護膜６あるいは第５保護膜１２にＺｎＳの単体や混合物を用いる場合には、第３保護膜６と半透過反射膜７との間または第５保護膜１２と反射膜１３との間に拡散防止膜（図示せず）を挿入することが好ましい。これは第３保護膜６や第５保護膜１２中のＳと半透過反射膜７や反射膜１３中のＡｇとの化学反応により生成されるＡｇＳ化合物による反射率の低下を抑制するためである。
拡散防止膜の材料は、上記した界面膜と同様に硫黄物を含まない材料であることが重要であり、具体的な材料は、界面膜の材料と同じものや金属、半導体、窒化シリコン、窒化ゲルマニウム、窒化ゲルマニウムクロムを用いることができる。
光学調整膜８は、第１情報層Ｄ１の透過率を向上させるため、半透過反射膜７の材料よりも高い屈折率を有し、消衰係数は１よりも小さいものが好ましい。また、光学調整膜８の膜厚は２０ｎｍ〜３００ｎｍの範囲が好ましく、光学調整膜８の屈折率や透過するレーザの波長を考慮して第１情報層Ｄ１の透過率が大きくなるように設定する。例えば、レーザが６６０ｎｍの波長を有し、光学調整膜８の屈折率が２．１である場合には、４０ｎｍ〜６０ｎｍまたは１９０ｎｍ〜２１０ｎｍの範囲の膜厚が好ましい。
光学調整膜８の材料としては、ＳｉＯ2、ＳｉＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、Ｎｂ2Ｏ5、ＺｒＯ2、ＭｇＯなどの酸化物、ＺｎＳ、Ｉｎ2Ｓ3、ＴａＳ4などの硫化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、ＷＣ、ＴｉＣなどの炭化物の単体もしくは混合物が、屈折率が比較的高く好ましい。なかでも、ＺｎＳとＳｉＯ2の混合膜は、スパッタレートが速く、生産性が高いことから特に好ましい。
光学調整膜８の材料としては、ＳｉＯ2、ＳｉＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、Ｎｂ2Ｏ5、ＺｒＯ2、ＭｇＯなどの酸化物、ＺｎＳ、Ｉｎ2Ｓ3、ＴａＳ4などの硫化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、ＷＣ、ＴｉＣなどの炭化物の単体もしくは混合物が、屈折率が比較的高く好ましい。なかでも、ＺｎＳとＳｉＯ2の混合膜は、スパッタレートが速く、生産性が高いことから特に好ましい。
≪光記録媒体Ｄの製造方法≫
第１保護膜２、界面膜３、半透過記録膜４、第２保護膜５、第３保護膜６、半透過反射膜７、光学調整膜８、第４保護膜１０、記録膜１１、第５保護膜１２、反射膜１３などを第１基板１または第２基板１４上に積膜する方法としては、公知の真空中での薄膜形成法が挙げられる。例えば、真空蒸着法（抵抗加熱型や電子ビーム型）、イオンプレーティング法、スパッタリング法（直流や交流スパッタリング、反応性スパッタリング）であり、特に、組成、膜厚のコントロールが容易であることから、スパッタリング法が好ましい。
また真空槽内で複数の基板を同時に成膜するバッチ法や、基板を１枚ずつ処理する枚葉式成膜装置を使用することが好ましい。形成するそれぞれの膜の膜厚の制御は、スパッタ電源の投入パワーと時間を制御したり、水晶振動型膜厚計で堆積状態をモニタリングしたりすることで容易に行える。
また上記した各膜の形成は、基板を固定した状態、あるいは移動、回転した状態のどちらで行っても良い。膜厚の面内の均一性に優れることから、基板を自転させることが好ましく、更に公転を組み合わせることがより好ましい。成膜時における基板の発熱状況によっては、必要に応じて第１基板１や第２基板１４の冷却を行うと第１基板１や第２基板１４の反り量を減少させることができる。
第１保護膜２、界面膜３、半透過記録膜４、第２保護膜５、第３保護膜６、半透過反射膜７、光学調整膜８、第４保護膜１０、記録膜１１、第５保護膜１２、反射膜１３などを第１基板１または第２基板１４上に積膜する方法としては、公知の真空中での薄膜形成法が挙げられる。例えば、真空蒸着法（抵抗加熱型や電子ビーム型）、イオンプレーティング法、スパッタリング法（直流や交流スパッタリング、反応性スパッタリング）であり、特に、組成、膜厚のコントロールが容易であることから、スパッタリング法が好ましい。
また真空槽内で複数の基板を同時に成膜するバッチ法や、基板を１枚ずつ処理する枚葉式成膜装置を使用することが好ましい。形成するそれぞれの膜の膜厚の制御は、スパッタ電源の投入パワーと時間を制御したり、水晶振動型膜厚計で堆積状態をモニタリングしたりすることで容易に行える。
また上記した各膜の形成は、基板を固定した状態、あるいは移動、回転した状態のどちらで行っても良い。膜厚の面内の均一性に優れることから、基板を自転させることが好ましく、更に公転を組み合わせることがより好ましい。成膜時における基板の発熱状況によっては、必要に応じて第１基板１や第２基板１４の冷却を行うと第１基板１や第２基板１４の反り量を減少させることができる。
光記録媒体Ｄを形成するには、第１基板１上に第１保護膜２、界面膜３、半透過記録膜４、第２保護膜５、第３保護膜６、半透過反射膜７、光学調整膜８を順次成膜したものと、第２基板１４上に反射膜１３、第５保護膜１２、記録膜１１、第４保護膜１０を順次成膜したものを、粘着シートまたは紫外線硬化樹脂により形成される中間層９を介して接着を行う方法（第１の形成方法）がある。
またその他の形成方法には、第１基板１上に第１保護膜２、界面膜３、半透過記録膜４、第２保護膜５、第３保護膜６、半透過反射膜７、光学調整膜８を順次成膜した後、紫外線硬化樹脂を塗布し、溝転写用のクリアスタンパを押し付けながら、紫外線照射により硬化させて中間層９を形成し、クリアスタンパを剥離する。その後、中間層９上に第４保護膜１０、記録膜１１、第５保護膜１２、反射膜１３を順次成膜し、最後に第２基板１４を粘着シートまたは紫外線硬化樹脂により接着させる方法（第２の形成方法）がある。
生産性を考慮すると、第２の形成方法よりも第１の形成方法のほうが好ましい。
またその他の形成方法には、第１基板１上に第１保護膜２、界面膜３、半透過記録膜４、第２保護膜５、第３保護膜６、半透過反射膜７、光学調整膜８を順次成膜した後、紫外線硬化樹脂を塗布し、溝転写用のクリアスタンパを押し付けながら、紫外線照射により硬化させて中間層９を形成し、クリアスタンパを剥離する。その後、中間層９上に第４保護膜１０、記録膜１１、第５保護膜１２、反射膜１３を順次成膜し、最後に第２基板１４を粘着シートまたは紫外線硬化樹脂により接着させる方法（第２の形成方法）がある。
生産性を考慮すると、第２の形成方法よりも第１の形成方法のほうが好ましい。
上記形成方法により形成された光記録媒体Ｄを初期化するために、続いて半透過記録膜４及び記録膜１１にレーザ光、またはキセノンフラッシュランプ等の光を照射して、半透過記録膜４及び記録膜１１の構成材料を加熱して結晶化させる必要がある。再生ノイズが少ないことからレーザ光による初期化が好ましい。
≪各保護膜の熱伝導率の検討≫
本発明者は、光記録媒体Ｄにおいてレーザ光Ｌの入射側に近い、第１情報層Ｄ１を高透過率にするために、半透過反射膜７を１０ｎｍ未満の膜厚で形成した。本実施形態の光記録媒体Ｄの第１情報層Ｄ１において、半透過記録膜４の記録特性及びオーバライト特性を良好にする第１保護膜２、界面膜３、第２保護膜５、第３保護膜６（各保護膜）の条件を、以下の各実施例及び各比較例に基づいて調べた。
以下の各実施例及び各比較例における各保護膜の熱伝導率の値は、次のように求めた。シリコン基板上に各保護膜と同じ材料を２００ｎｍの厚さになるようにスパッタ成膜したサンプルを作成し、アルバック理工株式会社製２ω法ナノ薄膜熱伝導率計（TCN-2ω）を用いて、熱伝導率を測定した。
また、波長が６６０ｎｍのレーザダイオード、ＮＡ＝０．６０の光学レンズを搭載したパルステック工業株式会社製光ディスクドライブユニット（ＯＤＵ−１０００）を用いて記録を行った。記録線速度は７．７ｍ／ｓ（ＤＶＤ−ＲＯＭ２層規格、２倍速相当）で、最短記録マーク長は０．４４０μｍ、８−１６（ＥＦＭ＋）変調ランダムパターンを用いて第１情報層Ｄ１の半透過記録膜４に対してＤＶＤ−ＲＯＭと同密度の記録を行った。このとき、本実施形態の光記録媒体Ｄの容量は、２層で８．５Ｇバイトに相当する。
本発明者は、光記録媒体Ｄにおいてレーザ光Ｌの入射側に近い、第１情報層Ｄ１を高透過率にするために、半透過反射膜７を１０ｎｍ未満の膜厚で形成した。本実施形態の光記録媒体Ｄの第１情報層Ｄ１において、半透過記録膜４の記録特性及びオーバライト特性を良好にする第１保護膜２、界面膜３、第２保護膜５、第３保護膜６（各保護膜）の条件を、以下の各実施例及び各比較例に基づいて調べた。
以下の各実施例及び各比較例における各保護膜の熱伝導率の値は、次のように求めた。シリコン基板上に各保護膜と同じ材料を２００ｎｍの厚さになるようにスパッタ成膜したサンプルを作成し、アルバック理工株式会社製２ω法ナノ薄膜熱伝導率計（TCN-2ω）を用いて、熱伝導率を測定した。
また、波長が６６０ｎｍのレーザダイオード、ＮＡ＝０．６０の光学レンズを搭載したパルステック工業株式会社製光ディスクドライブユニット（ＯＤＵ−１０００）を用いて記録を行った。記録線速度は７．７ｍ／ｓ（ＤＶＤ−ＲＯＭ２層規格、２倍速相当）で、最短記録マーク長は０．４４０μｍ、８−１６（ＥＦＭ＋）変調ランダムパターンを用いて第１情報層Ｄ１の半透過記録膜４に対してＤＶＤ−ＲＯＭと同密度の記録を行った。このとき、本実施形態の光記録媒体Ｄの容量は、２層で８．５Ｇバイトに相当する。
記録は、最適記録条件で隣接トラックも含め０回と１回と１０回と１０００回オーバライトした後、その再生信号の振幅の中心でスライスし、クロック・トゥー・データ・ジッタを測定した。なお再生パワーＰｒは１．４ｍＷで一定とした。
記録ストラテジは、図２に示した記録パルス列を用いた。記録パルス列は、１Ｔマルチパルス列をベースとし、消去先頭パルスＴｅｔを有する。
記録パルス列は、消去パワーＰｅから立ち上がって最初に記録膜にレーザ光を記録パワーＰｗで印加する先頭パルスＴｔｏｐと、先頭パルスＴｔｏｐに続くパルスであり、記録パワーＰｗとボトムパワーＰｂとを交互に印加するマルチパルスＴｍｐと、レーザ光をボトムパワーＰｂから消去パワーＰｅまで立ち上がらせる冷却パルスＴｃｌと、その後に消去先頭パワーＰetを印加する消去先頭パルスＴｅｔとで構成され、消去先頭パルスＴｅｔは各マークに対応した記録パルス列の終端となる。先頭パルスＴｔｏｐとマルチパルスＴｍｐとは記録膜に対して記録マークを形成するための加熱パルス（記録パルス）となっている。なお、マルチパルスＴｍｐがなく先頭パルスＴｔｏｐのみで記録パルス列が形成される場合もある。
記録ストラテジは、図２に示した記録パルス列を用いた。記録パルス列は、１Ｔマルチパルス列をベースとし、消去先頭パルスＴｅｔを有する。
記録パルス列は、消去パワーＰｅから立ち上がって最初に記録膜にレーザ光を記録パワーＰｗで印加する先頭パルスＴｔｏｐと、先頭パルスＴｔｏｐに続くパルスであり、記録パワーＰｗとボトムパワーＰｂとを交互に印加するマルチパルスＴｍｐと、レーザ光をボトムパワーＰｂから消去パワーＰｅまで立ち上がらせる冷却パルスＴｃｌと、その後に消去先頭パワーＰetを印加する消去先頭パルスＴｅｔとで構成され、消去先頭パルスＴｅｔは各マークに対応した記録パルス列の終端となる。先頭パルスＴｔｏｐとマルチパルスＴｍｐとは記録膜に対して記録マークを形成するための加熱パルス（記録パルス）となっている。なお、マルチパルスＴｍｐがなく先頭パルスＴｔｏｐのみで記録パルス列が形成される場合もある。
各記録パラメータは、記録パワーＰｗ＝２３．０［ｍＷ］、消去パワーＰｅ＝４．６［ｍＷ］、ボトムパワーＰｂ＝０．０［ｍＷ］、消去先頭パワーＰｅｔ＝２３．０［ｍＷ］で、先頭パルスＴｔｏｐ＝０．２３［Ｔ］、マルチパルスＴｍｐ＝０．２３［Ｔ］、冷却パルスＴｃｌ＝０．７３［Ｔ］、消去先頭パルスＴｅｔ＝０．２３［Ｔ］を用いた。１Ｔ（単位クロック時間）は１９．１ｎｓとした。
本実施形態では、記録パルス列に基づいて、４値（記録パワーＰｗ、消去パワーＰｅ、ボトムパワーＰｂ、消去先頭パワーＰet）のレーザ強度で変調し、所望のマーク長に対応してパルス数を増減させるマルチパルス列で半透過記録膜４に記録した。レーザ光Ｌの入射側に近い第１情報層Ｄ１の記録特性及びオーバライト特性を評価した。
本実施形態では、記録パルス列に基づいて、４値（記録パワーＰｗ、消去パワーＰｅ、ボトムパワーＰｂ、消去先頭パワーＰet）のレーザ強度で変調し、所望のマーク長に対応してパルス数を増減させるマルチパルス列で半透過記録膜４に記録した。レーザ光Ｌの入射側に近い第１情報層Ｄ１の記録特性及びオーバライト特性を評価した。
（実施例１）
直径が１２０ｍｍ、板厚が０．６ｍｍのポリカーボネイト樹脂製の第１基板１上に、後述する各膜を形成した。第１基板１にはトラックピッチが０．７４μｍで空溝が形成されている。この溝深さは２５ｎｍであり、グルーブ幅とランド幅の比は、およそ５０：５０であった。なおグルーブはレーザ光Ｌの入射方向から見て凸状になっている。
まず、真空槽内を３×１０-4Ｐａまで排気した後、２×１０-1ＰａのＡｒガス雰囲気中でＳｉＯ2を２０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用い高周波マグネトロンスパッタ法により、第１基板１上に厚さ７０ｎｍの第１保護膜２を形成した。続いて界面膜３を、アルゴンガスと窒素ガスの混合気中（アルゴンガス流量：窒素ガス流量＝３：７）で、高周波マグネトロンスパッタリング法によりＧｅＮターゲットで厚さ２ｎｍとして形成した。続いて半透過記録膜４をＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅの合金ターゲットで厚さ８ｎｍとして形成した。続いて第２保護膜５をＳｉＣターゲットで厚さ２ｎｍ、第３保護膜６を第１保護膜２と同じ材料で厚さ７ｎｍ、半透過反射膜７をＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金ターゲットで厚さ７ｎｍ、光学調整膜８を第１保護膜２と同じ材料で厚さ６０ｎｍとして順次積層し、第１情報層Ｄ１を作成した。
直径が１２０ｍｍ、板厚が０．６ｍｍのポリカーボネイト樹脂製の第１基板１上に、後述する各膜を形成した。第１基板１にはトラックピッチが０．７４μｍで空溝が形成されている。この溝深さは２５ｎｍであり、グルーブ幅とランド幅の比は、およそ５０：５０であった。なおグルーブはレーザ光Ｌの入射方向から見て凸状になっている。
まず、真空槽内を３×１０-4Ｐａまで排気した後、２×１０-1ＰａのＡｒガス雰囲気中でＳｉＯ2を２０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用い高周波マグネトロンスパッタ法により、第１基板１上に厚さ７０ｎｍの第１保護膜２を形成した。続いて界面膜３を、アルゴンガスと窒素ガスの混合気中（アルゴンガス流量：窒素ガス流量＝３：７）で、高周波マグネトロンスパッタリング法によりＧｅＮターゲットで厚さ２ｎｍとして形成した。続いて半透過記録膜４をＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅの合金ターゲットで厚さ８ｎｍとして形成した。続いて第２保護膜５をＳｉＣターゲットで厚さ２ｎｍ、第３保護膜６を第１保護膜２と同じ材料で厚さ７ｎｍ、半透過反射膜７をＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金ターゲットで厚さ７ｎｍ、光学調整膜８を第１保護膜２と同じ材料で厚さ６０ｎｍとして順次積層し、第１情報層Ｄ１を作成した。
次に、第１基板１と同じように成形された第２基板１４上に第１情報層Ｄ１と同条件のスパッタにて、反射膜１３を半透過反射膜７と同じ材料で厚さ９０ｎｍ、第５保護膜１２を第１保護膜２と同じ材料で厚さ３０ｎｍ、記録膜１１を半透過記録膜４と同じ材料で厚さ２０ｎｍ、第４保護膜１０を第１保護膜２と同じ材料で厚さ１４０ｎｍとして順次積層し、第２情報層Ｄ２を作成した。
続いて、第１情報層Ｄ１の光学調整膜８上にアクリル系紫外線硬化樹脂（大日本インキ化学工業株式会社製ＳＤ６６１）をスピンコートし、膜厚が５０μｍの中間層９を紫外線照射により硬化させて形成し、第２情報層Ｄ２の第４保護膜１０が光学調製膜８と向かい合うように貼り合せて図１に示す光記録媒体Ｄを得た。
続いて、第１情報層Ｄ１の光学調整膜８上にアクリル系紫外線硬化樹脂（大日本インキ化学工業株式会社製ＳＤ６６１）をスピンコートし、膜厚が５０μｍの中間層９を紫外線照射により硬化させて形成し、第２情報層Ｄ２の第４保護膜１０が光学調製膜８と向かい合うように貼り合せて図１に示す光記録媒体Ｄを得た。
こうして作製した光記録媒体Ｄに、トラック方向のビーム幅が光記録媒体Ｄの半径方向のビーム幅より広い形をしているワイドビームのレーザ光を照射して、半透過記録膜４と記録膜１１とを結晶化温度以上に加熱し、初期化処理を行った。続いて、第１基板１の入射面１Ａ側からグルーブ上の半透過記録膜４にレーザ光Ｌのフォーカスを合わせて、情報を記録した。
表１に、実施例１の光記録媒体Ｄの各膜に用いた材料の熱伝導率、オーバライト０回、１回、１０回、１０００回時のジッタを示す。ここでジッタは、エラーレートに与える影響が少なく、記録された情報を再生できるとされる１３．０％を上限値として、それより小さい値を良好とした。判定欄は、全てのオーバライト時においてジッタが１３．０％以下であれば良好、その他には不良を記した。表１には後述する実施例及び比較例の測定値も同様に示す。
ＳｉＯ2を２０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用いた第１保護膜２の熱伝導率σ１及び第３保護膜６の熱伝導率σ３は、５．５Ｗ／ｍ／Ｋ、ＧｅＮを用いた界面膜３の熱伝導率σｋは、１１Ｗ／ｍ／Ｋ、ＳｉＣターゲットを用いた第２保護膜５の熱伝導率σ２は６０Ｗ／ｍ／Ｋである。従って実施例１において各膜の熱伝導率は、σ２＞σｋ＞σ１＝σ３という関係を満たす。
オーバライト０回時のジッタは７．１％、オーバライト１回時のジッタは８．２％、オーバライト１０回時のジッタは７．６％、オーバライト１０００回時のジッタは８．８％であり、いずれも１３．０％を下回り記録特性及びオーバライト特性が良好であった。
オーバライト０回時のジッタは７．１％、オーバライト１回時のジッタは８．２％、オーバライト１０回時のジッタは７．６％、オーバライト１０００回時のジッタは８．８％であり、いずれも１３．０％を下回り記録特性及びオーバライト特性が良好であった。
（実施例２）
第３保護膜６をＳｉＯ2ターゲットで厚さ４ｎｍとして形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に熱伝導率を測定したところ、第３保護膜６の熱伝導率σ３は１．４Ｗ／ｍ／Ｋであり、各膜の熱伝導率は、σ２＞σｋ＞σ１＞σ３という関係を満たす。
オーバライト０回時のジッタは７．６％、オーバライト１回時のジッタは９．２％、オーバライト１０回時のジッタは７．９％、オーバライト１０００回時のジッタは１０．２％であり、いずれも１３．０％を下回り記録特性及びオーバライト特性が良好であった。
第３保護膜６をＳｉＯ2ターゲットで厚さ４ｎｍとして形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に熱伝導率を測定したところ、第３保護膜６の熱伝導率σ３は１．４Ｗ／ｍ／Ｋであり、各膜の熱伝導率は、σ２＞σｋ＞σ１＞σ３という関係を満たす。
オーバライト０回時のジッタは７．６％、オーバライト１回時のジッタは９．２％、オーバライト１０回時のジッタは７．９％、オーバライト１０００回時のジッタは１０．２％であり、いずれも１３．０％を下回り記録特性及びオーバライト特性が良好であった。
（実施例３）
第１保護膜２をＩｎＣｅＯターゲットを用いて最適な膜厚で形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。なお、本実施形態において最適な膜厚とは、ジッタが最小となるような厚みとする。
実施例１と同様に熱伝導率を測定したところ、第１保護膜２の熱伝導率σ１は９．０Ｗ／ｍ／Ｋであり、各膜の熱伝導率は、σ２＞σｋ＞σ１＞σ３という関係を満たす。
オーバライト０回時のジッタは８．６％、オーバライト１回時のジッタは１０．０％、オーバライト１０回時のジッタは９．１％、オーバライト１０００回時のジッタは１０．９％であり、いずれも１３．０％を下回り記録特性及びオーバライト特性が良好であった。
第１保護膜２をＩｎＣｅＯターゲットを用いて最適な膜厚で形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。なお、本実施形態において最適な膜厚とは、ジッタが最小となるような厚みとする。
実施例１と同様に熱伝導率を測定したところ、第１保護膜２の熱伝導率σ１は９．０Ｗ／ｍ／Ｋであり、各膜の熱伝導率は、σ２＞σｋ＞σ１＞σ３という関係を満たす。
オーバライト０回時のジッタは８．６％、オーバライト１回時のジッタは１０．０％、オーバライト１０回時のジッタは９．１％、オーバライト１０００回時のジッタは１０．９％であり、いずれも１３．０％を下回り記録特性及びオーバライト特性が良好であった。
（実施例４）
第１保護膜２をＴａ2Ｏ5ターゲットを用いて最適な膜厚で形成し、界面膜３をＡｌ2Ｏ3ターゲットを用いて最適な膜厚で形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に熱伝導率を測定したところ、第１保護膜２の熱伝導率σ１は１５Ｗ／ｍ／Ｋ、界面膜３の熱伝導率σｋは２９Ｗ／ｍ／Ｋであり、各膜の熱伝導率は、σ２＞σｋ＞σ１＞σ３という関係を満たす。
オーバライト０回時のジッタは８．９％、オーバライト１回時のジッタは１０．４％、オーバライト１０回時のジッタは９．６％、オーバライト１０００回時のジッタは１２．３％であり、いずれも１３．０％を下回り記録特性及びオーバライト特性が良好であった。
第１保護膜２をＴａ2Ｏ5ターゲットを用いて最適な膜厚で形成し、界面膜３をＡｌ2Ｏ3ターゲットを用いて最適な膜厚で形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に熱伝導率を測定したところ、第１保護膜２の熱伝導率σ１は１５Ｗ／ｍ／Ｋ、界面膜３の熱伝導率σｋは２９Ｗ／ｍ／Ｋであり、各膜の熱伝導率は、σ２＞σｋ＞σ１＞σ３という関係を満たす。
オーバライト０回時のジッタは８．９％、オーバライト１回時のジッタは１０．４％、オーバライト１０回時のジッタは９．６％、オーバライト１０００回時のジッタは１２．３％であり、いずれも１３．０％を下回り記録特性及びオーバライト特性が良好であった。
（実施例５）
界面膜３をＳｉＣ−Ａｌ2Ｏ3ターゲットを用いて最適な膜厚で形成し、第２保護膜５をＡｌＮターゲットを用いて最適な膜厚で形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に熱伝導率を測定したところ、界面膜３の熱伝導率σｋは４５Ｗ／ｍ／Ｋ、第２保護膜５の熱伝導率σ２は１７０Ｗ／ｍ／Ｋであり、各膜の熱伝導率は、σ２＞σｋ＞σ１＝σ３という関係を満たす。
オーバライト０回時のジッタは６．８％、オーバライト１回時のジッタは９．６％、オーバライト１０回時のジッタは８．２％、オーバライト１０００回時のジッタは１０．５％であり、いずれも１３．０％を下回り記録特性及びオーバライト特性が良好であった。
界面膜３をＳｉＣ−Ａｌ2Ｏ3ターゲットを用いて最適な膜厚で形成し、第２保護膜５をＡｌＮターゲットを用いて最適な膜厚で形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に熱伝導率を測定したところ、界面膜３の熱伝導率σｋは４５Ｗ／ｍ／Ｋ、第２保護膜５の熱伝導率σ２は１７０Ｗ／ｍ／Ｋであり、各膜の熱伝導率は、σ２＞σｋ＞σ１＝σ３という関係を満たす。
オーバライト０回時のジッタは６．８％、オーバライト１回時のジッタは９．６％、オーバライト１０回時のジッタは８．２％、オーバライト１０００回時のジッタは１０．５％であり、いずれも１３．０％を下回り記録特性及びオーバライト特性が良好であった。
（比較例１）
第２保護膜５を形成せず、それ以外は実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
第２保護膜５を設けていないので、比較例１の光記録媒体Ｄ各膜の熱伝導率は、σｋ＞σ１＝σ３という関係となる。
オーバライト０回時のジッタは６．９％、オーバライト１回時のジッタは１３．４％、オーバライト１０回時のジッタは８．１％、オーバライト１０００回時のジッタは１０．４％であり、オーバライト１回時のジッタが１３．０％を超え、オーバライト特性が良好でなかった。
第２保護膜５を形成せず、それ以外は実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
第２保護膜５を設けていないので、比較例１の光記録媒体Ｄ各膜の熱伝導率は、σｋ＞σ１＝σ３という関係となる。
オーバライト０回時のジッタは６．９％、オーバライト１回時のジッタは１３．４％、オーバライト１０回時のジッタは８．１％、オーバライト１０００回時のジッタは１０．４％であり、オーバライト１回時のジッタが１３．０％を超え、オーバライト特性が良好でなかった。
（比較例２）
界面膜３をＳｉＯ2ターゲットを用いて最適な膜厚で形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に熱伝導率を測定したところ、界面膜３の熱伝導率σｋは１．４Ｗ／ｍ／Ｋであり、各膜の熱伝導率は、σ２＞σ１＝σ３＞σｋという関係となる。
オーバライト０回時のジッタは７．３％、オーバライト１回時のジッタは１４．１％、オーバライト１０回時のジッタは８．４％、オーバライト１０００回時のジッタは１０．９％であり、オーバライト１回時のジッタが１３．０％を超え、オーバライト特性が良好でなかった。
界面膜３をＳｉＯ2ターゲットを用いて最適な膜厚で形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に熱伝導率を測定したところ、界面膜３の熱伝導率σｋは１．４Ｗ／ｍ／Ｋであり、各膜の熱伝導率は、σ２＞σ１＝σ３＞σｋという関係となる。
オーバライト０回時のジッタは７．３％、オーバライト１回時のジッタは１４．１％、オーバライト１０回時のジッタは８．４％、オーバライト１０００回時のジッタは１０．９％であり、オーバライト１回時のジッタが１３．０％を超え、オーバライト特性が良好でなかった。
（比較例３）
界面膜３をＳｉＣターゲットを用いて最適な膜厚で形成し、第２保護膜５をＧｅＮターゲットを用いて最適な膜厚で形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に熱伝導率を測定したところ、界面膜３の熱伝導率σｋは６０Ｗ／ｍ／Ｋ、第２保護膜５の熱伝導率σ２は１１Ｗ／ｍ／Ｋであり、各膜の熱伝導率は、σｋ＞σ２＞σ１＝σ３という関係となる。
オーバライト０回時のジッタは７．４％、オーバライト１回時のジッタは１３．４％、オーバライト１０回時のジッタは９．８％、オーバライト１０００回時のジッタは１３．８％であり、オーバライト１回、１０００回時のジッタが１３．０％を超え、オーバライト特性が良好でなかった。
界面膜３をＳｉＣターゲットを用いて最適な膜厚で形成し、第２保護膜５をＧｅＮターゲットを用いて最適な膜厚で形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に熱伝導率を測定したところ、界面膜３の熱伝導率σｋは６０Ｗ／ｍ／Ｋ、第２保護膜５の熱伝導率σ２は１１Ｗ／ｍ／Ｋであり、各膜の熱伝導率は、σｋ＞σ２＞σ１＝σ３という関係となる。
オーバライト０回時のジッタは７．４％、オーバライト１回時のジッタは１３．４％、オーバライト１０回時のジッタは９．８％、オーバライト１０００回時のジッタは１３．８％であり、オーバライト１回、１０００回時のジッタが１３．０％を超え、オーバライト特性が良好でなかった。
（比較例４）
界面膜３をＳｉＣターゲットを用いて最適な膜厚で形成し、第２保護膜５をＳｉＯ2ターゲットを用いて最適な膜厚で形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に熱伝導率を測定したところ、界面膜３の熱伝導率σｋは６０Ｗ／ｍ／Ｋ、第２保護膜５の熱伝導率σ２は１．４Ｗ／ｍ／Ｋであり、各膜の熱伝導率は、σｋ＞σ１＝σ３＞σ２という関係となる。
オーバライト０回時のジッタは８．７％、オーバライト１回時のジッタは１４．４％、オーバライト１０回時のジッタは１１．８％、オーバライト１０００回時のジッタは１６．７％であり、オーバライト１回、１０００回時のジッタが１３．０％を超え、オーバライト特性が良好でなかった。
界面膜３をＳｉＣターゲットを用いて最適な膜厚で形成し、第２保護膜５をＳｉＯ2ターゲットを用いて最適な膜厚で形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に熱伝導率を測定したところ、界面膜３の熱伝導率σｋは６０Ｗ／ｍ／Ｋ、第２保護膜５の熱伝導率σ２は１．４Ｗ／ｍ／Ｋであり、各膜の熱伝導率は、σｋ＞σ１＝σ３＞σ２という関係となる。
オーバライト０回時のジッタは８．７％、オーバライト１回時のジッタは１４．４％、オーバライト１０回時のジッタは１１．８％、オーバライト１０００回時のジッタは１６．７％であり、オーバライト１回、１０００回時のジッタが１３．０％を超え、オーバライト特性が良好でなかった。
（比較例５）
第１保護膜２をＡｌＮターゲットで厚さ１００ｎｍとして形成し、第３保護膜６をＡｌＮターゲットで厚さ１２ｎｍとして形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に熱伝導率を測定したところ、第１保護膜２の熱伝導率σ１と第３保護膜６の熱伝導率σ３は１７０Ｗ／ｍ／Ｋであり、各膜の熱伝導率は、σ１＝σ３＞σ２＞σｋという関係となる。
オーバライト０回時のジッタは１０．２％、オーバライト１回時のジッタは１６．４％、オーバライト１０回時のジッタは１２．８％、オーバライト１０００回時のジッタは１７．４％であり、オーバライト１回、１０００回時のジッタが１３．０％を超え、オーバライト特性が良好でなかった。
第１保護膜２をＡｌＮターゲットで厚さ１００ｎｍとして形成し、第３保護膜６をＡｌＮターゲットで厚さ１２ｎｍとして形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に熱伝導率を測定したところ、第１保護膜２の熱伝導率σ１と第３保護膜６の熱伝導率σ３は１７０Ｗ／ｍ／Ｋであり、各膜の熱伝導率は、σ１＝σ３＞σ２＞σｋという関係となる。
オーバライト０回時のジッタは１０．２％、オーバライト１回時のジッタは１６．４％、オーバライト１０回時のジッタは１２．８％、オーバライト１０００回時のジッタは１７．４％であり、オーバライト１回、１０００回時のジッタが１３．０％を超え、オーバライト特性が良好でなかった。
（比較例６）
第１保護膜２をＡｌＮターゲットで厚さ１００ｎｍとして形成し、界面膜３をＳｉＣターゲットを用いて最適な膜厚で形成し、第２保護膜５をＧｅＮターゲットを用いて最適な膜厚で形成し、第３保護膜６をＡｌＮターゲットで厚さ１２ｎｍとして形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に熱伝導率を測定したところ、第１保護膜２の熱伝導率σ１と第３保護膜６の熱伝導率σ３は１７０Ｗ／ｍ／Ｋ、界面膜３の熱伝導率σｋは６０Ｗ／ｍ／Ｋ、第２保護膜５の熱伝導率σ２は１１Ｗ／ｍ／Ｋであり、各膜の熱伝導率は、σ１＝σ３＞σｋ＞σ２という関係となる。
オーバライト０回時のジッタは１３．２％、オーバライト１回時のジッタは１９．２％、オーバライト１０回時のジッタは１５．３％、オーバライト１０００回時のジッタは２１．１％であり、すべてのオーバライトにおいてジッタが１３．０％を超えたため記録特性及びオーバライト特性が良好でなかった。
第１保護膜２をＡｌＮターゲットで厚さ１００ｎｍとして形成し、界面膜３をＳｉＣターゲットを用いて最適な膜厚で形成し、第２保護膜５をＧｅＮターゲットを用いて最適な膜厚で形成し、第３保護膜６をＡｌＮターゲットで厚さ１２ｎｍとして形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に熱伝導率を測定したところ、第１保護膜２の熱伝導率σ１と第３保護膜６の熱伝導率σ３は１７０Ｗ／ｍ／Ｋ、界面膜３の熱伝導率σｋは６０Ｗ／ｍ／Ｋ、第２保護膜５の熱伝導率σ２は１１Ｗ／ｍ／Ｋであり、各膜の熱伝導率は、σ１＝σ３＞σｋ＞σ２という関係となる。
オーバライト０回時のジッタは１３．２％、オーバライト１回時のジッタは１９．２％、オーバライト１０回時のジッタは１５．３％、オーバライト１０００回時のジッタは２１．１％であり、すべてのオーバライトにおいてジッタが１３．０％を超えたため記録特性及びオーバライト特性が良好でなかった。
表１に示した実施例１〜実施例５及び比較例１〜比較例６の結果より、第１保護膜２、第２保護膜５、第３保護膜６及び界面膜３の各熱伝導率は、実施例１〜実施例５のように第２保護膜５の熱伝導率σ２が一番大きく、界面膜３の熱伝導率σｋが次に大きく、第１保護膜２の熱伝導率σ１と第３保護膜６の熱伝導率σ３はσｋより小さい、という関係を満たすと、ジッタが良好となることがわかった。第１保護膜２の熱伝導率σ１と第３保護膜６の熱伝導率σ３とは、σ１がσ３より大きくても、σ１とσ３とが同じ大きさでも、σ２が一番大きくσｋが次に大きいという関係であれば、ジッタに影響がないことがわかった。これより本実施形態では上記した関係を、σ２＞σｋ＞（σ１，σ３）と示す。
一方で、比較例１のように第２保護膜５を形成せず、半透過記録膜４と半透過反射膜７との間が第３保護膜６一層だけである光記録媒体Ｄは、オーバライト１回時のジッタが１３．０％を超え、オーバライト特性が良好でなかった。また、比較例２〜比較例６のように各膜の熱伝導率がσ２＞σｋ＞（σ１，σ３）の関係を満たさないと、オーバライト特性が同様に良好でなかった。
一方で、比較例１のように第２保護膜５を形成せず、半透過記録膜４と半透過反射膜７との間が第３保護膜６一層だけである光記録媒体Ｄは、オーバライト１回時のジッタが１３．０％を超え、オーバライト特性が良好でなかった。また、比較例２〜比較例６のように各膜の熱伝導率がσ２＞σｋ＞（σ１，σ３）の関係を満たさないと、オーバライト特性が同様に良好でなかった。
これは１回目のオーバライトの際に、半透過記録膜４において情報がオーバライトされる範囲が、既に記録マークが形成されて非結晶状態であるか、結晶状態であるかによって光吸収率が異なることによると考えられる。半透過記録膜４が結晶状態のほうが非結晶状態よりも光吸収率が大きいため、半透過記録膜４の温度が上昇して一定となる最高温度も結晶状態のほうが高くなる。また、非結晶状態と結晶状態とでは、レーザ光Ｌの照射を止めた時点からの半透過記録膜４が冷却される速度も異なる。
上記したようにオーバライトされる範囲の半透過記録膜４の相状態（非結晶又は結晶）により最高温度が異なるため、オーバライトされて形成された記録マークに歪（オーバライト歪）が生じる。比較例２〜比較例６のように各保護膜の熱伝導率がσ２＞σｋ＞（σ１，σ３）の関係を満たさないと、半透過記録膜４の放熱と蓄熱のバランスがとれず、オーバライト歪が補正できなかったため、１回目のオーバライト特性が悪化した。
上記したようにオーバライトされる範囲の半透過記録膜４の相状態（非結晶又は結晶）により最高温度が異なるため、オーバライトされて形成された記録マークに歪（オーバライト歪）が生じる。比較例２〜比較例６のように各保護膜の熱伝導率がσ２＞σｋ＞（σ１，σ３）の関係を満たさないと、半透過記録膜４の放熱と蓄熱のバランスがとれず、オーバライト歪が補正できなかったため、１回目のオーバライト特性が悪化した。
以上のことから、光記録媒体Ｄの第１情報層Ｄ１において各保護膜を、熱伝導率がσ２＞σｋ＞（σ１，σ３）である関係を満たすように形成すると、情報を記録する際の半透過記録膜４における放熱と蓄熱のバランスが最適となり、半透過記録膜４を好ましい状態で冷却できる。従って、所望の大きさの記録マークが形成でき、オーバライト歪も補正でき記録特性及びオーバライト特性が良好となる。
以上の実施例１〜５及び比較例１〜６では２層ＤＶＤ−ＲＷを多層型相変化光記録媒体として一実施例として検証したが、３層以上の情報層を有した多層型相変化光記録媒体の場合にも同様の良好な特性を得ることができる。３層以上の情報層を有する場合には、記録・再生レーザ光の入射側からみて、最も奥側の情報層を除いた手前側の半透過特性を有する各情報層について、各保護膜の熱伝導率がσ２＞σｋ＞（σ１，σ３）である関係を満たすように形成すればよい。また記録・再生に用いるレーザ波長がＤＶＤより短い場合にも、同様に良好な特性を得られる。
≪各保護膜の熱伝導率の範囲の検討≫
次に、第１保護膜２、第２保護膜５、第３保護膜６及び界面膜３の各熱伝導率がσ２＞σｋ＞（σ１，σ３）である関係を満たす光記録媒体Ｄを用いて、各熱伝導率が良好な記録特性及びオーバライト特性を得られる範囲を検討した。
まず、第２保護膜５の熱伝導率σ２の好ましい範囲について検討を行った。実施例１で用いた光記録媒体Ｄ及び、後述する実施例６、実施例７、比較例７、比較例８で用いた各光記録媒体Ｄの測定値を表２に示す。
ここでジッタは、再生互換マージンが十分に取れる１１．０％を上限値とした。再生互換とは、種々の光記録媒体再生装置において再生可能であることを意味する。
次に、第１保護膜２、第２保護膜５、第３保護膜６及び界面膜３の各熱伝導率がσ２＞σｋ＞（σ１，σ３）である関係を満たす光記録媒体Ｄを用いて、各熱伝導率が良好な記録特性及びオーバライト特性を得られる範囲を検討した。
まず、第２保護膜５の熱伝導率σ２の好ましい範囲について検討を行った。実施例１で用いた光記録媒体Ｄ及び、後述する実施例６、実施例７、比較例７、比較例８で用いた各光記録媒体Ｄの測定値を表２に示す。
ここでジッタは、再生互換マージンが十分に取れる１１．０％を上限値とした。再生互換とは、種々の光記録媒体再生装置において再生可能であることを意味する。
実施例１の光記録媒体Ｄは、全てのオーバライト時にジッタが１１．０％を下回り、記録特性及びオーバライト特性が良好であった。
（実施例６）
第２保護膜５をＳｉＣ−ＡｌＮ混合物を用いて最適な膜厚で形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に熱伝導率を測定したところ、第２保護膜５の熱伝導率σ２は１１０Ｗ／ｍ／Ｋである。
オーバライト０回時のジッタは６．８％、オーバライト１回時のジッタは９．２％、オーバライト１０回時のジッタは７．８％、オーバライト１０００回時のジッタは９．６％であり、いずれも１１．０％を下回り記録特性及びオーバライト特性が良好であった。
第２保護膜５をＳｉＣ−ＡｌＮ混合物を用いて最適な膜厚で形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に熱伝導率を測定したところ、第２保護膜５の熱伝導率σ２は１１０Ｗ／ｍ／Ｋである。
オーバライト０回時のジッタは６．８％、オーバライト１回時のジッタは９．２％、オーバライト１０回時のジッタは７．８％、オーバライト１０００回時のジッタは９．６％であり、いずれも１１．０％を下回り記録特性及びオーバライト特性が良好であった。
（実施例７）
界面膜３をＳｉＣ−Ａｌ2Ｏ3ターゲットを用いて最適な膜厚で形成し、第２保護膜５をＡｌＮを用いて最適な膜厚で形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に熱伝導率を測定したところ、界面膜３の熱伝導率σｋは４５Ｗ／ｍ／Ｋ、第２保護膜５の熱伝導率σ２は１７０Ｗ／ｍ／Ｋである。
オーバライト０回時のジッタは６．８％、オーバライト１回時のジッタは９．６％、オーバライト１０回時のジッタは８．２％、オーバライト１０００回時のジッタは１０．５％であり、いずれも１１．０％を下回り記録特性及びオーバライト特性が良好であった。
界面膜３をＳｉＣ−Ａｌ2Ｏ3ターゲットを用いて最適な膜厚で形成し、第２保護膜５をＡｌＮを用いて最適な膜厚で形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に熱伝導率を測定したところ、界面膜３の熱伝導率σｋは４５Ｗ／ｍ／Ｋ、第２保護膜５の熱伝導率σ２は１７０Ｗ／ｍ／Ｋである。
オーバライト０回時のジッタは６．８％、オーバライト１回時のジッタは９．６％、オーバライト１０回時のジッタは８．２％、オーバライト１０００回時のジッタは１０．５％であり、いずれも１１．０％を下回り記録特性及びオーバライト特性が良好であった。
（比較例７）
第２保護膜５をＡｌ2Ｏ3ターゲットを用いて最適な膜厚で形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に熱伝導率を測定したところ、第２保護膜５の熱伝導率σ２は２９Ｗ／ｍ／Ｋである。
オーバライト０回時のジッタは８．８％、オーバライト１回時のジッタは１２．６％、オーバライト１０回時のジッタは１０．６％、オーバライト１０００回時のジッタは１２．８％であり、オーバライト１０００回時のジッタが１１．０％を超え、オーバライト特性が良好でなかった。
第２保護膜５をＡｌ2Ｏ3ターゲットを用いて最適な膜厚で形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に熱伝導率を測定したところ、第２保護膜５の熱伝導率σ２は２９Ｗ／ｍ／Ｋである。
オーバライト０回時のジッタは８．８％、オーバライト１回時のジッタは１２．６％、オーバライト１０回時のジッタは１０．６％、オーバライト１０００回時のジッタは１２．８％であり、オーバライト１０００回時のジッタが１１．０％を超え、オーバライト特性が良好でなかった。
（比較例８）
第２保護膜５をＳｉＣ−Ａｌ2Ｏ3ターゲットを用いて最適な膜厚で形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に熱伝導率を測定したところ、第２保護膜５の熱伝導率σ２は４５Ｗ／ｍ／Ｋである。
オーバライト０回時のジッタは８．３％、オーバライト１回時のジッタは１１．１％、オーバライト１０回時のジッタは９．５％、オーバライト１０００回時のジッタは１２．１％であり、オーバライト１回、１０００回時のジッタが１１．０％を超え、オーバライト特性が良好でなかった。
第２保護膜５をＳｉＣ−Ａｌ2Ｏ3ターゲットを用いて最適な膜厚で形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に熱伝導率を測定したところ、第２保護膜５の熱伝導率σ２は４５Ｗ／ｍ／Ｋである。
オーバライト０回時のジッタは８．３％、オーバライト１回時のジッタは１１．１％、オーバライト１０回時のジッタは９．５％、オーバライト１０００回時のジッタは１２．１％であり、オーバライト１回、１０００回時のジッタが１１．０％を超え、オーバライト特性が良好でなかった。
以上の実施例１、６、７及び比較例７、８より、第２保護膜５の熱伝導率σ２の好ましい範囲は、５０Ｗ／ｍ／Ｋ以上１８０Ｗ／ｍ／Ｋ未満であることが分かった。第２保護膜５の熱伝導率σ２が５０Ｗ／ｍ／Ｋ未満であると、半透過記録膜４からの放熱が妨げられ、半透過記録膜４が急冷されない。従ってオーバライト歪を補正し難くなるため、オーバライト１回目のジッタが悪化する。また、第２保護膜５の熱伝導率σ２が１８０Ｗ／ｍ／Ｋ以上であると、記録時に照射されたレーザ光Ｌによる熱が半透過記録膜４に溜まらないため、良好な記録マークが形成されず、信号強度も低い。
次に、界面膜３の熱伝導率σｋの好ましい範囲について検討を行った。実施例１で用いた光記録媒体Ｄ及び、後述する実施例８、実施例９、比較例９、比較例１０で用いた各光記録媒体Ｄの測定値を表３に示す。
実施例１の光記録媒体Ｄは、全てのオーバライト時にジッタが１１．０％を下回り、記録特性及びオーバライト特性が良好であった。
実施例１の光記録媒体Ｄは、全てのオーバライト時にジッタが１１．０％を下回り、記録特性及びオーバライト特性が良好であった。
（実施例８）
界面膜３をＡｌ2Ｏ3ターゲットを用いて最適な膜厚で形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に熱伝導率を測定したところ、界面膜３の熱伝導率σｋは２９Ｗ／ｍ／Ｋである。
オーバライト０回時のジッタは７．０％、オーバライト１回時のジッタは８．８％、オーバライト１０回時のジッタは８．０％、オーバライト１０００回時のジッタは９．８％であり、いずれも１１．０％を下回り記録特性及びオーバライト特性が良好であった。
界面膜３をＡｌ2Ｏ3ターゲットを用いて最適な膜厚で形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に熱伝導率を測定したところ、界面膜３の熱伝導率σｋは２９Ｗ／ｍ／Ｋである。
オーバライト０回時のジッタは７．０％、オーバライト１回時のジッタは８．８％、オーバライト１０回時のジッタは８．０％、オーバライト１０００回時のジッタは９．８％であり、いずれも１１．０％を下回り記録特性及びオーバライト特性が良好であった。
（実施例９）
界面膜３をＳｉＣ−Ａｌ2Ｏ3ターゲットを用いて最適な膜厚で形成し、第２保護膜５をＡｌＮターゲットを用いて最適な膜厚で形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に熱伝導率を測定したところ、界面膜３の熱伝導率σｋは４５Ｗ／ｍ／Ｋ、第２保護膜５の熱伝導率σ２は１７０Ｗ／ｍ／Ｋである。
オーバライト０回時のジッタは６．８％、オーバライト１回時のジッタは９．６％、オーバライト１０回時のジッタは８．２％、オーバライト１０００回時のジッタは１０．５％であり、いずれも１１．０％を下回り記録特性及びオーバライト特性が良好であった。
界面膜３をＳｉＣ−Ａｌ2Ｏ3ターゲットを用いて最適な膜厚で形成し、第２保護膜５をＡｌＮターゲットを用いて最適な膜厚で形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に熱伝導率を測定したところ、界面膜３の熱伝導率σｋは４５Ｗ／ｍ／Ｋ、第２保護膜５の熱伝導率σ２は１７０Ｗ／ｍ／Ｋである。
オーバライト０回時のジッタは６．８％、オーバライト１回時のジッタは９．６％、オーバライト１０回時のジッタは８．２％、オーバライト１０００回時のジッタは１０．５％であり、いずれも１１．０％を下回り記録特性及びオーバライト特性が良好であった。
（比較例９）
界面膜３をＩｎＣｅＯターゲットを用いて最適な膜厚で形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に熱伝導率を測定したところ、界面膜３の熱伝導率σｋは９．０Ｗ／ｍ／Ｋである。
オーバライト０回時のジッタは７．８％、オーバライト１回時のジッタは１１．１％、オーバライト１０回時のジッタは８．１％、オーバライト１０００回時のジッタは１０．６％であり、オーバライト１回時のジッタが１１．０％を超えたため、オーバライト特性が良好でなかった。
界面膜３をＩｎＣｅＯターゲットを用いて最適な膜厚で形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に熱伝導率を測定したところ、界面膜３の熱伝導率σｋは９．０Ｗ／ｍ／Ｋである。
オーバライト０回時のジッタは７．８％、オーバライト１回時のジッタは１１．１％、オーバライト１０回時のジッタは８．１％、オーバライト１０００回時のジッタは１０．６％であり、オーバライト１回時のジッタが１１．０％を超えたため、オーバライト特性が良好でなかった。
（比較例１０）
界面膜３をＳｉＣターゲットを用いて最適な膜厚で形成し、第２保護膜５をＡｌＮターゲットを用いて最適な膜厚で形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に熱伝導率を測定したところ、界面膜３の熱伝導率σｋは６０Ｗ／ｍ／Ｋ、第２保護膜５の熱伝導率σ２は１７０Ｗ／ｍ／Ｋである。
オーバライト０回時のジッタは７．９％、オーバライト１回時のジッタは１１．３％、オーバライト１０回時のジッタは８．４％、オーバライト１０００回時のジッタは１０．９％であり、オーバライト１回時のジッタが１１．０％を超えたため、オーバライト特性が良好でなかった。
界面膜３をＳｉＣターゲットを用いて最適な膜厚で形成し、第２保護膜５をＡｌＮターゲットを用いて最適な膜厚で形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に熱伝導率を測定したところ、界面膜３の熱伝導率σｋは６０Ｗ／ｍ／Ｋ、第２保護膜５の熱伝導率σ２は１７０Ｗ／ｍ／Ｋである。
オーバライト０回時のジッタは７．９％、オーバライト１回時のジッタは１１．３％、オーバライト１０回時のジッタは８．４％、オーバライト１０００回時のジッタは１０．９％であり、オーバライト１回時のジッタが１１．０％を超えたため、オーバライト特性が良好でなかった。
以上の実施例１、８、９及び比較例９、１０より、界面膜３の熱伝導率σｋの好ましい範囲は、１０Ｗ／ｍ／Ｋ以上５０Ｗ／ｍ／Ｋ未満であることが分かった。熱伝導率σｋが１０Ｗ／ｍ／Ｋ以上であると、半透過反射膜７の冷却不足を補えるため、情報を記録するための記録マークが良好に形成でき、良好な記録特性が得られる。更に、５０Ｗ／ｍ／Ｋ未満であることで、第２保護膜４よりも熱伝導率が低くなり、良好なオーバライト特性が得られる。
界面膜３の熱伝導率σｋが１０Ｗ／ｍ／Ｋ未満であると、良好な記録マークを形成するために必要な半透過記録膜４の冷却が十分に得られず、信号強度が悪化する。５０Ｗ／ｍ／Ｋ以上であると、記録時に照射されたレーザ光Ｌによる熱が半透過記録膜４に溜まらないため、信号強度が低い。熱伝導率σｋが１０Ｗ／ｍ／Ｋ未満または５０Ｗ／ｍ／Ｋ以上であると、半透過記録膜４における放熱と蓄熱のバランスが保てず、オーバライト歪を補正し難くなるため、オーバライト１回目のジッタが１１．０％を若干下回り、悪化する。
界面膜３の熱伝導率σｋが１０Ｗ／ｍ／Ｋ未満であると、良好な記録マークを形成するために必要な半透過記録膜４の冷却が十分に得られず、信号強度が悪化する。５０Ｗ／ｍ／Ｋ以上であると、記録時に照射されたレーザ光Ｌによる熱が半透過記録膜４に溜まらないため、信号強度が低い。熱伝導率σｋが１０Ｗ／ｍ／Ｋ未満または５０Ｗ／ｍ／Ｋ以上であると、半透過記録膜４における放熱と蓄熱のバランスが保てず、オーバライト歪を補正し難くなるため、オーバライト１回目のジッタが１１．０％を若干下回り、悪化する。
続いて、第１保護膜２の熱伝導率σ１の好ましい範囲について検討を行った。実施例１で用いた光記録媒体Ｄ及び、後述する実施例１０、実施例１１、比較例１１で用いた各光記録媒体Ｄの測定値を表４に示す。
実施例１の光記録媒体Ｄは、全てのオーバライト時にジッタが１１．０％を下回り、記録特性及びオーバライト特性が良好であった。
実施例１の光記録媒体Ｄは、全てのオーバライト時にジッタが１１．０％を下回り、記録特性及びオーバライト特性が良好であった。
（実施例１０）
第１保護膜２をＳｉＯ2ターゲットを用いて最適な膜厚で形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に熱伝導率を測定したところ、第１保護膜２の熱伝導率σ１は１．４Ｗ／ｍ／Ｋである。
オーバライト０回時のジッタは８．３％、オーバライト１回時のジッタは９．９％、オーバライト１０回時のジッタは９．３％、オーバライト１０００回時のジッタは１０．３％であり、いずれも１１．０％を下回り記録特性及びオーバライト特性が良好であった。
第１保護膜２をＳｉＯ2ターゲットを用いて最適な膜厚で形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に熱伝導率を測定したところ、第１保護膜２の熱伝導率σ１は１．４Ｗ／ｍ／Ｋである。
オーバライト０回時のジッタは８．３％、オーバライト１回時のジッタは９．９％、オーバライト１０回時のジッタは９．３％、オーバライト１０００回時のジッタは１０．３％であり、いずれも１１．０％を下回り記録特性及びオーバライト特性が良好であった。
（実施例１１）
第１保護膜２をＩｎＣｅＯターゲットを用いて最適な膜厚で形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に熱伝導率を測定したところ、第１保護膜２の熱伝導率σ１は９．０Ｗ／ｍ／Ｋである。
オーバライト０回時のジッタは８．６％、オーバライト１回時のジッタは１０．０％、オーバライト１０回時のジッタは９．１％、オーバライト１０００回時のジッタは１０．９％であり、いずれも１１．０％を下回り記録特性及びオーバライト特性が良好であった。
第１保護膜２をＩｎＣｅＯターゲットを用いて最適な膜厚で形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に熱伝導率を測定したところ、第１保護膜２の熱伝導率σ１は９．０Ｗ／ｍ／Ｋである。
オーバライト０回時のジッタは８．６％、オーバライト１回時のジッタは１０．０％、オーバライト１０回時のジッタは９．１％、オーバライト１０００回時のジッタは１０．９％であり、いずれも１１．０％を下回り記録特性及びオーバライト特性が良好であった。
（比較例１１）
第１保護膜２をＴａ2Ｏ5ターゲットを用いて最適な膜厚で形成し、界面膜３をＡｌ2Ｏ3ターゲットを用いて最適な膜厚で形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に熱伝導率を測定したところ、第１保護膜２の熱伝導率σ１は１５Ｗ／ｍ／Ｋ、界面膜３の熱伝導率σｋは２９Ｗ／ｍ／Ｋである。
オーバライト０回時のジッタは８．９％、オーバライト１回時のジッタは１０．４％、オーバライト１０回時のジッタは９．６％、オーバライト１０００回時のジッタは１２．３％であり、オーバライト１０００回時のジッタが１１．０％を超えたため、オーバライト特性が良好でなかった。
第１保護膜２をＴａ2Ｏ5ターゲットを用いて最適な膜厚で形成し、界面膜３をＡｌ2Ｏ3ターゲットを用いて最適な膜厚で形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に熱伝導率を測定したところ、第１保護膜２の熱伝導率σ１は１５Ｗ／ｍ／Ｋ、界面膜３の熱伝導率σｋは２９Ｗ／ｍ／Ｋである。
オーバライト０回時のジッタは８．９％、オーバライト１回時のジッタは１０．４％、オーバライト１０回時のジッタは９．６％、オーバライト１０００回時のジッタは１２．３％であり、オーバライト１０００回時のジッタが１１．０％を超えたため、オーバライト特性が良好でなかった。
以上の実施例１、１０、１１及び比較例１１より、第１保護膜２の熱伝導率σ１の好ましい範囲は、１０Ｗ／ｍ／Ｋ未満であることが分かった。第１保護膜２の熱伝導率σ１が１０Ｗ／ｍ／Ｋ以上であると、半透過記録膜４が十分に蓄熱できないため、既に形成されていた記録マークをオーバライト時に消去しきれず、このような半透過記録膜４にオーバライトを複数回続けたことで、オーバライト特性が悪化した。
続いて、第３保護膜６の熱伝導率σ３の好ましい範囲について検討を行った。実施例１で用いた光記録媒体Ｄ及び、後述する実施例１２、実施例１３、比較例１２で用いた各光記録媒体Ｄの測定値を表５に示す。
実施例１の光記録媒体Ｄは、全てのオーバライト時にジッタが１１．０％を下回り、記録特性及びオーバライト特性が良好であった。
実施例１の光記録媒体Ｄは、全てのオーバライト時にジッタが１１．０％を下回り、記録特性及びオーバライト特性が良好であった。
（実施例１２）
第３保護膜６をＳｉＯ2ターゲットを用いて最適な膜厚で形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に熱伝導率を測定したところ、第３保護膜６の熱伝導率σ３は１．４Ｗ／ｍ／Ｋである。
オーバライト０回時のジッタは７．６％、オーバライト１回時のジッタは９．２％、オーバライト１０回時のジッタは７．９％、オーバライト１０００回時のジッタは１０．２％であり、いずれも１１．０％を下回り記録特性及びオーバライト特性が良好であった。
第３保護膜６をＳｉＯ2ターゲットを用いて最適な膜厚で形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に熱伝導率を測定したところ、第３保護膜６の熱伝導率σ３は１．４Ｗ／ｍ／Ｋである。
オーバライト０回時のジッタは７．６％、オーバライト１回時のジッタは９．２％、オーバライト１０回時のジッタは７．９％、オーバライト１０００回時のジッタは１０．２％であり、いずれも１１．０％を下回り記録特性及びオーバライト特性が良好であった。
（実施例１３）
第３保護膜６をＩｎＣｅＯターゲットを用いて最適な膜厚で形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に熱伝導率を測定したところ、第３保護膜６の熱伝導率σ３は９．０Ｗ／ｍ／Ｋである。
オーバライト０回時のジッタは７．４％、オーバライト１回時のジッタは８．９％、オーバライト１０回時のジッタは８．６％、オーバライト１０００回時のジッタは１０．７％であり、いずれも１１．０％を下回り記録特性及びオーバライト特性が良好であった。
第３保護膜６をＩｎＣｅＯターゲットを用いて最適な膜厚で形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に熱伝導率を測定したところ、第３保護膜６の熱伝導率σ３は９．０Ｗ／ｍ／Ｋである。
オーバライト０回時のジッタは７．４％、オーバライト１回時のジッタは８．９％、オーバライト１０回時のジッタは８．６％、オーバライト１０００回時のジッタは１０．７％であり、いずれも１１．０％を下回り記録特性及びオーバライト特性が良好であった。
（比較例１２）
第３保護膜６をＴａ2Ｏ5ターゲットを用いて最適な膜厚で形成し、界面膜３をＡｌ2Ｏ3ターゲットを用いて最適な膜厚で形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に熱伝導率を測定したところ、第３保護膜６の熱伝導率σ３は１５Ｗ／ｍ／Ｋ、界面膜３の熱伝導率σｋは２９Ｗ／ｍ／Ｋである。
オーバライト０回時のジッタは７．６％、オーバライト１回時のジッタは１１．６％、オーバライト１０回時のジッタは９．４％、オーバライト１０００回時のジッタは１２．４％であり、オーバライト１回、１０００回時のジッタが１１．０％を超えたため、オーバライト特性が良好でなかった。
第３保護膜６をＴａ2Ｏ5ターゲットを用いて最適な膜厚で形成し、界面膜３をＡｌ2Ｏ3ターゲットを用いて最適な膜厚で形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に熱伝導率を測定したところ、第３保護膜６の熱伝導率σ３は１５Ｗ／ｍ／Ｋ、界面膜３の熱伝導率σｋは２９Ｗ／ｍ／Ｋである。
オーバライト０回時のジッタは７．６％、オーバライト１回時のジッタは１１．６％、オーバライト１０回時のジッタは９．４％、オーバライト１０００回時のジッタは１２．４％であり、オーバライト１回、１０００回時のジッタが１１．０％を超えたため、オーバライト特性が良好でなかった。
以上の実施例１、１２、１３及び比較例１２より、第３保護膜６の熱伝導率σ３の好ましい範囲は、１０Ｗ／ｍ／Ｋ未満であることが分かった。第３保護膜６の熱伝導率σ３が１０Ｗ／ｍ／Ｋ以上であると、半透過記録膜４への記録の際にレーザ光Ｌによる熱が、半透過記録膜４で十分に蓄熱できずに半透過反射膜７へ放熱され、半透過記録膜４の放熱と蓄熱のバランスが妨げられる。従って、オーバライト歪を補正し難くなり、オーバライト１回目のジッタが若干悪化する。
更に、実施例１の光記録媒体Ｄのように、第１保護膜２及び第３保護膜６の材料はＺｎＳとＳｉＯ2との少なくとも一方を含んでおり、界面膜３の材料はＧｅＮを主成分とし、第２保護膜５の材料はＳｉＣを主成分とすると、表１に示すように、オーバライト０回、１回、１０回、１０００回時のジッタはいずれも９．０％を下回り、より好ましい結果が得られた。
１ 第１基板（基板）
２ 第１保護膜
３ 界面膜
４ 半透過記録膜
５ 第２保護膜
６ 第３保護膜
７ 半透過反射膜
２ 第１保護膜
３ 界面膜
４ 半透過記録膜
５ 第２保護膜
６ 第３保護膜
７ 半透過反射膜
Claims (3)
- 光により情報が記録または再生される光記録媒体において、
第１の面に対して前記光が入射される基板と、
前記基板における前記第１の面と対向する第２の面上に少なくとも２層である複数の情報層とを備え、
前記基板から見て最も奥に位置する情報層以外の少なくとも一つの情報層は、少なくとも第１保護膜と界面膜と半透過記録膜と第２保護膜と第３保護膜と半透過反射膜とが前記基板から見てこの順に積層されており、
前記半透過反射膜の膜厚は１０ｎｍ未満であり、
前記第１保護膜、前記界面膜、前記第２保護膜、前記第３保護膜の熱伝導率をそれぞれ、σ１、σｋ、σ２、σ３としたとき、
σ２＞σｋ＞（σ１，σ３）となる材料で前記第１保護膜、前記界面膜、前記第２保護膜、前記第３保護膜は形成されていることを特徴とする光記録媒体。 - 前記第１保護膜の熱伝導率σ１は、１０Ｗ／ｍ／Ｋ未満であり、
前記界面膜の熱伝導率σｋは、１０Ｗ／ｍ／Ｋ以上５０Ｗ／ｍ／Ｋ未満であり、
前記第２保護膜の熱伝導率σ２は、５０Ｗ／ｍ／Ｋ以上１８０Ｗ／ｍ／Ｋ未満であり、
前記第３保護膜の熱伝導率σ３は、１０Ｗ／ｍ／Ｋ未満であることを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。 - 前記第１保護膜は、ＺｎＳとＳｉＯ2との少なくとも一方を含む材料からなり、
前記界面膜は、ＧｅＮを主成分とした材料からなり、
前記第２保護膜は、ＳｉＣを主成分とした材料からなり、
前記第３保護膜は、ＺｎＳとＳｉＯ2との少なくとも一方を含む材料からなることを特徴とする請求項１または２に記載の光記録媒体。
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